JPS5879706A - チツプインダクタ - Google Patents
チツプインダクタInfo
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- JPS5879706A JPS5879706A JP17711081A JP17711081A JPS5879706A JP S5879706 A JPS5879706 A JP S5879706A JP 17711081 A JP17711081 A JP 17711081A JP 17711081 A JP17711081 A JP 17711081A JP S5879706 A JPS5879706 A JP S5879706A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0033—Printed inductances with the coil helically wound around a magnetic core
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、閉磁路型のチップインダクタに関するもの
である。
である。
近年、電子機器の小形化、高密度化、高信頼性化にとも
ない、インダクタも小形化、チップ化などが要求されて
いるが、従来のリード線付のインダクタは、ロッド状あ
るいはドラム状のフェライトコアの周囲に、絶縁被覆導
線を巻線したものであるためチップ化、小形化が困難で
ある部品であった。とりわけチップ化の目的においては
、従来の巻線方式のものをチップ化した場合、プリント
配線基、板上へ直接固着するため半田付けしたとき(半
田のディラグ条件は、温度240℃において5秒間)半
田の熱で絶縁外装した樹脂が溶融して、しかも絶縁被覆
導線の絶縁樹脂(ポリウレタン樹脂)も溶融して、特性
ならびに機械的強度も劣化するために実用できなかった
。また従来のリード線付きのインダクターで磁路構造が
開磁路のものは、磁場をかけたとき磁束が漏れてインダ
クタとしての物性が低下するばかシでなく、他の回路部
品に干渉しやすいため電子機器のセットメーカーでは、
磁気遮蔽したり、部品の配置を考慮するなどの特別の対
策を施している。また従来のリード線付きのインダクタ
にも閉磁路構造のものもあるが、これはロッド状あるい
はドラム状のフェライトコアに巻線したものに磁気遮蔽
用のスリーブ状のフェライトコアを嵌合したものであシ
、小形化が困難で、しかもコストが割高であることや、
ロット状するいはドラム状のフェライトコアと、スリー
ブ状のフェライトコアとの間に間隙があって完全に磁気
遮蔽できないなどの欠点があった。
ない、インダクタも小形化、チップ化などが要求されて
いるが、従来のリード線付のインダクタは、ロッド状あ
るいはドラム状のフェライトコアの周囲に、絶縁被覆導
線を巻線したものであるためチップ化、小形化が困難で
ある部品であった。とりわけチップ化の目的においては
、従来の巻線方式のものをチップ化した場合、プリント
配線基、板上へ直接固着するため半田付けしたとき(半
田のディラグ条件は、温度240℃において5秒間)半
田の熱で絶縁外装した樹脂が溶融して、しかも絶縁被覆
導線の絶縁樹脂(ポリウレタン樹脂)も溶融して、特性
ならびに機械的強度も劣化するために実用できなかった
。また従来のリード線付きのインダクターで磁路構造が
開磁路のものは、磁場をかけたとき磁束が漏れてインダ
クタとしての物性が低下するばかシでなく、他の回路部
品に干渉しやすいため電子機器のセットメーカーでは、
磁気遮蔽したり、部品の配置を考慮するなどの特別の対
策を施している。また従来のリード線付きのインダクタ
にも閉磁路構造のものもあるが、これはロッド状あるい
はドラム状のフェライトコアに巻線したものに磁気遮蔽
用のスリーブ状のフェライトコアを嵌合したものであシ
、小形化が困難で、しかもコストが割高であることや、
ロット状するいはドラム状のフェライトコアと、スリー
ブ状のフェライトコアとの間に間隙があって完全に磁気
遮蔽できないなどの欠点があった。
この発明は、これらの欠点を除去することを目的とした
新規な構成によるチップインダクタを提供するものであ
る。
新規な構成によるチップインダクタを提供するものであ
る。
この発明のチップインダクタは、ロッド状のフェライト
コアの全面に導電被膜を施して、フェライトコアの両端
部に金属キャップ端子を圧入して・金属キャップ端子に
おおわれていない導電被膜の一端部から軸方向に沿って
、所望するインダクタンスとなるようにカットして、ら
せん状のコイルを導体とした後、前記金属キャップ端子
におおわれていない、露出している導電被膜(コイル導
体)の全面に、熱硬化性樹脂と、フェライト粉末からな
る磁性被膜を形成したものである。
コアの全面に導電被膜を施して、フェライトコアの両端
部に金属キャップ端子を圧入して・金属キャップ端子に
おおわれていない導電被膜の一端部から軸方向に沿って
、所望するインダクタンスとなるようにカットして、ら
せん状のコイルを導体とした後、前記金属キャップ端子
におおわれていない、露出している導電被膜(コイル導
体)の全面に、熱硬化性樹脂と、フェライト粉末からな
る磁性被膜を形成したものである。
図面に基づいてこの発明を説明すると、第1図はロッド
状のフェライトコアiVc、導電被膜2を施したものの
断面図である。ロッド状のフェライトコア1は、フェラ
イト粉末と、バインダーを主成分として従来から公知の
方法で成形、焼成したものを用いることができる。また
導電被膜2としては導電性がよく、かつフェライトコア
との密着性のよい銅、二、ケルなどを無電解メッキ、ま
たは電気メッキして、さらに銀、金、白金、・ぐラジウ
ムなどを無電解メッキまたは電気メッキをしたものが有
効である。なおロッド状のフェライトコアの外径および
、長さi最終形状のチップ形状、チップ寸法、特性など
から決定する。
状のフェライトコアiVc、導電被膜2を施したものの
断面図である。ロッド状のフェライトコア1は、フェラ
イト粉末と、バインダーを主成分として従来から公知の
方法で成形、焼成したものを用いることができる。また
導電被膜2としては導電性がよく、かつフェライトコア
との密着性のよい銅、二、ケルなどを無電解メッキ、ま
たは電気メッキして、さらに銀、金、白金、・ぐラジウ
ムなどを無電解メッキまたは電気メッキをしたものが有
効である。なおロッド状のフェライトコアの外径および
、長さi最終形状のチップ形状、チップ寸法、特性など
から決定する。
第2図は、導電被膜2を施したフェライトコアlの両端
部に、金属キャップ端子3を圧入したものの断面図であ
る。金属キャップ端子3Iri最終製品となるチップイ
ンダクタの電極として、プリント配線基板上に強固に装
着し易くすることと、チップの機械的強度を保つための
ものであり、従来から公知の方法で金属キャップ端子の
素材として鉄キャッグを用い、これに半田付けを良くす
るために銅メッキをした上に、さらに、半田メッキをし
たものが有効である。また金属キャップ端子の素材とし
ては、銅キャップなどを用いてもよい。
部に、金属キャップ端子3を圧入したものの断面図であ
る。金属キャップ端子3Iri最終製品となるチップイ
ンダクタの電極として、プリント配線基板上に強固に装
着し易くすることと、チップの機械的強度を保つための
ものであり、従来から公知の方法で金属キャップ端子の
素材として鉄キャッグを用い、これに半田付けを良くす
るために銅メッキをした上に、さらに、半田メッキをし
たものが有効である。また金属キャップ端子の素材とし
ては、銅キャップなどを用いてもよい。
金属キャップ端子の形状や、寸法もまた、最終のチップ
形状、チップの寸法、特性によって決める。
形状、チップの寸法、特性によって決める。
第3図は、金属キャップ端子3!/cおおわれていない
、露出している前記導電被膜2の一端部から軸方向に沿
って所望のインダクタンスとなるように、連続的にカッ
トして、らせん状のコイル導体2′とした状態を示す。
、露出している前記導電被膜2の一端部から軸方向に沿
って所望のインダクタンスとなるように、連続的にカッ
トして、らせん状のコイル導体2′とした状態を示す。
これにより、一応チッグインダクタとしての機能はある
が、コイル導体が表面に露出しているため、開磁路構造
になっておシ、この状態で実用した場合、前記したよう
に従来のインダクタと同様の問題を生ずる。即ち、磁場
をかけた場合、磁束の漏れにより、特性の低下をきたす
だけでなく他の回路部品に干渉したりするので、従来の
リード線付きのインダクタとさはどかわりがないもので
ある。
が、コイル導体が表面に露出しているため、開磁路構造
になっておシ、この状態で実用した場合、前記したよう
に従来のインダクタと同様の問題を生ずる。即ち、磁場
をかけた場合、磁束の漏れにより、特性の低下をきたす
だけでなく他の回路部品に干渉したりするので、従来の
リード線付きのインダクタとさはどかわりがないもので
ある。
そこでさらに、閉磁路構造のものでかつ、半田の熱に対
しても安定なチップにするために、前記第3図の状態の
チップに、熱硬化性樹脂100重量部に対して、フェラ
イト粉末を70重量部〜650重量部含有させた磁性塗
料を、前記らせん状のコイル導体2′の全面に塗布し、
焼付して第4図に示すような磁性皮膜4tl−形成した
チップインダクタを見いだした。この場合、熱硬化性樹
脂としては、トリアジン樹脂、トリアジン樹脂樹脂、ジ
フェニルオキシド樹脂、プリアミドイミド樹脂、ポリ・
ぐラバン酸ポリイミド樹脂などが有効であるが、他の熱
硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂、ジアリルフタレート
樹脂、不飽和プリエステル樹脂などでも効果は認められ
る。またフェライト粉末の含有量が熱硬化性樹脂100
重量部に対して、70重量部以下になると、磁性被膜に
した場合、フェライト粉末が少ないために、完全な閉磁
路にならず、特性の劣化を招くばかりでなく、シリンド
配線基板上に直接固着する時は、半田の熱で溶融するた
めに実用できない。また、フェライト粉末の含有量が6
50重量部以上になると磁性皮膜にした場合、フェライ
ト粉末が多いために粉末と樹脂との結合力が弱く、粉末
が脱落したシ、物理的強度が劣化して、しがもチップを
シリンド配線基板上に装着するときには、半田の熱にょ
シチッゾに亀裂が発生して実用できない。
しても安定なチップにするために、前記第3図の状態の
チップに、熱硬化性樹脂100重量部に対して、フェラ
イト粉末を70重量部〜650重量部含有させた磁性塗
料を、前記らせん状のコイル導体2′の全面に塗布し、
焼付して第4図に示すような磁性皮膜4tl−形成した
チップインダクタを見いだした。この場合、熱硬化性樹
脂としては、トリアジン樹脂、トリアジン樹脂樹脂、ジ
フェニルオキシド樹脂、プリアミドイミド樹脂、ポリ・
ぐラバン酸ポリイミド樹脂などが有効であるが、他の熱
硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂、ジアリルフタレート
樹脂、不飽和プリエステル樹脂などでも効果は認められ
る。またフェライト粉末の含有量が熱硬化性樹脂100
重量部に対して、70重量部以下になると、磁性被膜に
した場合、フェライト粉末が少ないために、完全な閉磁
路にならず、特性の劣化を招くばかりでなく、シリンド
配線基板上に直接固着する時は、半田の熱で溶融するた
めに実用できない。また、フェライト粉末の含有量が6
50重量部以上になると磁性皮膜にした場合、フェライ
ト粉末が多いために粉末と樹脂との結合力が弱く、粉末
が脱落したシ、物理的強度が劣化して、しがもチップを
シリンド配線基板上に装着するときには、半田の熱にょ
シチッゾに亀裂が発生して実用できない。
次にこの発明の実施例について説明する。
(1) ロッド状のフェライトコア用の材料としては
、Ni−Zn7エライト粉末 [Ni 0.62 Zn
0.40Fa 1.9604℃モル比)〕を用い、Ni
−Znフェライト粉末25重量部に対しては、ポリビニ
ルブチラール樹脂(積木化学製ニスレックスBMS )
1.5重量部、フタル酸ジブチル2重量部を加え、金属
製2本ロールで分散して、混線物を作成して、のち押出
しノズル径が1.9φの金型で押出し成形してグリーン
ロッドを作る。これを6.4 mの長さに切断したのち
、温度1050℃で2時間の焼成をおこない、外径が1
.67φで、長さが5.6朋のロッド状のフェライトコ
アを作成した。
、Ni−Zn7エライト粉末 [Ni 0.62 Zn
0.40Fa 1.9604℃モル比)〕を用い、Ni
−Znフェライト粉末25重量部に対しては、ポリビニ
ルブチラール樹脂(積木化学製ニスレックスBMS )
1.5重量部、フタル酸ジブチル2重量部を加え、金属
製2本ロールで分散して、混線物を作成して、のち押出
しノズル径が1.9φの金型で押出し成形してグリーン
ロッドを作る。これを6.4 mの長さに切断したのち
、温度1050℃で2時間の焼成をおこない、外径が1
.67φで、長さが5.6朋のロッド状のフェライトコ
アを作成した。
(2)次に(1)で作成したロッド状のフェライトコア
を60℃の温度で加熱した市販の無電解銅メッキ液中に
、1時間浸漬したのち水洗して、約3,5μmの銅被膜
を形成して、さらにこの上に40℃に加熱した市販の無
電解銀メッキ液中に3時間浸漬した後水洗して、約3.
8μmの銀被膜を形成した。
を60℃の温度で加熱した市販の無電解銅メッキ液中に
、1時間浸漬したのち水洗して、約3,5μmの銅被膜
を形成して、さらにこの上に40℃に加熱した市販の無
電解銀メッキ液中に3時間浸漬した後水洗して、約3.
8μmの銀被膜を形成した。
(3) 次に(2)で作成した導電被膜付きのロッド
状のフェライトコアの両端部に、内径1,67φ、肉厚
0.25mx長さ1.5mmの金属キャップ端子を圧入
した。なおこの金属キャップ端子は鉄キャッグの表面に
無電解銅メッキにより約1,5μmの銅被膜と、無電解
半田メッキによシ約2.5μmの半田被膜を施したもの
を用いた。
状のフェライトコアの両端部に、内径1,67φ、肉厚
0.25mx長さ1.5mmの金属キャップ端子を圧入
した。なおこの金属キャップ端子は鉄キャッグの表面に
無電解銅メッキにより約1,5μmの銅被膜と、無電解
半田メッキによシ約2.5μmの半田被膜を施したもの
を用いた。
(4) 次に金属キヤ、!端子におおわれていない導
電被膜の一端部から軸方向に沿って、レーザートリミン
グ法によシフ0μmピッチの溝巾と、70μmのらせん
状のコイル導体となるようにカットした。このようにし
て作成したチップインダクタの巻数は、34巻であった
。なおこれらは実施例1゜2および比較例1.2.3な
どに使用した。
電被膜の一端部から軸方向に沿って、レーザートリミン
グ法によシフ0μmピッチの溝巾と、70μmのらせん
状のコイル導体となるようにカットした。このようにし
て作成したチップインダクタの巻数は、34巻であった
。なおこれらは実施例1゜2および比較例1.2.3な
どに使用した。
(5)実施例1として、熱硬化性樹脂は、市販のジフェ
ニルオキシド樹脂(菱電化成(株)ドリル樹脂V−52
0)100重量部に対して、前記フェライトコア用の組
成と同じであるNi −Znフェライト粉末70重量部
を混合して、金属製の3本ロールで分散、混練して磁性
塗料を作成した。
ニルオキシド樹脂(菱電化成(株)ドリル樹脂V−52
0)100重量部に対して、前記フェライトコア用の組
成と同じであるNi −Znフェライト粉末70重量部
を混合して、金属製の3本ロールで分散、混練して磁性
塗料を作成した。
また、実施例2として、前記ジフェニルオキシド樹Il
l 100重量部に対して、Nl −Znフェライト粉
末650重量部をロールで混合、分散して磁性塗料を作
成した。
l 100重量部に対して、Nl −Znフェライト粉
末650重量部をロールで混合、分散して磁性塗料を作
成した。
また、比較例1,2などとして、比較例1においては、
前記ジフェニルオキシド樹脂100重量部に対して、N
i −Znフェライト粉末を65重量部を加え、比較例
2においては、ジフェニルオキシド樹脂100重量部に
対して、Ni −Znフェライト粉末を670重量部を
加えて、ロールで分散、混練して磁性塗料を作成した。
前記ジフェニルオキシド樹脂100重量部に対して、N
i −Znフェライト粉末を65重量部を加え、比較例
2においては、ジフェニルオキシド樹脂100重量部に
対して、Ni −Znフェライト粉末を670重量部を
加えて、ロールで分散、混練して磁性塗料を作成した。
これを前記(4)で作成したチップのコイル導体部の全
面に、ロール転写法によって、約300μmの膜厚をも
った磁性被膜を形成して、温度240℃で3時間の焼付
をおこないチップインダクタとした。この最終チップの
寸法は、最大径部2.27φで、長さは6.10鶴であ
った。
面に、ロール転写法によって、約300μmの膜厚をも
った磁性被膜を形成して、温度240℃で3時間の焼付
をおこないチップインダクタとした。この最終チップの
寸法は、最大径部2.27φで、長さは6.10鶴であ
った。
(6)つぎに(5)で見られた実施例1.2などと比較
例1.2および(4)で得られた磁性被膜のないチップ
インダクタを比較例3として、それぞれのインダクタン
ス(L)とQについてQメータ(YHP(株)4342
A :]によって測定した結果は第1表のごとくであっ
た。
例1.2および(4)で得られた磁性被膜のないチップ
インダクタを比較例3として、それぞれのインダクタン
ス(L)とQについてQメータ(YHP(株)4342
A :]によって測定した結果は第1表のごとくであっ
た。
(7) さらに前記の5種類のチップインダクタをプ
リント配線基板上に、温度240℃で5秒間の半田ディ
ップによシ直接固着したところ第1表のようになり、実
施例1,2などは全く問題ないことを確認した。
リント配線基板上に、温度240℃で5秒間の半田ディ
ップによシ直接固着したところ第1表のようになり、実
施例1,2などは全く問題ないことを確認した。
第 1 表
以上のようにこの発明によるチップインダクタは、絶縁
被覆導線を用いずに、金属のみによる導電被膜でもって
コイル導体を形成し、さらに磁性被膜で被覆しているた
め、プリント配線基板上へ直接固定する際に、半田の熱
によって、亀裂の発。
被覆導線を用いずに、金属のみによる導電被膜でもって
コイル導体を形成し、さらに磁性被膜で被覆しているた
め、プリント配線基板上へ直接固定する際に、半田の熱
によって、亀裂の発。
生や、磁性被膜の溶融なども起らない安定なものである
。また磁性被膜により被覆していて一体イヒしているた
めに磁束の漏れがなくて完全表門磁路となっており、イ
ンダクタとしての特性の低下や特にインダクタンスの低
下がなくて、シカλも他の回路部品に干渉せずに、部品
の配置および磁気遮蔽対策などが不要になる。しかもチ
ップ化ができることによシ、プリント配線基板上に直接
固着できるために、従来のリード線付きのインダクタに
比べて高密度の装着が可能となシ、電子機器の小形化へ
の効果がある。さらにこの発明のチップインダクタを実
現するうえで、従来から公知の方法によって簡単に製造
できるものである。とりわけ円筒形のチップ抵抗器など
の製造技術を応用することによって、円形のチッグは容
易に量産できて低コスト化ができる。またたとえば角板
形のような寸法のチップインダクタにも任意に応用でき
ることが明らかであり、工業的価値が大きいものである
。
。また磁性被膜により被覆していて一体イヒしているた
めに磁束の漏れがなくて完全表門磁路となっており、イ
ンダクタとしての特性の低下や特にインダクタンスの低
下がなくて、シカλも他の回路部品に干渉せずに、部品
の配置および磁気遮蔽対策などが不要になる。しかもチ
ップ化ができることによシ、プリント配線基板上に直接
固着できるために、従来のリード線付きのインダクタに
比べて高密度の装着が可能となシ、電子機器の小形化へ
の効果がある。さらにこの発明のチップインダクタを実
現するうえで、従来から公知の方法によって簡単に製造
できるものである。とりわけ円筒形のチップ抵抗器など
の製造技術を応用することによって、円形のチッグは容
易に量産できて低コスト化ができる。またたとえば角板
形のような寸法のチップインダクタにも任意に応用でき
ることが明らかであり、工業的価値が大きいものである
。
第1図はこの発明のチップインダクタにおけるロッド状
のフェライトコアに導電被膜を施した断面図、第2図は
導電被膜を施したフェライトコアの両端部に金属キャッ
ノ端子を圧入した断面図、第3図は導電被膜を軸方向に
沿ってカットして、らせん状のコイル導体とした断面図
、第4図は金属キャップ端子をおおっていたいコイル導
体上に磁性被膜を形成した断面図である。 1・・・ロッド状のフェライトコア、2・・・導電皮膜
、2′・・・導電被膜(らせん状のコイル導体)、3・
・・金属キャップ端子、4・・・磁性被膜。 第1図 覗 第2図 第3図 第4図
のフェライトコアに導電被膜を施した断面図、第2図は
導電被膜を施したフェライトコアの両端部に金属キャッ
ノ端子を圧入した断面図、第3図は導電被膜を軸方向に
沿ってカットして、らせん状のコイル導体とした断面図
、第4図は金属キャップ端子をおおっていたいコイル導
体上に磁性被膜を形成した断面図である。 1・・・ロッド状のフェライトコア、2・・・導電皮膜
、2′・・・導電被膜(らせん状のコイル導体)、3・
・・金属キャップ端子、4・・・磁性被膜。 第1図 覗 第2図 第3図 第4図
Claims (2)
- (1) ロッド状のフェライトコアと、フェライトコ
アの全面に導電被膜を施し、導電被膜に接触するように
フェライトコアの両端部に圧入された金属キャップ端子
と、金属キャップ端子におおわれていない導電被膜の一
端部から軸方向に沿ってらせん状に導電被膜を力、ソト
して所望のインダクタンスをもつように形成されたコイ
ル導体と、金属キャップ端子におおわれていない導電被
膜の全面に形成された熱硬化性樹脂と、フェライト粉末
力)らなる磁性被膜とからなることを特徴とするチツォ
イ7 f I l 、’ - (2)前記熱硬化性樹脂と、フェライト粉末からなる磁
性被膜は、熱硬化性樹脂100重量部に対して、フェラ
イト粉末が70〜650重量部含有させたことを特徴と
する特許請求の範囲第(1)項記載のチップインダクタ
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17711081A JPS5879706A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | チツプインダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17711081A JPS5879706A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | チツプインダクタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5879706A true JPS5879706A (ja) | 1983-05-13 |
Family
ID=16025324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17711081A Pending JPS5879706A (ja) | 1981-11-06 | 1981-11-06 | チツプインダクタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5879706A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0785559A1 (en) * | 1995-06-08 | 1997-07-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip coil |
US5886876A (en) * | 1995-12-13 | 1999-03-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Surface-mounted semiconductor package and its manufacturing method |
US6087920A (en) * | 1997-02-11 | 2000-07-11 | Pulse Engineering, Inc. | Monolithic inductor |
US6087921A (en) * | 1998-10-06 | 2000-07-11 | Pulse Engineering, Inc. | Placement insensitive monolithic inductor and method of manufacturing same |
EP1103993A1 (en) * | 1999-11-26 | 2001-05-30 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Surface-mount coil and method for manufacturing same |
US9153547B2 (en) | 2004-10-27 | 2015-10-06 | Intel Corporation | Integrated inductor structure and method of fabrication |
US20160189849A1 (en) * | 2014-12-24 | 2016-06-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
-
1981
- 1981-11-06 JP JP17711081A patent/JPS5879706A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0785559A1 (en) * | 1995-06-08 | 1997-07-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chip coil |
EP0785559A4 (en) * | 1995-06-08 | 1999-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | CHIP COIL |
US5886876A (en) * | 1995-12-13 | 1999-03-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Surface-mounted semiconductor package and its manufacturing method |
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US6223419B1 (en) | 1997-02-11 | 2001-05-01 | Pulse Engineering, Inc. | Method of manufacture of an improved monolithic inductor |
US6087921A (en) * | 1998-10-06 | 2000-07-11 | Pulse Engineering, Inc. | Placement insensitive monolithic inductor and method of manufacturing same |
EP1103993A1 (en) * | 1999-11-26 | 2001-05-30 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Surface-mount coil and method for manufacturing same |
US6566993B1 (en) | 1999-11-26 | 2003-05-20 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Surface-mount coil and method for manufacturing same |
US9153547B2 (en) | 2004-10-27 | 2015-10-06 | Intel Corporation | Integrated inductor structure and method of fabrication |
US20160189849A1 (en) * | 2014-12-24 | 2016-06-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
US9899149B2 (en) * | 2014-12-24 | 2018-02-20 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
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