JPS5880245A - マグネトロン装置 - Google Patents
マグネトロン装置Info
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- JPS5880245A JPS5880245A JP17771281A JP17771281A JPS5880245A JP S5880245 A JPS5880245 A JP S5880245A JP 17771281 A JP17771281 A JP 17771281A JP 17771281 A JP17771281 A JP 17771281A JP S5880245 A JPS5880245 A JP S5880245A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- cathode
- magnetron
- anode
- noise
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/01—Generation of oscillations using transit-time effects using discharge tubes
- H03B9/10—Generation of oscillations using transit-time effects using discharge tubes using a magnetron
Landscapes
- Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はマグネトロン装gK係り、特にその電算(g
l路に関するe −、IC,電界に対して直角&C磁界を与えるマグネト
ロンは−、これを取付けた電子機器、例えば電子レンジ
として今日広く普及しているが、これに伴なって雑音漏
洩の規制が強化される方向にある。ζO雑音規制に関し
て、国際的には一際無線障書特別委員会(Cl8PRと
称す)の勧告に基すき、各国において実施もしくは検討
中である。従って、マグネトロン自体から発生する雑音
の低減対策が一層i!Iまれるようになりて自た。
l路に関するe −、IC,電界に対して直角&C磁界を与えるマグネト
ロンは−、これを取付けた電子機器、例えば電子レンジ
として今日広く普及しているが、これに伴なって雑音漏
洩の規制が強化される方向にある。ζO雑音規制に関し
て、国際的には一際無線障書特別委員会(Cl8PRと
称す)の勧告に基すき、各国において実施もしくは検討
中である。従って、マグネトロン自体から発生する雑音
の低減対策が一層i!Iまれるようになりて自た。
とζろで、マグネトロンから発生する低い周波数(例え
ば1001ain以下)の雑音の原因として、次のよう
な考えがある。即ち、第1wAはマグネトロンの同軸配
置され九アノードを構成する7ノードペイン2−とカッ
−225とを模式的に示し大ものであるが、同図におi
てカソードIJを負、アノードペイン2#を正としてカ
ソード、アノード聞に数1000Vの高電圧、 ′\、 を加え、カソード1jから熱電子が放出される\、よう
にすると、電子作用空間19におしては、カソード近傍
の空間電荷によp1図に点線曲線aで示すようにカソー
ド電位よりも負となる下に凹んだ部分をもつ電位分布と
′なる。一方、矢印Bで示すように、この電子作用空間
1911C1−11000〜2000ガウスの直流磁界
がカソード軸方向に加わっているため、カソード25を
出た電子は、電界と磁界との作用によりカソード25の
まわりt−l11回する0%KN[交電磁界のため、電
子の走行距離が長いので電子は残留ガスに衡突する確率
が大きく、他の直進形管等に比べて着しく多くのグラス
イオンeを発生する。
ば1001ain以下)の雑音の原因として、次のよう
な考えがある。即ち、第1wAはマグネトロンの同軸配
置され九アノードを構成する7ノードペイン2−とカッ
−225とを模式的に示し大ものであるが、同図におi
てカソードIJを負、アノードペイン2#を正としてカ
ソード、アノード聞に数1000Vの高電圧、 ′\、 を加え、カソード1jから熱電子が放出される\、よう
にすると、電子作用空間19におしては、カソード近傍
の空間電荷によp1図に点線曲線aで示すようにカソー
ド電位よりも負となる下に凹んだ部分をもつ電位分布と
′なる。一方、矢印Bで示すように、この電子作用空間
1911C1−11000〜2000ガウスの直流磁界
がカソード軸方向に加わっているため、カソード25を
出た電子は、電界と磁界との作用によりカソード25の
まわりt−l11回する0%KN[交電磁界のため、電
子の走行距離が長いので電子は残留ガスに衡突する確率
が大きく、他の直進形管等に比べて着しく多くのグラス
イオンeを発生する。
発生したプラスイオンは曲線aで示した電位分布の谷つ
まりIテンシャル・イニマム(図に符号mで示す)&l
fれ込み、次第に空間電荷中の電子とプラスイオンとの
中和が進行し、その結果、この谷附近の電位が上昇し、
符号難で示すようにカソード25と同等もしくはそれよ
り僅かに高い電位まで高められる。その状態で作用空間
中の電位分布は集線曲線すの如くになる・プラスイオン
はカソードKfiれ込む。次の段階として、再び空間電
荷により電位の容重が形成される。このような一連の過
程が周期的に繰り返される。その結果、カソード、アノ
ード関の電流即ちアノード電Ill?IIc複雑な脈動
現象が生じ、これが雑音として外部回路に漏洩するもの
と推定できる。このような雑音は、主として入力線路に
のって漏洩するいわゆるラインノイズとして現われ、種
々の電披障書を引亀起してしまう・そζで、このような
雑音の低減対策の1つとして、カソード近傍に第3電極
を設け、カソードに対し第3電極に負4D@10〜数1
00Vの電位を加えることによ)、電位分布の谷つまり
4テンシヤル・ミニマム鳳へ集まるプラスイオンをこの
第3電極で捕獲し、グラスイオンの原因による雑音を低
減することが考えられている。
まりIテンシャル・イニマム(図に符号mで示す)&l
fれ込み、次第に空間電荷中の電子とプラスイオンとの
中和が進行し、その結果、この谷附近の電位が上昇し、
符号難で示すようにカソード25と同等もしくはそれよ
り僅かに高い電位まで高められる。その状態で作用空間
中の電位分布は集線曲線すの如くになる・プラスイオン
はカソードKfiれ込む。次の段階として、再び空間電
荷により電位の容重が形成される。このような一連の過
程が周期的に繰り返される。その結果、カソード、アノ
ード関の電流即ちアノード電Ill?IIc複雑な脈動
現象が生じ、これが雑音として外部回路に漏洩するもの
と推定できる。このような雑音は、主として入力線路に
のって漏洩するいわゆるラインノイズとして現われ、種
々の電披障書を引亀起してしまう・そζで、このような
雑音の低減対策の1つとして、カソード近傍に第3電極
を設け、カソードに対し第3電極に負4D@10〜数1
00Vの電位を加えることによ)、電位分布の谷つまり
4テンシヤル・ミニマム鳳へ集まるプラスイオンをこの
第3電極で捕獲し、グラスイオンの原因による雑音を低
減することが考えられている。
この例を示すと82図及び第3図に示すようにな)、第
3vAは第2図の蚤部拡大園である。
3vAは第2図の蚤部拡大園である。
即ち、管軸上に配置された棒状カソード支持体11の一
端には、カソード用エンドチップ51、Ii3電極用エ
ントチ、y”is、エンドハyト11*が固層され、他
端はカソード端子16に絖〈端子板5shK固着されて
いる。この棒状カッ−P支持体32のカッ′−ドステム
側外側には、筒状カッ−P支持体3Jと筒状第3電極支
持体67が同軸的に所定間隔をおいて配設され、前記筒
状カソード支持体3Jの一端にはもう一方・のカソード
用エンドチップ56が固着され、他熾はカソード端子3
4に固着されている。又、前記筒状第3電極支持体51
の一端にはもう一方の第3電極用工ンドチツグ59が固
着され、このエンドチップ5#にはもう一方のエントノ
1、ト1slbが固着され、第3電極支持体j1の他端
はカソード端子61KvA着されている。そして棒状カ
ソード支持体XZO出力部111Ka、コイル状に巻か
れたトリウ!タングステン厘熱戯カソードZSが配設さ
れ、その両端はそれぞれカソード用エンドチップsx、
stzKwi着されている。更にカソード15の近傍に
は、;イル状の第3電極60が前記カソード25の一条
間に位置するように配設され、その両端はそれぞれ第′
3電極用エンドチップis、1eyc固着されている。
端には、カソード用エンドチップ51、Ii3電極用エ
ントチ、y”is、エンドハyト11*が固層され、他
端はカソード端子16に絖〈端子板5shK固着されて
いる。この棒状カッ−P支持体32のカッ′−ドステム
側外側には、筒状カッ−P支持体3Jと筒状第3電極支
持体67が同軸的に所定間隔をおいて配設され、前記筒
状カソード支持体3Jの一端にはもう一方・のカソード
用エンドチップ56が固着され、他熾はカソード端子3
4に固着されている。又、前記筒状第3電極支持体51
の一端にはもう一方の第3電極用工ンドチツグ59が固
着され、このエンドチップ5#にはもう一方のエントノ
1、ト1slbが固着され、第3電極支持体j1の他端
はカソード端子61KvA着されている。そして棒状カ
ソード支持体XZO出力部111Ka、コイル状に巻か
れたトリウ!タングステン厘熱戯カソードZSが配設さ
れ、その両端はそれぞれカソード用エンドチップsx、
stzKwi着されている。更にカソード15の近傍に
は、;イル状の第3電極60が前記カソード25の一条
間に位置するように配設され、その両端はそれぞれ第′
3電極用エンドチップis、1eyc固着されている。
この第3電figaは例えばW、Me。
丁a、TlOような難溶性金属のうちから選ばれた単体
又社合金からte、―示のようにカソード2jO近傍で
且つカソード2jから7ノードヘ向かう電子の流れを妨
げないような位置に置かれる。そして既述のように、カ
ソード15のコイル状−条と謔3電極tiooコイル状
線条と拡各外崗面が同一4L<ははぼ同−内上にして交
互に配列されてiる。尚、菌中1−はアノードペイン、
2rはアノードシリンダ一、xsはスト′”う、!リン
グで6D、これらで複数個の空胴共振器を構成しており
、全体としてアノードを形成して−る。又、L」は出力
部、19mはアンテナ導体、1#はf−ルビース、J
i * s J a・aJb紘絶縁筒体、1#は電子作
用空間、s4/Ii排気管、ss、gill絶鍬りンダ
である6次に動作をiI!明すると、カソード1jは加
熱されて熱電子を放出する。このカソード25とγノー
ドペイン1−との関には数1000Vの高電圧が印加さ
れ、又、電子作用空間19には1500ガウスii度の
管軸に平行な磁束の直流磁界が与えられておp、発振動
作する。空胴共振器に発生するマイクU波エネルギーは
、アンテナ導体29aを通じて出力部xpから外部負荷
に伝送される。さて、カソード25を加熱すると放出電
子により第i#Aに示した如くカソード25の前面約数
105m〜数100μm附近に電位の谷mが形成される
(菖3電極がない場合)が、M3電極60をカソード2
511C対して例えば−数10〜−数1oov@度の負
の電位にすると、電位の谷mK向って集まるグラスイオ
ンは第3電極60がこれよりも更に負の電位になってい
るため、この第3電極601fC@ちに捕えられる。即
ち、グラスイオンはカソード近傍にwまることなく第3
電極iOK流入し、カソード近傍の不安定な電子−イオ
ン中和現象が起らない、その結果、100MHz以下の
雑音が大巾に低減される。この雑音低減結果の1例を籐
4図に示す・ ところで、第3電極の電位を負の高電位にすればそれた
け雑音低減には非常に効果的であるが、負の高電位にす
るはどマグネトロンの発振の安定性にはむしろ不都合を
生じる傾向のあることが判明した。籐5図にその1例を
示す、即ち、この第5地から明らかなように、第3電極
のバイアス電圧の絶対値の増加にりれて発振の安定な最
大アノード電流の減少をもたらす、一方、アノード電流
と雑音との関係を調べると、第6E及び第7図に示すよ
うに、一般に連続波マグネトロンはアノード電流の小さ
い例えば約0.15ム以下においては大きな雑音が発生
し・約0.2ム以上にお−ては急速に雑音が減少してい
ることが判る。従りて、もしアノード電流を常に約0.
2ム以上において使用すれば、雑音の発生は非常に少な
く、問題社費ないのであるが、sumo電子レンジにお
いて嬬コストの関係で7ノード電源は半波倍電圧電源を
使用するのが一般で61瞬時アノード電流紘零からIA
位までの変動を繰9返している。このように雑音を減ら
す目的で第3電liK負の高電位を与えようとすると動
作安定度がやや低下し、逆に第3電極電位を低めると雑
音が出やすいという相反する傾向がある。
又社合金からte、―示のようにカソード2jO近傍で
且つカソード2jから7ノードヘ向かう電子の流れを妨
げないような位置に置かれる。そして既述のように、カ
ソード15のコイル状−条と謔3電極tiooコイル状
線条と拡各外崗面が同一4L<ははぼ同−内上にして交
互に配列されてiる。尚、菌中1−はアノードペイン、
2rはアノードシリンダ一、xsはスト′”う、!リン
グで6D、これらで複数個の空胴共振器を構成しており
、全体としてアノードを形成して−る。又、L」は出力
部、19mはアンテナ導体、1#はf−ルビース、J
i * s J a・aJb紘絶縁筒体、1#は電子作
用空間、s4/Ii排気管、ss、gill絶鍬りンダ
である6次に動作をiI!明すると、カソード1jは加
熱されて熱電子を放出する。このカソード25とγノー
ドペイン1−との関には数1000Vの高電圧が印加さ
れ、又、電子作用空間19には1500ガウスii度の
管軸に平行な磁束の直流磁界が与えられておp、発振動
作する。空胴共振器に発生するマイクU波エネルギーは
、アンテナ導体29aを通じて出力部xpから外部負荷
に伝送される。さて、カソード25を加熱すると放出電
子により第i#Aに示した如くカソード25の前面約数
105m〜数100μm附近に電位の谷mが形成される
(菖3電極がない場合)が、M3電極60をカソード2
511C対して例えば−数10〜−数1oov@度の負
の電位にすると、電位の谷mK向って集まるグラスイオ
ンは第3電極60がこれよりも更に負の電位になってい
るため、この第3電極601fC@ちに捕えられる。即
ち、グラスイオンはカソード近傍にwまることなく第3
電極iOK流入し、カソード近傍の不安定な電子−イオ
ン中和現象が起らない、その結果、100MHz以下の
雑音が大巾に低減される。この雑音低減結果の1例を籐
4図に示す・ ところで、第3電極の電位を負の高電位にすればそれた
け雑音低減には非常に効果的であるが、負の高電位にす
るはどマグネトロンの発振の安定性にはむしろ不都合を
生じる傾向のあることが判明した。籐5図にその1例を
示す、即ち、この第5地から明らかなように、第3電極
のバイアス電圧の絶対値の増加にりれて発振の安定な最
大アノード電流の減少をもたらす、一方、アノード電流
と雑音との関係を調べると、第6E及び第7図に示すよ
うに、一般に連続波マグネトロンはアノード電流の小さ
い例えば約0.15ム以下においては大きな雑音が発生
し・約0.2ム以上にお−ては急速に雑音が減少してい
ることが判る。従りて、もしアノード電流を常に約0.
2ム以上において使用すれば、雑音の発生は非常に少な
く、問題社費ないのであるが、sumo電子レンジにお
いて嬬コストの関係で7ノード電源は半波倍電圧電源を
使用するのが一般で61瞬時アノード電流紘零からIA
位までの変動を繰9返している。このように雑音を減ら
す目的で第3電liK負の高電位を与えようとすると動
作安定度がやや低下し、逆に第3電極電位を低めると雑
音が出やすいという相反する傾向がある。
この発明は上記事情に鑑みなされ良もので、雑音の低減
を図ると共に、発振の安定性が向上し、且つ第3電極用
の外部電源が不要なマグネトロン装置を提供することt
−目的とする。
を図ると共に、発振の安定性が向上し、且つ第3電極用
の外部電源が不要なマグネトロン装置を提供することt
−目的とする。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に訳明
する。一般にsgam極のノ4イアス電圧によって雑音
の低減が必要なのは、7ノード電流が例えは約0.15
ム以下だけの範囲でよく、7ノード電流が0,2ム以上
においては菖3亀−のバイアス電圧をかけない方が、第
5−のマグネトロン安定度との関係に見る如く望ましい
。
する。一般にsgam極のノ4イアス電圧によって雑音
の低減が必要なのは、7ノード電流が例えは約0.15
ム以下だけの範囲でよく、7ノード電流が0,2ム以上
においては菖3亀−のバイアス電圧をかけない方が、第
5−のマグネトロン安定度との関係に見る如く望ましい
。
即ち、第8−にマグネトロンのアノード電流と7ノード
電圧の特性の1例を示すが・この纂81から明らかなよ
うに、アノード電R例えば1ム(通常、電子レンジで使
用されている半波倍 ゛電圧電源にて発生するほぼ最大
瞬時アノード電a)に′おけるアノード電圧と、アノー
ド電流0.15ムにおけるアノード電圧との差は約50
0′V生ずることが判る。この電位差が第3電極のバイ
アス電圧として加われに、雑音の低減に充分役立つこと
が第45より判る。従りて、第3電極とアノード関O電
圧が常にアノード電圧の最大値に#tぼ保たれるように
すれば、7ノード電流の少ない時嬬第3電極のバイアス
電圧(カソードに対すゐ負電位)が大きく、雑音を充分
低減することができ、又、アノードIEfItが増加す
ると第3電極のバイアス電圧は零に近すき、発liの安
定性低下への影替を少なくできる。
電圧の特性の1例を示すが・この纂81から明らかなよ
うに、アノード電R例えば1ム(通常、電子レンジで使
用されている半波倍 ゛電圧電源にて発生するほぼ最大
瞬時アノード電a)に′おけるアノード電圧と、アノー
ド電流0.15ムにおけるアノード電圧との差は約50
0′V生ずることが判る。この電位差が第3電極のバイ
アス電圧として加われに、雑音の低減に充分役立つこと
が第45より判る。従りて、第3電極とアノード関O電
圧が常にアノード電圧の最大値に#tぼ保たれるように
すれば、7ノード電流の少ない時嬬第3電極のバイアス
電圧(カソードに対すゐ負電位)が大きく、雑音を充分
低減することができ、又、アノードIEfItが増加す
ると第3電極のバイアス電圧は零に近すき、発liの安
定性低下への影替を少なくできる。
そζで、この発明ではマグネトロンの第3電極のノ童イ
アス電圧(電位)は、低アノード電流のと自負の高電位
とな9、高アノード電流のとは、籐9齢に示すような電
源励路を用いている。
アス電圧(電位)は、低アノード電流のと自負の高電位
とな9、高アノード電流のとは、籐9齢に示すような電
源励路を用いている。
−中、gxFiリーケージトランスでToシ、1次側の
壱−Li紘商用電源#C接続され、2次側にはカソード
加熱用巻@Lss高圧巻ail L sを有しており、
独立し良路3電極用巻線は存在しない、前記カソード加
熱用巻線り、は、上記第2図及び第3図と同様な第3電
極を有するマグネトロン6jのカソードKIIC@続さ
れている。又、前記高圧巻!i L sの一端は接地さ
れ、他端は直コンデンサC1を介し順方向の整流器8R
1のカソード極とともにマグネトロン62のカソードK
K接続されている。整流器8R1のアノード極は接地さ
れている。更にマグネトロン62の菖3電極りは、逆方
向の整流器SR,を介してカソードに&C接続されると
共に、コンデンサC3を介して接地されている。又;マ
グネトロン62の7ノードムも接地されている。尚、上
記のコンデンサCIは0.5μF%;ンデンサC黛は9
.05μFである。
壱−Li紘商用電源#C接続され、2次側にはカソード
加熱用巻@Lss高圧巻ail L sを有しており、
独立し良路3電極用巻線は存在しない、前記カソード加
熱用巻線り、は、上記第2図及び第3図と同様な第3電
極を有するマグネトロン6jのカソードKIIC@続さ
れている。又、前記高圧巻!i L sの一端は接地さ
れ、他端は直コンデンサC1を介し順方向の整流器8R
1のカソード極とともにマグネトロン62のカソードK
K接続されている。整流器8R1のアノード極は接地さ
れている。更にマグネトロン62の菖3電極りは、逆方
向の整流器SR,を介してカソードに&C接続されると
共に、コンデンサC3を介して接地されている。又;マ
グネトロン62の7ノードムも接地されている。尚、上
記のコンデンサCIは0.5μF%;ンデンサC黛は9
.05μFである。
さて、動作時には、時間の経過につれて各部つまり1−
2間、ム−に間、アノ−トム、ムーD間の電圧又は電流
波形はそれぞれ第30囚(a)〜(d)に示すようにな
9、ah −4k 11形(リサージ−波m>は第1傷
図に示すようになる。そして、11間、ム−D[には、
TsgT、 において最大値−1em (例えば−4k
V )’となり、次にT門’r、lIcなると、ムーX
間の電圧はアノード電流tbtfiflれ九九めにディ
スチャージし、T=Tlと同じOvとなる。しかるKA
−0間の電圧は、整流98B、が逆方向であることと、
第31iE極りから紘電子放出がなiこと(電子放出が
ある場合にはコンデンサC3のチャージはなにがしかデ
ィスチャージされる)Kより一定不変のため、D−に間
の電位差(電圧)社カソードKK対して第3電lIDが
負の電位となり約4 kVとなる。
2間、ム−に間、アノ−トム、ムーD間の電圧又は電流
波形はそれぞれ第30囚(a)〜(d)に示すようにな
9、ah −4k 11形(リサージ−波m>は第1傷
図に示すようになる。そして、11間、ム−D[には、
TsgT、 において最大値−1em (例えば−4k
V )’となり、次にT門’r、lIcなると、ムーX
間の電圧はアノード電流tbtfiflれ九九めにディ
スチャージし、T=Tlと同じOvとなる。しかるKA
−0間の電圧は、整流98B、が逆方向であることと、
第31iE極りから紘電子放出がなiこと(電子放出が
ある場合にはコンデンサC3のチャージはなにがしかデ
ィスチャージされる)Kより一定不変のため、D−に間
の電位差(電圧)社カソードKK対して第3電lIDが
負の電位となり約4 kVとなる。
実際には謳11図において、矢印を付した部分即ち各1
bの値に対して、矢印の付いている縦軸の値(4b冨Q
Oと@ticは約4 kV、 ib=ibmのときには
QV)がD−に関に加わることになる。
bの値に対して、矢印の付いている縦軸の値(4b冨Q
Oと@ticは約4 kV、 ib=ibmのときには
QV)がD−に関に加わることになる。
この尭−の1グネトE!y装置は上記説明及び図示のよ
うに構成され、嬉9図に示すような電#IA回路を使用
しているため、雑音の低減を図ると共に、発振の安定性
が向上し、且つ第3電極用の外部電源が不要となった。
うに構成され、嬉9図に示すような電#IA回路を使用
しているため、雑音の低減を図ると共に、発振の安定性
が向上し、且つ第3電極用の外部電源が不要となった。
即ち、雑音の多く発生するーb=o〜0.1ムの範囲で
は第3電極のバイアス電圧が負の高電位で雑音低減効果
大であり、=bの大きい範囲では第3電極のバイアス電
圧が低くなり、マグネトロンの発振の安定性が低下する
ことがない、又、整流器SR,とコンデンサC1は数k
Vの耐電圧特性のものでよく比較的安価に構成すること
ができる。
は第3電極のバイアス電圧が負の高電位で雑音低減効果
大であり、=bの大きい範囲では第3電極のバイアス電
圧が低くなり、マグネトロンの発振の安定性が低下する
ことがない、又、整流器SR,とコンデンサC1は数k
Vの耐電圧特性のものでよく比較的安価に構成すること
ができる。
尚、第12図、第14図及び第15図はこの発明の変形
例を示したtので、上記実施例と同様効果が得られる。
例を示したtので、上記実施例と同様効果が得られる。
即ち、第12図の場合は、上記実施例(籐9図)Kおけ
るコンデンサC,K、並列に抵抗8を追加接続したもの
で、時定数τ=C,R=100m−・0位に選んでいる
・この抵抗Rを付加した場合には、コンデンサCsKチ
ャージされた電荷は抵抗Rを通じてディスチャージする
ために、第13図の−bmOように変化する・そのため
D−に間に加わる最大電圧は、gbmでな(sbm”と
なる( sbm(abm ) *例えij abm =
4 kV K対してsbmは約3 kVとなる。こう
してD−に関に加わる最大電圧を下げることにより、D
−に間の絶縁破壊の回避に役立つ。 − 又、一般にマグネトロン紘雑音及び高調波の漏洩防止の
丸め、チョークコイルと貫通型コンデンサを内蔵し九シ
ールド&、クスを装着して電子−ンジのメーカーに供給
されている。従って、このシールドがツクス内に、ga
t&へ電圧を印加すゐ整流−883とコンデンサCm
(あるいは抵抗R)とからなる(2)路を設けれは、
電子レンジの電源装置を何ら変えることなく雑音の低減
を図ったレンジを完成することができる。
るコンデンサC,K、並列に抵抗8を追加接続したもの
で、時定数τ=C,R=100m−・0位に選んでいる
・この抵抗Rを付加した場合には、コンデンサCsKチ
ャージされた電荷は抵抗Rを通じてディスチャージする
ために、第13図の−bmOように変化する・そのため
D−に間に加わる最大電圧は、gbmでな(sbm”と
なる( sbm(abm ) *例えij abm =
4 kV K対してsbmは約3 kVとなる。こう
してD−に関に加わる最大電圧を下げることにより、D
−に間の絶縁破壊の回避に役立つ。 − 又、一般にマグネトロン紘雑音及び高調波の漏洩防止の
丸め、チョークコイルと貫通型コンデンサを内蔵し九シ
ールド&、クスを装着して電子−ンジのメーカーに供給
されている。従って、このシールドがツクス内に、ga
t&へ電圧を印加すゐ整流−883とコンデンサCm
(あるいは抵抗R)とからなる(2)路を設けれは、
電子レンジの電源装置を何ら変えることなく雑音の低減
を図ったレンジを完成することができる。
この例が第14図と第15図であり、図中63がシール
ド〆ツクスである。そして、このシールドが、ジス6J
内に、上記整流盤8B!とコンデンサC3は勿論のこと
、チョークコイル64や貫通型コンデンサ65が設けら
れている。
ド〆ツクスである。そして、このシールドが、ジス6J
内に、上記整流盤8B!とコンデンサC3は勿論のこと
、チョークコイル64や貫通型コンデンサ65が設けら
れている。
以上a明し九ようにこの発明によれば、工業的価値大な
るマグネトロン装置を提供することができる。
るマグネトロン装置を提供することができる。
第1図はマグネトロンにおける雑音の発生機構を示す模
式図、第2図は雑音を低減させるために第3電極を設け
たマグネトロンの1例を示すWr肉図、第3図は第2図
の要部を拡大して示す断面図、第4図は第3電極のバイ
アス電圧による雑音低減を示す特性曲線図、21g5図
は第3電極のバイアス電圧のマグネトロン発振の安定性
に対する影響を示す特性曲線図、纂6図及び#g7図は
7ノード亀流による雑音の変化を示す%性曲線図、第8
図は7ノード電流対アノード電圧特性を示す特性曲線図
、第9図はこの発明のマグネトロン装置に用いる電源回
路を示す回路構成図、第1θ図(&)〜(d)は第9図
の電源回路における%部の電圧又は亀tIILYlc示
す波形図、第11図は同じくリサージ、波形−1第12
図。 第14図、第15図はこの発明の変形例を示す(ロ)路
構成図、第13図は篤12囚の電源(ロ)路におけるリ
サージ、波形図である。 25”、 K・・・カソード、26・・・7ノードベイ
ン、27・・・アノードシリンダ一、11B−・・スト
ラップリング、19・・・電子作用空間、60.D・・
・第3電極、61・・・リーケージトランス、62・・
・マグネトロン% Ll・・・巻線、L3・・・カソー
ド加熱用巻−1Ls−・・高圧巻線、c、I c、++
・コンデンサ、8J *8J・・・整流器、ム・・・ア
ノード。 出願人代理人 弁思士 鈴 江 武 彦第1図 9 第2図 339、イb伝47)/+17uv> 第6図 第7図 アノード’t3JL(A)− 第8図 第9図 第10図 第11図 0−!t) ibm 第12図 手続補正書 574・−9 昭和 年 °月 日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1、事件の表示 特願昭56−1’17712号 2、発明の名称 マグネトロン装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出軸人 (307)東京芝浦電気株式会社 4、代理人 5 自発補正 7、補正の内容 (1)願書添付明細暑中、第11頁第2行目にrLs
Jとあるのを「Ll」と訂正する。 (2) 同じく第11頁第6〜7行目に「カソード」
とあるのを「アノード」と訂正する。 (3)同区<第l1頁第8行目に「アノード」とあるの
を「カソード」と訂正する。 (4)同じく第11頁第1O行目に「逆方向」とあるの
を「順方向」と訂正する。 (5)同じく第11頁第6〜7行目区=[アノード・・
・・・・ディスチャージし、」とあるのを「整流器8R
,の順方向電圧となるため、」と訂正する。 (6)同じく第12頁第6行目にrsRzJとあるのを
「8R1及び8R3」と訂正する。 (7)同じく第13頁第13行目に「100」とあるの
を「1000」と訂正する。 (8)同じく第13頁第17行目〜第14頁第2行目に
「そのため・・・・・・に役立つ。」とあるのを[シ′
かじ、D−に量感=加わる電圧は、im流を切った後、
抵抗Rによシ自然放電が行なわれ、検査時における感電
防止等に役立つ。」と訂正する。 (9)願書添付図面中、第8図、第9図、第11図、第
12図、第13図、第14図、第15図を別紙のように
訂正する。 第8図 第9図 第11図 第13図 ib ibm
式図、第2図は雑音を低減させるために第3電極を設け
たマグネトロンの1例を示すWr肉図、第3図は第2図
の要部を拡大して示す断面図、第4図は第3電極のバイ
アス電圧による雑音低減を示す特性曲線図、21g5図
は第3電極のバイアス電圧のマグネトロン発振の安定性
に対する影響を示す特性曲線図、纂6図及び#g7図は
7ノード亀流による雑音の変化を示す%性曲線図、第8
図は7ノード電流対アノード電圧特性を示す特性曲線図
、第9図はこの発明のマグネトロン装置に用いる電源回
路を示す回路構成図、第1θ図(&)〜(d)は第9図
の電源回路における%部の電圧又は亀tIILYlc示
す波形図、第11図は同じくリサージ、波形−1第12
図。 第14図、第15図はこの発明の変形例を示す(ロ)路
構成図、第13図は篤12囚の電源(ロ)路におけるリ
サージ、波形図である。 25”、 K・・・カソード、26・・・7ノードベイ
ン、27・・・アノードシリンダ一、11B−・・スト
ラップリング、19・・・電子作用空間、60.D・・
・第3電極、61・・・リーケージトランス、62・・
・マグネトロン% Ll・・・巻線、L3・・・カソー
ド加熱用巻−1Ls−・・高圧巻線、c、I c、++
・コンデンサ、8J *8J・・・整流器、ム・・・ア
ノード。 出願人代理人 弁思士 鈴 江 武 彦第1図 9 第2図 339、イb伝47)/+17uv> 第6図 第7図 アノード’t3JL(A)− 第8図 第9図 第10図 第11図 0−!t) ibm 第12図 手続補正書 574・−9 昭和 年 °月 日 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 1、事件の表示 特願昭56−1’17712号 2、発明の名称 マグネトロン装置 3、補正をする者 事件との関係 特許出軸人 (307)東京芝浦電気株式会社 4、代理人 5 自発補正 7、補正の内容 (1)願書添付明細暑中、第11頁第2行目にrLs
Jとあるのを「Ll」と訂正する。 (2) 同じく第11頁第6〜7行目に「カソード」
とあるのを「アノード」と訂正する。 (3)同区<第l1頁第8行目に「アノード」とあるの
を「カソード」と訂正する。 (4)同じく第11頁第1O行目に「逆方向」とあるの
を「順方向」と訂正する。 (5)同じく第11頁第6〜7行目区=[アノード・・
・・・・ディスチャージし、」とあるのを「整流器8R
,の順方向電圧となるため、」と訂正する。 (6)同じく第12頁第6行目にrsRzJとあるのを
「8R1及び8R3」と訂正する。 (7)同じく第13頁第13行目に「100」とあるの
を「1000」と訂正する。 (8)同じく第13頁第17行目〜第14頁第2行目に
「そのため・・・・・・に役立つ。」とあるのを[シ′
かじ、D−に量感=加わる電圧は、im流を切った後、
抵抗Rによシ自然放電が行なわれ、検査時における感電
防止等に役立つ。」と訂正する。 (9)願書添付図面中、第8図、第9図、第11図、第
12図、第13図、第14図、第15図を別紙のように
訂正する。 第8図 第9図 第11図 第13図 ib ibm
Claims (1)
- 互いに同軸状に配置された電子放射力ノードと空胴共振
器を内蔵するアノードとを有し、これらカソード及びア
ノード関の電子作用空間にカソード軸に平行な磁界が与
えられ、史に前記カソード近傍に第3電極を設けたマグ
ネトロンと、このマグネトロンOSS電他にバイアス電
位を与えるようKした!ダネトロン袈Ikにおいて、前
記マグネトロンの第31iE極のバイアス電位は、低ア
ノード電流のとき負の高電位となり、高アノードIE流
のと龜零もしくは負の低電位になるように設定してなる
ことt%黴とするマグネトロン装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17771281A JPS5880245A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | マグネトロン装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17771281A JPS5880245A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | マグネトロン装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5880245A true JPS5880245A (ja) | 1983-05-14 |
JPS6316853B2 JPS6316853B2 (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16035785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17771281A Granted JPS5880245A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | マグネトロン装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5880245A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030013038A (ko) * | 2001-08-06 | 2003-02-14 | 이법재 | 마그네트론 필라멘트 전원 공급 장치 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0655339U (ja) * | 1992-10-28 | 1994-08-02 | 三五 久野 | 潅水装置 |
CN107532268B (zh) | 2015-04-28 | 2019-12-03 | 联合工程公司 | 用于对铝合金铸件进行热处理的***和方法 |
-
1981
- 1981-11-05 JP JP17771281A patent/JPS5880245A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030013038A (ko) * | 2001-08-06 | 2003-02-14 | 이법재 | 마그네트론 필라멘트 전원 공급 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6316853B2 (ja) | 1988-04-11 |
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