JPS5865436A - 機械式レチクル検査装置 - Google Patents
機械式レチクル検査装置Info
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- JPS5865436A JPS5865436A JP57083888A JP8388882A JPS5865436A JP S5865436 A JPS5865436 A JP S5865436A JP 57083888 A JP57083888 A JP 57083888A JP 8388882 A JP8388882 A JP 8388882A JP S5865436 A JPS5865436 A JP S5865436A
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- JP
- Japan
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- reticle
- optical detector
- stage
- pattern
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、レチクルから半導体ウエノ・ヘノくターン
を投影印刷する九めの反復焼付は式高精度整合・露出装
置に関する。
を投影印刷する九めの反復焼付は式高精度整合・露出装
置に関する。
反復焼付は式整合・露出装置を用いてレチクル上［！！
示し友１路）（ターンを感光コーティング付き半導体ウ
エノ・に焼付ける際には、化学作用のある光源を用いて
レチクルの曹をウエノＳＫ繰返し投影している。ここで
、半導体ウエノ・上に４！ｒａｉｌ路を作）出すのにレ
チクｈ−ｄ像を利用しているのでああから、レチクルの
クリアな部分、すなわち透明な部分には、投影された回
路パターンに影響を与えるかもしれないようなキズやダ
メージばかシか埃もないことが大切な点である。萱ハ、
上記レチクルをシステム・レチクル・ホルダに装着する
前に、システム・オペレータが手作業てレチクルを検査
するのが普通てあった。しかし、この方法では、回路を
不良にする埃やダメージをオペレータが見落したり、さ
もＫは、検査後にレチクルをレチクル・ホルダに装着す
る際に埃が付いた）ダメージが作られ九カする欠点があ
る。
示し友１路）（ターンを感光コーティング付き半導体ウ
エノ・に焼付ける際には、化学作用のある光源を用いて
レチクルの曹をウエノＳＫ繰返し投影している。ここで
、半導体ウエノ・上に４！ｒａｉｌ路を作）出すのにレ
チクｈ−ｄ像を利用しているのでああから、レチクルの
クリアな部分、すなわち透明な部分には、投影された回
路パターンに影響を与えるかもしれないようなキズやダ
メージばかシか埃もないことが大切な点である。萱ハ、
上記レチクルをシステム・レチクル・ホルダに装着する
前に、システム・オペレータが手作業てレチクルを検査
するのが普通てあった。しかし、この方法では、回路を
不良にする埃やダメージをオペレータが見落したり、さ
もＫは、検査後にレチクルをレチクル・ホルダに装着す
る際に埃が付いた）ダメージが作られ九カする欠点があ
る。
ところで、レチクルを反復焼付は式整合・亀出鋲置Ｋｉ
！着する前の検査１１Ｃ＠用する検査装置もいくつかあ
る。そζで社、使用しようとするレチクルを良好と判明
している基準レチク壺と比験し、２個の同じ光学的走査
機を使用して２餉のレチクルの同等な部分を同時に走査
している。上記レチクルのうちの一方に職やダメージが
あれば、光学的走査機のうちのと芳の出力が他方の出力
と異なってくるので、検知され九埃やダメージの位置が
決定されるわけである。それで、装置のオペレータは必
ｇ！に応じてそのレチクルを清浄、補修會九は交換する
ことができるのである。この装置の重大な欠点のひとつ
は、検査後のレチクルを整合・露出装置に装着できるよ
うにするためにオペレータがそのレチクルを取扱わなけ
ればならないことである。この検査後の＊＊いによって
、レチクルにダメージができた９汚れが付い喪やする可
能性が生まれ、そして、検査の目的を来たさせない。加
えて、基準レチクルとして余分のレチクルを必豪とする
０ そこでレーザー党拡散技術を使つ九レチクルの機械式検
査装置が提案されえ。しかし、この装置には、レチクル
の透明部分と不透明部分の両方の汚れを検知してしまう
欠点がある０不透明部分の汚れ祉投影響の質に影響を与
えないので、「−った書味」が発せられることに１にゐ
。
！着する前の検査１１Ｃ＠用する検査装置もいくつかあ
る。そζで社、使用しようとするレチクルを良好と判明
している基準レチク壺と比験し、２個の同じ光学的走査
機を使用して２餉のレチクルの同等な部分を同時に走査
している。上記レチクルのうちの一方に職やダメージが
あれば、光学的走査機のうちのと芳の出力が他方の出力
と異なってくるので、検知され九埃やダメージの位置が
決定されるわけである。それで、装置のオペレータは必
ｇ！に応じてそのレチクルを清浄、補修會九は交換する
ことができるのである。この装置の重大な欠点のひとつ
は、検査後のレチクルを整合・露出装置に装着できるよ
うにするためにオペレータがそのレチクルを取扱わなけ
ればならないことである。この検査後の＊＊いによって
、レチクルにダメージができた９汚れが付い喪やする可
能性が生まれ、そして、検査の目的を来たさせない。加
えて、基準レチクルとして余分のレチクルを必豪とする
０ そこでレーザー党拡散技術を使つ九レチクルの機械式検
査装置が提案されえ。しかし、この装置には、レチクル
の透明部分と不透明部分の両方の汚れを検知してしまう
欠点がある０不透明部分の汚れ祉投影響の質に影響を与
えないので、「−った書味」が発せられることに１にゐ
。
加えて、この装置ては、レチクルめパターンのキズやダ
メージを検知できないのである。
メージを検知できないのである。
この発明の好ｔしい実施例によれば、半導体ウェハに焼
付けを施す反復焼付は式高精変整合・露出装置には、焼
付けを施すべきウェハを支持する主ステージに一対の４
孔光学的検出器が設けられている。この装置は、半導体
ウェハに焼付けすべき回路パターンを担持したレチクル
のためのレチクル・ナポートと、レチクル０＠をウェハ
に投影するえめの光学装置と、を含んでいる。主ステー
ジはウェハを移動させて、レチクルの多数の像がウェハ
に焼付けできるようにすゐことができる。
付けを施す反復焼付は式高精変整合・露出装置には、焼
付けを施すべきウェハを支持する主ステージに一対の４
孔光学的検出器が設けられている。この装置は、半導体
ウェハに焼付けすべき回路パターンを担持したレチクル
のためのレチクル・ナポートと、レチクル０＠をウェハ
に投影するえめの光学装置と、を含んでいる。主ステー
ジはウェハを移動させて、レチクルの多数の像がウェハ
に焼付けできるようにすゐことができる。
ウェハを主ステージに載せる前にルチクルの像を前記開
孔光学的検出１１に投影し、各一孔光学的検出器がレチ
クルの別個の、かつ同勢の部分に整合するようにする。
孔光学的検出１１に投影し、各一孔光学的検出器がレチ
クルの別個の、かつ同勢の部分に整合するようにする。
次いて、レチクルの書が４孔光学的検出器を横切るよう
に＊査すべく主ステージ管移動させる。ウェハに焼付社
すべき＠に影響を及はすことがある汚れやキズがレチク
ルの一部分にあると５貫孔光学的検出器の電気的応答に
相違が生ずる。この相違を４孔光学的検出器に接続され
良電気回路で検出し、そして、追歯忙指示また位記−す
るととＫよってオペレータが適切な修正行動がとれるよ
うｋするのである。
に＊査すべく主ステージ管移動させる。ウェハに焼付社
すべき＠に影響を及はすことがある汚れやキズがレチク
ルの一部分にあると５貫孔光学的検出器の電気的応答に
相違が生ずる。この相違を４孔光学的検出器に接続され
良電気回路で検出し、そして、追歯忙指示また位記−す
るととＫよってオペレータが適切な修正行動がとれるよ
うｋするのである。
レチクルの走査は自動的に行なうことができるので、オ
ペレータの汚れ中キズを見付ける技量にこの発ｖ４ｈ左
右されずに％むし、さらｋ、手作業検査よ〕もずっと多
く行なうことができる。投影された像の検査によれば、
識別される汚れの粒子中キズは半導体ウェハの印刷され
九ｇＩＫ本轟に間Ｉｌｔ起こすようなものだけであゐ。
ペレータの汚れ中キズを見付ける技量にこの発ｖ４ｈ左
右されずに％むし、さらｋ、手作業検査よ〕もずっと多
く行なうことができる。投影された像の検査によれば、
識別される汚れの粒子中キズは半導体ウェハの印刷され
九ｇＩＫ本轟に間Ｉｌｔ起こすようなものだけであゐ。
鮪１図に示されているもの社、反復焼付は丈高精度整合
・露出装置１０であって、特願昭５Ｂ−４４０２７号、
改良段状繰返し投射整合露出装置としてオプテメトリッ
クス・コーポレーションが昭和５５年４刀１日に提出し
九明細書中に示され、かつ記述されてｂるものと同様な
ものである。・この種の装置によって、第１の物体、た
とえばレチクル１２に含まれたあるレベルにある集積回
路を鯖２の物体、たとえば主ステージ２０上の（図示し
ない）半導体ウニノーの配列され九ＩＩＩ接領斌Ｋ、こ
の同じ領域に既に焼付けされたか、４しくはこれから焼
付けされる予定の他のレベルにある集積回路と整列して
繰返し焼付けするのである。整合・露出装置１０には、
レチクル１２を保持するステージ１４と、レチクルの照
明された部分の像を主ステージ２０上の苧導体つエノ・
等に投影して前記半導体ウェハ等を前記レチクルの照明
された部分の投影され九曹に対して位置決めするため０
１０：１の投影レンズ１８と、レチクルの投影され丸像
によって照明され死生導体りエノ・等の一部の空中に結
んだ＊を見るためのビーム・スズリッター２１および検
合如黴鏡２２と、レチクル１照明して、整合作業中に上
記空中に結んだ曽が見えるよう和すると共和反復焼付は
作業中に半導体ワエノ１上の感光フィルムを露出するた
めの光１１１Ｉ：Ｌニット２４と、が含まれている０主
ステージ２０を構成するステーｉは、上述の特許出ｍＫ
記載されているような適轟なサーボ駆動ユニットによっ
て直交するｘ、ｙ＠に沿い水平面内のいかなる位置Ｋｔ
でも移動させることができるようになっている。翻孔光
学的検出器２６は主ステージ２０によって固定状ＩＩＫ
支持され、第２開孔光学的検出器２＠は副ステージｓＯ
上に可動状ＭＫ＊叡されていゐ。副ステージ３０は、さ
らに主ステージ２０上ＫＴｈ節自在に播載されている。
・露出装置１０であって、特願昭５Ｂ−４４０２７号、
改良段状繰返し投射整合露出装置としてオプテメトリッ
クス・コーポレーションが昭和５５年４刀１日に提出し
九明細書中に示され、かつ記述されてｂるものと同様な
ものである。・この種の装置によって、第１の物体、た
とえばレチクル１２に含まれたあるレベルにある集積回
路を鯖２の物体、たとえば主ステージ２０上の（図示し
ない）半導体ウニノーの配列され九ＩＩＩ接領斌Ｋ、こ
の同じ領域に既に焼付けされたか、４しくはこれから焼
付けされる予定の他のレベルにある集積回路と整列して
繰返し焼付けするのである。整合・露出装置１０には、
レチクル１２を保持するステージ１４と、レチクルの照
明された部分の像を主ステージ２０上の苧導体つエノ・
等に投影して前記半導体ウェハ等を前記レチクルの照明
された部分の投影され九曹に対して位置決めするため０
１０：１の投影レンズ１８と、レチクルの投影され丸像
によって照明され死生導体りエノ・等の一部の空中に結
んだ＊を見るためのビーム・スズリッター２１および検
合如黴鏡２２と、レチクル１照明して、整合作業中に上
記空中に結んだ曽が見えるよう和すると共和反復焼付は
作業中に半導体ワエノ１上の感光フィルムを露出するた
めの光１１１Ｉ：Ｌニット２４と、が含まれている０主
ステージ２０を構成するステーｉは、上述の特許出ｍＫ
記載されているような適轟なサーボ駆動ユニットによっ
て直交するｘ、ｙ＠に沿い水平面内のいかなる位置Ｋｔ
でも移動させることができるようになっている。翻孔光
学的検出器２６は主ステージ２０によって固定状ＩＩＫ
支持され、第２開孔光学的検出器２＠は副ステージｓＯ
上に可動状ＭＫ＊叡されていゐ。副ステージ３０は、さ
らに主ステージ２０上ＫＴｈ節自在に播載されている。
両開孔光学的検出器については、他の図面と関連させて
以下に詳述する。
以下に詳述する。
光９２４に含まれている水銀アーク灯５２からは、波長
が約４５６ナノメータの實色の照明・露出光を含む光エ
ネルギのスペクトラム（以下、単に露出光という）が発
せられて、半導体９エバ上の感光フィルムを照明すると
共に露出する。水銀アーク灯５２は、整合・露出装置１
００光路ｓｓの鉛直方向延長部分［ｆＥＩ′：）で固定
状＄に％ｆｌｔされている。楕円形反射−３６カ（水銀
アーク灯ｓ２を囲んで同軸Ｋ１１ｌ定状１ｌＩＫ搭軟さ
れて、水銀アーク灯から発せられた光線を集光器４２の
方へ下向＠に投影するようＫなっている。集光１１４２
ｔ；ｊ光路５５の鉛直方向延長部分に固定状１１１Ｋ搭
載されて、通過する党−がレチクル１２の平面において
均一な！ｉＩｉ＆分布を持つようＫしている。
が約４５６ナノメータの實色の照明・露出光を含む光エ
ネルギのスペクトラム（以下、単に露出光という）が発
せられて、半導体９エバ上の感光フィルムを照明すると
共に露出する。水銀アーク灯５２は、整合・露出装置１
００光路ｓｓの鉛直方向延長部分［ｆＥＩ′：）で固定
状＄に％ｆｌｔされている。楕円形反射−３６カ（水銀
アーク灯ｓ２を囲んで同軸Ｋ１１ｌ定状１ｌＩＫ搭軟さ
れて、水銀アーク灯から発せられた光線を集光器４２の
方へ下向＠に投影するようＫなっている。集光１１４２
ｔ；ｊ光路５５の鉛直方向延長部分に固定状１１１Ｋ搭
載されて、通過する党−がレチクル１２の平面において
均一な！ｉＩｉ＆分布を持つようＫしている。
この下向きの光は凸レンズ７２、レチクル１２、ビーム
・スプリッター２１１通って投影レンズ１１１に遍する
。凸レンズ７２ｔｊ光路５！１に沿って固定状ｌＩＫ搭
載されて、集光器４２の出力ひとみに現われる光を映写
レンズ１Ｂの入力ひとみに映すようになっている。上述
のｌ１ｉｌｌＦＦ出−に詳述しであるようＫ、水銀アー
ク灯５２から青色″ｙｔ、１−選別するのに光学フィル
タ【使用してもよい。
・スプリッター２１１通って投影レンズ１１１に遍する
。凸レンズ７２ｔｊ光路５！１に沿って固定状ｌＩＫ搭
載されて、集光器４２の出力ひとみに現われる光を映写
レンズ１Ｂの入力ひとみに映すようになっている。上述
のｌ１ｉｌｌＦＦ出−に詳述しであるようＫ、水銀アー
ク灯５２から青色″ｙｔ、１−選別するのに光学フィル
タ【使用してもよい。
ビーム・スプリッター２１社光路５５１１Ｃ＊載されて
、レチクル１２を通過し圧覚の８０嘔が投影レンズ１８
に刺違するようにしている０投影レンズ１８も光路ＳＳ
Ｋ搭載されている。投影レンズ１８によってレチクル１
２を通過した党は、投影レンズ直下で主ステージ２０Ｋ
ｍ接し九第１ｇＩＩ平面７７にピント合せされ、よって
レチクル１２の照明された部分の健か投影レンズ直下の
前記倫平面に位置するいかなる物体に対しても投影され
るのである。故に、上記の曽が投影された物体のその部
分は、レチクル１２を通過した光によって照明されるの
である。前記物体の上記部分から投影レンズ１８を通っ
て鉛直方向上向きに反射されえ２０饅の光はビーム・ス
プリッター２１によって光路８７の水平方向延長部分に
沿い反射されて、ビーム・スプリッターからレチクル１
２と等しい光学的距離だけ離れ、かつビーム・スズリッ
ターと複合−黴鏡２２との関に位置する第２像平面７９
に副署する。投影レンズ１８によってこの反射光は第２
像千面７９にピント合せされるので、投影レンズ直下の
第１菅平藺７７に位置する物体の上記部分の空中に結ん
だ像が第２健平ｌ１ｒＫ映軍される。
、レチクル１２を通過し圧覚の８０嘔が投影レンズ１８
に刺違するようにしている０投影レンズ１８も光路ＳＳ
Ｋ搭載されている。投影レンズ１８によってレチクル１
２を通過した党は、投影レンズ直下で主ステージ２０Ｋ
ｍ接し九第１ｇＩＩ平面７７にピント合せされ、よって
レチクル１２の照明された部分の健か投影レンズ直下の
前記倫平面に位置するいかなる物体に対しても投影され
るのである。故に、上記の曽が投影された物体のその部
分は、レチクル１２を通過した光によって照明されるの
である。前記物体の上記部分から投影レンズ１８を通っ
て鉛直方向上向きに反射されえ２０饅の光はビーム・ス
プリッター２１によって光路８７の水平方向延長部分に
沿い反射されて、ビーム・スプリッターからレチクル１
２と等しい光学的距離だけ離れ、かつビーム・スズリッ
ターと複合−黴鏡２２との関に位置する第２像平面７９
に副署する。投影レンズ１８によってこの反射光は第２
像千面７９にピント合せされるので、投影レンズ直下の
第１菅平藺７７に位置する物体の上記部分の空中に結ん
だ像が第２健平ｌ１ｒＫ映軍される。
上述の特許出１ｊＡＫ詳述されている−７５に、１［合
拳徽鏡２２ｉｊ、高精度の整合作業に採用される対物レ
ンズ・ユニットと双眼レンズ・ユニットとを含んている
。対物レンズＦｉｊ１２１’平面７９に対して所望通シ
に移動させて、この第２像千面に投影された空中に結ん
だｇＩのどの部分も見ることができるように１にってい
る。
拳徽鏡２２ｉｊ、高精度の整合作業に採用される対物レ
ンズ・ユニットと双眼レンズ・ユニットとを含んている
。対物レンズＦｉｊ１２１’平面７９に対して所望通シ
に移動させて、この第２像千面に投影された空中に結ん
だｇＩのどの部分も見ることができるように１にってい
る。
第２図に示されているものは、それぞれ窓４２．４４付
きマスク３８，４０を持つ開孔光学的検出器２４．２８
の平面図である。好ましい実施例における容態の寸法Ｆ
ｉ、ムが１ンクａン、Ｂが１０イクロンである。マスク
を形成するＫＦｉ、第ｉｗＪから分るように、クローム
層４４ｔ−サファイヤ基層４４１．５０の表面にスパッ
ターリングし、そのクローム層に矩形の開口を残して前
記窓とすればよい。
きマスク３８，４０を持つ開孔光学的検出器２４．２８
の平面図である。好ましい実施例における容態の寸法Ｆ
ｉ、ムが１ンクａン、Ｂが１０イクロンである。マスク
を形成するＫＦｉ、第ｉｗＪから分るように、クローム
層４４ｔ−サファイヤ基層４４１．５０の表面にスパッ
ターリングし、そのクローム層に矩形の開口を残して前
記窓とすればよい。
窓４２．４４の彼方にＦｉフォトダイオード５２．５４
ｆそれぞれ支持して、＊ｔ−通過し走光を受け、そして
、受けた光の量に対する電気的応答を生ずるようＫして
いる。各ダイオードを保■するために１ダイオンド・ｉ
’ｙ５４．５８を窓の周囲のサファイヤ基層上のクロー
ム層に形成された金動縁取Ｆ）Ｋはんだ付けしである。
ｆそれぞれ支持して、＊ｔ−通過し走光を受け、そして
、受けた光の量に対する電気的応答を生ずるようＫして
いる。各ダイオードを保■するために１ダイオンド・ｉ
’ｙ５４．５８を窓の周囲のサファイヤ基層上のクロー
ム層に形成された金動縁取Ｆ）Ｋはんだ付けしである。
上記ダイオード°・カンＦｉＫｏｖａｒｌｋｌとし良方
が、その熱膨張係数がす７アイヤの熱膨張係数に非常に
近いので、望ましい。フォトダイオード５２ ＝ ＄
４ オｊ ヒマスＩ Ｓ ８−４０ ｂさらに上述の付
属要素とで、開孔光学的検出＠２６，２ｍが構成されて
いる。第５図に示されているように、レチクル１２の別
部分から投影レンズ１８を通過した先位容態を通って２
個のフォトダイオードに轟える。
が、その熱膨張係数がす７アイヤの熱膨張係数に非常に
近いので、望ましい。フォトダイオード５２ ＝ ＄
４ オｊ ヒマスＩ Ｓ ８−４０ ｂさらに上述の付
属要素とで、開孔光学的検出＠２６，２ｍが構成されて
いる。第５図に示されているように、レチクル１２の別
部分から投影レンズ１８を通過した先位容態を通って２
個のフォトダイオードに轟える。
第４図に示されているのは主ステージ２０上ＫＩＦｒ載
された開孔光学的検出器２４．２８の平面図であシ、そ
して、第５ｔ４ＷＫ示されているのはその立面図および
断面図である。光学的検出器２６Ｆｉ固定サボー） ４
０ ［９付けられておシ、また、固定サボー）４０はさ
らに７レーム４２に＠節ねじ４４，４４によって取付け
られている。７レーム６２は主ステージ２０にねじ６５
で取付けられている。ｖｓ ｍ囁じ６６はサポート４０
を背中合せのさらばね対６８＃ｃ抗して保持すると共和
、主ステージ２０からの光学的検出器２６の高さを光学
的検出器２Ｂの高さに揃えるのＫｉＩ！！用されるもの
で−る。
された開孔光学的検出器２４．２８の平面図であシ、そ
して、第５ｔ４ＷＫ示されているのはその立面図および
断面図である。光学的検出器２６Ｆｉ固定サボー） ４
０ ［９付けられておシ、また、固定サボー）４０はさ
らに７レーム４２に＠節ねじ４４，４４によって取付け
られている。７レーム６２は主ステージ２０にねじ６５
で取付けられている。ｖｓ ｍ囁じ６６はサポート４０
を背中合せのさらばね対６８＃ｃ抗して保持すると共和
、主ステージ２０からの光学的検出器２６の高さを光学
的検出器２Ｂの高さに揃えるのＫｉＩ！！用されるもの
で−る。
光学的検出器２８は副ステージ３０に権付けられてお勤
、そして、副ステージｓｏは固定サポー）４０に対して
１軸に沿って移動させることができるようＫなっている
。副ステージ３゜はベース１０によって支持されておル
、そしてベース７０位フレーム４２に１１１１節ねじ７
４，７４゜７−１・ＯＫよって取付けられてい石。ベー
ス７０の昇降には調節ねじ７８，８０を使用して、副ス
テージｓＯおよびマスク４０の上面を光路Ｓ昌（２軸）
Ｋ１直に移動させる。
、そして、副ステージｓｏは固定サポー）４０に対して
１軸に沿って移動させることができるようＫなっている
。副ステージ３゜はベース１０によって支持されておル
、そしてベース７０位フレーム４２に１１１１節ねじ７
４，７４゜７−１・ＯＫよって取付けられてい石。ベー
ス７０の昇降には調節ねじ７８，８０を使用して、副ス
テージｓＯおよびマスク４０の上面を光路Ｓ昌（２軸）
Ｋ１直に移動させる。
調節ねじ６４０馴郁は半球形座金８２に嚢接し、そして
、”ｔ’球形座金８２は７レーム６２の円錐形座に着座
している。この調節ねじを動かすことＫよって光学的検
出１Ｂ２４の窓４２を光学的検出−２・Ｏ窓４４に平行
にするのである。
、”ｔ’球形座金８２は７レーム６２の円錐形座に着座
している。この調節ねじを動かすことＫよって光学的検
出１Ｂ２４の窓４２を光学的検出−２・Ｏ窓４４に平行
にするのである。
調節ねじ６４のねじのいかなる遊びも背中合せのさらば
ね対８６で締め付けゐ。調節ねじ７６には大径の円柱形
部分８８が設けられてお夛、そして、その半球形端が円
錐形座９０に着座している。この−節ねじはベース７０
に螺入され、ソシテ、球形座９４に円錐テーパ端を着座
させていゐロックナツト９２でこの調節ねじをベース７
ｒＪＩＩＣ剛に保持している。同様に調節ねじ７４が、
円錐形座９８に着座した半球形座金９４Ｋ１４ｍしてい
る。背中合せＫしたさらばね対１００，１０２によって
調節ねじ７４，７４のｔ；≠ネ遊びをそれぞれ除去すゐ
ようＫしている。調節ねじ７６を用いて、窓４４を＊４
２と同じ長手軸すなわちｒｙＪ座標軸上に心出しするこ
とができる。調節ねじ７６のもうひとつの役＠は、円柱
部分８８の球面の中心によって定められる細心を中心に
ベース７０が７レーム４２に対してピボットできるよう
にすることである。調節ねじ７４を用いて１両方の息が
心出しされたＹ座標軸に沿って、つｔｎ長手軸すなわち
ｒｘＪ軸に平行な軸心に沿って、副ステージｓＯを移動
させることがてきる。
ね対８６で締め付けゐ。調節ねじ７６には大径の円柱形
部分８８が設けられてお夛、そして、その半球形端が円
錐形座９０に着座している。この−節ねじはベース７０
に螺入され、ソシテ、球形座９４に円錐テーパ端を着座
させていゐロックナツト９２でこの調節ねじをベース７
ｒＪＩＩＣ剛に保持している。同様に調節ねじ７４が、
円錐形座９８に着座した半球形座金９４Ｋ１４ｍしてい
る。背中合せＫしたさらばね対１００，１０２によって
調節ねじ７４，７４のｔ；≠ネ遊びをそれぞれ除去すゐ
ようＫしている。調節ねじ７６を用いて、窓４４を＊４
２と同じ長手軸すなわちｒｙＪ座標軸上に心出しするこ
とができる。調節ねじ７６のもうひとつの役＠は、円柱
部分８８の球面の中心によって定められる細心を中心に
ベース７０が７レーム４２に対してピボットできるよう
にすることである。調節ねじ７４を用いて１両方の息が
心出しされたＹ座標軸に沿って、つｔｎ長手軸すなわち
ｒｘＪ軸に平行な軸心に沿って、副ステージｓＯを移動
させることがてきる。
副ステージＳＯＵ、チャンネル１０６内のつる看きばね
１０４によってベース７０ｊＣ対してｍ定ｔＭ−ト４０
の方へ機械的に押圧されている。副ステージｓＯは副ス
テージ駆動機構１０８によってＩ軸沿いに移動させるこ
とができる。
１０４によってベース７０ｊＣ対してｍ定ｔＭ−ト４０
の方へ機械的に押圧されている。副ステージｓＯは副ス
テージ駆動機構１０８によってＩ軸沿いに移動させるこ
とができる。
この削ステージ駆動機構祉、副ステージｓｏの雌ねじ孔
１１２に螺合する履ねじ１１０からなる。この観ねじは
、サーボモータ１１４から減速曽阜箱１１４およびたわ
み継手１１８を介して駆動される。この履ねじの軸は、
サポート１２２に搭軟され九フランジ付き玉軸受１２０
に支持され、まえ、その玉軸受の内情に保持リング１２
４が前記軸と一体に設けられている。
１１２に螺合する履ねじ１１０からなる。この観ねじは
、サーボモータ１１４から減速曽阜箱１１４およびたわ
み継手１１８を介して駆動される。この履ねじの軸は、
サポート１２２に搭軟され九フランジ付き玉軸受１２０
に支持され、まえ、その玉軸受の内情に保持リング１２
４が前記軸と一体に設けられている。
前記型ねじの軸と減速讃車箱１１６の出力軸１２６とは
、″クランプ１２６によって九わみ継手に取付けられて
いる。サーボモータおよび誠速曽車箱轄モータ・サポー
ト１５０によってフレーム４２に順付けである。
、″クランプ１２６によって九わみ継手に取付けられて
いる。サーボモータおよび誠速曽車箱轄モータ・サポー
ト１５０によってフレーム４２に順付けである。
ｔ−ボ％−夕１１４は館７図に示されている制御回路に
よって制御され、そして、この制御回路は第４図に示さ
れている位置変換器１４８に＠続されている。位置変換
器１４８は、副ス？−ジｓｏに取付けられ九プレート１
５２の傾斜縁１５０との間の距離Ｋｊｔ例した出力信号
を作り出す。この位置変換器としては、九とえはカーマ
ン・サイエンス・コーポレーシ曹ン製位置センサ、モデ
ルＫＤ２ｉＳＯＯ−，５８Ｕｌ採用することができる。
よって制御され、そして、この制御回路は第４図に示さ
れている位置変換器１４８に＠続されている。位置変換
器１４８は、副ス？−ジｓｏに取付けられ九プレート１
５２の傾斜縁１５０との間の距離Ｋｊｔ例した出力信号
を作り出す。この位置変換器としては、九とえはカーマ
ン・サイエンス・コーポレーシ曹ン製位置センサ、モデ
ルＫＤ２ｉＳＯＯ−，５８Ｕｌ採用することができる。
なお、このモデルは変換器１４８Ｊ−＃ ’／ Ｌ／−
タ・デモシュレータ、モジュール１５４とを含んでいる
。この位置変換器によれば距離を０．５オリメートルの
レンジにわたって測定でき、そして、傾斜縁１５０に８
：１の傾斜を使うことＫよってこのレンジＹｒ４．０ｊ
リメートルにまで拡大することができる。オシレータ・
デモシュレータ１５４の出力はサーボ増幅ｗｉ１５４０
入力Ｋ１１続され、そして、このサーボ増幅器１５６の
出力はさらにサーボモータ１１４に接続されていゐ。ボ
テショメータ１５８の刷子はテーボ増幅器嘴５６のもう
ひと２の入力に接続され、そして、正電圧源Ｖおよび負
電圧源−■がポテンショメータ１５８の両端に＠続され
ている。この制御回路を通して、副ステージｓＯの位置
はポテンショメータ１５８の設定によって制御されるこ
とになる。
タ・デモシュレータ、モジュール１５４とを含んでいる
。この位置変換器によれば距離を０．５オリメートルの
レンジにわたって測定でき、そして、傾斜縁１５０に８
：１の傾斜を使うことＫよってこのレンジＹｒ４．０ｊ
リメートルにまで拡大することができる。オシレータ・
デモシュレータ１５４の出力はサーボ増幅ｗｉ１５４０
入力Ｋ１１続され、そして、このサーボ増幅器１５６の
出力はさらにサーボモータ１１４に接続されていゐ。ボ
テショメータ１５８の刷子はテーボ増幅器嘴５６のもう
ひと２の入力に接続され、そして、正電圧源Ｖおよび負
電圧源−■がポテンショメータ１５８の両端に＠続され
ている。この制御回路を通して、副ステージｓＯの位置
はポテンショメータ１５８の設定によって制御されるこ
とになる。
一孔光学的検出器を使ってレチクルを検査するや力方が
第８図に概略的に示しである。レチクルは、並置しであ
るのが好ましい少なくとも２個の同等な部分を持ってい
なければならな鶴ス１リット式視野複合ＩＩＩ徽鏡２２
を使って、レーク＋１２ｐ左方部分１．５２の上方左手
の角のパターンの素子の曾を窓４２に合致させる。次い
で、レチクル１２の右方部分１３４の上方左手の角のま
つ喪〈同じ素子の同等の像を窓４４に合歓させるが、そ
の際に副ステージ駆動機構１０ａｌ使って窓４４１１４
に沿ッテ正しく位置させる。レチクル１２の同等部分が
窓４２゜ステージ２０を移動させゐことにｉりて、レチ
クル１２の一連の同等部分が開孔光学的検出器に投影さ
れる。主ステージを一連の各掃引毎ｋＹ軸に沿って割出
すと共ＫＸ軸に沿って掃引すなわち前後に移動させてや
れば、レチクル全体を第８図の屈曲１１１ｉｓ４，１ｉ
ＳＩＩＫよって示されるように検査することができる。
第８図に概略的に示しである。レチクルは、並置しであ
るのが好ましい少なくとも２個の同等な部分を持ってい
なければならな鶴ス１リット式視野複合ＩＩＩ徽鏡２２
を使って、レーク＋１２ｐ左方部分１．５２の上方左手
の角のパターンの素子の曾を窓４２に合致させる。次い
で、レチクル１２の右方部分１３４の上方左手の角のま
つ喪〈同じ素子の同等の像を窓４４に合歓させるが、そ
の際に副ステージ駆動機構１０ａｌ使って窓４４１１４
に沿ッテ正しく位置させる。レチクル１２の同等部分が
窓４２゜ステージ２０を移動させゐことにｉりて、レチ
クル１２の一連の同等部分が開孔光学的検出器に投影さ
れる。主ステージを一連の各掃引毎ｋＹ軸に沿って割出
すと共ＫＸ軸に沿って掃引すなわち前後に移動させてや
れば、レチクル全体を第８図の屈曲１１１ｉｓ４，１ｉ
ＳＩＩＫよって示されるように検査することができる。
レチクル上に汚れがひとつあると、このレチクルの汚れ
のある部分が投影されていゐ開孔光学的検出器の受ける
光量が他方の開孔光学的検出装置の受ける光量と相違す
ることに１ｋｐ、そして、この相違が２個のフォトダイ
オードの比較電気的応答に現われるととＫなる。同じこ
とが、レチクルの一部がダメージを受けた場合にも通用
する。第９図に示されていゐように、単純な電気回路を
用いて２個のフォトダイオードの電気的応答を比較し、
そして、その電気的応答が所定量よ）大きく相達すゐと
１ｉに指示を九は醤報を出すようにでするｏ７オトダイ
オードｓｚ、ｓ４ｈ電圧源Ｖおよび抵抗１４０，１１２
にそれぞれ接続されると共に、比較器’：’１４４の正
入力および負入力に１接続されている。比較器１４４の
出力は指示装置１４６に接続されていて、レチクル上に
汚れやダメージが検出されたときにこの高精度整合・露
出装置のオペレータに信号または警報を発生するようＫ
なっている。
のある部分が投影されていゐ開孔光学的検出器の受ける
光量が他方の開孔光学的検出装置の受ける光量と相違す
ることに１ｋｐ、そして、この相違が２個のフォトダイ
オードの比較電気的応答に現われるととＫなる。同じこ
とが、レチクルの一部がダメージを受けた場合にも通用
する。第９図に示されていゐように、単純な電気回路を
用いて２個のフォトダイオードの電気的応答を比較し、
そして、その電気的応答が所定量よ）大きく相達すゐと
１ｉに指示を九は醤報を出すようにでするｏ７オトダイ
オードｓｚ、ｓ４ｈ電圧源Ｖおよび抵抗１４０，１１２
にそれぞれ接続されると共に、比較器’：’１４４の正
入力および負入力に１接続されている。比較器１４４の
出力は指示装置１４６に接続されていて、レチクル上に
汚れやダメージが検出されたときにこの高精度整合・露
出装置のオペレータに信号または警報を発生するようＫ
なっている。
この指示装置は、主ステージ２ｏの制御機構と関連して
、レチクル上に検出された汚れやダメージのＸ−Ｙ位置
を記録するのに使うこともできる。そのようにすると、
オペレータが後戻シし豪合−徽鏡２２を使ってその部分
を検査して、清浄、補修、交換のどれが必要かを決定す
ゐことが簡単にできる。王妃の装備により、オペレータ
＃ｊ１４２，４４をレチクル・パターンの同等部分に心
合せしてしまえば、レチクルの自動走査が可能になるの
である。
、レチクル上に検出された汚れやダメージのＸ−Ｙ位置
を記録するのに使うこともできる。そのようにすると、
オペレータが後戻シし豪合−徽鏡２２を使ってその部分
を検査して、清浄、補修、交換のどれが必要かを決定す
ゐことが簡単にできる。王妃の装備により、オペレータ
＃ｊ１４２，４４をレチクル・パターンの同等部分に心
合せしてしまえば、レチクルの自動走査が可能になるの
である。
第１図は、この反復焼付は式高精度整合・露出装置の光
学的部分の褌−略図であｐ１第２図は、この発明の好ま
しい実施例によゐ′シ、タクル検査装置用の２個の開孔
光学的検出器の平面図であシ、第３図は、第２図の装置
の概略立面図てあル、第４図は、この発明の好ましい実
施例によるレチクル検査装置の平面図であり、第５図は
、第４図に示され九装置の立面図であり、第６図は、第
５図に示され九装蓋の断面図であシ、第７図は、サーボ
モータ制御回路の概略図であシ、第６図は、このＩｉ５
明の好ましめ実施例によるレチクルの走査の概略図であ
り、第９図は、開孔光学的検出器ＫＩＩＭする丸めの電
気回路の概略図である。 １０・・・反復焼付は式高精度整合・露出装置１２・・
・レチクル １６・・・ステージ ２４・・・光源ユニット ２４．２！Ｉ・・・第１および第２開孔光学的検出器出
願人代理人 古 谷 善 Ｆｉｇ １ ｉＩＩ８
学的部分の褌−略図であｐ１第２図は、この発明の好ま
しい実施例によゐ′シ、タクル検査装置用の２個の開孔
光学的検出器の平面図であシ、第３図は、第２図の装置
の概略立面図てあル、第４図は、この発明の好ましい実
施例によるレチクル検査装置の平面図であり、第５図は
、第４図に示され九装置の立面図であり、第６図は、第
５図に示され九装蓋の断面図であシ、第７図は、サーボ
モータ制御回路の概略図であシ、第６図は、このＩｉ５
明の好ましめ実施例によるレチクルの走査の概略図であ
り、第９図は、開孔光学的検出器ＫＩＩＭする丸めの電
気回路の概略図である。 １０・・・反復焼付は式高精度整合・露出装置１２・・
・レチクル １６・・・ステージ ２４・・・光源ユニット ２４．２！Ｉ・・・第１および第２開孔光学的検出器出
願人代理人 古 谷 善 Ｆｉｇ １ ｉＩＩ８
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 リ パターン担持基層の保持手段と、パターン担持基層
を照明する光源と、ワークピースを保持するステージと
、パターン担持基層のパターン像を前記ステージに投影
する光学機器と、からなゐ投影の整合・露出装置であっ
て、さらに、前記ステージ上に支持された第１一孔光学
的検出器と、前記ステージ上に前記第１一孔光学的検出
器と離隔して支持された第２一孔光学的検出器と、から
なることを特徴とする投影用整合・露出装置。 ２）前記第２開孔光学的検出器が前記第１開孔光学的検
出器に対して可動状ｌＩＫ前記ステージ上に支持されて
いることを４１１１とする特許請求の範囲第１項記載の
投影用整合・露出装置。 Ｓ）前記第２一孔光学的検出ｔｊＩｔ−支持し、かうこ
の第２開孔光学的検出器を一艷第１開孔光学的検出器に
対して可動とする副ステージ手段が前記ステージに支持
されていることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の投影用整合・露出装置。 ４）パターン担持基層上に投影されヘノ（ターン倫の特
定の部分に前記第１および第２開孔光学的検出装置を整
合するのに使用する一黴鏡手段が設けられていることを
特徴とする特許請求の範囲第１．２まえはＳ項記載の投
影用整合・露出装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/264,410 US4443096A (en) | 1981-05-18 | 1981-05-18 | On machine reticle inspection device |
| US264410 | 1994-06-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5865436A true JPS5865436A (ja) | 1983-04-19 |
Family
ID=23005958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57083888A Pending JPS5865436A (ja) | 1981-05-18 | 1982-05-18 | 機械式レチクル検査装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4443096A (ja) |
| EP (1) | EP0065411B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5865436A (ja) |
| CA (1) | CA1191040A (ja) |
| DE (1) | DE3274303D1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60201625A (ja) * | 1984-03-24 | 1985-10-12 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 露光マスクのエラ−の検出方法および装置 |
| JPS62159029A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-15 | Canon Inc | レチクル・マスク欠陥検査装置 |
| JPH04211110A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-08-03 | Hitachi Ltd | 投影式露光方法 |
| JPH0758005A (ja) * | 1994-07-11 | 1995-03-03 | Hitachi Ltd | 投影式露光装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4597664A (en) * | 1980-02-29 | 1986-07-01 | Optimetrix Corporation | Step-and-repeat projection alignment and exposure system with auxiliary optical unit |
| JPS58120155A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-16 | Hitachi Ltd | レチクル異物検出装置 |
| US4637714A (en) * | 1985-10-31 | 1987-01-20 | International Business Machines Corporation | Inspection system for pellicalized reticles |
| US4758094A (en) * | 1987-05-15 | 1988-07-19 | Kla Instruments Corp. | Process and apparatus for in-situ qualification of master patterns used in patterning systems |
| US5631731A (en) * | 1994-03-09 | 1997-05-20 | Nikon Precision, Inc. | Method and apparatus for aerial image analyzer |
| JP3725207B2 (ja) * | 1995-07-20 | 2005-12-07 | 日本電信電話株式会社 | 画像位置合わせ方法及びそれを用いる製品検査装置 |
| US6292582B1 (en) * | 1996-05-31 | 2001-09-18 | Lin Youling | Method and system for identifying defects in a semiconductor |
| US6587581B1 (en) * | 1997-01-10 | 2003-07-01 | Hitachi, Ltd. | Visual inspection method and apparatus therefor |
| JP2006339448A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Canon Inc | 受光ユニットを有する露光装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3170367A (en) * | 1961-05-10 | 1965-02-23 | Agfa Ag | Photographic enlarger |
| US3458262A (en) * | 1965-10-13 | 1969-07-29 | Lyman E Greenlee | Light measuring device |
| US3422442A (en) * | 1966-01-12 | 1969-01-14 | Us Army | Micro-electronic form masking system |
| GB1202865A (en) * | 1966-09-23 | 1970-08-19 | Howson Ltd W H | Photographic apparatus and their calibration |
| FR1516152A (fr) * | 1967-01-25 | 1968-03-08 | Thomson Houston Comp Francaise | Perfectionnements aux bancs photographiques répétiteurs |
| US3476476A (en) * | 1967-03-28 | 1969-11-04 | Optomechanisms Inc | Alignment means for photo repeat machine |
| US3497705A (en) * | 1968-02-12 | 1970-02-24 | Itek Corp | Mask alignment system using radial patterns and flying spot scanning |
| DE2441336A1 (de) * | 1974-08-29 | 1976-03-11 | Siemens Ag | Anordnung zur automatischen pruefung von masken fuer halbleiter-bauelemente |
| JPS5371563A (en) * | 1976-12-08 | 1978-06-26 | Hitachi Ltd | Automatic inspection correcting method for mask |
| JPS5419366A (en) * | 1977-07-14 | 1979-02-14 | Nippon Jidoseigyo Ltd | Device for inspecting fault of pattern |
| US4247203A (en) * | 1978-04-03 | 1981-01-27 | Kla Instrument Corporation | Automatic photomask inspection system and apparatus |
| EP0017759B1 (en) * | 1979-04-03 | 1985-09-04 | Eaton-Optimetrix Inc. | Improved step-and-repeat projection alignment and exposure system |
| NL186353C (nl) * | 1979-06-12 | 1990-11-01 | Philips Nv | Inrichting voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat voorzien van een opto-elektronisch detektiestelsel voor het bepalen van een afwijking tussen het beeldvlak van een projektielenzenstelsel en het substraatvlak. |
-
1981
- 1981-05-18 US US06/264,410 patent/US4443096A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-05-11 DE DE8282302407T patent/DE3274303D1/de not_active Expired
- 1982-05-11 EP EP82302407A patent/EP0065411B1/en not_active Expired
- 1982-05-14 CA CA000403039A patent/CA1191040A/en not_active Expired
- 1982-05-18 JP JP57083888A patent/JPS5865436A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60201625A (ja) * | 1984-03-24 | 1985-10-12 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 露光マスクのエラ−の検出方法および装置 |
| JPH0349421B2 (ja) * | 1984-03-24 | 1991-07-29 | Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp | |
| JPS62159029A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-15 | Canon Inc | レチクル・マスク欠陥検査装置 |
| JPH04211110A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-08-03 | Hitachi Ltd | 投影式露光方法 |
| JPH0544170B2 (ja) * | 1991-03-20 | 1993-07-05 | Hitachi Ltd | |
| JPH0758005A (ja) * | 1994-07-11 | 1995-03-03 | Hitachi Ltd | 投影式露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0065411B1 (en) | 1986-11-12 |
| DE3274303D1 (en) | 1987-01-02 |
| CA1191040A (en) | 1985-07-30 |
| EP0065411A1 (en) | 1982-11-24 |
| US4443096A (en) | 1984-04-17 |
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