DE2204490A1 - Halbleiterbauelement mit druckkontakt - Google Patents
Halbleiterbauelement mit druckkontaktInfo
- Publication number
- DE2204490A1 DE2204490A1 DE19722204490 DE2204490A DE2204490A1 DE 2204490 A1 DE2204490 A1 DE 2204490A1 DE 19722204490 DE19722204490 DE 19722204490 DE 2204490 A DE2204490 A DE 2204490A DE 2204490 A1 DE2204490 A1 DE 2204490A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electrode
- pressure
- semiconductor
- semiconductor component
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01052—Tellurium [Te]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2, 31. JAN. 1972
Berlin und München Wittelsbaeherplatz 2
TOA 72/1019
Halbleiterbauelement mit Druckkontakt
Die vorliegende Erfindung besieht sich auf ein Halbleiterbauelement
mit einem mit Elektroden versehenen Halbleiterelement und mindestens einer scheibenförmigen
Zuführungselektrode, die kleineren Durchmesser als das Halbleiterelement aufweist.
Ein solches Halbleiterbauelement ist bereits beschrieben
worden. Die scheibenförmige Zuführungselektrode dieses Halbleiterbauelementes hat zylindrische Form, d. h., die
an einer der Elektroden des Halbleiterkörpers anliegende Fläche ist genau so groß wie die andere, den Druck aufnehmende
Fläche der Zuführungselektrode. Der auf den
Halbleiterkörper ausgeübte Druck liegt bei gleichmäßiger Druckverteilung über die Fläche etwa zwischen 100 und
500 kp/cm . Höhere örtliche Drucke können auf den Halbleiterkörper
jedoch dann ausgeübt werden, wenn die Zuführungselektrode z. B. durch ungenaue Montage einseitig
oder sogar nur am Rand belastet wird. Die Zuführungselektrode
kann hierbei auf Grund ihrer Form auf den Halbleiterkörper einen so hohen Kantenaruck ausüben, daß der Halbleiterkörper
bricht oder reißt. Dies gilt noch mehr für solche Zuführungselektroden, die sich zum Halbleiterelement
hin verjüngen.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe besteht darin, ein Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Gattung
so weiterzubilden, daß eine Beschädigung des Halbleiterkörpers auch dann vermieden wird, wenn auf die Zuführungselektrode ein einseitiger Druck z. B. aa Rand ausgeübt wird.
VPA 9/110/2013 Hab/Hob - 2 -
309832/0883
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß die Zuführungselektrode
sich vom Halbleiterelement weg verjüngt .
Die Zuführungselektrode kann die Form eines Kegelstunpfes
haben oder abgestuft sein. Die Zuführungselektrode kann auch entlang ihres Umfangs eine Nut aufweisen.
Die Erfindung wird anhand einiger Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren 1 bis 7 näher erläutert.
Es zeigen:
Figur 1 einen Schnitt durch ein Halbleiterelement gemäß der Erfindung,
Figur 2 die Zuführungselektrode und das Halbleiterelement
nach Figur 1 in vergrößertem Maßstab,
Figur 3 eine andere Ausführungsform dieser Teile,
Figur 4 eine weitere Ausführungsform dieser Teile,
Figur 5 den Schnitt durch eine Scheibenzelle mit Zuführungselektroden gemäß der Erfindung und
Figur 6 den Schnitt durch eine v/eitere Scheibenzelle mit Zuführungselektroden gemäß der Erfindung,
Figur 7 eine Säule mit Scheibenzellen und Zuführungselektroden
nach Figur 5.
In Figur 1 ist ein Halbleiterbauelement gezeigt, das einen Boden 2 mit einem Schraubstutzen 3 aufweist. Auf dem Boden 2,
der z. B. aus Kupfer oder Aluumiura oder einem sonstigen gut
wärmeleitenden Stoff besteht, liegt ein Halbleiterelement, Dieses besteht aus einem Halbleiterkörper 5, ζ. B. aus
Silicium und zwei Elektroden 4 und 6. Die untere Elektrode *
besteht z. B. aus Molybdän und ist an den Halbleiterkörper "■
anlegiert. Die obere Elektrode 6 besteht z. B* aus versilberten
Aluminium. Auf der Elektrode 6 sitzt eine Zuführungselektrode 8, die mit einem Anschlußbolzen 9 verbunden
ist. Die Zuführungselektrode 8 hat aie Fora eines
VPA 9/IIO/2013
309832/0683
Kegelstumpfes. Auf der Zuführungselektrode 8 liegen der
Reihe nach ein Druckrirsg 10, z. B. aus Stahl und zwei
Tellerfedern 11 und 12, die sich gegen ein klammerartiges Halteteil 13 abstützen. Das Halteteil 13 ist auf der
Unterseite mit dem Soden 2 fest verbunden.
Das Halbleiterbauelement wird durch ein glockenförmiges Oberteil gasdicht gekapselt. Dieses besteht aus den Metallteilen
14 und 15, die durch einen Keramikring 16 elektrisch voneinander getrennt sind. Das Gehäuse kann jedoch auch
ganz aus Keramik oder aus Metall und einer Preßglasdurchführung bestehen.
Wird die Zuführungselektrode z. B. durch eine Ungenauigkeit bei der Montage durch die Druckfedern 11 und 12 nur
am Rand belastet, so bildet sich am Rand ein Druckkegel aus, der zu einer Verteilung dieses Drucks an derjenigen
Fläche der Zuführungselektrode 8 führt, die auf der Elektrode 6 des Halbleiterkörpers 5 aufliegt. Eine Zerstörung des
Halbleiterkörpers'wird damit vermieden.
In Figur 2 ist die Zuführungselektrode und das Halbleiterelement des Halbleiterbauelementes nach Figur 1 vergrößert
dargestellt. Gleiche Teile sind hier mit gleichen Bezugsziffern wie in Figur 1 versehen. Eine an der Elektrode 6 des
Halbleiterkörpers 5 unter Druck anliegende Fläche ist mit 20 bezeichnet. Die den Druck aufnehmende Fläche trägt die
Bezugsziffer 21. Der einseitig auf die Zuführungselektrode
ausgeübte punktförmig angenommene Druck ist durch eine Pfeil am Rand der den Druck aufnehmenden Fläche 21 dargestellt.
Der sich durch elastische Verformung der Zuführungselektrode ausbildende Druckkegel ist einerseits durch den Rand der
Zuführungselektrode begrenzt. Der Druckkegel breitet sich bis zu einer Grenze aus, die durch die gestrichelte Linie
angedeutet ist. Es isc ersichtlich, daß sich die punktförmige
VPA 9/110/2013 - 4 -
3098 3 2/0683
" 4" 2204430
und einseitige Belastung der Zuführungselektrode an der Elektrode aes Halbleiterkörpers auf eine größere Fläche
verteilt.
In Figur 3 ist eine Zuführungselektrode 22 gezeigt, die
abgestuft ist. Die den Druck aufnehmende Fläche ist mit und die unter Druck an der Elektrode des Halbleiterkörpers
liegende Fläche mit 24 bezeichnet. Die einseitige Belastung am Rand der Zuführungselektrode 22 ist wieder durch einen
Pfeil und der Druckkegel durch gestrichelte Linien ..angedeutet.
Auch hier ist ersichtlich, daß sich der Druck an der Elektrode auf eine größere Fläche verteilt,
In Figur 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel aargestellt.
Die Zuführungselektrode trägt die Bezugsziffer 25, die an der Elektrode des Halbleiterkörper unter Druck anliegende
Fläche ist mit 26 bezeichnet und- die den Druck aufnehmende
Fläche trägt die Bezugsziffer 27. Die Zufülirungsalsktrode
ist entlang ihres Umfangs mit einer Nut 36 rersehen» D* h»
die Zuführungselektrode verjüngt sieh auch hier vom Halbleiterelement
weg. ZIn if eil aa Rand der Bufiüirungselektrocle
deutet vfieder die einseitige Belastung der Suführungselektrode
an. In diesem Fall bilden sich zwei Druckkegel aus,
deren Begrenzung wiederum durch gestriclislte Linien dargestellt
sind. Die punktförmige Belastung as Itana der Zuführungs
elektrode verteilt sich auch hier auf sine relativ grelle
Fläche des Halbleiterkörpers*
In Figur 5 ist eine Scheibenzelle im Schnitt dargestellt«
Diese weist einen ringförmigen Isolierkörper 25 z* 3, aus
Keramik auf, mit dem zwei duktile, z. B, aus Silberblech bestehende Folien 26 und 27 z. B» verlötet sind* Im Inneren
der Scheibenzelle liegt ei-n- Halbleiterelement. 28, das zwei
Elektroden 29 und 30, Z9 S. aus Molybdän aufweist* Her
notwendige Kontaktdruck wird hier durch swei gegen die
VPI 9/110/2013 . - 5 -
309832/0883
"5- 2204430
Scheibenzelle gepreßte Zuführungselektroden 31 und 32
hergestellt« Die Zuführungselektroden 31 und 32 Haben die Form eines Kegelstumpfa. Die Wirkung dieser Formgebung
entspricht den vorhergehenden Ausführungsbeispielen.
In Figur 6 ist ein Schnitt durch eine andere Scheibenzelle gezeigt. Hier ist eine der Zuführungselektroden als Kegelstumpf
ausgebildet und mit 33 bezeichnet. D.er Halbleiterkörper
28 ist mit einer oberen Elektrode 34 versehen, -die z. B. aus versilberten Aluminium besteht* Der notwendige
Kontaktdruck wird bei diesen Ausführungsbeispiel durch die kegelstumpfförmige Zuführimgselektr-ode 31 und ein Druckstück
35 erzeugt. - :
Die Zuführungselektroden können sc B8 aus'Kupfer oder- aus
Molybdän bestehen und s. B, .1 bis 3 2>3i dick sein« Der
Winkel an der Basis des Kegelstuap.fes bei den Ausführungsbeispielen
nach Figur 2, 5 und 6 liegt, vorzugsweise zwischen 45 und βθ°« Die CJr1OSs des Winkels richtet sich im wesentlichen
danach, wieviel Verlustwärme abzuführen ist« Die Wärmeabfuhr wird dabei um so besser sein, je kleiner der
thermische Widerstand der Zuführungselektroaen ist, de h.
je näher der Winkel an 90° ist. Entsprechend bemessen sind auch die Zufülirungseiektroden nach den Figuren 3 und A$ dort
kann der obere Teil der Zuführungselektrode Z0 B9 0,5 -bis
1,5 mm dick und eine z. B. um 1 bis δ εηβ kleineren Durchmesser
als das untere Teil der Zuführungselektrode haben. Entsprechend kann auch die Hut beim Ausführungsbeispiel nach
Figur 4 eine Tiefe von 1 bis 3 -mm haben»
Die Erfindung läßt sich besonders vorteilhaft in Verbindung mit aus Scheibenzellen bestehenden Säulen verwenden. Eine
solche Säule ist in Figur 7 gezeigt. Sie besteht aus drei
VPA 9/110/2013 - 6 -
309832/0683
Scheibeiizellen 36, 37, 36. Die.Zuführungselektroden sind
mit 39» 40, 41 j 42, 43» 44 bezeichnet. Zwischen je swei
2uführungselektroden liegt ein Kühlblech 45 bzw. 46. Die Scheibenzellen, Zuführungselektroden und Kühlbleche εina
ind einem Rahmen zusaamengespannt, der aus zwei Metallplatten 49j 50 und Bolzen 47, 48 besteht* Diese Bolzen
bestehen wenigstens teilweise aus Isoliermaterial und weisen am oberen Ende Gewinde auf. Der notwendige Eontaktdurck
wird über I.'utxern 52,53 und Federn 54 *55 eingestellt
P !Die Stromzuführung erfolgt über die Iilex-allpla^ter.
49ί 50, die Kittels zwäer Klemmen 51» 56 an eine Spannur-.-rsquelle
angeschlossen 3ind.
4 Patentansprüche
7 Figuren
7 Figuren
VPA 9/110/2013 · - 7 -
309832/0683
Claims (2)
- albleiterbauelement mit einem mit Elektroden versehenen Halbleiterelement und mindestens einer scheibenförmigen Zuführungselektrode mit kleinerem Durchmesser als das Halbleiterelement, dadurch gekennzeichnet ff daß die Zuführungselektrode sich vom Halbleiterelement weg verjüngt.
- 2.) Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurchgekennzeichnet } daß die Zuführungselektrode (8) die Form eines Kegelstumpfes hat.3») Halbleiterbauelement nach Anspruch 15 dadurch gekennzeichnet 9 daß die Zufiihrungselektrode (22) abgestuft ist»4») Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Zuführungselektrcde (25) entlang ihres Umfangs eine Hut (36) aufweist.YPA 9/110/2015309832/0683
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722204490 DE2204490A1 (de) | 1972-01-31 | 1972-01-31 | Halbleiterbauelement mit druckkontakt |
CH1440772A CH541869A (de) | 1972-01-31 | 1972-10-03 | Halbleiterbauelement |
GB4756872A GB1397430A (en) | 1972-01-31 | 1972-10-16 | Semiconductor components |
NL7217019A NL7217019A (de) | 1972-01-31 | 1972-12-14 | |
FR7245017A FR2169819B1 (de) | 1972-01-31 | 1972-12-18 | |
IT3323472A IT972620B (it) | 1972-01-31 | 1972-12-20 | Componente a semiconduttori con contatto a pressione |
JP1282873A JPS4885079A (de) | 1972-01-31 | 1973-01-31 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722204490 DE2204490A1 (de) | 1972-01-31 | 1972-01-31 | Halbleiterbauelement mit druckkontakt |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2204490A1 true DE2204490A1 (de) | 1973-08-09 |
Family
ID=5834583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19722204490 Pending DE2204490A1 (de) | 1972-01-31 | 1972-01-31 | Halbleiterbauelement mit druckkontakt |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS4885079A (de) |
CH (1) | CH541869A (de) |
DE (1) | DE2204490A1 (de) |
FR (1) | FR2169819B1 (de) |
GB (1) | GB1397430A (de) |
IT (1) | IT972620B (de) |
NL (1) | NL7217019A (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2727319A1 (de) * | 1977-06-16 | 1979-01-04 | Nippon Electric Co | Halbleiteranordnung mit einer hoeckerfoermigen anschlusselektrode |
DE3009511A1 (de) * | 1979-03-13 | 1980-09-18 | Tokyo Shibaura Electric Co | Kompressions-halbleitervorrichtung |
DE10330053A1 (de) * | 2003-07-03 | 2005-02-10 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement mit einem Druckkontakt und Ronde für einen Druckkontakt eines Halbleiterbauelements |
DE102004059389A1 (de) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Kontaktierung eines Halbleiterbauelements |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5871633A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-28 | Toshiba Corp | 圧接型半導体装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS413220Y1 (de) * | 1965-01-02 | 1966-02-23 |
-
1972
- 1972-01-31 DE DE19722204490 patent/DE2204490A1/de active Pending
- 1972-10-03 CH CH1440772A patent/CH541869A/de not_active IP Right Cessation
- 1972-10-16 GB GB4756872A patent/GB1397430A/en not_active Expired
- 1972-12-14 NL NL7217019A patent/NL7217019A/xx unknown
- 1972-12-18 FR FR7245017A patent/FR2169819B1/fr not_active Expired
- 1972-12-20 IT IT3323472A patent/IT972620B/it active
-
1973
- 1973-01-31 JP JP1282873A patent/JPS4885079A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2727319A1 (de) * | 1977-06-16 | 1979-01-04 | Nippon Electric Co | Halbleiteranordnung mit einer hoeckerfoermigen anschlusselektrode |
DE3009511A1 (de) * | 1979-03-13 | 1980-09-18 | Tokyo Shibaura Electric Co | Kompressions-halbleitervorrichtung |
DE10330053A1 (de) * | 2003-07-03 | 2005-02-10 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement mit einem Druckkontakt und Ronde für einen Druckkontakt eines Halbleiterbauelements |
DE102004059389A1 (de) * | 2004-12-09 | 2006-06-14 | eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH | Kontaktierung eines Halbleiterbauelements |
DE102004059389B4 (de) * | 2004-12-09 | 2012-02-23 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement mit Ausgleichsmetallisierung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH541869A (de) | 1973-09-15 |
NL7217019A (de) | 1973-08-02 |
GB1397430A (en) | 1975-06-11 |
IT972620B (it) | 1974-05-31 |
FR2169819A1 (de) | 1973-09-14 |
FR2169819B1 (de) | 1977-12-30 |
JPS4885079A (de) | 1973-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1024530B1 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE68915463T2 (de) | Anordnung zum Zusammenspannen eines Stapels von Brennstoffzellenelementen. | |
DE1248813C2 (de) | Federnde halbleiter-anschlusskontaktanordnung | |
DE3009511C2 (de) | Druckkontaktierte Halbleiteranordnung | |
DE1241536B (de) | In ein Gehaeuse eingeschlossene Halbleiteranordnung | |
DE1944515A1 (de) | Halbleiterbauelement mit Kunststoffuellung | |
DE2204490A1 (de) | Halbleiterbauelement mit druckkontakt | |
DE2556469A1 (de) | Halbleiterbauelement mit druckkontakt | |
DE2246423C3 (de) | Thyristor mit scheibenförmigem Gehäuse | |
US4500907A (en) | Pressure-applied type semiconductor device | |
DE3786951T2 (de) | Leistungshalbleiteranordnung. | |
DE1564677C3 (de) | ||
DE1514474B2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1228721B (de) | Halbleiteranordnung mit einem gasdichten Gehaeuse | |
DE1564677B2 (de) | Halbleiteranordnung mit mindestens einem druckkontakt | |
DE1589488B2 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1951128B2 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1564677C (de) | Halbleiteranordnung mit mindestens einem Druckkontakt | |
AT232131B (de) | In ein Gehäuse eingeschlossene Halbleiteranordnung | |
DE2604070C3 (de) | Spannvorrichtung zum Befestigen eines scheibenförmigen Halbleiterbauelements an einem KUhlteil | |
AT302483B (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2114777A1 (de) | Einrichtung zur symmetrischen Verkapselung eines Halbleiterelementes | |
DE2405930C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1439250C (de) | Hochleistungsgleichnchter auf Halbleiterbasis fur Momentanbelastung | |
DE2602385A1 (de) | Halbleiterbauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHA | Expiration of time for request for examination |