JPS5885502A - 厚膜バリスタの製造法 - Google Patents
厚膜バリスタの製造法Info
- Publication number
- JPS5885502A JPS5885502A JP56184622A JP18462281A JPS5885502A JP S5885502 A JPS5885502 A JP S5885502A JP 56184622 A JP56184622 A JP 56184622A JP 18462281 A JP18462281 A JP 18462281A JP S5885502 A JPS5885502 A JP S5885502A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- film
- thick film
- glass
- electrically insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気絶縁性基板」二に設けられだＺｎＯ焼結体
粉体とこれを結合するためのカラスフリットからなるバ
リスタｊ俣に一対の電極を伺与した厚膜バリスタの製造
法に関するものである。
粉体とこれを結合するためのカラスフリットからなるバ
リスタｊ俣に一対の電極を伺与した厚膜バリスタの製造
法に関するものである。
その目的は、メッキ時における耐酸性に優れた厚膜バリ
スタを提供することにある。
スタを提供することにある。
従来からＺｎＯ焼結体粉体とガラスフリットからなる厚
膜−・リスクが開発され、微少ｊ°、」膜化）Ｘ１９品
として実用に供さＪｌ、できている。
膜−・リスクが開発され、微少ｊ°、」膜化）Ｘ１９品
として実用に供さＪｌ、できている。
第１図は従来の厚ｊ１にバリスタの基本構造の一例を小
す乎面図であり、第２図１．１−第１図のＣ−Ｑ’線よ
りみた断面である１、 図において、１Ｃ１電気絶縁１’ｌで＋ｌ１ｌＪ ；”
！ｌ １／Ｉ−を有するアルミナ基板、２ａと２ ｂ
ｌ、ｆ、電１１計、３Ｖ１バリスタ膜で酸化亜鉛粉粒体
とカラスから４：るものであり、４は絶縁被覆層で低融
点カラスも（〜＜ １ルジス］・インク等から庁るもの
である。
す乎面図であり、第２図１．１−第１図のＣ−Ｑ’線よ
りみた断面である１、 図において、１Ｃ１電気絶縁１’ｌで＋ｌ１ｌＪ ；”
！ｌ １／Ｉ−を有するアルミナ基板、２ａと２ ｂ
ｌ、ｆ、電１１計、３Ｖ１バリスタ膜で酸化亜鉛粉粒体
とカラスから４：るものであり、４は絶縁被覆層で低融
点カラスも（〜＜ １ルジス］・インク等から庁るもの
である。
上記の従来における厚膜バリスタの場合、次のような欠
点かぁ−、た３、ずなわ１ハ電（１／Ｉ１部分に銀を使
用している／（め電極部分の半１１１イ・ｊけＩｌ、′
ｊに銀くわれが発生ずるという問題があり、！１）にチ
ップ部品のように７Ｅ極面積の小さいものに４・・いて
Ｃ，致命的な問題であった。し／こがって、チップ部品
のＪ：うに電極面積の小さいものにｉ＝−いてｅ」：、
電イ参部分に半田メッキ等の処理を行って半１１目・１
゛け性の特性向」−ヲ計る必要があった。そこで、従来
の厚膜バリスタに半１１」メッキ等の処理を行ったが、
バリスタ膜をその側面部を含んで完全に絶縁被覆した構
造でないため、バリスタ膜が半１」１メツキ液等の強酸
性によって特性に悪影響を受けるという曲頭があった。
点かぁ−、た３、ずなわ１ハ電（１／Ｉ１部分に銀を使
用している／（め電極部分の半１１１イ・ｊけＩｌ、′
ｊに銀くわれが発生ずるという問題があり、！１）にチ
ップ部品のように７Ｅ極面積の小さいものに４・・いて
Ｃ，致命的な問題であった。し／こがって、チップ部品
のＪ：うに電極面積の小さいものにｉ＝−いてｅ」：、
電イ参部分に半田メッキ等の処理を行って半１１目・１
゛け性の特性向」−ヲ計る必要があった。そこで、従来
の厚膜バリスタに半１１」メッキ等の処理を行ったが、
バリスタ膜をその側面部を含んで完全に絶縁被覆した構
造でないため、バリスタ膜が半１」１メツキ液等の強酸
性によって特性に悪影響を受けるという曲頭があった。
本発明はこのような従来の厚膜バリスタのもつ欠点を解
消するものであり、電気絶縁性基板の上に直接あるいは
電極を介して、ＺｎＯ焼結体粉体粉体とガラスフリット
に増粘剤を含む溶剤を加えたペーストを塗布し、ガラス
の融点以上で焼料けてバリスタ膜を形成し、さらに電気
的絶縁性のペースト（低融点ガラス、レジストインク）
をバリスタ膜の上部および側面部に塗布し、乾燥寸たは
焼付けてバリスタ膜を側面部を含んで完全に絶縁被覆し
たことを特徴とするものである。
消するものであり、電気絶縁性基板の上に直接あるいは
電極を介して、ＺｎＯ焼結体粉体粉体とガラスフリット
に増粘剤を含む溶剤を加えたペーストを塗布し、ガラス
の融点以上で焼料けてバリスタ膜を形成し、さらに電気
的絶縁性のペースト（低融点ガラス、レジストインク）
をバリスタ膜の上部および側面部に塗布し、乾燥寸たは
焼付けてバリスタ膜を側面部を含んで完全に絶縁被覆し
たことを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を第３図に」＝り説明する。第
３図において、５は電気絶縁性で劇熱性を有するアルミ
ナ基板であり、この」−に銀ペースト等の印刷焼付によ
り電極６ａが設けられている。
３図において、５は電気絶縁性で劇熱性を有するアルミ
ナ基板であり、この」−に銀ペースト等の印刷焼付によ
り電極６ａが設けられている。
次に、この電極６ａ上にＺｎＯ焼結体粉体とガラスフリ
ットに増粘剤を含む溶剤を加えたペーストを塗布し、ガ
ラスのｍｌ１点以上でも？、伺けてなるバリスタ膜７を
形成し、さらにこのバリスタ膜７」−に電極６ｂを設け
、しかる後に・・リスタ膜７の上部および側面部を被榎
するように印刷劫、伺または印刷乾燥の方法により絶縁
被覆層８を設けて一体構造としだものである。
ットに増粘剤を含む溶剤を加えたペーストを塗布し、ガ
ラスのｍｌ１点以上でも？、伺けてなるバリスタ膜７を
形成し、さらにこのバリスタ膜７」−に電極６ｂを設け
、しかる後に・・リスタ膜７の上部および側面部を被榎
するように印刷劫、伺または印刷乾燥の方法により絶縁
被覆層８を設けて一体構造としだものである。
一］−記において、絶縁被覆層８はペースｉ・状の低融
点ガラス、レジメトインク等の印刷焼料または印刷乾燥
により形成したものであり、絶縁被覆層８はバリスタ膜
了、バリスタ膜Ｔ十の電極６ｂとの密着性が良好であり
、［１つ優れた電気絶縁特性。
点ガラス、レジメトインク等の印刷焼料または印刷乾燥
により形成したものであり、絶縁被覆層８はバリスタ膜
了、バリスタ膜Ｔ十の電極６ｂとの密着性が良好であり
、［１つ優れた電気絶縁特性。
耐酸性を有する組成からなるようにしたものであり、過
度な膜厚に調整してバリスタ膜７をその側面部を含んで
完全に被覆するように形成されている。このように構成
した絶縁被覆層８は７ノキ時における耐酸性に優れ、バ
リスタ膜７のメッギ時における耐酸性同寸−に寄（ｊす
るものであり、絶縁被覆層８で被覆されていない電（ヴ
６＆ 、６ｂにバリスタ膜γの特性劣化なくメッキ処」
１１１により半田等のノノキを用油にし、厚膜バリスタ
の電極部分の半田付は性向−Ｌ−ｋ ”Ｊ能にするもの
である。
度な膜厚に調整してバリスタ膜７をその側面部を含んで
完全に被覆するように形成されている。このように構成
した絶縁被覆層８は７ノキ時における耐酸性に優れ、バ
リスタ膜７のメッギ時における耐酸性同寸−に寄（ｊす
るものであり、絶縁被覆層８で被覆されていない電（ヴ
６＆ 、６ｂにバリスタ膜γの特性劣化なくメッキ処」
１１１により半田等のノノキを用油にし、厚膜バリスタ
の電極部分の半田付は性向−Ｌ−ｋ ”Ｊ能にするもの
である。
第１図は従来の厚膜バリスタの基本構造の一例を示す平
面図、第２図は第１図のｃ−ｃ’線よりみた断面図、第
３図は本発明による製造法により得られた厚膜バリスタ
の一例を示す断面図である。 ５・・・・・・アルミナ基板、６ａ、ｅｂ・・・°゛°
°電憾・・・・・・バリスタ膜、８・°°・・・絶縁被
覆層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 カ はが１名第１
図 ↑ θ′ 第２図 第３図
面図、第２図は第１図のｃ−ｃ’線よりみた断面図、第
３図は本発明による製造法により得られた厚膜バリスタ
の一例を示す断面図である。 ５・・・・・・アルミナ基板、６ａ、ｅｂ・・・°゛°
°電憾・・・・・・バリスタ膜、８・°°・・・絶縁被
覆層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 カ はが１名第１
図 ↑ θ′ 第２図 第３図
Claims (1)
- 電気絶縁性基板の上に直接あるいは電極を介して、Ｚｎ
Ｏ焼結体粉体とガラスノリノドに増粘剤を含む溶剤を加
えたペーストをを布し、ガラスの融点以」二で焼付けて
・・リスク膜を形成し、さらに電気的絶縁性のペースト
を上記バリスタ膜の」一部および側面部に塗布し、乾燥
または焼付けて上記バリスタ膜を側面部を含んで完全に
絶縁被覆層で被覆してなる厚膜バリスタの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184622A JPS5885502A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 厚膜バリスタの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56184622A JPS5885502A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 厚膜バリスタの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885502A true JPS5885502A (ja) | 1983-05-21 |
Family
ID=16156449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56184622A Pending JPS5885502A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 厚膜バリスタの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885502A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005088654A1 (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 静電気対策部品 |
| WO2005098877A1 (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 静電気対策部品 |
-
1981
- 1981-11-17 JP JP56184622A patent/JPS5885502A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005088654A1 (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 静電気対策部品 |
| US7283032B2 (en) | 2004-03-15 | 2007-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Static electricity countermeasure component |
| WO2005098877A1 (ja) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 静電気対策部品 |
| US7864025B2 (en) | 2004-04-02 | 2011-01-04 | Panasonic Corporation | Component with countermeasure to static electricity |
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