JPS5879149A - ガス検出素子 - Google Patents
ガス検出素子Info
- Publication number
- JPS5879149A JPS5879149A JP17775781A JP17775781A JPS5879149A JP S5879149 A JPS5879149 A JP S5879149A JP 17775781 A JP17775781 A JP 17775781A JP 17775781 A JP17775781 A JP 17775781A JP S5879149 A JPS5879149 A JP S5879149A
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- semiconductor
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- oxide semiconductor
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はガス検出素子の改良に関するもので、とりわ
けＣｏ 、ＮＨ３，Ｃ１２、Ｈ２Ｓ等のガスを選択的に
検出しつる素子の改良に関し、毒性ガスの検出や、排ガ
スの組成の検出等に有効なものである。
けＣｏ 、ＮＨ３，Ｃ１２、Ｈ２Ｓ等のガスを選択的に
検出しつる素子の改良に関し、毒性ガスの検出や、排ガ
スの組成の検出等に有効なものである。
現在用いられているガス検出素子には、大別して２つの
ものがある。その１つは酸化触媒による可燃性ガスの接
触燃焼全利用するもので、燃焼熱ｋ 測幅抵抗体の抵抗
値の変化として検出するものである。他の１つは、ガス
の吸脱着による金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用
するもので、信頼性が高いところから広く用いられてい
るものである。
ものがある。その１つは酸化触媒による可燃性ガスの接
触燃焼全利用するもので、燃焼熱ｋ 測幅抵抗体の抵抗
値の変化として検出するものである。他の１つは、ガス
の吸脱着による金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用
するもので、信頼性が高いところから広く用いられてい
るものである。
金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用した素子を用い
て、ｃｏや、Ｎ Ｈ３，Ｃｌ ２ 、Ｈ２Ｓ等のガスを
選択的に検出する試みも広く行われている。これらのガ
スに対する感度は、素子の加熱温度を低くすることによ
って、改善できる。しかし素子の加熱温度を下げること
には限度かある。湿度特性の悪化、応答速度の低下、経
時特性の悪化といった問題か生ずるためである。
て、ｃｏや、Ｎ Ｈ３，Ｃｌ ２ 、Ｈ２Ｓ等のガスを
選択的に検出する試みも広く行われている。これらのガ
スに対する感度は、素子の加熱温度を低くすることによ
って、改善できる。しかし素子の加熱温度を下げること
には限度かある。湿度特性の悪化、応答速度の低下、経
時特性の悪化といった問題か生ずるためである。
このような金属酸化物３１′導体は、可燃性ガスに対す
る酸化触媒でもある。ＣＯや、ＮＨ３等の比較的酸化を
受けやすいガスは、金属酸化物半導体の内部へ拡散する
間に除去されてし１つ。これに対して、妨害ガスである
水素やエタノール匍−のガスは酸化を受けにくい。この
ように、金属酸化物半導体がガスへのフィルターとして
機能することは、特開昭５０−１５５２９２勺等により
、既に知られている。
る酸化触媒でもある。ＣＯや、ＮＨ３等の比較的酸化を
受けやすいガスは、金属酸化物半導体の内部へ拡散する
間に除去されてし１つ。これに対して、妨害ガスである
水素やエタノール匍−のガスは酸化を受けにくい。この
ように、金属酸化物半導体がガスへのフィルターとして
機能することは、特開昭５０−１５５２９２勺等により
、既に知られている。
フィルター作用から考えると、金属酸化物半導体の厚さ
を小さくすれば、ＣＯやＮＨ３等のガスを選択的に検出
しつるはずである。そしてこのためには、アルミナ等の
基体を用いて、半導体膜を支持する他に方法はない。し
かしなから、半導体の熱膨張率と基体のそれとは一般に
一致しない。そして素子は、そのオン・オフのどとｖｃ
熱衝撃にさらされる。このため半導体［漢は基体から剥
離したり、クランクか生じたりする。この傾向は、半導
体膜を薄くする程著しい。半導体と基体との熱膨張率か
一致しないため、ＣＯ等のガスに選択性が得られる程度
に、半導体膜を薄くすることは不可能である。
を小さくすれば、ＣＯやＮＨ３等のガスを選択的に検出
しつるはずである。そしてこのためには、アルミナ等の
基体を用いて、半導体膜を支持する他に方法はない。し
かしなから、半導体の熱膨張率と基体のそれとは一般に
一致しない。そして素子は、そのオン・オフのどとｖｃ
熱衝撃にさらされる。このため半導体［漢は基体から剥
離したり、クランクか生じたりする。この傾向は、半導
体膜を薄くする程著しい。半導体と基体との熱膨張率か
一致しないため、ＣＯ等のガスに選択性が得られる程度
に、半導体膜を薄くすることは不可能である。
この発明は、金属酸化物半導体に」−力な厚みを持たせ
た１丑、ＣＯやＮＨ３Ｃ１２，Ｉ２ Ｓ等の低温形ガス
を有利に検出しつる素子を提供すること全目的とする。
た１丑、ＣＯやＮＨ３Ｃ１２，Ｉ２ Ｓ等の低温形ガス
を有利に検出しつる素子を提供すること全目的とする。
この発明のガス演目」素子は、ガス敏感性金属酸化物半
導体に少くとも一対の電ｋｋ接続したものにおいで、前
記金属酸化物半導体の圧電気伝導度を、表向附近の饋」
戊で内部の頭載より大きくせしめ、かつこの表面附近の
領域の厚さを５００ ／７以下としたものである。
導体に少くとも一対の電ｋｋ接続したものにおいで、前
記金属酸化物半導体の圧電気伝導度を、表向附近の饋」
戊で内部の頭載より大きくせしめ、かつこの表面附近の
領域の厚さを５００ ／７以下としたものである。
ここに金属酸化物半導体としては、ガスの吸脱着により
抵抗値が変化するものを広く用いれは良く、５ｎ０２．
ＴｉＯ２、Ｉｎ２０３Ｆｅ２０３．ＺｎＯ＋ＣｏＯ＋Ｎ
ｉＯ，ＭｇＦｅ２Ｏ４等を用いることかできる。金属酸
化物半導体には種々の添加物、例えば感度を向」二させ
るための貴金属触媒、クラックの防止や機械的強度の向
上のための、アルミナ等の骨相や不定形シリカ等の結合
剤、全加えても良い。
抵抗値が変化するものを広く用いれは良く、５ｎ０２．
ＴｉＯ２、Ｉｎ２０３Ｆｅ２０３．ＺｎＯ＋ＣｏＯ＋Ｎ
ｉＯ，ＭｇＦｅ２Ｏ４等を用いることかできる。金属酸
化物半導体には種々の添加物、例えば感度を向」二させ
るための貴金属触媒、クラックの防止や機械的強度の向
上のための、アルミナ等の骨相や不定形シリカ等の結合
剤、全加えても良い。
表面附近と内部とで金属酸化物２１を導体の圧電気伝導
度を変化させる手段としては、原子価制御、あるいは半
導体の焼成条件の制御等によるキャリヤー数の制御、等
ゲ用いれば良い。原子価制御によす！１４１００電気伝
導度を高める例としては、５ｎ０２への５ｂ２０３の添
加、Ｆｅ２Ｏ３へのＴ ＋ ０２ ＋ＺｎＯ２へのＡｌ
２Ｏ３，ＣｏＯへのＩ−ｉ２０ 、Ｎ ｉｏへのＬ ｉ
２０の添加等がある。逆の例としては、５ｎ０２へのＣ
ｒ２Ｏ３の添加、ＺｎＯへのしＩ２０．ＮｉＯへのＣｒ
２Ｏ３の？Ａ加等がある。焼成条件の制御による圧電気
伝導度の制御は以下のようにして行われる。
度を変化させる手段としては、原子価制御、あるいは半
導体の焼成条件の制御等によるキャリヤー数の制御、等
ゲ用いれば良い。原子価制御によす！１４１００電気伝
導度を高める例としては、５ｎ０２への５ｂ２０３の添
加、Ｆｅ２Ｏ３へのＴ ＋ ０２ ＋ＺｎＯ２へのＡｌ
２Ｏ３，ＣｏＯへのＩ−ｉ２０ 、Ｎ ｉｏへのＬ ｉ
２０の添加等がある。逆の例としては、５ｎ０２へのＣ
ｒ２Ｏ３の添加、ＺｎＯへのしＩ２０．ＮｉＯへのＣｒ
２Ｏ３の？Ａ加等がある。焼成条件の制御による圧電気
伝導度の制御は以下のようにして行われる。
半導体の焼成条件を高める程、その結晶中の欠陥は減少
し、電気伝導度も減少する。この性質を利用し、焼成温
度を選択することにより、半導体の電気伝導度を制御す
ることかできる。そして上記の手法を用い、金属酸化物
半導体の表面附近と内部との圧電気伝導度を異らしめる
。具体的には、■ 表面附近に圧電気伝導度を高めた材
料を用いる、 ■ 内部に圧電気伝導度を小さくした材料を用いる、 ■ 両者を併用する、 等によれば良い。
し、電気伝導度も減少する。この性質を利用し、焼成温
度を選択することにより、半導体の電気伝導度を制御す
ることかできる。そして上記の手法を用い、金属酸化物
半導体の表面附近と内部との圧電気伝導度を異らしめる
。具体的には、■ 表面附近に圧電気伝導度を高めた材
料を用いる、 ■ 内部に圧電気伝導度を小さくした材料を用いる、 ■ 両者を併用する、 等によれば良い。
なお特に限定する意味ではないが、５ｎ０２に用いる場
合に、既に焼成を終えたＳｎＯ２に錫の塩化物を加える
ことはさけることが望捷しい。５ｎＣＩ！２等の添加に
より、５ｎ０２の圧電気伝導度は増大するか、添加され
た５ｎＣ１２の焼成か不十分なため、経時的侶頓性か低
いからである。
合に、既に焼成を終えたＳｎＯ２に錫の塩化物を加える
ことはさけることが望捷しい。５ｎＣＩ！２等の添加に
より、５ｎ０２の圧電気伝導度は増大するか、添加され
た５ｎＣ１２の焼成か不十分なため、経時的侶頓性か低
いからである。
ガス検出素子の形状には、公知のものを広く用いること
ができ、金属酸化物半導体の厚さも小さくする１必凋は
ない。第１図および第２図に示すような、既存の形状を
その捷ま用いることかできる。
ができ、金属酸化物半導体の厚さも小さくする１必凋は
ない。第１図および第２図に示すような、既存の形状を
その捷ま用いることかできる。
金属酸化物半導体のうち、圧電気伝導度を内部より高く
すべき部分を、表面から５００ ｔｉ以下としたのは、
これ以上ではＣＯやＮＨ３への感度が低下するからであ
る。この部分を蒸着等によって形成する場合の厚さは１
μ程度でもよい。
すべき部分を、表面から５００ ｔｉ以下としたのは、
これ以上ではＣＯやＮＨ３への感度が低下するからであ
る。この部分を蒸着等によって形成する場合の厚さは１
μ程度でもよい。
この発明のガス検出素子の動作は次のように考えること
ができる。
ができる。
ガス検出素子の電気伝導度は、表面付近の金属酸化物半
導体によって定寸るようになる。そして表面付近では、
ＣＯやＮＨ３＋Ｈ２Ｓ等のガスも、半導体の酸化活性の
影響を受けない。フィルター活性の影響を受ける半導体
の内部の電気伝導度は、素子の出力にほとんど影響しな
い。したがって金属酸化物半導体の表面付近の電気伝導
度を内部より高めておくことにより、ＣＯ、Ｎ Ｉ３等
のガスを高感度で検出することかできる。
導体によって定寸るようになる。そして表面付近では、
ＣＯやＮＨ３＋Ｈ２Ｓ等のガスも、半導体の酸化活性の
影響を受けない。フィルター活性の影響を受ける半導体
の内部の電気伝導度は、素子の出力にほとんど影響しな
い。したがって金属酸化物半導体の表面付近の電気伝導
度を内部より高めておくことにより、ＣＯ、Ｎ Ｉ３等
のガスを高感度で検出することかできる。
以１ζに谷実雁例について説、明する。
５ｎＣ１４水溶液ｙａ＝ＮＨｓて中和り、 Ｓ ｎ （
ＯＨ）４の沈澱分母る。沈澱を水洗後、３００°Ｃて２
時間の１次・焼成を行う。１次・暁成後の５ｎ０２ケ２
次焼成（６００℃×２時間）Ｌ２、粉砕する。この５ｎ
０２を以下５ｎＯ２（イ）として示す。なお以下のすへ
ての材料について、２次焼成後に粉砕を行うものとし、
その旨の説り１を省略する。
ＯＨ）４の沈澱分母る。沈澱を水洗後、３００°Ｃて２
時間の１次・焼成を行う。１次・暁成後の５ｎ０２ケ２
次焼成（６００℃×２時間）Ｌ２、粉砕する。この５ｎ
０２を以下５ｎＯ２（イ）として示す。なお以下のすへ
ての材料について、２次焼成後に粉砕を行うものとし、
その旨の説り１を省略する。
１次・暁１戊後の５ｎ０２１００重量部π０８重用部の
５ｌ）２０３を添加し、６００°Ｃて２時間焼成する。
５ｌ）２０３を添加し、６００°Ｃて２時間焼成する。
この・焼成、過程でアンチモンはＶ測寸で酸化され、５
ｎ０２の原子価制御か行われる。こ才］によってＳｎＯ
２のＩｔ電気伝導度は５ｎ０２（Ａ）の約５０倍に増す
。このものｋ Ｓ ｎ ０２ Ｓ ｂ２０３として示
す。
ｎ０２の原子価制御か行われる。こ才］によってＳｎＯ
２のＩｔ電気伝導度は５ｎ０２（Ａ）の約５０倍に増す
。このものｋ Ｓ ｎ ０２ Ｓ ｂ２０３として示
す。
１次焼成後のＳｎ ０２１００重ｉ１’ｃ Ｍｉ’ｎ
Ｃｒｃ１３水溶液（Ｃ＋；５Ｑ３換鐘で０．５重１１部
）を加え、６００℃で２時間焼成する。これによって比
電気伝導度は５ｎＯ２（Ａ）の約１０００分の１１で低
下する。このものを、Ｓ ｎ ０２−Ｃｒ ２０３ と
して示す。
Ｃｒｃ１３水溶液（Ｃ＋；５Ｑ３換鐘で０．５重１１部
）を加え、６００℃で２時間焼成する。これによって比
電気伝導度は５ｎＯ２（Ａ）の約１０００分の１１で低
下する。このものを、Ｓ ｎ ０２−Ｃｒ ２０３ と
して示す。
ＺｎＣｊ？２水溶液をＮａＯＨ水で中和し、水洗をくり
返してＺｎ（０１（）２の沈澱を得る。この沈澱に、大
気中での３００°Ｃで２時間の１次・焼成を腋した後に
、大気中で５００℃に２時間加熱し２次焼成とする。こ
のＺｎ０（ｚ以下ＫＺｎＯ（Ａ） として示す。
返してＺｎ（０１（）２の沈澱を得る。この沈澱に、大
気中での３００°Ｃで２時間の１次・焼成を腋した後に
、大気中で５００℃に２時間加熱し２次焼成とする。こ
のＺｎ０（ｚ以下ＫＺｎＯ（Ａ） として示す。
１次焼成、後のＺｎ０１００重Ｉ■部に、１重用部のＡ
、 ｌ！ ２０３を添加し、５００°Ｃで２時間・焼成
する。
、 ｌ！ ２０３を添加し、５００°Ｃで２時間・焼成
する。
これによって比電気伝導度はＺ ｎ ０（Ａ）の約３０
倍に増大する。このものｆＺｎＯＡＩ’？２０３として
示す。
倍に増大する。このものｆＺｎＯＡＩ’？２０３として
示す。
１次焼成後のＺｎＯ１００重量部に１重用都のＬｉ２０
ｉ加え５００°Ｃで２時間・暁戎する。これによって比
電気伝導度はＺｎ０（イ）の１０００分の１以下に低下
する。このもの’ｒ ＺｎＯ−Ｌ ｉ２０として示す。
ｉ加え５００°Ｃで２時間・暁戎する。これによって比
電気伝導度はＺｎ０（イ）の１０００分の１以下に低下
する。このもの’ｒ ＺｎＯ−Ｌ ｉ２０として示す。
１次焼成後のＺｎＯｋ酸素中１ （１０００Ｃで２時間
・暁吠する。このもののＩｔ電気伝導度はＺ ｎ ０（
Ａ）の約１／Ｈ１である。このもの全ＺｎＱ［Ｆ］）と
して示す。
・暁吠する。このもののＩｔ電気伝導度はＺ ｎ ０（
Ａ）の約１／Ｈ１である。このもの全ＺｎＱ［Ｆ］）と
して示す。
第１図および第２図に示す構造を用いる。図において（
１） 、 （２）はコイル状の白金電（竜で、いずれも
ヒークケ兼ねさせる。（３）は金属酸化物半導体の内部
の部分で、その厚さは２ｍｍである。金属酸化物半導体
（３）ニより、電＋１ｆ（１） 、 （２）の約’ｌ’
Ｄｋおおうようにする。（４）は金属酸化物半導体の表
面部分て、金属酸化物半導体（３） 、、、１．ニーに
所定の厚さに塗布［７たものである。なお塗布に代えて
、浸偵等乞用いかも良い。金属酸化物半導体（４）の厚
さは、一様でなくても良い。一様の厚さに塗布すること
は困難であるし、厚さにむらが存在しても素子の特性に
あ捷り影響しないからである。
１） 、 （２）はコイル状の白金電（竜で、いずれも
ヒークケ兼ねさせる。（３）は金属酸化物半導体の内部
の部分で、その厚さは２ｍｍである。金属酸化物半導体
（３）ニより、電＋１ｆ（１） 、 （２）の約’ｌ’
Ｄｋおおうようにする。（４）は金属酸化物半導体の表
面部分て、金属酸化物半導体（３） 、、、１．ニーに
所定の厚さに塗布［７たものである。なお塗布に代えて
、浸偵等乞用いかも良い。金属酸化物半導体（４）の厚
さは、一様でなくても良い。一様の厚さに塗布すること
は困難であるし、厚さにむらが存在しても素子の特性に
あ捷り影響しないからである。
第３図に素子の構造の変形例金示す。図において、（］
１）はｌｔ電気伝導度の低い金属酸化物半導体の内部部
分であり、ｃのは金属酸化物半導体の表面部Ｑ、 ｌ
ｍｍである。０■、０４）は白金の厚膜電極、θ０は銀
−バラジクム等の厚嘆ヒータである。この場合、電ｆｔ
（１３、（１４）やヒータ０つ中のガラス成分等による
半導体０１）の劣化は考慮する必要がない。半導体０１
）の電気伝導度は小さくしであるからである。この構造
の素子の特性は、第１図および第２図のものと同様であ
る。
１）はｌｔ電気伝導度の低い金属酸化物半導体の内部部
分であり、ｃのは金属酸化物半導体の表面部Ｑ、 ｌ
ｍｍである。０■、０４）は白金の厚膜電極、θ０は銀
−バラジクム等の厚嘆ヒータである。この場合、電ｆｔ
（１３、（１４）やヒータ０つ中のガラス成分等による
半導体０１）の劣化は考慮する必要がない。半導体０１
）の電気伝導度は小さくしであるからである。この構造
の素子の特性は、第１図および第２図のものと同様であ
る。
検１］」ガスの代表例として、Ｃｏ ５０ｐｐｍｌえら
び、清浄空気中との抵抗値の比、ＣＣ０５０１）Ｔ）中
での抵抗値を測定した。隋書ガスの代表例としてＨ２を
えらび、 Ｃ０５０ｐｐｍと同一の１重度を与えるＨ２
２重（以下Ｈ２等価濃度という）を求めた。
び、清浄空気中との抵抗値の比、ＣＣ０５０１）Ｔ）中
での抵抗値を測定した。隋書ガスの代表例としてＨ２を
えらび、 Ｃ０５０ｐｐｍと同一の１重度を与えるＨ２
２重（以下Ｈ２等価濃度という）を求めた。
測定には第１図および第２図の素子を用い、２０°Ｃ１
６５％ＲＨ中で実験を行った。素子の加１度は５ｎ０２
を用いる場合に２００°Ｃ，ＺｎＯを用いる場合２５０
°Ｃとした。
６５％ＲＨ中で実験を行った。素子の加１度は５ｎ０２
を用いる場合に２００°Ｃ，ＺｎＯを用いる場合２５０
°Ｃとした。
結果を表に示す。
表において、組成の１４１−は表面部分の組成を、下欄
は内部のものを示す。表面部分の厚さを単に「厚さ」と
して示す。′８Ｉ８た※印のものは、比較のだめのもの
である。
は内部のものを示す。表面部分の厚さを単に「厚さ」と
して示す。′８Ｉ８た※印のものは、比較のだめのもの
である。
以１−に説りｊしたように、この発明によれば、金属酸
化物半導体に十分な厚さをもたせたま捷、Ｃｏ 、 Ｎ
Ｈ３、Ｃ・ｊ？２． Ｈ２Ｓ等のガスヲ高感度で検１１
」スることかできる。
化物半導体に十分な厚さをもたせたま捷、Ｃｏ 、 Ｎ
Ｈ３、Ｃ・ｊ？２． Ｈ２Ｓ等のガスヲ高感度で検１１
」スることかできる。
第１図は、実施例の１子の−）■切り欠き図、第２図は
第１図のＡ−Ａ′方向断面図である。第３図は１１しの
実施例の断面図である。 （１，） 、 （２） 、 ０１ 、 （１４）・・電
極、（３） 、 （］υ・・・金属酸化物半導体の内部
部分、（４） 、 ０の°金属酸化物半導体の表面部分
。 特Ｗ「出願人 フイガロ技研株式会ｒ１−代表者 千
葉 瑛 第３図 、２
第１図のＡ−Ａ′方向断面図である。第３図は１１しの
実施例の断面図である。 （１，） 、 （２） 、 ０１ 、 （１４）・・電
極、（３） 、 （］υ・・・金属酸化物半導体の内部
部分、（４） 、 ０の°金属酸化物半導体の表面部分
。 特Ｗ「出願人 フイガロ技研株式会ｒ１−代表者 千
葉 瑛 第３図 、２
Claims (1)
- １ ガスにより抵抗値か変化する、バルク状の金属酸化
物１′導体に、少くとも一対の電極を接続したガス検出
素子において、前記金属酸化物２１′導体の比電気伝導
度を、表面附近の領域で内部の領域より大きくせしめ、
かつこの表面附近の領域の厚さを５００μ以下としたこ
とを特徴とするガス検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17775781A JPS5879149A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | ガス検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17775781A JPS5879149A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | ガス検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5879149A true JPS5879149A (ja) | 1983-05-12 |
Family
ID=16036589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17775781A Pending JPS5879149A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | ガス検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5879149A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0114310A2 (en) * | 1982-12-25 | 1984-08-01 | Nohmi Bosai Kogyo Co., Ltd. | Carbon monoxide sensing element and process for manufacturing it |
| JPH03264840A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Fuji Electric Co Ltd | 二酸化塩素計 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633535A (en) * | 1979-08-22 | 1981-04-04 | Siemens Ag | Selective gas sensor |
-
1981
- 1981-11-05 JP JP17775781A patent/JPS5879149A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633535A (en) * | 1979-08-22 | 1981-04-04 | Siemens Ag | Selective gas sensor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0114310A2 (en) * | 1982-12-25 | 1984-08-01 | Nohmi Bosai Kogyo Co., Ltd. | Carbon monoxide sensing element and process for manufacturing it |
| JPH03264840A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-26 | Fuji Electric Co Ltd | 二酸化塩素計 |
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