JPS586149A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS586149A JPS586149A JP10352981A JP10352981A JPS586149A JP S586149 A JPS586149 A JP S586149A JP 10352981 A JP10352981 A JP 10352981A JP 10352981 A JP10352981 A JP 10352981A JP S586149 A JPS586149 A JP S586149A
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- film
- conductive film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置とその製造方法に関し、４１に多層
配線構造における層間絶縁膜Ｏ！１面の段部と、諌絶縁
膜に設けられ大開孔部周辺段部とが、ほぼ等しい緩やか
な傾斜角で構成されている半導体装置とその製造方法に
関する。
配線構造における層間絶縁膜Ｏ！１面の段部と、諌絶縁
膜に設けられ大開孔部周辺段部とが、ほぼ等しい緩やか
な傾斜角で構成されている半導体装置とその製造方法に
関する。
近年、半導体装置はますます高集積化、高密度化が進み
、それに伴って不純物拡散領域パターン、絶縁膜への開
孔パターン、導電膜パターン等の微細化とともに１導電
膜の多層化が行なわれるようになりている。しかじな゛
がら、導電膜のパターンＯ微細化と導電膜の多層化は従
来技術においては両立する技術ではなかった。即ち、従
来の導電膜の多層化に対しては、下層の導電膜０段部で
、上層の導電膜の断線を防止するため、下層の導電膜の
側面が該下層の導電膜の下地に対して垂直にならないよ
うに傾斜をもえせてその段部が急峻にならないように対
処して来た。しかしながら、この方法では導電膜を垂直
にパターニングすることかで幹ないため微細化の実現に
対しては不適当な方法である。セしてこれらの欠点を防
止する方法として従来使用されている方法に、下層と上
層の導電膜の間の層間絶縁膜として、リンガ２ス膜を使
用し、このりンガラス膜の形成後、ｔｏｏｏｃ付近の高
温処理によりフローさせて段部を滑らかＫする方法があ
る。しかしながら、この方法もリンガラス膜を使用しな
ければならないという仁と、１００００付近の高温処理
をしなければならないということの制限があるため、使
用範囲が限定される。即ち、リンガラス膜の他にも層間
絶縁膜としては気相成長による酸化膜、アル電す膜、及
びプラズマ化学反応による酸化膜、窒化膜等がある。
、それに伴って不純物拡散領域パターン、絶縁膜への開
孔パターン、導電膜パターン等の微細化とともに１導電
膜の多層化が行なわれるようになりている。しかじな゛
がら、導電膜のパターンＯ微細化と導電膜の多層化は従
来技術においては両立する技術ではなかった。即ち、従
来の導電膜の多層化に対しては、下層の導電膜０段部で
、上層の導電膜の断線を防止するため、下層の導電膜の
側面が該下層の導電膜の下地に対して垂直にならないよ
うに傾斜をもえせてその段部が急峻にならないように対
処して来た。しかしながら、この方法では導電膜を垂直
にパターニングすることかで幹ないため微細化の実現に
対しては不適当な方法である。セしてこれらの欠点を防
止する方法として従来使用されている方法に、下層と上
層の導電膜の間の層間絶縁膜として、リンガ２ス膜を使
用し、このりンガラス膜の形成後、ｔｏｏｏｃ付近の高
温処理によりフローさせて段部を滑らかＫする方法があ
る。しかしながら、この方法もリンガラス膜を使用しな
ければならないという仁と、１００００付近の高温処理
をしなければならないということの制限があるため、使
用範囲が限定される。即ち、リンガラス膜の他にも層間
絶縁膜としては気相成長による酸化膜、アル電す膜、及
びプラズマ化学反応による酸化膜、窒化膜等がある。
そして、これらの絶縁膜ＫＦｉリンガラス膜にはない有
効な特性をものものがある。例えば、熱的に安定である
とか、厚い膜厚が容ＡＫ得られるとか、導電膜との帯薄
性が良いとか、耐湿性に優れているとか等である。さら
ＫＩＪＯＯｃ付近の高温処理をしなければならないこと
によ）、不純物拡散領域の再拡散による回路素子０４１
性変化は避けられな−し、さらに下層導電膜として、ア
ルン膜等の金属膜は使用できない等Ｏ問題が発生する。
効な特性をものものがある。例えば、熱的に安定である
とか、厚い膜厚が容ＡＫ得られるとか、導電膜との帯薄
性が良いとか、耐湿性に優れているとか等である。さら
ＫＩＪＯＯｃ付近の高温処理をしなければならないこと
によ）、不純物拡散領域の再拡散による回路素子０４１
性変化は避けられな−し、さらに下層導電膜として、ア
ルン膜等の金属膜は使用できない等Ｏ問題が発生する。
同様の問題は下層導電膜と上層導電膜との電気的接続の
九めの層間絶縁膜に膜性る開孔部の段部でも発生する。
九めの層間絶縁膜に膜性る開孔部の段部でも発生する。
嬉１図は従来の半導体装置の一例の断面図である。複数
の回路素子（図中では省略）を含む半導体基板１１を覆
い、選択的に設けられ九開孔部を有する熱酸化膜１２の
上面に第１層目の金属配線１３．１３’が選択的に形成
され、該金属配線１３゜１ｓ′０上及びその他の熱酸化
膜１２を覆って気相成長の酸化膜による層間絶縁膜１４
が形成され、該層間絶縁膜１４に選択的に設けられた開
孔部１５を通じて第１層目の金属配線１３と電気的に接
続し１層間絶縁膜１４上に延在する第２層目の金属配線
１６が形成されて−る。
の回路素子（図中では省略）を含む半導体基板１１を覆
い、選択的に設けられ九開孔部を有する熱酸化膜１２の
上面に第１層目の金属配線１３．１３’が選択的に形成
され、該金属配線１３゜１ｓ′０上及びその他の熱酸化
膜１２を覆って気相成長の酸化膜による層間絶縁膜１４
が形成され、該層間絶縁膜１４に選択的に設けられた開
孔部１５を通じて第１層目の金属配線１３と電気的に接
続し１層間絶縁膜１４上に延在する第２層目の金属配線
１６が形成されて−る。
このような従来の半導体装置構造において、層間絶縁膜
１４に設けられ九一孔部１５の段部１７にはテーパーが
つけられているが、第１層目の金属膜４９１３．１３’
の上とその他の領域との間で生ずる段部ＩＩＩ、 １Ｂ
’ １Ｂ’が急峻なため、この上に形成される第２層
目の金属配線１６に膜厚の薄い部分が発生し、第２層目
の釡属配線１６が断線し易くな勢、微細化への妨げとな
るという欠点があワた。
１４に設けられ九一孔部１５の段部１７にはテーパーが
つけられているが、第１層目の金属膜４９１３．１３’
の上とその他の領域との間で生ずる段部ＩＩＩ、 １Ｂ
’ １Ｂ’が急峻なため、この上に形成される第２層
目の金属配線１６に膜厚の薄い部分が発生し、第２層目
の釡属配線１６が断線し易くな勢、微細化への妨げとな
るという欠点があワた。
本発明は上記欠点を除き、層間絶縁膜がりンガラスに限
定されず、高温処理を必要とせずに形成でき、しかも微
細化が可能な多層配線構造を有する半導体装置とその製
造方法を提供する４のである。
定されず、高温処理を必要とせずに形成でき、しかも微
細化が可能な多層配線構造を有する半導体装置とその製
造方法を提供する４のである。
本発明の半導体装置は、複数個の回路素子を含む半導体
基板と前記半導体基板を覆い、選択的に設けられた複数
個の開孔部を有する第１０絶縁膜と、前記開孔部を通じ
て半導体基板と電気的に接続しかつ一記第１０絶縁膜上
に延在して選択的に設けられた複数個の第１導電膜と前
記第１０導電膜及びその他の領域を覆う第２０絶縁膜と
、飾記第２の絶縁膜に選択的に設けられえ開孔部を通じ
て少なくとも第１の導電膜と電気的に接続しかつ前記第
２の絶縁膜上に延在して選択的に股′けられた複数個の
第２の導電膜を有する半導体装置において、第１の導電
膜上からその他の領域に至る境界段部の第２の絶縁膜の
表面の少なくと４一部と第２の絶縁膜に設けられ−ｋｌ
Ｉ！孔部で形成される段部の少なくとも一部とが共Ｋｆ
ｉば等しい一定の傾斜角を有する平ら１面で構成されて
いることを特徴とする。
基板と前記半導体基板を覆い、選択的に設けられた複数
個の開孔部を有する第１０絶縁膜と、前記開孔部を通じ
て半導体基板と電気的に接続しかつ一記第１０絶縁膜上
に延在して選択的に設けられた複数個の第１導電膜と前
記第１０導電膜及びその他の領域を覆う第２０絶縁膜と
、飾記第２の絶縁膜に選択的に設けられえ開孔部を通じ
て少なくとも第１の導電膜と電気的に接続しかつ前記第
２の絶縁膜上に延在して選択的に股′けられた複数個の
第２の導電膜を有する半導体装置において、第１の導電
膜上からその他の領域に至る境界段部の第２の絶縁膜の
表面の少なくと４一部と第２の絶縁膜に設けられ−ｋｌ
Ｉ！孔部で形成される段部の少なくとも一部とが共Ｋｆ
ｉば等しい一定の傾斜角を有する平ら１面で構成されて
いることを特徴とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板を覆う第
１の絶縁膜に開孔部を設ける工程と、諌開孔部Ｏ少なく
とも一部を覆い、かつ第１０絶縁膜上Ｋｇ在する第１の
導電膜を選択的に設ける工程と、該第１の導電膜上及び
その他の領域を覆う第２０絶縁膜を被着させる工程と、
該第２の絶縁膜に少なくとも第１の導電膜に達する開孔
部を膜性る工１と％骸開孔部及びその他の第２の絶縁膜
上な覆う第３０絶縁膜を被着させた後、高速イオンビー
ムにより少なくとも前記第３の絶縁膜の１部又は第３の
絶縁膜と少なくとも第２の絶縁膜のｌＩＩを除去する工
程とを含んで構成される。
１の絶縁膜に開孔部を設ける工程と、諌開孔部Ｏ少なく
とも一部を覆い、かつ第１０絶縁膜上Ｋｇ在する第１の
導電膜を選択的に設ける工程と、該第１の導電膜上及び
その他の領域を覆う第２０絶縁膜を被着させる工程と、
該第２の絶縁膜に少なくとも第１の導電膜に達する開孔
部を膜性る工１と％骸開孔部及びその他の第２の絶縁膜
上な覆う第３０絶縁膜を被着させた後、高速イオンビー
ムにより少なくとも前記第３の絶縁膜の１部又は第３の
絶縁膜と少なくとも第２の絶縁膜のｌＩＩを除去する工
程とを含んで構成される。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
第２図は本発明Ｏ半導体装置の一実施例の断面図である
。複数個の＠路素子（図中では省略）を含む半導体基板
２１を覆−１選択的に設けられた開孔部を有する熱酸化
膜２２Ｄ上面に第１層目の金属配線２３．２３’が選択
的に形成され、該第１層目の金属配線２３，２３’の上
及びその他０熱酸化膜２２を覆りてプラズマ化学反応に
よる窒化膜で構成され九層間絶縁膜２４窄形成され、該
層間絶縁膜２４に選択的に設けられえ開孔部２５を通じ
て、第１層目の金属配線２３と電気的に接続し、層間絶
縁膜２４上に延在する第２層目Ｏ金属配曽２６が形成さ
れている。仁の実施例においては、第１層目の金属膜ｌ
Ｉ２３，２３’上とその他０熱酸化膜２２上との間で生
ずる眉間絶縁膜２４０表面の段部２８゜２８’ 、 ２
ｇ と層間絶縁膜２４に設けられ九一孔部２５の段部２
７は殆んど一定の傾斜角を有するはぼ平らな面で構成さ
れている丸め、ζ０上に形成される第２層目の金属配線
２６の膜厚は段部、平坦部いずれの個所においても砥は
均一に形成でき。
。複数個の＠路素子（図中では省略）を含む半導体基板
２１を覆−１選択的に設けられた開孔部を有する熱酸化
膜２２Ｄ上面に第１層目の金属配線２３．２３’が選択
的に形成され、該第１層目の金属配線２３，２３’の上
及びその他０熱酸化膜２２を覆りてプラズマ化学反応に
よる窒化膜で構成され九層間絶縁膜２４窄形成され、該
層間絶縁膜２４に選択的に設けられえ開孔部２５を通じ
て、第１層目の金属配線２３と電気的に接続し、層間絶
縁膜２４上に延在する第２層目Ｏ金属配曽２６が形成さ
れている。仁の実施例においては、第１層目の金属膜ｌ
Ｉ２３，２３’上とその他０熱酸化膜２２上との間で生
ずる眉間絶縁膜２４０表面の段部２８゜２８’ 、 ２
ｇ と層間絶縁膜２４に設けられ九一孔部２５の段部２
７は殆んど一定の傾斜角を有するはぼ平らな面で構成さ
れている丸め、ζ０上に形成される第２層目の金属配線
２６の膜厚は段部、平坦部いずれの個所においても砥は
均一に形成でき。
微細化に適した構造を実現して−る。
第３図（５１）〜（Ｃ）は本発明の半導体装置の製造方
法の一実施例を説明する九めの主な製造工程での断面図
である。
法の一実施例を説明する九めの主な製造工程での断面図
である。
まず、第３図（ａ）Ｋ示すように、複数個の１路素子（
図中ては省略）を含む半導体基板３１を覆う熱酸化膜３
２に選択的に開孔部を設け、少なくとも一つは該開孔部
を覆う第１層目の金属配線３３゜３３′を選択的に形成
し、続いて第１層＠０金属配線３３ 、３３’及びその
他の熱酸化膜３２０表面を覆う第１のプラズマ化学反応
による窒化膜３４を形成する。もし、第１層目の配線を
金属膜でなく、多結晶シリコン膜のような半導体薄膜で
形成しぇ場合には、半導体基板内Ｏｌｌ路素子の少なく
とも一部は、半導体薄膜を被着した後に不純物を添加し
、押込んで形成することも可能である。又、プラズマ化
学反応による窒化膜の膜厚は約１．０声が最適である。
図中ては省略）を含む半導体基板３１を覆う熱酸化膜３
２に選択的に開孔部を設け、少なくとも一つは該開孔部
を覆う第１層目の金属配線３３゜３３′を選択的に形成
し、続いて第１層＠０金属配線３３ 、３３’及びその
他の熱酸化膜３２０表面を覆う第１のプラズマ化学反応
による窒化膜３４を形成する。もし、第１層目の配線を
金属膜でなく、多結晶シリコン膜のような半導体薄膜で
形成しぇ場合には、半導体基板内Ｏｌｌ路素子の少なく
とも一部は、半導体薄膜を被着した後に不純物を添加し
、押込んで形成することも可能である。又、プラズマ化
学反応による窒化膜の膜厚は約１．０声が最適である。
又、ζＯ段階では問題の段部３８゜３Ｂ’、 ３８’
、 ３Ｂ’は急峻である。
、 ３Ｂ’は急峻である。
次に１第３図（−に示すように、プラズマ化学反応によ
る窒化膜３４に第１層目の金属膜９３３にに再び第２０
グツズマ化学反応による窒化膜３９を形成する。この時
のプラズマ化学反応によル窒化膜３９の膜厚は約０．５
声醜が最適である。
る窒化膜３４に第１層目の金属膜９３３にに再び第２０
グツズマ化学反応による窒化膜３９を形成する。この時
のプラズマ化学反応によル窒化膜３９の膜厚は約０．５
声醜が最適である。
次に、第３図−）に示すように１表面金体に高速イオン
ビームを歯てて前工＠まで形成されえ窒化膜３９０膜厚
の一部をエツチングする。ζ０処理により工ψチング前
に急峻であ５面段部３１１．３８’。
ビームを歯てて前工＠まで形成されえ窒化膜３９０膜厚
の一部をエツチングする。ζ０処理により工ψチング前
に急峻であ５面段部３１１．３８’。
３ｍ’、３＠”及び窒化膜に設叶もれた開孔部の段部３
７ 、３７’が〆緩やかな一定の傾斜角を有するはげ平
ら＆ｍＫなる。ζうして形成される絶縁膜を３０１で表
わす仁とにする。絶縁膜３０１は窒化膜３４と３９とか
ら成る場合もあるし、窒化膜３９が除去されて窒化膜３
４０みから成る場合もある。
７ 、３７’が〆緩やかな一定の傾斜角を有するはげ平
ら＆ｍＫなる。ζうして形成される絶縁膜を３０１で表
わす仁とにする。絶縁膜３０１は窒化膜３４と３９とか
ら成る場合もあるし、窒化膜３９が除去されて窒化膜３
４０みから成る場合もある。
この実施例のように膜３４と３９とが共に窒化膜である
場合両者の区別はつかなくなる。これは高速イオンビー
ムによシ適轟な物質をエツチングした場合、イオンビー
ムの入射方向に対する角度によシエッチング速度が変わ
るえめであ夛、通常の結縁膜においては、この角度が約
４ｓ度のＩｉてエツチング速度が最大になる性質を利用
してｉる。
場合両者の区別はつかなくなる。これは高速イオンビー
ムによシ適轟な物質をエツチングした場合、イオンビー
ムの入射方向に対する角度によシエッチング速度が変わ
るえめであ夛、通常の結縁膜においては、この角度が約
４ｓ度のＩｉてエツチング速度が最大になる性質を利用
してｉる。
即ち、半導体基板面に垂直にイオンビームを轟ててエツ
チングすると、半導体基板上にありた急峻な段は約４５
度の傾斜角を有するは埋平ら１面にエ曹チングされるこ
とになる。さらにイオンビームＯ入射方向を半導体基板
表面に対して垂直方向からはずして斜めからあてると、
段部の傾斜角は４８１よ）小さくな〉、さらに緩やかＩ
ｌｌる。本実施例で社、イオンビームを垂直にあて、平
面部で約Ｏ，Ｓμｍの膜厚をエツチングしている。それ
故工！チング終了後には自動的に前に設けた開孔部底１
ｆＫは第１層目の金属配線３３０表面が露出される。
チングすると、半導体基板上にありた急峻な段は約４５
度の傾斜角を有するは埋平ら１面にエ曹チングされるこ
とになる。さらにイオンビームＯ入射方向を半導体基板
表面に対して垂直方向からはずして斜めからあてると、
段部の傾斜角は４８１よ）小さくな〉、さらに緩やかＩ
ｌｌる。本実施例で社、イオンビームを垂直にあて、平
面部で約Ｏ，Ｓμｍの膜厚をエツチングしている。それ
故工！チング終了後には自動的に前に設けた開孔部底１
ｆＫは第１層目の金属配線３３０表面が露出される。
次に、第３図（１りＫ示すように、第２層目の金属配線
３６を前記プラズマ化学反応による窒化膜で段部３８
、３８’ 、 ３１１’、 ３８”及び開孔部３７．３
７’は＃！は等しい緩やかな傾斜角を有する平らな面に
なうている丸め、第２層目の金属配線の問題は起ζらな
−。
３６を前記プラズマ化学反応による窒化膜で段部３８
、３８’ 、 ３１１’、 ３８”及び開孔部３７．３
７’は＃！は等しい緩やかな傾斜角を有する平らな面に
なうている丸め、第２層目の金属配線の問題は起ζらな
−。
上記実施例の説明において、半導体基板内の回路素子に
ついては省略したが、本発明はパイポーラ置トツンジス
タ、電界効果型トランジスタ、ＰＮ接合、ダイオード、
金属−半導体ダイオード等Ｏ能動素子及び抵抗、容量等
Ｏ受動素子及びこれらの組み合せ素子等すべて適用可能
である。又、第１、第２．第３０絶縁膜に′）％／％で
は、熱酸化膜、熱窒化膜、気相成長による酸化膜、窒化
膜、アル２す膜、リンガラス膜、及びプラズマ化学反応
による酸化膜、窒化膜等、さらに、ヒれらを含む絶縁膜
であれば適用可能である。さらＫｔた、第１、第２の導
電膜については金属薄膜以外にも半導体薄膜、金属−半
導体合金薄膜、及びこれらを含む導電膜であれば適用可
能である。
ついては省略したが、本発明はパイポーラ置トツンジス
タ、電界効果型トランジスタ、ＰＮ接合、ダイオード、
金属−半導体ダイオード等Ｏ能動素子及び抵抗、容量等
Ｏ受動素子及びこれらの組み合せ素子等すべて適用可能
である。又、第１、第２．第３０絶縁膜に′）％／％で
は、熱酸化膜、熱窒化膜、気相成長による酸化膜、窒化
膜、アル２す膜、リンガラス膜、及びプラズマ化学反応
による酸化膜、窒化膜等、さらに、ヒれらを含む絶縁膜
であれば適用可能である。さらＫｔた、第１、第２の導
電膜については金属薄膜以外にも半導体薄膜、金属−半
導体合金薄膜、及びこれらを含む導電膜であれば適用可
能である。
以上詳細に説明したように、本発明によれば微細化が可
能な多層配線構造を有する半導体装置が得られるのでそ
の効果は大きい。
能な多層配線構造を有する半導体装置が得られるのでそ
の効果は大きい。
第ｉｌｌは従来の半導体装置Ｏ−儒ＯＦｒ１１ｍｌ、第
２図は本発明の半導体装置の一実施例ｏｗｒｒｒａ図、
第３図（ａ）〜（＠）は本発明の半導体装置の繕造方法
の一実施例を説明するための主Ｘ＆製造工程でＯＷＲ面
図である。 １１・・・・・・半導体基板、ｌト・・・・熱酸化膜、
１３゜１３′・・・・・・金属配線、１４・・・・・・
層間絶縁膜、１５・・・・・・開孔部、１６・・・・・
・金属配線、１１・・・・・・段部、１８゜１８’、１
８ ・・・・・・段部、２１・・・・・・半導体ｆ１１
［、雪２、・・・・・熱酸化膜、２３．２３’・・・・
・・金属配線、２４・・・・・・層間絶縁膜、２５・・
・・・・開孔部、２６・・・・・・金属配線、２７・・
・・・・段部、ｚｓ、ｚｓ’、ｔｓ ・・・・・・ｌ
１部。 ３１・・・・・・半導体基板、３ト・・・・熱酸化＠、
ＳＳ。 ３３′・・・・・・金属配線、３４・・・・・・窒化膜
、３Ｂ・・・・・・一孔部、３６・・・・・・金属配線
、３７．１７’・・・・・・段部、３８．３８’、３８
’、３８′′・・・・・・段部、３ｓ・・・・・・窒イ
ヒ膜、３０１・・・・・・絶縁膜。 第２図
２図は本発明の半導体装置の一実施例ｏｗｒｒｒａ図、
第３図（ａ）〜（＠）は本発明の半導体装置の繕造方法
の一実施例を説明するための主Ｘ＆製造工程でＯＷＲ面
図である。 １１・・・・・・半導体基板、ｌト・・・・熱酸化膜、
１３゜１３′・・・・・・金属配線、１４・・・・・・
層間絶縁膜、１５・・・・・・開孔部、１６・・・・・
・金属配線、１１・・・・・・段部、１８゜１８’、１
８ ・・・・・・段部、２１・・・・・・半導体ｆ１１
［、雪２、・・・・・熱酸化膜、２３．２３’・・・・
・・金属配線、２４・・・・・・層間絶縁膜、２５・・
・・・・開孔部、２６・・・・・・金属配線、２７・・
・・・・段部、ｚｓ、ｚｓ’、ｔｓ ・・・・・・ｌ
１部。 ３１・・・・・・半導体基板、３ト・・・・熱酸化＠、
ＳＳ。 ３３′・・・・・・金属配線、３４・・・・・・窒化膜
、３Ｂ・・・・・・一孔部、３６・・・・・・金属配線
、３７．１７’・・・・・・段部、３８．３８’、３８
’、３８′′・・・・・・段部、３ｓ・・・・・・窒イ
ヒ膜、３０１・・・・・・絶縁膜。 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１顎数個Ｏ回路素子を含む半導体基板と、前記半導
体基板を覆−１選択的に設けられた複数個ＯＩＩ孔部を
有する第１０絶縁膜と、前記開孔部を通じて半導体基板
と電気的に接続し、かつ前記第１０絶縁膜上に延在して
選択的に設けられ九豪数個Ｏ第１の導電膜と、前記第１
の導電膜及びその他の領域を覆う第２の絶縁膜と、前記
第２の絶縁膜に選択的に般社られえ開孔部を通じて少な
くとも第１ｔ）導電膜と電気的に接続し、かつ前記第２
の絶縁膜上に延在して選択的に膜性られ大壷数個Ｏ第２
０導電膜を有する半導体装置において、館１の導電膜上
からその他の領域に至る境界段部の第２０絶縁膜Ｏ１！
面の少なくとも一部と第２の絶縁膜に設けられた開孔部
で形成される段部の少なくとも一部とが共にはぼ等し４
一定の傾斜角を有する平らな面で構成されていることを
特徴とする半導体装置。 （２）半導体基板を覆う第１０絶縁膜に開孔部を設ける
工程と、該開孔部Ｏ少なくとも一部を覆い、かつ第１０
絶縁膜上に延在する第１０導電膜を選択的に設ける工程
と、該第１０導電膜上及びその他の領域を覆う第２０絶
縁膜を被着させる工程と、鋏第２の絶縁膜に少なくとも
第１０導電膜に達する開孔部を設ける工程と、該開孔部
及びその他の第２の絶縁膜上を覆う第ｓｏｅ縁膜を被着
させた後、高速イオンビームによ〉少なくとも前記第３
の絶縁膜の１部又は第３０絶縁膜と少なくとも鮪２の絶
縁膜の１部を除去する工１とを含む仁とを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352981A JPS586149A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352981A JPS586149A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586149A true JPS586149A (ja) | 1983-01-13 |
| JPS637463B2 JPS637463B2 (ja) | 1988-02-17 |
Family
ID=14356416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10352981A Granted JPS586149A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586149A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125882A (ja) * | 1987-08-21 | 1989-05-18 | Nippon Denso Co Ltd | 磁気検出装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52156375A (en) * | 1976-06-22 | 1977-12-26 | Nippon Electric Co | Method of producing multilayer circuit substrate |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP10352981A patent/JPS586149A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52156375A (en) * | 1976-06-22 | 1977-12-26 | Nippon Electric Co | Method of producing multilayer circuit substrate |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01125882A (ja) * | 1987-08-21 | 1989-05-18 | Nippon Denso Co Ltd | 磁気検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS637463B2 (ja) | 1988-02-17 |
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