JPS5886785A - 発光ダイオ−ドでポンピングされるアレキサンドライト・レ−ザ− - Google Patents
発光ダイオ−ドでポンピングされるアレキサンドライト・レ−ザ−Info
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- JPS5886785A JPS5886785A JP19449582A JP19449582A JPS5886785A JP S5886785 A JPS5886785 A JP S5886785A JP 19449582 A JP19449582 A JP 19449582A JP 19449582 A JP19449582 A JP 19449582A JP S5886785 A JPS5886785 A JP S5886785A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
-
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- H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
- H01S3/1631—Solid materials characterised by a crystal matrix aluminate
- H01S3/1633—BeAl2O4, i.e. Chrysoberyl
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザー媒質がアレキサンドライトで、1個ま
たはそれ以上の発光ダイオード(LED )によりポン
ピングされるレーザーに関する。
たはそれ以上の発光ダイオード(LED )によりポン
ピングされるレーザーに関する。
固体レーザーのLED−ポンピングに関する報告は特許
及び技術刊行物の両方に見られる。これらの中にオスタ
ーマイヤー(0ster%yer )の1972年5月
16日発行の米国特許第3,663,893号、プレン
ナー(f3renner )の1974年6月28日発
行の米国特許第3,821,663号、1.、、J。
及び技術刊行物の両方に見られる。これらの中にオスタ
ーマイヤー(0ster%yer )の1972年5月
16日発行の米国特許第3,663,893号、プレン
ナー(f3renner )の1974年6月28日発
行の米国特許第3,821,663号、1.、、J。
ローゼンクランッ(Rosenkrantz )の報告
J。
J。
Appl、Phys、43.4603(1972年)等
がある。これらの文献に詳細に説明されている唯一のレ
ーザー媒質はNd : YAGである。しかしながらY
AGにおけるNd3+イオンの狭い吸収帯のためこれら
のレーザーは余り効果的でない。さらにレーザーの出力
は高温で減少するので、LEDによって発生する熱は補
助的冷却手段を用いて散逸されなければならない。
がある。これらの文献に詳細に説明されている唯一のレ
ーザー媒質はNd : YAGである。しかしながらY
AGにおけるNd3+イオンの狭い吸収帯のためこれら
のレーザーは余り効果的でない。さらにレーザーの出力
は高温で減少するので、LEDによって発生する熱は補
助的冷却手段を用いて散逸されなければならない。
レーザー媒質として、アレキサンドライト(BeA12
04:Cr3+)を用いる整調可能なレーザーが198
1年6月9日発行のJ、C,ウォリング(Wallin
g ) らの米国特許第4,272,733号に開示
されている。この発明者はコヒーレン)及び非コヒーレ
ントのポンピング光源の両方についテ開示している。−
詳細に説明されている非コヒーレント光源は気体放電灯
及び金属蒸気光源であった。
04:Cr3+)を用いる整調可能なレーザーが198
1年6月9日発行のJ、C,ウォリング(Wallin
g ) らの米国特許第4,272,733号に開示
されている。この発明者はコヒーレン)及び非コヒーレ
ントのポンピング光源の両方についテ開示している。−
詳細に説明されている非コヒーレント光源は気体放電灯
及び金属蒸気光源であった。
本発明の説明において用いる用語「アレキサンドライト
」はクリソベリル構造の3価クロムでドーピングされた
アルミン酸ベリリウム(BeA120s:Cr3+)を
意味するものとする。
」はクリソベリル構造の3価クロムでドーピングされた
アルミン酸ベリリウム(BeA120s:Cr3+)を
意味するものとする。
本発明はレーザー装置を提供するものである。
このレーザーは単結晶のアレキサンドライトからなり2
つの端部を有するレーザー媒質と、レーザー媒質を励起
させてコヒーレントな放射を放出するための手段と、光
共振器をなす反射鏡とからなり、上記レーザー媒質を励
起させる手段がレーザー媒質に付接して、放出された光
がレーザー媒質に向けられろように配設された少なくと
も1つの発光ダイオードからなり、また上記光共振器は
レーザー媒質の両端部を包囲しレーザー発振を反射鏡間
に維持するようにしである。この説明で11つの」LE
Dに関して言及する場合複数のLEDの場合をも含むも
のと理解されるべきである。
つの端部を有するレーザー媒質と、レーザー媒質を励起
させてコヒーレントな放射を放出するための手段と、光
共振器をなす反射鏡とからなり、上記レーザー媒質を励
起させる手段がレーザー媒質に付接して、放出された光
がレーザー媒質に向けられろように配設された少なくと
も1つの発光ダイオードからなり、また上記光共振器は
レーザー媒質の両端部を包囲しレーザー発振を反射鏡間
に維持するようにしである。この説明で11つの」LE
Dに関して言及する場合複数のLEDの場合をも含むも
のと理解されるべきである。
本発明はレーザー装置ドの補助的冷却手段を必要とせず
に作動できる効果的なレーザーを提供するものである。
に作動できる効果的なレーザーを提供するものである。
本発明はLEDでポンピングされるアレキサンドライト
・レーザー装置を提供するものである。
・レーザー装置を提供するものである。
このレーザー装置はレーザー媒質としての単結晶アレキ
サンドライトと、アレキサンドライトをポンピングする
ための少なくとも1つのLEDと、アレキサンドライト
を包囲しレーザー発振をその間に維持するための反射鏡
とからなる。LE、Dは固体レーザーの光ポンピングに
いくつかの利点を与えろ。これによりコンパクトで、軽
量で、強固な構造と共に高い信頼性と長い寿命とが可能
になる。100,000時間を越える作動時間が容易に
達せられる。
サンドライトと、アレキサンドライトをポンピングする
ための少なくとも1つのLEDと、アレキサンドライト
を包囲しレーザー発振をその間に維持するための反射鏡
とからなる。LE、Dは固体レーザーの光ポンピングに
いくつかの利点を与えろ。これによりコンパクトで、軽
量で、強固な構造と共に高い信頼性と長い寿命とが可能
になる。100,000時間を越える作動時間が容易に
達せられる。
アレキサンドライトのいくつかの特徴は特にLEDによ
るポンピングに適したものになり、独特な利点を与える
ものである。池の固体レーザー材料と異なり、アレキサ
ンドライトは380 nmトロ 80 nmとの間の可
視スペクトルにわたる幅広い吸収を示す。吸収は特に4
10 nm及び590nmの近くに中心をもつ帯域で強
くなる。必要なポンピング・エネルギーのしきい値は直
径6間×76朋のロッドに関して約10Jであり、特定
の場合について通常の実験で決定されよう。
るポンピングに適したものになり、独特な利点を与える
ものである。池の固体レーザー材料と異なり、アレキサ
ンドライトは380 nmトロ 80 nmとの間の可
視スペクトルにわたる幅広い吸収を示す。吸収は特に4
10 nm及び590nmの近くに中心をもつ帯域で強
くなる。必要なポンピング・エネルギーのしきい値は直
径6間×76朋のロッドに関して約10Jであり、特定
の場合について通常の実験で決定されよう。
最適ポンピングではLEDはレーザー媒質に光学的にも
熱的にも密接している。従ってLEDがレーザー媒質を
ポンピングするのに所望の光エネルギーを与えると、発
生する熱でレーザー媒質の温度が増大するであろう。他
の固体レーザーの場合と異なり、アレキサンドライト・
レーザーのゲイン及び傾斜係数は温度の増加と共に増大
し、エネルギーのしきい値は減本する。従ってLEDに
よりポンピングされるアレキサンドライト・レーザーは
補助的なレーザー媒質の冷却手段を必要としない。しか
しながらこれは性能が温度の増大と共に単調に改善さ飢
ろことを示すものではない。
熱的にも密接している。従ってLEDがレーザー媒質を
ポンピングするのに所望の光エネルギーを与えると、発
生する熱でレーザー媒質の温度が増大するであろう。他
の固体レーザーの場合と異なり、アレキサンドライト・
レーザーのゲイン及び傾斜係数は温度の増加と共に増大
し、エネルギーのしきい値は減本する。従ってLEDに
よりポンピングされるアレキサンドライト・レーザーは
補助的なレーザー媒質の冷却手段を必要としない。しか
しながらこれは性能が温度の増大と共に単調に改善さ飢
ろことを示すものではない。
励起状態の寿命時間は温度と共に減少する。例えば80
’Cで螢光崩壊時間は120μsである。
’Cで螢光崩壊時間は120μsである。
(サム(Sam)らのProceedings of
5PIE247.130(1980)を参照)。効果的
なポンピングは光ポンピングのパルスが螢光寿命時間に
比べて短いことを要する。かくして高い強度で短い持続
時間のポンピングへの高温限界作動及び最適作動温度は
ゲインの増加と螢光寿命時間の減少との間のかね合いに
よるということになろう。
5PIE247.130(1980)を参照)。効果的
なポンピングは光ポンピングのパルスが螢光寿命時間に
比べて短いことを要する。かくして高い強度で短い持続
時間のポンピングへの高温限界作動及び最適作動温度は
ゲインの増加と螢光寿命時間の減少との間のかね合いに
よるということになろう。
アレキサンドライト・レーザーはその出力が深紅色から
赤外までの範囲にわたって広く整調可能であるという点
で固体レーザーの中でも独特である。整調特性を実現す
るためにレーザーは光共振器の反射鏡の間に整調手段を
備えることになる。
赤外までの範囲にわたって広く整調可能であるという点
で固体レーザーの中でも独特である。整調特性を実現す
るためにレーザーは光共振器の反射鏡の間に整調手段を
備えることになる。
整調手段は当該技術分野で知られている従来の型のもの
、例えば複屈折フィルター、プリズム、光学格子等でよ
い。アレキサンドライト・レーザーの同調範囲は約70
0〜820 nrnであり、高(1励起エネルギーを用
いてより長い、あるいはより短い波長に拡張されよう。
、例えば複屈折フィルター、プリズム、光学格子等でよ
い。アレキサンドライト・レーザーの同調範囲は約70
0〜820 nrnであり、高(1励起エネルギーを用
いてより長い、あるいはより短い波長に拡張されよう。
アレキサンドライト・レーザー媒質の幾何学的形状は前
述の材料の特性を利用するように選定するのが好ましい
。アレキサンドライトはほぼ円形断面を有するロンド形
状でよいが、特にポンピングの波長が強く吸収されると
きにほぼ矩形の断面を有する細長いスラブ状のアレキサ
ンドライトがポンピング効果及び製作の便宜の点で好ま
しい。
述の材料の特性を利用するように選定するのが好ましい
。アレキサンドライトはほぼ円形断面を有するロンド形
状でよいが、特にポンピングの波長が強く吸収されると
きにほぼ矩形の断面を有する細長いスラブ状のアレキサ
ンドライトがポンピング効果及び製作の便宜の点で好ま
しい。
スラブの長い方の寸法は結晶のα−C平面の方向である
のが好ましい。スラブの厚さくすなわち最短の寸法)は
光吸収が全体積にわたってほぼ一様であるように選定す
るのが好ましい。これは例えばスラブの対向する面に沿
ってLEDを配列し入射光の約80チを吸収する厚さを
選定することによってなされる。ポンピング効果を最大
にするためKLEDは2つの最大の面の全面を覆うのが
好ましい。結晶のb軸は590 nmの波長域における
吸収を最大にする面に垂直であるのが好ましい。
のが好ましい。スラブの厚さくすなわち最短の寸法)は
光吸収が全体積にわたってほぼ一様であるように選定す
るのが好ましい。これは例えばスラブの対向する面に沿
ってLEDを配列し入射光の約80チを吸収する厚さを
選定することによってなされる。ポンピング効果を最大
にするためKLEDは2つの最大の面の全面を覆うのが
好ましい。結晶のb軸は590 nmの波長域における
吸収を最大にする面に垂直であるのが好ましい。
LEDで覆われない面の部分はポンピング効果を最大に
するため反射性コーティングを施すのが好ましい。同じ
理由により側面も反射性コーティングを施すのが好まし
い。端面ば光共振器がレーザー媒質VCtll限される
か両端を越えるかに応じてそれぞれ反射性コーティング
か誘電性非反射性コーティングを施される。
するため反射性コーティングを施すのが好ましい。同じ
理由により側面も反射性コーティングを施すのが好まし
い。端面ば光共振器がレーザー媒質VCtll限される
か両端を越えるかに応じてそれぞれ反射性コーティング
か誘電性非反射性コーティングを施される。
便宜上及びポンピング効果の点からも一般的にLEDを
レーザー媒質に接触させるのが望ましく・。
レーザー媒質に接触させるのが望ましく・。
しかしながらLEDを表面から離してもよ(−0LED
は当該技術において周知の透明な高温エポキシを用いて
アレキサンドライトに固着してもよ・い。あろいは又、
LEDはアレキサンドライトに機械的に接触保持され、
あるいは近接して間隔をおくようにしてもよい。
は当該技術において周知の透明な高温エポキシを用いて
アレキサンドライトに固着してもよ・い。あろいは又、
LEDはアレキサンドライトに機械的に接触保持され、
あるいは近接して間隔をおくようにしてもよい。
LEDの光出力はアレキサンドライトの吸収ピーク値に
適合するのが好ましい。かくして可視スペクトルで発光
を行なうLEDハ590 nm )近くであるのが好ま
しい。適当な出力波長を有するLEDの中IF:、56
5 nm、で発光するN−ド−ピングしたGaP及び5
85nmに発光ピークを有するN−ドーピングしたG(
LAllO,15Po、ssがある。
適合するのが好ましい。かくして可視スペクトルで発光
を行なうLEDハ590 nm )近くであるのが好ま
しい。適当な出力波長を有するLEDの中IF:、56
5 nm、で発光するN−ド−ピングしたGaP及び5
85nmに発光ピークを有するN−ドーピングしたG(
LAllO,15Po、ssがある。
これらのLEDはいくつかの筋から市販されて(1ろ。
LEDの出力は高温での作動により減少する。
それゆえ用途により、またLED出力を最大にする必要
性に応じて、LEDを冷却するのが望ましい。冷却手段
は流体冷却あるいは排熱部との十分な熱的接触による冷
却等当該技術にお(1て知られている従来のものでよい
。ある程度までアレキサンドライト自体が排熱部として
作用する。LEDがアレキサンドライトのスラブの最大
の面の両方あるいは細長いロンドの大きい面を覆し・、
LEDが冷却材で囲まれていれば、アレキサンドライト
による直接冷却はほとんどない。しかじな力(らπ■述
のようにアレキサンドライトのゲインは温度と共に増加
し、かくしてアレキサンドライトによる冷却は概して重
要でない。
性に応じて、LEDを冷却するのが望ましい。冷却手段
は流体冷却あるいは排熱部との十分な熱的接触による冷
却等当該技術にお(1て知られている従来のものでよい
。ある程度までアレキサンドライト自体が排熱部として
作用する。LEDがアレキサンドライトのスラブの最大
の面の両方あるいは細長いロンドの大きい面を覆し・、
LEDが冷却材で囲まれていれば、アレキサンドライト
による直接冷却はほとんどない。しかじな力(らπ■述
のようにアレキサンドライトのゲインは温度と共に増加
し、かくしてアレキサンドライトによる冷却は概して重
要でない。
本発明のレーザーを作動させる好まし0方法It↓高周
波数パルスによる作動である。これを行なうためLED
に結合して作動するTTL制御式あるいはCMO3の回
路等の従来の電子制御手段を用いてLEDが高周波数で
トリガーされる。高出力、高周波数での作動により熱が
発生し、この熱がまたLEDの出力を減少させることに
なるので、最適の作動はLEDの入力のレベル、周波数
、冷却パラメータの間のかね合いによることになる。特
定の使用状態で最適な作動条件は通常の実験で決定でき
る。
波数パルスによる作動である。これを行なうためLED
に結合して作動するTTL制御式あるいはCMO3の回
路等の従来の電子制御手段を用いてLEDが高周波数で
トリガーされる。高出力、高周波数での作動により熱が
発生し、この熱がまたLEDの出力を減少させることに
なるので、最適の作動はLEDの入力のレベル、周波数
、冷却パラメータの間のかね合いによることになる。特
定の使用状態で最適な作動条件は通常の実験で決定でき
る。
第1図は本発明のレーザーの概略図である。単結晶のア
レキサンドライ)10はレーザー媒質であり、少なくと
も1つのLED 11により光ポンピングされる。レー
ザー媒質10の端部のコーティング12は反射性コーテ
ィングでも、また誘電性非反射性コーティングでもよい
。図示の実施例においてコーティングは非反射性であり
、レーザー発振は全反射焼13と部分反射鏡14との間
に維持される。任意に設けられる同調素子15は所望の
出力波長を与えるように調節される。レーザーはまた任
意にQ−スイッチングの手段を含むものでもよい。これ
らの手段は可飽和染料吸収材。
レキサンドライ)10はレーザー媒質であり、少なくと
も1つのLED 11により光ポンピングされる。レー
ザー媒質10の端部のコーティング12は反射性コーテ
ィングでも、また誘電性非反射性コーティングでもよい
。図示の実施例においてコーティングは非反射性であり
、レーザー発振は全反射焼13と部分反射鏡14との間
に維持される。任意に設けられる同調素子15は所望の
出力波長を与えるように調節される。レーザーはまた任
意にQ−スイッチングの手段を含むものでもよい。これ
らの手段は可飽和染料吸収材。
音響光学Q−スイッチ、あるいは第1図に示すようにビ
ーム行路に配置された偏光子16及びポッケルス・セル
17からなるものでよい。偏光子は特に低い励起出力で
は省略してもよい。LEDの性能を最適にするため必要
であればレーザー媒質10及びLED 11はこれを取
囲む外装体19内で循回する流体18により冷却しても
よい。流体18は空気、水あるいは冷凍液でよく、また
よりよい温度制御を行なうため従来の手段により予熱し
てもよい。
ーム行路に配置された偏光子16及びポッケルス・セル
17からなるものでよい。偏光子は特に低い励起出力で
は省略してもよい。LEDの性能を最適にするため必要
であればレーザー媒質10及びLED 11はこれを取
囲む外装体19内で循回する流体18により冷却しても
よい。流体18は空気、水あるいは冷凍液でよく、また
よりよい温度制御を行なうため従来の手段により予熱し
てもよい。
第2図は第1図の直線A−A上にとって断面を示してい
る。レーザー媒質10の側面は反射性コーティング20
及び21を有するのが好ましい。
る。レーザー媒質10の側面は反射性コーティング20
及び21を有するのが好ましい。
さらにレーザー媒質の面がLEDIIで完全に覆われて
いるのでなければ、LEDで覆われていない面の部分は
反射性コーティングを施されるのが好ましい。
いるのでなければ、LEDで覆われていない面の部分は
反射性コーティングを施されるのが好ましい。
第3図はロッド10a及び外装体19αが円形断面を有
し、ロッドがLEDllaでポンピングされろ実施例に
おける第1図の直線A、−A上にとった断面を示してい
る。この実施例−でロッド10αがLEDllaで完全
に囲まれていれば、冷却流体18がレーザー媒質と直接
接触するように入り込むことはない。アレキサンドライ
トの高温作動能力により独自にこの形状が可能になる。
し、ロッドがLEDllaでポンピングされろ実施例に
おける第1図の直線A、−A上にとった断面を示してい
る。この実施例−でロッド10αがLEDllaで完全
に囲まれていれば、冷却流体18がレーザー媒質と直接
接触するように入り込むことはない。アレキサンドライ
トの高温作動能力により独自にこの形状が可能になる。
第1図は本発明のLEDでボンピンクされるレーザーの
概略図である。 第2図はレーザー媒質及びこれに付接するLEDの断面
図である。 第3図はレーザー媒質及び付接するLEDの池の形状の
ものの断面図である。
概略図である。 第2図はレーザー媒質及びこれに付接するLEDの断面
図である。 第3図はレーザー媒質及び付接するLEDの池の形状の
ものの断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(α)単結晶アレキサンドライトからなり2つの端
部な有するレーザー媒質と、 (b)該レーザー媒質に付接していて、放出された光が
上記レーザー媒質に向けられろように配設された少なく
とも1つの発光ダイオードからなる、上記レーザー媒質
を励起させてコヒーレントな放射を放出するための手段
と、(c) 上記レーザー媒質の両端部を包囲しレー
ザー発振をその間に維持するようにした光共振器をなす
反射鏡と、 からなるレーザー装置。 2、上記レーザー媒質がその長い方向に垂直なほぼ矩形
の断面を有する細長いスラブ形であることを特徴とする
特許請求の範囲1に記載のレーザー装置。 3−ト記レーザー媒質がその長い方向に垂直なほぼ円形
の断面を有する細長いロッド形である、ことを特徴とす
る特許請求の範囲1に記載のレーザー装置。 4 上記発光ダイオードがN−ドーピングしたGαA8
旧5P0.85 からなることを特徴とする特許請求
の範囲1に記載のレーザー装置。 5、上記発光ダイオードがN−ドーピングしたGaP
からなることを特徴とする特許請求の範囲1に記載のレ
ーザー装置。 6、赤から赤外までの範囲におけるコヒーレントな放射
を同調させるための同調手段をさらに含むことを特徴と
する特許請求の範囲1に記載のレーザー装置。 7、 上記発光ダイオードからのパルス状出力を励起さ
せるため上記発光ダイオードに結合して作動する手段を
さらに含むことを特徴とする特許請求の範囲1に記載の
レーザー装置。 8、上記発光ダイオードを冷却するための手段をさらに
含むことを特徴とする特許請求の範囲1に記載のレーザ
ー装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US31876381A | 1981-11-06 | 1981-11-06 | |
US318763 | 2002-12-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5886785A true JPS5886785A (ja) | 1983-05-24 |
Family
ID=23239495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19449582A Pending JPS5886785A (ja) | 1981-11-06 | 1982-11-05 | 発光ダイオ−ドでポンピングされるアレキサンドライト・レ−ザ− |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0078941A1 (ja) |
JP (1) | JPS5886785A (ja) |
CA (1) | CA1196079A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02130882A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Hitachi Ltd | 固体レーザ装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4599727A (en) * | 1984-10-26 | 1986-07-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Strontium aluminum fluoride laser |
GB2215906B (en) * | 1988-02-10 | 1992-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | Laser device |
FR2641718B1 (fr) * | 1989-01-17 | 1992-03-20 | Ardt | Procede de nettoyage de la surface de matieres solides et dispositif de mise en oeuvre de ce procede, utilisant un laser impulsionnel de puissance, a impulsions courtes, dont on focalise le faisceau sur la surface a nettoyer |
US5257277A (en) * | 1990-01-19 | 1993-10-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor-laser-pumped, solid-state laser |
US5159605A (en) * | 1990-01-19 | 1992-10-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor-laser-pumped, solid-state laser |
DE19843752A1 (de) * | 1998-09-23 | 2000-03-30 | Walter Langner | Led-gepumpter Hochleistungslaser |
US7522651B2 (en) | 2004-03-10 | 2009-04-21 | Pavilion Integration Corporation | Solid-state lasers employing incoherent monochromatic pump |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3555452A (en) * | 1967-10-02 | 1971-01-12 | Litton Precision Prod Inc | Laser apparatus |
US3663893A (en) * | 1970-07-13 | 1972-05-16 | Bell Telephone Labor Inc | High-efficiency diode-pumped lasers |
US3711789A (en) * | 1970-11-18 | 1973-01-16 | Texas Instruments Inc | Diode array assembly for diode pumped lasers |
US3821663A (en) * | 1973-01-15 | 1974-06-28 | Motorola Inc | Integral reflecting cavity semiconductor pumped laser |
US3851268A (en) * | 1973-05-11 | 1974-11-26 | Bell Telephone Labor Inc | Mini-laser |
US3997853A (en) * | 1974-11-29 | 1976-12-14 | Allied Chemical Corporation | Chromium-doped beryllium aluminate lasers |
US4272733A (en) * | 1978-10-20 | 1981-06-09 | Allied Chemical Corporation | Broadly tunable chromium-doped beryllium aluminate lasers and operation thereof |
-
1982
- 1982-10-18 EP EP82109604A patent/EP0078941A1/en not_active Withdrawn
- 1982-11-02 CA CA000414697A patent/CA1196079A/en not_active Expired
- 1982-11-05 JP JP19449582A patent/JPS5886785A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02130882A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Hitachi Ltd | 固体レーザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0078941A1 (en) | 1983-05-18 |
CA1196079A (en) | 1985-10-29 |
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