JPS5860269A - 非直線抵抗体の寿命判定方法 - Google Patents
非直線抵抗体の寿命判定方法Info
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- JPS5860269A JPS5860269A JP15846881A JP15846881A JPS5860269A JP S5860269 A JPS5860269 A JP S5860269A JP 15846881 A JP15846881 A JP 15846881A JP 15846881 A JP15846881 A JP 15846881A JP S5860269 A JPS5860269 A JP S5860269A
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- Japan
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- temperature
- sample
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- zno
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Testing Relating To Insulation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ＦｉＺｎｏｋ主成分とする非直線抵抗体の寿命判
定方法に関するものである。
定方法に関するものである。
健米、非ｍ線抵抗体の寿命脣性鑞直流、又旗にか、かわ
らず実線に長時間の課電試験を行った結果より求めてい
た。このため寿命特性の、画定には多大の時間を盛装と
し、又課電試験は破壊試験の一向もあるので試験した非
直線抵抗体に履歴を残す結果となった。さらに寿命の推
定は温度、昧電電圧を変えて同徳試料について数水準の
賦験會行いアレニウスプロットより求めた直騨によって
行うため［１１槽、１！源など多くの設備を会費とした
。
らず実線に長時間の課電試験を行った結果より求めてい
た。このため寿命特性の、画定には多大の時間を盛装と
し、又課電試験は破壊試験の一向もあるので試験した非
直線抵抗体に履歴を残す結果となった。さらに寿命の推
定は温度、昧電電圧を変えて同徳試料について数水準の
賦験會行いアレニウスプロットより求めた直騨によって
行うため［１１槽、１！源など多くの設備を会費とした
。
又、従来のＺｎＯ糸非１［１１抵抗体の寿命特性では実
−際に熱麺走したデータの蓄積により寿命の推軍は可能
であったが、改良されたＺｎＯ糸の非ＩＩＩ／Ｍ抵抗体
Ｆｉ、寿命％性が良いために熱Ｉ＃走したデータが得−
く、上記したような方法では寿臀の推定は行い離かった
。
−際に熱麺走したデータの蓄積により寿命の推軍は可能
であったが、改良されたＺｎＯ糸の非ＩＩＩ／Ｍ抵抗体
Ｆｉ、寿命％性が良いために熱Ｉ＃走したデータが得−
く、上記したような方法では寿臀の推定は行い離かった
。
本発ｋＪ８１１上記の点を考慝して、簡単な設愉により
短時間で精確にかつ非破壊的に非ｍ線抵抗体の寿ｍ％性
の良台の判別および寿命の推定【行うことができる非直
線抵抗体の寿命判定方法ｔ−提供することｔ目的とする
。
短時間で精確にかつ非破壊的に非ｍ線抵抗体の寿ｍ％性
の良台の判別および寿命の推定【行うことができる非直
線抵抗体の寿命判定方法ｔ−提供することｔ目的とする
。
以下本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図（ＡｌはＺｎＯｔ−主成分とする非直線抵抗体（
以下ＺｎＯ素子と称する。）の熱刺敏電＆（以下ＴＥＩ
Ｃと称する。）＃Ｊ定装置を示し、１は円板状に形成さ
れた銅板で、−板１の上部には第１図（Ｂｌに示すよう
に両端にムＵ蒸着電極２ａ、２ｂｔ″形成されたＺｎＯ
索子の試料２（３０φＸ１ｔ）の一方の電極を設置する
とともに熱電対會セットしたタミー試料３ ｔａｔｌｌ
ｉ Ｌ、銅板１の１＃部には冷媒通流用の銅パイプ４を
一体に取付け、−板１の下部にはヒータ５を設ける。そ
して、これらの部材ｌ〜５は真空慣６内に収納する。又
、７は電圧ｖｂの＠九電源で、ｌ１ｔＩＬ電源７の一端
は切換スイッチ８を介して試料２の他方の電極に接続さ
れ、直流電＠７の他端は切換スイッチ８に接続されると
ともに微少電流針９會介して銅板１の上部に接続される
。
以下ＺｎＯ素子と称する。）の熱刺敏電＆（以下ＴＥＩ
Ｃと称する。）＃Ｊ定装置を示し、１は円板状に形成さ
れた銅板で、−板１の上部には第１図（Ｂｌに示すよう
に両端にムＵ蒸着電極２ａ、２ｂｔ″形成されたＺｎＯ
索子の試料２（３０φＸ１ｔ）の一方の電極を設置する
とともに熱電対會セットしたタミー試料３ ｔａｔｌｌ
ｉ Ｌ、銅板１の１＃部には冷媒通流用の銅パイプ４を
一体に取付け、−板１の下部にはヒータ５を設ける。そ
して、これらの部材ｌ〜５は真空慣６内に収納する。又
、７は電圧ｖｂの＠九電源で、ｌ１ｔＩＬ電源７の一端
は切換スイッチ８を介して試料２の他方の電極に接続さ
れ、直流電＠７の他端は切換スイッチ８に接続されると
ともに微少電流針９會介して銅板１の上部に接続される
。
上記装置において、ＴＢＯの測定に際してはヒータ５に
よる銅板１の加熱および銅ノくイブ４内の冷媒の通流に
よる銅板１の冷却によって試料２の温度を第２図（萄に
示すように変化させる。Ｉｉｐち、まず試料２の温ｌｌ
ｌ１．ｔ−Ｔｂまで上昇させる。ここで切換スイッチ８
を法点８ａに接続し、温度ＩＴｂに保ったま′ｔＩｉＩ
ｉｌ板１ｔ−介して試料２に％庄ｖｂ會ｔｂ時間印加し
、しかる犠温腋１ｉ−Ｔｂより充分低いｍ度まで下ける
。こ仁で切換スイッチ８ｔｌ″一点８ｂに切換えて試料
２０両端を倣少電謔酊９′ｔ″介してｌＢｉ籟し、一定
の昇温速度で温度を上けると倣少電［１ｔｔ９即ち試料
２に第２１申）に示すように電流が訛れ、これがＴｉｃ
である。７ｍはＴｏｏが最大になった際の温度である。
よる銅板１の加熱および銅ノくイブ４内の冷媒の通流に
よる銅板１の冷却によって試料２の温度を第２図（萄に
示すように変化させる。Ｉｉｐち、まず試料２の温ｌｌ
ｌ１．ｔ−Ｔｂまで上昇させる。ここで切換スイッチ８
を法点８ａに接続し、温度ＩＴｂに保ったま′ｔＩｉＩ
ｉｌ板１ｔ−介して試料２に％庄ｖｂ會ｔｂ時間印加し
、しかる犠温腋１ｉ−Ｔｂより充分低いｍ度まで下ける
。こ仁で切換スイッチ８ｔｌ″一点８ｂに切換えて試料
２０両端を倣少電謔酊９′ｔ″介してｌＢｉ籟し、一定
の昇温速度で温度を上けると倣少電［１ｔｔ９即ち試料
２に第２１申）に示すように電流が訛れ、これがＴｉｃ
である。７ｍはＴｏｏが最大になった際の温度である。
上記の温度Ｔｂ１電圧ｖｂＸ時間ｔｂ に特に規定はな
いが、これらの値が極端に小さいと比較検討し欅いので
Ｔｂ ＝（資）℃以上、ｔｂ；３ｍ１ｎ以上、ｖｂ（試
料２の厚さ１■当りの印加電圧）−，２５Ｖ／−以上が
望ましい。
いが、これらの値が極端に小さいと比較検討し欅いので
Ｔｂ ＝（資）℃以上、ｔｂ；３ｍ１ｎ以上、ｖｂ（試
料２の厚さ１■当りの印加電圧）−，２５Ｖ／−以上が
望ましい。
しかるに上記のようにしてＴＳＯ＠測定し、その時間積
分値（電荷）Ｑｙｍｏｔ−求めると、このＱ９゜はＺｎ
Ｏ索子の寿命特性と相関関係があることが実験の結果明
らかとなった。即ち、第３図は各試料２ム（７５℃で９
０＊Ｖｔｍ１昧電時の寿命が約４００００時間、以下同
じ）、２Ｂ（６０σ０〜８０００時間）、２ｃ（３００
０〜６００００間）、２Ｄ（約Ｔｏ。
分値（電荷）Ｑｙｍｏｔ−求めると、このＱ９゜はＺｎ
Ｏ索子の寿命特性と相関関係があることが実験の結果明
らかとなった。即ち、第３図は各試料２ム（７５℃で９
０＊Ｖｔｍ１昧電時の寿命が約４００００時間、以下同
じ）、２Ｂ（６０σ０〜８０００時間）、２ｃ（３００
０〜６００００間）、２Ｄ（約Ｔｏ。
時間）についてＷｂ 、 ７５ Ｖ／ａｓ、ｔｂ＝１２
ｍｉｎの東上 件でＴｂとＱｔｓｏ／ｃｄ（試料の単位面槓尚りのＱ−
Ｔｅａ ） の関係を測定したもので、図から明らか
なように寿命の長いものｔｌどＱテａｏ／−が小さくな
る。又、逆にこのような特性線から寿命％注の良否の判
別を行うことができる。
ｍｉｎの東上 件でＴｂとＱｔｓｏ／ｃｄ（試料の単位面槓尚りのＱ−
Ｔｅａ ） の関係を測定したもので、図から明らか
なように寿命の長いものｔｌどＱテａｏ／−が小さくな
る。又、逆にこのような特性線から寿命％注の良否の判
別を行うことができる。
又、第４図はＺｎＯ索子に’Ｖｂ ｚ Ｑ、 ７ Ｖｔ
ｍＡ／ｓｍ＼ ｔｌ−蛛電し、Ｔｂ＼、が１００℃、 １３０ ’Ｃ、
１ｆｙＯ℃の各場合においてｔｌ）Ｋ征ってＴｏｏｔ御
Ｊ定してＧＬｖｓｏを求め、ｔｂとＱテｇｏ の関係ｍ
を作成したもので、ｔしとＱＴＩｌａ とはＱ Ｔｍ
ｏ ” ｔｂ （０，５５≦ｎ＜０．６５）の関係が
おるのでｔｂの２〜３点１ｃついてＱｔｍｏ 會掬足
すれは関９ｋｌＩＩＩを作成することカニできる。又、
Ｔｂ−１３０℃ の場合にはもれ亀ｔｌＬ力；１ｍム／
−になった時を寿命としてもれ電ｔＩＬやＸ夾Ｑｙｇ。
ｍＡ／ｓｍ＼ ｔｌ−蛛電し、Ｔｂ＼、が１００℃、 １３０ ’Ｃ、
１ｆｙＯ℃の各場合においてｔｌ）Ｋ征ってＴｏｏｔ御
Ｊ定してＧＬｖｓｏを求め、ｔｂとＱテｇｏ の関係ｍ
を作成したもので、ｔしとＱＴＩｌａ とはＱ Ｔｍ
ｏ ” ｔｂ （０，５５≦ｎ＜０．６５）の関係が
おるのでｔｂの２〜３点１ｃついてＱｔｍｏ 會掬足
すれは関９ｋｌＩＩＩを作成することカニできる。又、
Ｔｂ−１３０℃ の場合にはもれ亀ｔｌＬ力；１ｍム／
−になった時を寿命としてもれ電ｔＩＬやＸ夾Ｑｙｇ。
察にこの値になるまでｖｂ ｔ−印加すると ／−−
ＱＬ／−キ３，３ｘ１０ ０／−となシ、この値が寿命
ｔｔｅわすことになる。従って、Ｔｂ−１５０℃の場合
にはその関係線とＱ−／−との交点のｔｌ）即ちｔｂ＝
２００時間が寿命となり、このようにして寿命を推定
することができ、特に関係線作成の場合のｔｌ）を小さ
な値に選定すればＺｎＯ素子に履歴を残さずに寿命の推
定を行うことができる。
ＱＬ／−キ３，３ｘ１０ ０／−となシ、この値が寿命
ｔｔｅわすことになる。従って、Ｔｂ−１５０℃の場合
にはその関係線とＱ−／−との交点のｔｌ）即ちｔｂ＝
２００時間が寿命となり、このようにして寿命を推定
することができ、特に関係線作成の場合のｔｌ）を小さ
な値に選定すればＺｎＯ素子に履歴を残さずに寿命の推
定を行うことができる。
又、第５図は第３図において用いた試料２＾〜２ｐ（た
だし、第３図の場合試料の大きさは特に規定しないが第
５図の場合は羽φｘｌｔとする。
だし、第３図の場合試料の大きさは特に規定しないが第
５図の場合は羽φｘｌｔとする。
しかし、試料の犀さ１■轟りの印加電圧が−じでりれば
ｌＬ流＃曾特性に変化がないことＦｉ爽験的に横１した
。）についてｔ ｂ ＝ １２ｍ１ｎ 、 Ｖ ｋｌ＝
＋＋７５ ／ ｗｒでＴｂが７８℃の場合と１１１ Ｃ
の場合とにおいてＴＳＯを測定してＱ Ｔ Ｂ ０／ｃ
ｄを求め、ｙＬ訛寿命と” ” ”／ｃｄとの関係を作
成したもので、τ８０の測定条件が同じであればＱｔｍ
ｏと直流寿命とが相関関係を有し、直流寿命の良い試料
はどＱｙｓｏが小さい仁とが判明する。このため、他の
直流寿命の未知の試料についてもそのＱｙａｏを求めれ
＃′ｉ′第５図を用いてｉｋ流寿命を容易に推定するこ
とができる。
ｌＬ流＃曾特性に変化がないことＦｉ爽験的に横１した
。）についてｔ ｂ ＝ １２ｍ１ｎ 、 Ｖ ｋｌ＝
＋＋７５ ／ ｗｒでＴｂが７８℃の場合と１１１ Ｃ
の場合とにおいてＴＳＯを測定してＱ Ｔ Ｂ ０／ｃ
ｄを求め、ｙＬ訛寿命と” ” ”／ｃｄとの関係を作
成したもので、τ８０の測定条件が同じであればＱｔｍ
ｏと直流寿命とが相関関係を有し、直流寿命の良い試料
はどＱｙｓｏが小さい仁とが判明する。このため、他の
直流寿命の未知の試料についてもそのＱｙａｏを求めれ
＃′ｉ′第５図を用いてｉｋ流寿命を容易に推定するこ
とができる。
以上のように不発明においては、ＺｎＯ素子の熱刺激電
流の時間株分値がＺｎＯ素子の寿命特性の良否に関係か
める（時間積分値が小さいはと寿命％性が良い。）こと
に着目し、ｚｎＯ素子の熱刺激電ａｔ測定してその時間
積分値を求め、この時間積分値の大きさから寿命特性の
良否を判別している。又、寿命が既知の複数のＺｎＯ素
子の熱刺激電流の時間積分値をあるーｊ定条件で求めて
該時間株分値と寿命との関係を求め、同一条件で他のＺ
ｎＯ素子の熱刺激電流の時間積分値を求めることにより
他のＺｎＯ素子の寿命ｕｒｎｓに推定することかでを、
又同−のＺｎＯ素子においてはある温度Ｔｌ）条件での
寿命が判明すれば電圧印加時間ｔｂと前記時間積分値の
関係から他の温度条件での寿命を精確に推定することが
できる。しかも熱刺原電流の測定は簡単な設備で単時間
に行うことがぞき、かつＺｎＯ索子に対して非破壊的に
行わｔするのでＺｎＯ３ｇ子ｔ−損傷することがない。
流の時間株分値がＺｎＯ素子の寿命特性の良否に関係か
める（時間積分値が小さいはと寿命％性が良い。）こと
に着目し、ｚｎＯ素子の熱刺激電ａｔ測定してその時間
積分値を求め、この時間積分値の大きさから寿命特性の
良否を判別している。又、寿命が既知の複数のＺｎＯ素
子の熱刺激電流の時間積分値をあるーｊ定条件で求めて
該時間株分値と寿命との関係を求め、同一条件で他のＺ
ｎＯ素子の熱刺激電流の時間積分値を求めることにより
他のＺｎＯ素子の寿命ｕｒｎｓに推定することかでを、
又同−のＺｎＯ素子においてはある温度Ｔｌ）条件での
寿命が判明すれば電圧印加時間ｔｂと前記時間積分値の
関係から他の温度条件での寿命を精確に推定することが
できる。しかも熱刺原電流の測定は簡単な設備で単時間
に行うことがぞき、かつＺｎＯ索子に対して非破壊的に
行わｔするのでＺｎＯ３ｇ子ｔ−損傷することがない。
第１図体）、（司は夫々Ｚ−ｎｏ 素子の熱刺激電流の
両足装置の概略構成図およびＺｎＯ素子の試料の止叩図
、第２図（Ａｔ 、 （Ｂ）は夫々熱刺激電流棚定時に
おけるＺｎＯ素子の時間温度特性図および時間電流測定
（２）、第３図は寿命の異るＺｎＱ 素子の各試料に
おける温亀と熱刺激１１Ｒの時間株分値との関係図、第
４図ＦｉＺｎＯ素子における電圧印加時間と熱刺激電流
の時間秋分値との関係図、第５図はＺｎＯ素子の熱刺激
電流の時間積分値と直流寿命との関係図。 ２．２＾〜２．・・・ＺｎＯ素子の試料、Ｔｏｏ・・・
熱刺激１にθｔ、 ＱＴｇａ・・・熱刺激電流の時間株
分値、Ｖｌ）・・・印加電圧、Ｔｂ・・・印加温度、ｔ
ｂ・・・印加時間。
両足装置の概略構成図およびＺｎＯ素子の試料の止叩図
、第２図（Ａｔ 、 （Ｂ）は夫々熱刺激電流棚定時に
おけるＺｎＯ素子の時間温度特性図および時間電流測定
（２）、第３図は寿命の異るＺｎＱ 素子の各試料に
おける温亀と熱刺激１１Ｒの時間株分値との関係図、第
４図ＦｉＺｎＯ素子における電圧印加時間と熱刺激電流
の時間秋分値との関係図、第５図はＺｎＯ素子の熱刺激
電流の時間積分値と直流寿命との関係図。 ２．２＾〜２．・・・ＺｎＯ素子の試料、Ｔｏｏ・・・
熱刺激１にθｔ、 ＱＴｇａ・・・熱刺激電流の時間株
分値、Ｖｌ）・・・印加電圧、Ｔｂ・・・印加温度、ｔ
ｂ・・・印加時間。
Claims (1)
- ２０Ｏｔ−主成分とする非ｍ線抵抗体の熱刺激電流ｔ−
ｍ定し、この熱刺激電流の時間積分値によって非直線抵
抗体の寿命特性の真否の判別および寿命の推定を行うこ
とｔ−特徴とする非［＊抵抗体の寿命判定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15846881A JPS5860269A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 非直線抵抗体の寿命判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15846881A JPS5860269A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 非直線抵抗体の寿命判定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860269A true JPS5860269A (ja) | 1983-04-09 |
Family
ID=15672395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15846881A Pending JPS5860269A (ja) | 1981-10-05 | 1981-10-05 | 非直線抵抗体の寿命判定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860269A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2631165A1 (fr) * | 1988-05-05 | 1989-11-10 | Moulene Daniel | Support conditionneur de temperature pour petits objets tels que des composants semi-conducteurs et procede de regulation thermique utilisant ce support |
| ES2164604A1 (es) * | 2000-05-17 | 2002-02-16 | Univ Catalunya Politecnica | Horno cilindrico para medidas de corrientes estimuladas termicamente en recubrimientos aislantes. |
-
1981
- 1981-10-05 JP JP15846881A patent/JPS5860269A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2631165A1 (fr) * | 1988-05-05 | 1989-11-10 | Moulene Daniel | Support conditionneur de temperature pour petits objets tels que des composants semi-conducteurs et procede de regulation thermique utilisant ce support |
| US5034688A (en) * | 1988-05-05 | 1991-07-23 | Ets Gourdon | Temperature conditioning support for small objects such as semi-conductor components and thermal regulation process using said support |
| ES2164604A1 (es) * | 2000-05-17 | 2002-02-16 | Univ Catalunya Politecnica | Horno cilindrico para medidas de corrientes estimuladas termicamente en recubrimientos aislantes. |
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