JPS5871633A - 圧接型半導体装置 - Google Patents
圧接型半導体装置Info
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- JPS5871633A JPS5871633A JP56169890A JP16989081A JPS5871633A JP S5871633 A JPS5871633 A JP S5871633A JP 56169890 A JP56169890 A JP 56169890A JP 16989081 A JP16989081 A JP 16989081A JP S5871633 A JPS5871633 A JP S5871633A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)抛!111(L)技術分野
本尭明は、トランジスタ、サイリスタ或いはゲートター
ンオフサイリスタ (以下GTO)等り半導体索子1i
−加圧接触する圧接製半導体lI&置に胸する。
ンオフサイリスタ (以下GTO)等り半導体索子1i
−加圧接触する圧接製半導体lI&置に胸する。
(2) 従来技術
一般にトランジスタ、ナイリスタ或いFiGTQ勢の半
導体索子を加圧圧接する圧振M4導体装置kt=t、−
力用として嵐〈知られている。そしてこの柚の圧接型半
導体装置は鉋1崗に示すように構成場れている。即ち牛
導体素子基体110両餉に、この素子基体ノーの熱j1
張係数に近り金属板II、IIを介して、熱および電気
伝導率の高い円柱状の金属スタンプ14.11を設け、
この金属スタンプ14.IIで半導体索子基体11を矢
印の方向に圧接する構造になっている。半導体素子基体
IIと金属スタンプ14゜11と0間に金−板I1.I
llを設けたのは、半導体素子基体11と金属スタンプ
14.I!iとOwk膨張係数が具ガるために装置の稼
動により生ずる亀に変化に伴なって両省間のノくイメタ
ル効果によって機械的ストレスが牛導体素子基体JJK
加わるのを防ぐためである。したがって通常金−&rx
、zxとして用いられるOは牛4体本子基体11がシリ
コンSiの場合、七すブデンMO’やタングステンWな
どでこれは温鼓補償板とも呼ばれる。例えは半導体素子
基体11としてS1サイリスメを用いた場合、アノード
電極l1llの金属板13としてW板を用釣これを含金
法で素子に直接固着せしめ、さらに金属スタンプ15と
して例えば円柱状tD f14 Cuスタンプに−の金
属板目を半田層1rを介して1着している。またカソー
ド電極側では同様に金14の他On[1を半導体素子基
%s rK接触さぜ・ている。
導体索子を加圧圧接する圧振M4導体装置kt=t、−
力用として嵐〈知られている。そしてこの柚の圧接型半
導体装置は鉋1崗に示すように構成場れている。即ち牛
導体素子基体110両餉に、この素子基体ノーの熱j1
張係数に近り金属板II、IIを介して、熱および電気
伝導率の高い円柱状の金属スタンプ14.11を設け、
この金属スタンプ14.IIで半導体索子基体11を矢
印の方向に圧接する構造になっている。半導体素子基体
IIと金属スタンプ14゜11と0間に金−板I1.I
llを設けたのは、半導体素子基体11と金属スタンプ
14.I!iとOwk膨張係数が具ガるために装置の稼
動により生ずる亀に変化に伴なって両省間のノくイメタ
ル効果によって機械的ストレスが牛導体素子基体JJK
加わるのを防ぐためである。したがって通常金−&rx
、zxとして用いられるOは牛4体本子基体11がシリ
コンSiの場合、七すブデンMO’やタングステンWな
どでこれは温鼓補償板とも呼ばれる。例えは半導体素子
基体11としてS1サイリスメを用いた場合、アノード
電極l1llの金属板13としてW板を用釣これを含金
法で素子に直接固着せしめ、さらに金属スタンプ15と
して例えば円柱状tD f14 Cuスタンプに−の金
属板目を半田層1rを介して1着している。またカソー
ド電極側では同様に金14の他On[1を半導体素子基
%s rK接触さぜ・ている。
ところで従来から使用されているサイリスタ中ダイオー
ド等O電力用半導体素子のカソード11L極は、& 2
fW (a) 、伽)に示すように電気的に一体化し
て構成されている。したがって圧接が多少不均一であっ
ても電気的に均一な圧*1−行なった場合と同様な挙動
を示し、圧接の不均一による電気的な欠点が余9関連に
ならなかった。
ド等O電力用半導体素子のカソード11L極は、& 2
fW (a) 、伽)に示すように電気的に一体化し
て構成されている。したがって圧接が多少不均一であっ
ても電気的に均一な圧*1−行なった場合と同様な挙動
を示し、圧接の不均一による電気的な欠点が余9関連に
ならなかった。
なお第2図で21は半導体素子基体、JJはカソード電
極、2JFiゲート電極、24はアノード電健である。
極、2JFiゲート電極、24はアノード電健である。
これに均し、最近開発がすすんでする大電カド2ンジス
/−?GTO’等の半導体素子はいずれもカソード電極
(エンツタtii) IIが第3図の(a) 、 (b
) K示すようにIl数に分割されてお9、この分割さ
れたカソード領域11上の電極を金属Mo+W板([3
図(a)で点線で示す内側の部分)を介して金属Cuス
タンプで圧接して釣る。セしてGTOの場合それぞれの
カンードII斌IIt独立したGTO七して並列動作さ
せ大電流をゲートターンオフしている。従ってカソード
電極全体を均一に圧接することにより、部分圧警中接触
抵抗の差によるカソードエレメント間の亀t!t、Oア
ンバシンスを防止し、シリコン内の応力の不均一によっ
て生ずるターンオフ特性ノパラツキに伴う′ftfLの
アンバランスを防止して−る0 (3) 従来技術の問題点 この種の圧接型半導体装置においては、基本的に半導体
素子にかかる応力分布は、半無限の板を剛体で圧接する
場合と等価である。この仮定を基にIJ&した場合、即
ち、第41葎)に示すように牛無限弾性体41を円柱状
剛体ボスト42で圧接した場合、半無限弾性体41中に
止じる圧接面に画直な方向の応力Pωは、被合榊造物の
五δ力解析を目的としてつくられたプログラム、通称S
A P (5tructural Analysis
Pro −gr關0を用いて解くと第4図(b>の如
く1示で龜る。(旺:8APは、1969年酎カリ耐ォ
ルニア大参のE、L、Wllson 教授らが開発し、
撫在でFi世界各地でこt)WA形ノログラムをアレン
ジして使っている。)この謔4N(b)から明らかなよ
うに、生態VL51IIL性体41と剛体42との圧接
面O11M−上の応力分布は剛体の周端部で無限大とな
9、千無@弾性体4I内の応力分布は着しく不均一にな
る。
/−?GTO’等の半導体素子はいずれもカソード電極
(エンツタtii) IIが第3図の(a) 、 (b
) K示すようにIl数に分割されてお9、この分割さ
れたカソード領域11上の電極を金属Mo+W板([3
図(a)で点線で示す内側の部分)を介して金属Cuス
タンプで圧接して釣る。セしてGTOの場合それぞれの
カンードII斌IIt独立したGTO七して並列動作さ
せ大電流をゲートターンオフしている。従ってカソード
電極全体を均一に圧接することにより、部分圧警中接触
抵抗の差によるカソードエレメント間の亀t!t、Oア
ンバシンスを防止し、シリコン内の応力の不均一によっ
て生ずるターンオフ特性ノパラツキに伴う′ftfLの
アンバランスを防止して−る0 (3) 従来技術の問題点 この種の圧接型半導体装置においては、基本的に半導体
素子にかかる応力分布は、半無限の板を剛体で圧接する
場合と等価である。この仮定を基にIJ&した場合、即
ち、第41葎)に示すように牛無限弾性体41を円柱状
剛体ボスト42で圧接した場合、半無限弾性体41中に
止じる圧接面に画直な方向の応力Pωは、被合榊造物の
五δ力解析を目的としてつくられたプログラム、通称S
A P (5tructural Analysis
Pro −gr關0を用いて解くと第4図(b>の如
く1示で龜る。(旺:8APは、1969年酎カリ耐ォ
ルニア大参のE、L、Wllson 教授らが開発し、
撫在でFi世界各地でこt)WA形ノログラムをアレン
ジして使っている。)この謔4N(b)から明らかなよ
うに、生態VL51IIL性体41と剛体42との圧接
面O11M−上の応力分布は剛体の周端部で無限大とな
9、千無@弾性体4I内の応力分布は着しく不均一にな
る。
こO事実から半導体素子基体(半無限円板)t−餐X*
及び金属Cuスタンプで加圧接触させた場合、半導体素
子内の応力分布は館416)のようになると謁見られる
。このようKl来の圧接mの牛4体装置においては半導
体素子基体の周辺部に応力が集中することはさけがた―
ものである。参集、使用ψ破馳し良GTO装置を1笥す
ると、その多くFi第3図(a)の点一部分にリング状
TiJff接跡がtIIi察された。そしてこのような
圧嫉跡か観察され九〇TO装置は、使用途中電入7ノー
ドを流(4大可制御陽&電流I?GQ)が着しく低下し
ている。これは圧力分布の不均一によシアイード電流の
面内不均一が襞じてターンオフ時間のバラツキが面内で
起っている輿−事爽から一定すると圧力の高い周辺Sリ
ターンオフが遅れ過電流密度の状態になったためと思わ
れ、を九圧接跡υ靭証され九〇TO装置は、稼動時の熱
り労によってカソード電極V崗辺部でカソード電極−ゲ
ート電極間の蝙絡事故が妬主するなど、GTO装置にと
って敦令的な特性の劣化が生じていた。
及び金属Cuスタンプで加圧接触させた場合、半導体素
子内の応力分布は館416)のようになると謁見られる
。このようKl来の圧接mの牛4体装置においては半導
体素子基体の周辺部に応力が集中することはさけがた―
ものである。参集、使用ψ破馳し良GTO装置を1笥す
ると、その多くFi第3図(a)の点一部分にリング状
TiJff接跡がtIIi察された。そしてこのような
圧嫉跡か観察され九〇TO装置は、使用途中電入7ノー
ドを流(4大可制御陽&電流I?GQ)が着しく低下し
ている。これは圧力分布の不均一によシアイード電流の
面内不均一が襞じてターンオフ時間のバラツキが面内で
起っている輿−事爽から一定すると圧力の高い周辺Sリ
ターンオフが遅れ過電流密度の状態になったためと思わ
れ、を九圧接跡υ靭証され九〇TO装置は、稼動時の熱
り労によってカソード電極V崗辺部でカソード電極−ゲ
ート電極間の蝙絡事故が妬主するなど、GTO装置にと
って敦令的な特性の劣化が生じていた。
このような問題を解決するための適切な方法は従来なか
′)た0ただ従来145i1i!uに示す如く、牛導体
素子基体szK*触する金1g板5xtb畠子@OS端
飾をバリ取プの意林で飴制して傾斜EliijJを形成
する方法があシ、これによれば周辺sの応力が緩和され
るかにみえる0しかし過電そviFFM角f0は023
0° に堆ることが多かつ九〇そして違算用いられる金
属板61の厚さが500〜1000μ賜位であって、研
削の部分の量が100〜300μm位でめった。一方牛
導体素子のカソード領域部の扁さけlO〜30μ畷位で
あった。したがってtQ者を比較してみると研削する長
さが大−にカソード懺scO^畜O負を上まわ)、バリ
堆ルの有無は単に最外絢OS点かに5−のP点からQA
に移動するように径の小さ一円柱状のものを立て良のと
寮策的に同じになる。
′)た0ただ従来145i1i!uに示す如く、牛導体
素子基体szK*触する金1g板5xtb畠子@OS端
飾をバリ取プの意林で飴制して傾斜EliijJを形成
する方法があシ、これによれば周辺sの応力が緩和され
るかにみえる0しかし過電そviFFM角f0は023
0° に堆ることが多かつ九〇そして違算用いられる金
属板61の厚さが500〜1000μ賜位であって、研
削の部分の量が100〜300μm位でめった。一方牛
導体素子のカソード領域部の扁さけlO〜30μ畷位で
あった。したがってtQ者を比較してみると研削する長
さが大−にカソード懺scO^畜O負を上まわ)、バリ
堆ルの有無は単に最外絢OS点かに5−のP点からQA
に移動するように径の小さ一円柱状のものを立て良のと
寮策的に同じになる。
前述した応力M釘プログラムSAPを用φてW#φても
、ぞO応力分布の結果rat第4図と同じようになる。
、ぞO応力分布の結果rat第4図と同じようになる。
しかもこの場合加圧する総萄重を同一とすれは午尋体巣
子基体6111C接する面積が減少し7た分たけ一辺の
応力が増加し、半導体素子にとってより−い県件になる
ことがわかっている。
子基体6111C接する面積が減少し7た分たけ一辺の
応力が増加し、半導体素子にとってより−い県件になる
ことがわかっている。
以上のように、軌米O加圧級触製の半導体装置にお1て
は、必らず起きる半導体素子基体内の応力分布の不拘−
1それによってひき起こされる電気的特性の不拘−〇発
生、そしてその結果として生じる半導体素子の破壊とi
う一連の挙動は避けられないものであった。
は、必らず起きる半導体素子基体内の応力分布の不拘−
1それによってひき起こされる電気的特性の不拘−〇発
生、そしてその結果として生じる半導体素子の破壊とi
う一連の挙動は避けられないものであった。
軸) 発明の目的
本発IfAは110点に条みなされたもOで、半導体垢
子へのbb分的応Ai系中を防止し、もって半導体装置
の特性安定化を図ると共に破壊を防止し、cIiM性を
向上させた圧歇配半@体鉄Vt′#M供するものである
。
子へのbb分的応Ai系中を防止し、もって半導体装置
の特性安定化を図ると共に破壊を防止し、cIiM性を
向上させた圧歇配半@体鉄Vt′#M供するものである
。
(5)発明V歓賛
本発明は、半導体素子基体を圧接する金属スタンプの@
面に4をしけ、加圧時にその溝が弾性1形することを利
用して、金属スタンプ−送直下での半導体素子基体への
応力系中を緩沌するようにしたものである。
面に4をしけ、加圧時にその溝が弾性1形することを利
用して、金属スタンプ−送直下での半導体素子基体への
応力系中を緩沌するようにしたものである。
(6)発明0夾施例
!1%6図は本発明の一実施例O要部構成lである。今
同図で示すようにGTO等0半尋体集子基体61の#1
分化したカソード餉を温度補償板62を介して金属スタ
ンプ63と接触せしめておplこの金属スタンプの側面
には全周にわたって#64を設けている。65はアノー
ド@O温度槓慣板である。このようにm成した装置に同
一に示す矢印O方向に荷重を加えカロ圧級触をさ舷ると
、溝64ii前記8APC)解析結果によれtim7e
Nで示す妬くi形する。こし時4」1qO大自さ【半導
体素子II&体61と温度補償板62との接触面&8か
ら求められる平均的圧力P (三q/S)をおよそ20
0〜400 (kg/(が)Kなるよう軌釦すると、
#jiC4の変形は弾性限界内にあシ、り41k t−
取り去ると元の形状に復元する。
同図で示すようにGTO等0半尋体集子基体61の#1
分化したカソード餉を温度補償板62を介して金属スタ
ンプ63と接触せしめておplこの金属スタンプの側面
には全周にわたって#64を設けている。65はアノー
ド@O温度槓慣板である。このようにm成した装置に同
一に示す矢印O方向に荷重を加えカロ圧級触をさ舷ると
、溝64ii前記8APC)解析結果によれtim7e
Nで示す妬くi形する。こし時4」1qO大自さ【半導
体素子II&体61と温度補償板62との接触面&8か
ら求められる平均的圧力P (三q/S)をおよそ20
0〜400 (kg/(が)Kなるよう軌釦すると、
#jiC4の変形は弾性限界内にあシ、り41k t−
取り去ると元の形状に復元する。
第8図1−1a!7図で示した温度補償板62の域外周
端直下(P点)の半導体素子基体6I内の応力と溝64
り深さLおよび高さHとの関係を示したものである□。
端直下(P点)の半導体素子基体6I内の応力と溝64
り深さLおよび高さHとの関係を示したものである□。
どのデータは、半導体素子基体6Jが5IStki度補
償板62が0.5鴎厚のMo、金属スタンプ63が半径
251;Iq)Cu円柱体、温度−償板65がWであっ
て、金属スタンプ63に総荷重soookgt印加した
ときの解析結果である。
償板62が0.5鴎厚のMo、金属スタンプ63が半径
251;Iq)Cu円柱体、温度−償板65がWであっ
て、金属スタンプ63に総荷重soookgt印加した
ときの解析結果である。
同図でわかるように、層外jid端の応力集中を酸相す
るには、栴64を深くすればその効果が着しい。卸も、
本FA明の主眼としている応力集中がひき起す、−気I
#性のバラツキ、そして最昶釣にiJ装象O破壊にした
らしめる原因を除去する方法としてすぐれていることを
示している。
るには、栴64を深くすればその効果が着しい。卸も、
本FA明の主眼としている応力集中がひき起す、−気I
#性のバラツキ、そして最昶釣にiJ装象O破壊にした
らしめる原因を除去する方法としてすぐれていることを
示している。
発明省らO実験によっても、Sを金属スタンプ匈−に設
けると応力集中の一本1に明らかに寄与してりることが
−められた。実用上からは細−1111t−深く形成す
ることの複雑さ、熱抵抗の増加等t)乗件から自ずと、
神tD深さも限度がある〇経験によれは600 (k
i/Cm” )程度の応力では、電気的に思わしくない
影響を与えない仁とがわかっている0111%8凶によ
れは、鳥の深さを1.5(關)筒板にすれは、11配し
た許容で睡るであろう応力以下となり、と4t)8にの
擲ならは、熱抵抗の増加#1516栓ILですみむしろ
応力集中を防止する利点Oyjがはるかに大きい事がわ
かる◎鵞たhb4の−さ位には、温度補償板61から余
り遠くなφ位置であれは効果がある。
けると応力集中の一本1に明らかに寄与してりることが
−められた。実用上からは細−1111t−深く形成す
ることの複雑さ、熱抵抗の増加等t)乗件から自ずと、
神tD深さも限度がある〇経験によれは600 (k
i/Cm” )程度の応力では、電気的に思わしくない
影響を与えない仁とがわかっている0111%8凶によ
れは、鳥の深さを1.5(關)筒板にすれは、11配し
た許容で睡るであろう応力以下となり、と4t)8にの
擲ならは、熱抵抗の増加#1516栓ILですみむしろ
応力集中を防止する利点Oyjがはるかに大きい事がわ
かる◎鵞たhb4の−さ位には、温度補償板61から余
り遠くなφ位置であれは効果がある。
鯖9eiiJFi本発物の他の実施例を示したもので、
擲の形状、構造についでは、幅が大きく、内部が丸みを
おびているもの(a)、v字状vp(b)、擲を複数個
設は友も0(c)−(do、など種々変形実施できる@
鵞た金属スタンプとしてドーナツ状のもυを用いた場合
にもその側面に擲を設けることで四徐の効果が得られる
。
擲の形状、構造についでは、幅が大きく、内部が丸みを
おびているもの(a)、v字状vp(b)、擲を複数個
設は友も0(c)−(do、など種々変形実施できる@
鵞た金属スタンプとしてドーナツ状のもυを用いた場合
にもその側面に擲を設けることで四徐の効果が得られる
。
(7) 発明の効果
金属スタンプによシ圧級される半導体素子基体の部分的
な応力集中を効果的に防ぎもって圧接浚半導体装IIt
の電気的特性oy定化と値麺性向上t−hることかでき
る。
な応力集中を効果的に防ぎもって圧接浚半導体装IIt
の電気的特性oy定化と値麺性向上t−hることかでき
る。
#41内Fi11′来の加圧社牛尋体装置を示す断面図
、馳2ki(s)、(b)tj従従来サイリスクの構成
を −示す平i1T嫡とその六−に断面1、諏3図(1
)、伽)HGTOOカソードを極を示す平面1とそのB
−B’断面函、第4図−)、伽)は従来の圧接製半導体
装置における応力状態を説明する丸めの図、側5図は従
来の他の圧接製半導体装置0問題を説明するためCt、
ZH面図、阿6図は本発明〇一実施例の装部構成断面図
、1pI7図は、絡6図の鋏i1に加圧した時に鍵形す
る金属スタンプの状態−1餓8区は同じく加圧した時の
半導体素子の応力と溝の深さおよび高さとの関係を示す
図、tit4 #A葎)〜ω)は本妬宍O匍の実施例の
無の構造を示す1である。 61・・・半導体素子基体、gz、6B・・・楓&袖償
板、61・・・金−スタンプ、f4・・・鍵0出願人鴎
人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 jI2図 2 第6図 第8図 第9図 (a) (t)) (c) (d)
、馳2ki(s)、(b)tj従従来サイリスクの構成
を −示す平i1T嫡とその六−に断面1、諏3図(1
)、伽)HGTOOカソードを極を示す平面1とそのB
−B’断面函、第4図−)、伽)は従来の圧接製半導体
装置における応力状態を説明する丸めの図、側5図は従
来の他の圧接製半導体装置0問題を説明するためCt、
ZH面図、阿6図は本発明〇一実施例の装部構成断面図
、1pI7図は、絡6図の鋏i1に加圧した時に鍵形す
る金属スタンプの状態−1餓8区は同じく加圧した時の
半導体素子の応力と溝の深さおよび高さとの関係を示す
図、tit4 #A葎)〜ω)は本妬宍O匍の実施例の
無の構造を示す1である。 61・・・半導体素子基体、gz、6B・・・楓&袖償
板、61・・・金−スタンプ、f4・・・鍵0出願人鴎
人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 jI2図 2 第6図 第8図 第9図 (a) (t)) (c) (d)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) 半導体素子基体と、販半尋体素子基体の少な
くとも一方の面に設けられた一半導体素子基体の熱jl
張係数に近−熱診張係数を有する金属板ン、該金麺板を
介して前記半導体素子基体を圧接する金属スタンプとを
偽え良圧接製半導体装11において、前記金輌スタンプ
の側1oK#It−設けたこと1−特徴とする圧接型半
導体装置。 伐)金属スタンプの側面に設けられた鉤の数が1個また
Fi2個以上からなる特許請求の範囲第(1)項記載の
圧接型半導体装置。 (3) 金属スタンプの形状を円柱状またはドーナツ
状とした特許請求の範18第(1)項記載υ圧接製半尋
体装置。 (4)半導体索子がゲートターンオフサイリスタであっ
て、少なくともその細分化したカソード電1!、Iil
lKl1m記擲を有する金属スメンプを設けるようにし
た特許請求の範囲II (1)項記載の圧級蓋牛褥体装
置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56169890A JPS5871633A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 圧接型半導体装置 |
US06/419,477 US4500907A (en) | 1981-10-23 | 1982-09-17 | Pressure-applied type semiconductor device |
DE8282108708T DE3278748D1 (en) | 1981-10-23 | 1982-09-21 | Pressure-applied type semiconductor device |
EP19820108708 EP0077922B1 (en) | 1981-10-23 | 1982-09-21 | Pressure-applied type semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56169890A JPS5871633A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 圧接型半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5871633A true JPS5871633A (ja) | 1983-04-28 |
Family
ID=15894850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56169890A Pending JPS5871633A (ja) | 1981-10-23 | 1981-10-23 | 圧接型半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4500907A (ja) |
EP (1) | EP0077922B1 (ja) |
JP (1) | JPS5871633A (ja) |
DE (1) | DE3278748D1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012089623A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Tokyo Electron Ltd | 押圧用アダプタ |
JP2012160639A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Meidensha Corp | 半導体モジュール及び応力緩衝部材 |
JP2015044350A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドおよび記録装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5040051A (en) * | 1988-12-05 | 1991-08-13 | Sundstrand Corporation | Hydrostatic clamp and method for compression type power semiconductors |
EP0380799B1 (de) * | 1989-02-02 | 1993-10-06 | Asea Brown Boveri Ag | Druckkontaktiertes Halbleiterbauelement |
JPH0671062B2 (ja) * | 1989-08-30 | 1994-09-07 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH0744191B2 (ja) * | 1989-12-15 | 1995-05-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびそのための電極ブロック |
US5661315A (en) * | 1995-12-28 | 1997-08-26 | Asea Brown Boveri Ag | Controllable power semiconductor component |
DE19732738A1 (de) * | 1997-07-30 | 1999-02-04 | Asea Brown Boveri | Leistungshalbleiterbauelemente mit druckausgleichender Kontaktplatte |
DE10330053A1 (de) * | 2003-07-03 | 2005-02-10 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement mit einem Druckkontakt und Ronde für einen Druckkontakt eines Halbleiterbauelements |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1171537B (de) * | 1960-04-02 | 1964-06-04 | Telefunken Patent | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode |
US3452254A (en) * | 1967-03-20 | 1969-06-24 | Int Rectifier Corp | Pressure assembled semiconductor device using massive flexibly mounted terminals |
GB1219570A (en) * | 1967-08-04 | 1971-01-20 | Lucas Industries Ltd | Diode units |
DE2204490A1 (de) * | 1972-01-31 | 1973-08-09 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit druckkontakt |
JPS5318266Y2 (ja) * | 1973-01-25 | 1978-05-16 | ||
FR2254879B1 (ja) * | 1973-12-12 | 1977-09-23 | Alsthom Cgee | |
JPS55121654A (en) * | 1979-03-13 | 1980-09-18 | Toshiba Corp | Compression bonded semiconductor device |
JPS5628774A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-20 | Tatsunobu Kashima | Barrier curtain cloth hypoxia fire extinguishing method into which chemical fireeextinguishing substance is woven |
JPS6132A (ja) * | 1984-06-09 | 1986-01-06 | Fumio Toda | アルコ−ル分離剤 |
-
1981
- 1981-10-23 JP JP56169890A patent/JPS5871633A/ja active Pending
-
1982
- 1982-09-17 US US06/419,477 patent/US4500907A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-09-21 EP EP19820108708 patent/EP0077922B1/en not_active Expired
- 1982-09-21 DE DE8282108708T patent/DE3278748D1/de not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012089623A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Tokyo Electron Ltd | 押圧用アダプタ |
JP2012160639A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Meidensha Corp | 半導体モジュール及び応力緩衝部材 |
JP2015044350A (ja) * | 2013-08-28 | 2015-03-12 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドおよび記録装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0077922A3 (en) | 1984-05-23 |
US4500907A (en) | 1985-02-19 |
EP0077922B1 (en) | 1988-07-06 |
EP0077922A2 (en) | 1983-05-04 |
DE3278748D1 (en) | 1988-08-11 |
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