JPS5858721A - チツプ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
チツプ型固体電解コンデンサおよびその製造方法Info
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- JPS5858721A JPS5858721A JP15799581A JP15799581A JPS5858721A JP S5858721 A JPS5858721 A JP S5858721A JP 15799581 A JP15799581 A JP 15799581A JP 15799581 A JP15799581 A JP 15799581A JP S5858721 A JPS5858721 A JP S5858721A
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- frame
- terminal
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- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
木兄−はチップ型固体亀解コンデン!およびそのl1l
lfi方法に関するもので、特にコンデン賃素子からの
リード線の長さを知くすることによって小形化を因ると
ともにレーず光線を用いてリード1などの溶接や切断を
行って漏れ電流などの、特性向上や歩留向上を倉内した
ものである。 、従来W繍モールドで外装したチ
ッIIiM−坏電−コンデンt#i第1図にボすように
たとえdタンタル粉末をタンタルリード線ωとともに成
形−睨結一化成一給鰻マンガン溶液塗布−睨戚の1栓を
経たのち、腕記化収〜胱成工程を繰返して二酸化マンガ
ンを生威し、該二酸化マンガン上にカーボンダラファイ
ト、銀ペーストを論布してl1111徳層を形成したタ
ンタルリード−(1)を看するコンテンす素子(2)を
得ていた。そして該コンゾンデ素子(2)に爺員叙を打
抜きや折曲げ加工し′fC−他端子(3)を削紀す−ド
巌α)と友ね合わせてスホット#紐にょシ溶接部η)を
*&L、また陰4IIKIfiiI&i配隆憾層に鴎憾
端子(5)をハンダ付けしたのち#7!脂(6)でモー
ルドLJ)装としていた0しかしながらこの構造の場合
にはスポット溶接な用いるものであるからスポット溶接
機の電−がコンテンを素子(2)趨向と一極端子(3)
間に位置することとなるので一憾端子(3)を折曲けて
溶接部(4)としなけれ#fならないのでそれだけのス
ペースを瞥し溶接部(4)とコンテン11子(2) @
ilとの開−が大きくなる欠点があった。またこのコ
ンテンす素子(2)5ImrkJと浴接部(4)との距
龜をできる限り知くしようとすると溶!1es(イ)〕
がリード!i (1)先端となシスポット溶に#の加圧
力によって溶警機の電−かリード線(1)先端からすべ
ってしまいコンデンテ翫子(2)のリード−(1)m股
部に機械的ストレスを加え漏れ電流を増加せしめる場合
があった・したがって第1図のような構成の場合にはコ
ンデンサ素子(2〕錫釦から浴接部(4)までの長さは
一定値以上全姿であシ、これが小形化を組沓している一
因と41なっていた。さらにスポット浴接を用いた場合
にはその加圧力や発熱などによってリード線(1)やv
lIj樵端子(3)に変形を生じ易くコンゾンデ素子(
2Jに対し機械的ストレスを与えるばか〕でなく樹脂(
4)をモールドする際にも不都合を生じ易いし、ii!
極端子(3)の材料としても比較的電気抵抗の高いF
e # N 1あるいはこれらの合金など材質が制限さ
れる問題点もあった。1g1図に示した構造とは別にた
とえば第2図に平面図を不すようにコンゾンデ素子(1
2)のリード線(11)に対し陽一端子または陽−リー
ド線(13]を交叉させてスポット溶接機によって[1
es(14)を形成するものも知られている。
lfi方法に関するもので、特にコンデン賃素子からの
リード線の長さを知くすることによって小形化を因ると
ともにレーず光線を用いてリード1などの溶接や切断を
行って漏れ電流などの、特性向上や歩留向上を倉内した
ものである。 、従来W繍モールドで外装したチ
ッIIiM−坏電−コンデンt#i第1図にボすように
たとえdタンタル粉末をタンタルリード線ωとともに成
形−睨結一化成一給鰻マンガン溶液塗布−睨戚の1栓を
経たのち、腕記化収〜胱成工程を繰返して二酸化マンガ
ンを生威し、該二酸化マンガン上にカーボンダラファイ
ト、銀ペーストを論布してl1111徳層を形成したタ
ンタルリード−(1)を看するコンテンす素子(2)を
得ていた。そして該コンゾンデ素子(2)に爺員叙を打
抜きや折曲げ加工し′fC−他端子(3)を削紀す−ド
巌α)と友ね合わせてスホット#紐にょシ溶接部η)を
*&L、また陰4IIKIfiiI&i配隆憾層に鴎憾
端子(5)をハンダ付けしたのち#7!脂(6)でモー
ルドLJ)装としていた0しかしながらこの構造の場合
にはスポット溶接な用いるものであるからスポット溶接
機の電−がコンテンを素子(2)趨向と一極端子(3)
間に位置することとなるので一憾端子(3)を折曲けて
溶接部(4)としなけれ#fならないのでそれだけのス
ペースを瞥し溶接部(4)とコンテン11子(2) @
ilとの開−が大きくなる欠点があった。またこのコ
ンテンす素子(2)5ImrkJと浴接部(4)との距
龜をできる限り知くしようとすると溶!1es(イ)〕
がリード!i (1)先端となシスポット溶に#の加圧
力によって溶警機の電−かリード線(1)先端からすべ
ってしまいコンデンテ翫子(2)のリード−(1)m股
部に機械的ストレスを加え漏れ電流を増加せしめる場合
があった・したがって第1図のような構成の場合にはコ
ンデンサ素子(2〕錫釦から浴接部(4)までの長さは
一定値以上全姿であシ、これが小形化を組沓している一
因と41なっていた。さらにスポット浴接を用いた場合
にはその加圧力や発熱などによってリード線(1)やv
lIj樵端子(3)に変形を生じ易くコンゾンデ素子(
2Jに対し機械的ストレスを与えるばか〕でなく樹脂(
4)をモールドする際にも不都合を生じ易いし、ii!
極端子(3)の材料としても比較的電気抵抗の高いF
e # N 1あるいはこれらの合金など材質が制限さ
れる問題点もあった。1g1図に示した構造とは別にた
とえば第2図に平面図を不すようにコンゾンデ素子(1
2)のリード線(11)に対し陽一端子または陽−リー
ド線(13]を交叉させてスポット溶接機によって[1
es(14)を形成するものも知られている。
しかしこの構成の場合で一−U述の第1図にボした構成
のコンテンすと全く同一の8m点がある。そして従来に
おいてはスポット浴接の如くコンテン!のリード線と板
状のS一端子またIribm !J−ドーと祉これらを
上下1対の溶接電値で挾み込んで加圧しながらIMti
lするという技袖思想によって貫かれていた。
のコンテンすと全く同一の8m点がある。そして従来に
おいてはスポット浴接の如くコンテン!のリード線と板
状のS一端子またIribm !J−ドーと祉これらを
上下1対の溶接電値で挾み込んで加圧しながらIMti
lするという技袖思想によって貫かれていた。
木兄−は上記の点に鈑みてなされたものでありチップ!
i一体電解コンデンナにおけるコンテンす素子に植設し
たリード線と一極端子などとのfI鈑やリード線などの
9J斬に”レーず光−を使用することによって小形化、
漏れ電流特性の向上1歩留向上中原価低減を図ろうとす
るものである・以下実施例によシ説明する。第3図に示
すようにタンタル粉末にタンタルリード線(21)をa
t股して成形したコンゾンデ素子(22)を貌紳し、−
配リードー(21)帯状の釡Ji4i(23)に溶接す
る。この状膝のままコンゾンデ素子(22滲を化成液に
浸漬し4亀して化成し引上けて硝酸!ンガン溶液を塗布
11貌成し二酸化マンガンを生成する。この化成〜胱成
を纏惠しコンデンサ素子(22)に修復した陽極殻化皮
験および二酸化マンガンを生成し、さらにカーボングラ
ファイト、銀ペーストなどを塗布し表−に陰徳層を形成
する。このようにしたmm&(23)を第4図に正面図
、第5図に髄血図を示すように端子7レーム(24)と
の位W1@係に設置しコンテンす素子(22)の圓配隘
一層に電子アレーA(24)の陰徳フレーム(25)を
ハンダまたFi魯電性撮噛剤で1#:続する。一方コン
デンを素子(22)に11!IW&されたり一ド練(2
1)Fi則配端子フレーム(24)から直角に引き起こ
された111411+7レー^(26)の先端に接する
よう配する。そして第6図に示すように璽紀ツード線(
21)と陽極フレーム(26)との当接点を溶接部(2
))としてレーザ発&器(28]から集光レンズ(29
)を瀘して1記溶接WJ(27)ヘレーザ光線を照射し
溶接する。なおこの溶接時にリード線(21)を同時に
切断することもでき工程を短縮できる効果を有する。
i一体電解コンデンナにおけるコンテンす素子に植設し
たリード線と一極端子などとのfI鈑やリード線などの
9J斬に”レーず光−を使用することによって小形化、
漏れ電流特性の向上1歩留向上中原価低減を図ろうとす
るものである・以下実施例によシ説明する。第3図に示
すようにタンタル粉末にタンタルリード線(21)をa
t股して成形したコンゾンデ素子(22)を貌紳し、−
配リードー(21)帯状の釡Ji4i(23)に溶接す
る。この状膝のままコンゾンデ素子(22滲を化成液に
浸漬し4亀して化成し引上けて硝酸!ンガン溶液を塗布
11貌成し二酸化マンガンを生成する。この化成〜胱成
を纏惠しコンデンサ素子(22)に修復した陽極殻化皮
験および二酸化マンガンを生成し、さらにカーボングラ
ファイト、銀ペーストなどを塗布し表−に陰徳層を形成
する。このようにしたmm&(23)を第4図に正面図
、第5図に髄血図を示すように端子7レーム(24)と
の位W1@係に設置しコンテンす素子(22)の圓配隘
一層に電子アレーA(24)の陰徳フレーム(25)を
ハンダまたFi魯電性撮噛剤で1#:続する。一方コン
デンを素子(22)に11!IW&されたり一ド練(2
1)Fi則配端子フレーム(24)から直角に引き起こ
された111411+7レー^(26)の先端に接する
よう配する。そして第6図に示すように璽紀ツード線(
21)と陽極フレーム(26)との当接点を溶接部(2
))としてレーザ発&器(28]から集光レンズ(29
)を瀘して1記溶接WJ(27)ヘレーザ光線を照射し
溶接する。なおこの溶接時にリード線(21)を同時に
切断することもでき工程を短縮できる効果を有する。
このようにしてリード線(21)およびコンデン?素子
(22)陰極層にttm−フレーム(26)および陰極
フレ−^(25)を接続したものはモールド並型(1不
せず)にセットされi路へ取付ける際の取1130)(
31)をWkきWk(32)で成形されたのちに端子7
レーム(24)の第4図に明示されたタイバー(33)
を切断して#Ik樵フレーム(26)と隘−7レー^(
25]との導通を遮断したのち端子フレーム(241の
^−に課電してスクリーニングを行い第7図に示す止謝
細図の如<11(ik7レーム(26)および11m4
17レー!(25)とをuJ&Lチップ型固体亀獅コン
デンVを得るものである。発明者の実験結果について絵
べると木兄−はコンデンサの定格35 V−DC−0,
1〆(寸法帆8■×0.8諺X厚さ0.5 I11角形
嵩子)。
(22)陰極層にttm−フレーム(26)および陰極
フレ−^(25)を接続したものはモールド並型(1不
せず)にセットされi路へ取付ける際の取1130)(
31)をWkきWk(32)で成形されたのちに端子7
レーム(24)の第4図に明示されたタイバー(33)
を切断して#Ik樵フレーム(26)と隘−7レー^(
25]との導通を遮断したのち端子フレーム(241の
^−に課電してスクリーニングを行い第7図に示す止謝
細図の如<11(ik7レーム(26)および11m4
17レー!(25)とをuJ&Lチップ型固体亀獅コン
デンVを得るものである。発明者の実験結果について絵
べると木兄−はコンデンサの定格35 V−DC−0,
1〆(寸法帆8■×0.8諺X厚さ0.5 I11角形
嵩子)。
タンタルリード線0625■−×長さ0.6鱈、m子フ
レーム材料#I&厚さ0.21all@t 、リード層
と噛−フレームとのlIr接条件YAGヒーず、電圧6
50vパルス−7膳1.照射速度1回/廖、外装エポキ
シlIt脂、完成品寸法高さ1.2■×長さ3.2■×
−1,61であシ、従来例は定格、外装樹脂は木兄―と
同じ−のを用い、リード線#i0.25■−X長さ1.
8■、端子7レーム材料は42襲ニッケルm厚さ0.2
5閤t1 リード−と−憾フレームとの溶mはスボツ)
浴接、完成品寸法高さ1.7閣t X長さ4.6■tX
111i@2.5+111である。なおリード線長さ1
.8■はスポット浴接を行うのに支障のない寸法であっ
て、これより短くすることはきわめて1麺な寸法である
。この条件にて作製し几コンデン!100−につき漏れ
電流および信頼性をみ几結来は下表のとおりである。
レーム材料#I&厚さ0.21all@t 、リード層
と噛−フレームとのlIr接条件YAGヒーず、電圧6
50vパルス−7膳1.照射速度1回/廖、外装エポキ
シlIt脂、完成品寸法高さ1.2■×長さ3.2■×
−1,61であシ、従来例は定格、外装樹脂は木兄―と
同じ−のを用い、リード線#i0.25■−X長さ1.
8■、端子7レーム材料は42襲ニッケルm厚さ0.2
5閤t1 リード−と−憾フレームとの溶mはスボツ)
浴接、完成品寸法高さ1.7閣t X長さ4.6■tX
111i@2.5+111である。なおリード線長さ1
.8■はスポット浴接を行うのに支障のない寸法であっ
て、これより短くすることはきわめて1麺な寸法である
。この条件にて作製し几コンデン!100−につき漏れ
電流および信頼性をみ几結来は下表のとおりである。
なお信頼性は85゛C中に定格電圧(35V)印加して
1000に放置し友ときの60%信頼性水準値である。
1000に放置し友ときの60%信頼性水準値である。
以上述べたように本発明によればコンデンf素子(22
)のり一ド@(21)と陽−7レーム(26)との溶)
j 接および―記す−ド[(21)の切断にレーザ光線を用
いることによって従来例のリード線U)とill!極端
子(3)の如き折曲げた溶接部k)を心安としないので
り一ド麹(21)の長さを短くでき小形化が容易になる
し−またコンダン1#″嵩子(22)に機械的ストレス
が全くかからないので漏れ電板特性、伽叡性の鹸れたチ
ップ脂崩体電解コンデン!を得ることができる。さらに
従来例のようにスポット浴接を使用した場合に#i端子
7レーム材料として電気抵抗の小さい1I47にとは使
用できずF・、Niなど比較釣鬼気抵抗値の大きい材料
を使用しな゛ければならないが、これらの材料はコンデ
ン!を1路に組込む場合を想定して表面処理を励してハ
ンダ付は鴨舵な状態にしておかなければならないが、本
光−の一合に#1li11など電気抵払麹が低くそのま
1でハンダ付は容易な材料を使用できする利点があり端
子フレームの表面処置を雀〈ことができる。
)のり一ド@(21)と陽−7レーム(26)との溶)
j 接および―記す−ド[(21)の切断にレーザ光線を用
いることによって従来例のリード線U)とill!極端
子(3)の如き折曲げた溶接部k)を心安としないので
り一ド麹(21)の長さを短くでき小形化が容易になる
し−またコンダン1#″嵩子(22)に機械的ストレス
が全くかからないので漏れ電板特性、伽叡性の鹸れたチ
ップ脂崩体電解コンデン!を得ることができる。さらに
従来例のようにスポット浴接を使用した場合に#i端子
7レーム材料として電気抵抗の小さい1I47にとは使
用できずF・、Niなど比較釣鬼気抵抗値の大きい材料
を使用しな゛ければならないが、これらの材料はコンデ
ン!を1路に組込む場合を想定して表面処理を励してハ
ンダ付は鴨舵な状態にしておかなければならないが、本
光−の一合に#1li11など電気抵払麹が低くそのま
1でハンダ付は容易な材料を使用できする利点があり端
子フレームの表面処置を雀〈ことができる。
第1[tj従来のチップ漏固体電解コンデンナの正に面
一、第2図は従来のチップIIj廁体電糎コンデンナの
他の例を示す平向図、第3図〜第7図は本発明の夷&鉤
を示すものでls3図はコンデンを素子を餐j4IIi
に溶接した状態を示す正面図、第4凶はコンデンす素子
を端子7レームに接続した伏線を不す止Ek1図、第5
図は同じく一向図、第6図Hayンデンサ襄子に1m4
に7レームと陰−フレームをil!mおよびハンダ付け
した状態を不丁止向図、第7図はチップJJM一体電解
コンデンサの正謝−図である。 (211−−−−リード@ (22+−−−−−−コ
ンデンを素子(233−−−−−曽画板 (243−−
−一端子7レーム(25)−−−一陰慎フレーム (2
6) −−−−Jim 41k yシーム+2フ3.−
−一−浴接部 (281−一−−−レーザ発振器+2
91−−−一集光レンズ (30)(31)−−−一取
一部(32>−−−−−1f脂 (33)−−−−−
一タイバー特許出願人 !ルコン電子株式会社
一、第2図は従来のチップIIj廁体電糎コンデンナの
他の例を示す平向図、第3図〜第7図は本発明の夷&鉤
を示すものでls3図はコンデンを素子を餐j4IIi
に溶接した状態を示す正面図、第4凶はコンデンす素子
を端子7レームに接続した伏線を不す止Ek1図、第5
図は同じく一向図、第6図Hayンデンサ襄子に1m4
に7レームと陰−フレームをil!mおよびハンダ付け
した状態を不丁止向図、第7図はチップJJM一体電解
コンデンサの正謝−図である。 (211−−−−リード@ (22+−−−−−−コ
ンデンを素子(233−−−−−曽画板 (243−−
−一端子7レーム(25)−−−一陰慎フレーム (2
6) −−−−Jim 41k yシーム+2フ3.−
−一−浴接部 (281−一−−−レーザ発振器+2
91−−−一集光レンズ (30)(31)−−−一取
一部(32>−−−−−1f脂 (33)−−−−−
一タイバー特許出願人 !ルコン電子株式会社
Claims (1)
- (1)コンデン!素子が1するり一ド一の先端下向に該
リード線に対して略直角に&絖した4憾フレームおよび
腕記コンデンナ素子の#II一層に従続した陰l1IL
フレームとを具伽し、該−慎フレームおよびtt*礁7
レームの取智部を除きat脂外験したチップIjII一
体電解コンデンナ。 (2JI#憾7レームおよび111417レームが銅か
らなるこ゛とを特徴とする特許−求の軛曲第(1)狽記
載のチップ漏幽体電解コンデンサ。 (Sコンデン?素子に植設し几す−ド巌を並II4板に
溶接したのち該コンデンナ禦子に化成皮膜、二酸化マン
ガン層、半導体層、隘一層を形成する工程と、該工程の
のちに前記コン′ゾンデ雪子の隘―層に端子7レームの
論憾7レームおよび削紀リード線に鋏す−ド融に対し略
直角に引き起こされた端子フレームの−に7レームをそ
れぞれ当扱する工程と、該工程ののち則配−一層にIl
ji1mフレームをハシダ付けしリード線に一憾フレー
ムなレーザ光騙で浴I&lIならびにリード線を切断す
る工程と、該工程ののちこれらを11脂で成形し端子フ
レームのタイバーを切断してなるチップ型一体電解コン
デン!のl1If[方法・(4)端子フレームが−から
なることを特徴とする特許請求の軛囲第(3〕積に記載
のチップ撤一体電解コンデンナの鵬造方法。 (Sリード給と#I−フレームとの従続およびリード線
の切断なレーず光−で同時に行うことを特徴とする特許
請求の乾囲第(3)IIま友は第(4)項に記載のチッ
プ型囚体電解コンデンナのl1ilfi方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15799581A JPS5858721A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | チツプ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15799581A JPS5858721A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | チツプ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5858721A true JPS5858721A (ja) | 1983-04-07 |
Family
ID=15661935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15799581A Pending JPS5858721A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | チツプ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5858721A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6021517A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | 日本電気株式会社 | チツプ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JPS6411530U (ja) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | ||
JP2002198260A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Nippon Chemicon Corp | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
-
1981
- 1981-10-02 JP JP15799581A patent/JPS5858721A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6021517A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | 日本電気株式会社 | チツプ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JPS6411530U (ja) * | 1987-07-10 | 1989-01-20 | ||
JP2002198260A (ja) * | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Nippon Chemicon Corp | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
JP4517507B2 (ja) * | 2000-12-26 | 2010-08-04 | 日本ケミコン株式会社 | チップ型固体電解コンデンサの製造方法 |
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