JPS5856442A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPS5856442A JPS5856442A JP56155102A JP15510281A JPS5856442A JP S5856442 A JPS5856442 A JP S5856442A JP 56155102 A JP56155102 A JP 56155102A JP 15510281 A JP15510281 A JP 15510281A JP S5856442 A JPS5856442 A JP S5856442A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 29
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 claims 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000061354 Manilkara achras Species 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 241000269821 Scombridae Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000020640 mackerel Nutrition 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通悟などの万ブトエレクトロニクス分野に通
用される半導体装置およびその製造方法に係り、符にサ
ファイアなどの石英を主成分とする誘電体からなる光透
過用窓部材を備え、封止部材を用いて気密封止するキャ
ップを有する半導体装置お↓びその製造方法に関する０ 従米この樵の半導体装置における光透過用窓付キャップ
の製造方法としては、２つの方法が提案されている。第
１の方法にメタライズ法によるもマンガンなどのように
容易に酸化物を形成する金属粉末の混合ｑｍｔサファイ
アなどからなる光透過用窓部材の気密封上部に塗布して
焼成し光透過用窓部材の気密封止部の表面を予め金属化
（メタライズ処理）シ、次に銀ろうなどのろう合金を用
いてキャップと光透過用窓部材のメタライズ処理部分と
ｔ気密封止する方法で６る。
用される半導体装置およびその製造方法に係り、符にサ
ファイアなどの石英を主成分とする誘電体からなる光透
過用窓部材を備え、封止部材を用いて気密封止するキャ
ップを有する半導体装置お↓びその製造方法に関する０ 従米この樵の半導体装置における光透過用窓付キャップ
の製造方法としては、２つの方法が提案されている。第
１の方法にメタライズ法によるもマンガンなどのように
容易に酸化物を形成する金属粉末の混合ｑｍｔサファイ
アなどからなる光透過用窓部材の気密封上部に塗布して
焼成し光透過用窓部材の気密封止部の表面を予め金属化
（メタライズ処理）シ、次に銀ろうなどのろう合金を用
いてキャップと光透過用窓部材のメタライズ処理部分と
ｔ気密封止する方法で６る。
このような方法を用いた光透過用窓付キャップの断面図
全第１図に示す。
全第１図に示す。
同図においてｘ（１チタン、鉄−ニッケルーコバルト合
金（コバール）などからなるキャップ、２は光透過用窓
、３にサファイアなどからなる光透過用窓部材、４はメ
タライズ層、５は銀ろうｔ示すＯ しかしながら、このような気密封止方法は光透過用窓部
材に予め前述のメタライズ処理を施丁ことが必要で製造
工程が複雑となりコスト面で高価となる欠点がある。
金（コバール）などからなるキャップ、２は光透過用窓
、３にサファイアなどからなる光透過用窓部材、４はメ
タライズ層、５は銀ろうｔ示すＯ しかしながら、このような気密封止方法は光透過用窓部
材に予め前述のメタライズ処理を施丁ことが必要で製造
工程が複雑となりコスト面で高価となる欠点がある。
後者の方法はチタン、ジルコニウムなトド銀ろうを組み
合せた封止部材を用いる活性合金化法である。これは真
空中で高温に加熱するとチタン。
合せた封止部材を用いる活性合金化法である。これは真
空中で高温に加熱するとチタン。
ジルコニウムなどが銀ろう中に拡散するとともに光透過
用窓部材の酸化物中に拡散し酸素と強く粘付する性ＪＸ
ｔ利用して気密封止を行なうものである。この活性合金
化法による気密封止方法としては１元透過用窓部材にサ
ファイア、キャップにチタンを用い、封止部材としてチ
タン線の外周に銀ろうを被覆した１０％Ｔ１芯ＢＴろう
（チタンの重量比が１０％）を用いて真空中で９３０〜
９フＯ℃に加熱することにエフ気密封止することが提案
されている。この活性合金化法によれば光透過用窓部材
にメタライズ処理を施さなくてもしくなる反面、キャッ
プにチタンを用いなければならずメタライズ法と同様に
コスト向で高価になるという欠点がある。
用窓部材の酸化物中に拡散し酸素と強く粘付する性ＪＸ
ｔ利用して気密封止を行なうものである。この活性合金
化法による気密封止方法としては１元透過用窓部材にサ
ファイア、キャップにチタンを用い、封止部材としてチ
タン線の外周に銀ろうを被覆した１０％Ｔ１芯ＢＴろう
（チタンの重量比が１０％）を用いて真空中で９３０〜
９フＯ℃に加熱することにエフ気密封止することが提案
されている。この活性合金化法によれば光透過用窓部材
にメタライズ処理を施さなくてもしくなる反面、キャッ
プにチタンを用いなければならずメタライズ法と同様に
コスト向で高価になるという欠点がある。
ｗＩｚ図にこの場合の光透過用窓付キャップの要部断面
図を示し、２１はチタンからなるキャップ、２２はチタ
ン線、２３は銀ろうでめり、気密封止の際の加熱により
１０％Ｔ１芯ＢＴ ろうの銀ろうが溶融し、チタン線２
２と銀ろう２３とになったものでおる。なお部位２．３
に前記第１図の部位２．３と同一部位を示す。
図を示し、２１はチタンからなるキャップ、２２はチタ
ン線、２３は銀ろうでめり、気密封止の際の加熱により
１０％Ｔ１芯ＢＴ ろうの銀ろうが溶融し、チタン線２
２と銀ろう２３とになったものでおる。なお部位２．３
に前記第１図の部位２．３と同一部位を示す。
本発明は後者の活性合金化法によりキャップに制御面な
チタン【用いずに鉄−ニッケルーコバルト合金または鉄
−ニッケル合金を用−て接着強度および気密特性を満足
する光透過用窓付キャップ七肩する牛導体装置＃ｔｋ安
価に提供しようとするものである。
チタン【用いずに鉄−ニッケルーコバルト合金または鉄
−ニッケル合金を用−て接着強度および気密特性を満足
する光透過用窓付キャップ七肩する牛導体装置＃ｔｋ安
価に提供しようとするものである。
なお１本発明田願人は特願昭５４−１７００４９号ｔも
って鉄−ニッケルーコバルト合金またに鉄−ニッケル台
金から構成されるキャップにサファイアからなる光透過
窓部材ｔガラス【用いて気密封止する構成を提案してい
る０本発明はかかる先願発明において提案される気密封
止構造よりも更に高温域での使用が可能な気密封止構造
【提供しょうとするものであるＯ 本発明によれば鉄−ニッケルーコバルト合金または鉄−
ニッケル台金からなり光透過用窓を有するキャップと石
英を主成分とする誘電体からなる光透過用窓部材’ｉ：
Ｊｊ止部材を介して気密封止してなる光透過用窓付キャ
ップｔｖする半導体装置において、前記キャップと前記
光透過用窓部材にチタン部材および銀ろつを封止部材と
して気密封止されてなること７％値とする半導体装置が
提供される。
って鉄−ニッケルーコバルト合金またに鉄−ニッケル台
金から構成されるキャップにサファイアからなる光透過
窓部材ｔガラス【用いて気密封止する構成を提案してい
る０本発明はかかる先願発明において提案される気密封
止構造よりも更に高温域での使用が可能な気密封止構造
【提供しょうとするものであるＯ 本発明によれば鉄−ニッケルーコバルト合金または鉄−
ニッケル台金からなり光透過用窓を有するキャップと石
英を主成分とする誘電体からなる光透過用窓部材’ｉ：
Ｊｊ止部材を介して気密封止してなる光透過用窓付キャ
ップｔｖする半導体装置において、前記キャップと前記
光透過用窓部材にチタン部材および銀ろつを封止部材と
して気密封止されてなること７％値とする半導体装置が
提供される。
また、鉄−ニッケルーコバルト合金または鉄−ニッケル
合金からなり光透過用窓を有するキャップと石英を主成
分とする誘電体からなる光透過用窓部材を封止部材を介
して気密封止してなる光透過用窓付キャップを有する半
導体装置の製造方法において、前記キャップと前記光透
過用窓部材のすることｔ−特徴とする半導体装置の＊遣
方法が提供される。
合金からなり光透過用窓を有するキャップと石英を主成
分とする誘電体からなる光透過用窓部材を封止部材を介
して気密封止してなる光透過用窓付キャップを有する半
導体装置の製造方法において、前記キャップと前記光透
過用窓部材のすることｔ−特徴とする半導体装置の＊遣
方法が提供される。
本発明は活性４！ｒ金化法の特質を利用し鉄−ニッケル
ーコバルト合金または鉄−ニッケル合金からなるキャッ
プとサファイアなどからなる光透過用窓部材との気密封
止部に憾ろうおよびチタンリング、チタンＭなどからな
るチタン部材金介在させて加熱することに工９チタンが
銀ろうの中へ拡散する合金液化現象を利用するとともに
銀ろう中のチタンが光透過用窓部材の酸化物中に拡散し
、酸素と強く結合することを利用して強固に気密封止す
るようにしたものである。
ーコバルト合金または鉄−ニッケル合金からなるキャッ
プとサファイアなどからなる光透過用窓部材との気密封
止部に憾ろうおよびチタンリング、チタンＭなどからな
るチタン部材金介在させて加熱することに工９チタンが
銀ろうの中へ拡散する合金液化現象を利用するとともに
銀ろう中のチタンが光透過用窓部材の酸化物中に拡散し
、酸素と強く結合することを利用して強固に気密封止す
るようにしたものである。
以下本発明の実施例にっ−て図面ｔ＃照しｉ＃細に説明
する。
する。
第３図は本発明にかかる光透過用窓付ギャップの気密封
止する前の組立状ａｔｍ示す断面図である。
止する前の組立状ａｔｍ示す断面図である。
同図において３１は鉄−ニッケルーコバルト合金ま九は
鉄−ニッケル合金からなるキャップ。
鉄−ニッケル合金からなるキャップ。
３２に釧ろう、３３はチタンリング、３４はカーボン、
ステンＶスなどからなる重９でおる。なお部位２．３ｒ
Ｃ前記第１図の部位礼 ３と同一部位金示す。なお、銀
ろう３′２に板状であってもよく、ま次中ヤッグ３１と
光透過用窓部材３との間にチタンリング３３といっしょ
に挾み込んでもよｉｏまたチタンリング３３は線状でも
より。なお薄板状のチタンリングはチタン板金プレス加
工などにより打抜くほか、チタンパイプを薄く切断して
も調達することができる。
ステンＶスなどからなる重９でおる。なお部位２．３ｒ
Ｃ前記第１図の部位礼 ３と同一部位金示す。なお、銀
ろう３′２に板状であってもよく、ま次中ヤッグ３１と
光透過用窓部材３との間にチタンリング３３といっしょ
に挾み込んでもよｉｏまたチタンリング３３は線状でも
より。なお薄板状のチタンリングはチタン板金プレス加
工などにより打抜くほか、チタンパイプを薄く切断して
も調達することができる。
周知の方法によりキャップ形状に成形したキャップ３１
にチタンリング３３お工びサファイアからなる光透過用
窓部材３、銀７２チ、鋼２８チの組成からなる銀ろう３
２１重ｖ３４（ｉ−図のように組立て真空中またに不活
性雰囲気中で約９５０１：に加熱することによりキャッ
プと光透過用窓部材を気密封止することができる。気密
封止後の要部断面図を第４図に示す。
にチタンリング３３お工びサファイアからなる光透過用
窓部材３、銀７２チ、鋼２８チの組成からなる銀ろう３
２１重ｖ３４（ｉ−図のように組立て真空中またに不活
性雰囲気中で約９５０１：に加熱することによりキャッ
プと光透過用窓部材を気密封止することができる。気密
封止後の要部断面図を第４図に示す。
なお・キャップと光透過用窓部材の気密封上部に介在さ
せるチタン部材は銀ろ５との重量比でチタンが１５〜６
０％とするのがよい。
せるチタン部材は銀ろ５との重量比でチタンが１５〜６
０％とするのがよい。
この実験の給米を下表に示す０これはチタン部材の重量
比？変えてその影ｖ葡気密特性との関係かかる実験によ
るとチタンの重量比が小さいと銀ろう中にチタンが十分
に拡散されず１０％以下では気密封止することができな
かった。１５％未満では気密封止はある程度まで可能で
あるが、気密特性および接着強度が十分でないため実用
上好ましくな一〇さらにチタンの重量比が大きくなり６
０％勿越えるようになると銀ろうの量が少なくなり気密
時性が悪化するとともに気密封止部における銀ろうの行
きわ交ｖが不安定となるので接着強度が低下し実用上好
ましくない。なお気密時性の判定Ｆ′ｉ、ｌ ｘ １０
−” ａｔｍ−ｃｃ／ｓｅａ、以下の検出感度′ＩＫ−
有するヘリウムリークディテクターを用いて行なり九〇 このようにして光透過用窓部材を気密封止したキャップ
に、光半導体素子を載置して該半導体素子とリード端子
とを接続線によりボンディングし任 た基板を溶接固着し、該半導体素子を気密封入すること
により本発明の半導体装置が完成される。
比？変えてその影ｖ葡気密特性との関係かかる実験によ
るとチタンの重量比が小さいと銀ろう中にチタンが十分
に拡散されず１０％以下では気密封止することができな
かった。１５％未満では気密封止はある程度まで可能で
あるが、気密特性および接着強度が十分でないため実用
上好ましくな一〇さらにチタンの重量比が大きくなり６
０％勿越えるようになると銀ろうの量が少なくなり気密
時性が悪化するとともに気密封止部における銀ろうの行
きわ交ｖが不安定となるので接着強度が低下し実用上好
ましくない。なお気密時性の判定Ｆ′ｉ、ｌ ｘ １０
−” ａｔｍ−ｃｃ／ｓｅａ、以下の検出感度′ＩＫ−
有するヘリウムリークディテクターを用いて行なり九〇 このようにして光透過用窓部材を気密封止したキャップ
に、光半導体素子を載置して該半導体素子とリード端子
とを接続線によりボンディングし任 た基板を溶接固着し、該半導体素子を気密封入すること
により本発明の半導体装置が完成される。
この状態の半導体装置の夾施例會第５図に示す〇同図に
おいて、５１に鉄−ニッケルーコバルト合金、鉄−ニッ
ケル合金などからなるアイレット、５２に該アイレット
５上上に固層されｔ光半導体素子、５３に該半導体素子
５２から導出された接続［５４が接続され九リード端子
、５５は該リード端子５３ｉアイレツト５１に固着する
ガラスである。なお部位２，３．３１〜３３ｒｒ、前記
第４図に示すそれぞれの部位と同一部位を示す。
おいて、５１に鉄−ニッケルーコバルト合金、鉄−ニッ
ケル合金などからなるアイレット、５２に該アイレット
５上上に固層されｔ光半導体素子、５３に該半導体素子
５２から導出された接続［５４が接続され九リード端子
、５５は該リード端子５３ｉアイレツト５１に固着する
ガラスである。なお部位２，３．３１〜３３ｒｒ、前記
第４図に示すそれぞれの部位と同一部位を示す。
第６図に本兄例の他の実施例を示すもので、第４図の場
せと異なるのに封止部材としてのチタンと銀ろうｔ一体
化したものｔ用いることである。
せと異なるのに封止部材としてのチタンと銀ろうｔ一体
化したものｔ用いることである。
すなわち第７図＜Ｑ）に示すよりなチタン＋ｌ！ｔ−芯
として外側に同心状に銀ろうｔクラッド法などにより被
覆した封止部材を用いて気密封止した場合のＪｆＲ部′
ｔｆｒ面図である。この封止部材はチタン線に鯖ろうｔ
被覆した線材ｔコイル状に密着巻きし切断することによ
り容易に製造することができる。本夾施例によれば、銀
ろうまたにチタン部材の組立工程が一工程省略できるの
で量産性に優れる効果がある。
として外側に同心状に銀ろうｔクラッド法などにより被
覆した封止部材を用いて気密封止した場合のＪｆＲ部′
ｔｆｒ面図である。この封止部材はチタン線に鯖ろうｔ
被覆した線材ｔコイル状に密着巻きし切断することによ
り容易に製造することができる。本夾施例によれば、銀
ろうまたにチタン部材の組立工程が一工程省略できるの
で量産性に優れる効果がある。
また同心状に限らず、第１図（切に示すようにチタンに
銀ろうｔクラッド法などにより積層状に被着させたチタ
ン板金プレスによる打抜加工などにより成形して封止部
材としてもよい。この場合、前記同心状と同様の効果の
はか更に気密封止部の銀ろうの行きわた９が極めて良好
となる効果がある。
銀ろうｔクラッド法などにより積層状に被着させたチタ
ン板金プレスによる打抜加工などにより成形して封止部
材としてもよい。この場合、前記同心状と同様の効果の
はか更に気密封止部の銀ろうの行きわた９が極めて良好
となる効果がある。
なお、封止部材は前述の縁状および板状のほか球状の銀
ろうおよびチタンを光透過用窓部材の周辺に配置して加
熱し気密封止することも可能で６る０ また、−ずれの場合にもチタ／と銀ろうの重量比はチタ
ンｔ″１５〜６０％とすることがａｔ ｔ、ｚことは前
述のとおりで６る◇ 本発明によればキャップに鉄−ニッケルーコバルト合金
またに鉄−ニッケル合金を使用しサファイアなどの石英
を主成分とする光透過用窓部材にメタライズ処理を施さ
ずにキャップと光透過用窓部材を気密封止することがで
きるため、製造工程が簡略となり、作業効率、歩留りが
向上するとともに量産性に優れ、接着強度および気密特
性を満足する光透過用窓付キャップを有する半導体装置
を提供することができる。
ろうおよびチタンを光透過用窓部材の周辺に配置して加
熱し気密封止することも可能で６る０ また、−ずれの場合にもチタ／と銀ろうの重量比はチタ
ンｔ″１５〜６０％とすることがａｔ ｔ、ｚことは前
述のとおりで６る◇ 本発明によればキャップに鉄−ニッケルーコバルト合金
またに鉄−ニッケル合金を使用しサファイアなどの石英
を主成分とする光透過用窓部材にメタライズ処理を施さ
ずにキャップと光透過用窓部材を気密封止することがで
きるため、製造工程が簡略となり、作業効率、歩留りが
向上するとともに量産性に優れ、接着強度および気密特
性を満足する光透過用窓付キャップを有する半導体装置
を提供することができる。
第１図ｒｃ従来のメタライズ処理を施した光透過用窓付
キャップの断面図、第２図は従来の１０チが・ Ｔｉ＄ＢＴ ろうｔ用いた場合の要部断面図、第３図に
本発明の実施例の組立状態を示す断面図、第４図にその
気萱封止後の要部断面図、第５図に本発明による半導体
装置の実施例を示す断面図、第向図である。 図におりて。 １．２１．３１ ・・・・・・・・・キャップ２・・
・・・・・・・・・・光透過用窓３・・・・・・・・・
・・・光透過用窓゛部材番・・・・・・・・・・・・メ
タライズ層５．２３，３２．）２ ・・・・・・・・・
銀ろう２２、〒１・・・・・・・・・チタン線３３、フ
３・・・・・・・・・チク／リング３４・・・・・・・
・・重り ５１・・・・・・・・・アイレット ５２・・・・・・・・・元手導体素子 ５３・・・・・・・・・リード端子 ６４・・・・・・・・・優続線 第６図 ？？ 算７図 （＋！１２） （ｂ）
キャップの断面図、第２図は従来の１０チが・ Ｔｉ＄ＢＴ ろうｔ用いた場合の要部断面図、第３図に
本発明の実施例の組立状態を示す断面図、第４図にその
気萱封止後の要部断面図、第５図に本発明による半導体
装置の実施例を示す断面図、第向図である。 図におりて。 １．２１．３１ ・・・・・・・・・キャップ２・・
・・・・・・・・・・光透過用窓３・・・・・・・・・
・・・光透過用窓゛部材番・・・・・・・・・・・・メ
タライズ層５．２３，３２．）２ ・・・・・・・・・
銀ろう２２、〒１・・・・・・・・・チタン線３３、フ
３・・・・・・・・・チク／リング３４・・・・・・・
・・重り ５１・・・・・・・・・アイレット ５２・・・・・・・・・元手導体素子 ５３・・・・・・・・・リード端子 ６４・・・・・・・・・優続線 第６図 ？？ 算７図 （＋！１２） （ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （η 鉄−ニッケルーコバルト合金ま九に鉄−ニッケル
合金からなり光透過用窓を有するキャップと石英勿土成
分とするｇ電体からなる光透過用窓部材を樹上部材ｒ介
して気密封止してなる光透過用窓付キャップ？有する半
導体装置において、前記キャップと前記光透過用窓部材
にチタン部材および釧ろうｔ−封止部材として気密封止
されてなることｔ特徴とする半導体装置。 （２）前記テクノ部材と銀ろうとの重重比はチタン部材
が１５〜６０％である特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置。 （３） ？−ニッケルーコバルト合金を九ｒｚｍ−ニ
ッケル会金からなり光透過用窓ｔ−有するキャップと石
英を主成分とする誘電体からなる光透過用窓部材ｙ：ｉ
ｒ：封止部材ｒ介して気密封止してなる光透過用窓付ギ
ャップを有する半導体装置の製造方法にお９て、前記キ
ャップと前記光透過用窓部材の気密封止部近傍°にチタ
ン部材２工び鉄ろうｒ配置して、前記銀ろう（！−７１
１１熱浴融させることにより気密封止することに％徴と
する半導体装置の製造方法。 （４）前記チタン部材に銀ろう層を一体に形成した封止
部材を用いて気密封止する特許請求の範囲第３項記載の
半導体ｇ＆直の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155102A JPS5856442A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56155102A JPS5856442A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5856442A true JPS5856442A (ja) | 1983-04-04 |
| JPS6347148B2 JPS6347148B2 (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=15598659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56155102A Granted JPS5856442A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5856442A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4766095A (en) * | 1985-01-04 | 1988-08-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing eprom device |
| JPH01229917A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Nippon Soken Inc | 着火時期センサ |
| JP2008277395A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Kyocera Corp | 光素子用窓部材ならびに光素子収納用パッケージおよび光モジュール |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP56155102A patent/JPS5856442A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4766095A (en) * | 1985-01-04 | 1988-08-23 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing eprom device |
| JPH01229917A (ja) * | 1988-03-10 | 1989-09-13 | Nippon Soken Inc | 着火時期センサ |
| JP2008277395A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Kyocera Corp | 光素子用窓部材ならびに光素子収納用パッケージおよび光モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6347148B2 (ja) | 1988-09-20 |
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