JPS5852826A - 位置合わせ信号処理装置 - Google Patents
位置合わせ信号処理装置Info
- Publication number
- JPS5852826A JPS5852826A JP56151531A JP15153181A JPS5852826A JP S5852826 A JPS5852826 A JP S5852826A JP 56151531 A JP56151531 A JP 56151531A JP 15153181 A JP15153181 A JP 15153181A JP S5852826 A JPS5852826 A JP S5852826A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- switch
- circuit
- mask
- signals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 241000257465 Echinoidea Species 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本尭明は、例えば牛導体製遼工１１ＩＣ１にいてパタ遁
装置に関するものである。
装置に関するものである。
半導体焼付は装置の自動位置合わせでは一般的に対象の
位置を検知するために光電検出手段が使用されている。
位置を検知するために光電検出手段が使用されている。
例えば、従来の装置では光源としてレーダー光を用いて
対象を走査し、第１図（ａ）、（ｂｌに示すクエへ−と
マスク上の位置合わせ用マークパターンＷ、Ｍから散糺
される光をフォトダイオードで光電検出して、その出力
信号がパターンＷ％Ｍ同志の距離の情報を含んでいるこ
とを利用してクエへ−とマスクの相対的位置を検知して
いる。この位置会わせは上記のようにして検出されたマ
ークパターンＷ、Ｍを第１図（ｃ） Ｋ、示すような位
置関係に導（ことｋより行なわれる。マークパターンＷ
％Ｍと実素子を構成するパターンとは定められた関係に
あるので、マークパターンＷ、Ｍ同志を所定の位置関係
に導けば、クエへ−とマスク上の臭素子パターンは正し
く位置合わせされたことになる１、マークパターンＷ％
Ｍ同志の位置関係が検出されれば、所定の関係との差を
調べてこの差がな（なるよう化駆動機構を作動させれば
よい。ウェハーとマスクの位置合わせは二次元的な自由
度を全て制御する必要があり、通常はウェハー及びマス
ク上の複数個の場所を観測して行なわれている。
対象を走査し、第１図（ａ）、（ｂｌに示すクエへ−と
マスク上の位置合わせ用マークパターンＷ、Ｍから散糺
される光をフォトダイオードで光電検出して、その出力
信号がパターンＷ％Ｍ同志の距離の情報を含んでいるこ
とを利用してクエへ−とマスクの相対的位置を検知して
いる。この位置会わせは上記のようにして検出されたマ
ークパターンＷ、Ｍを第１図（ｃ） Ｋ、示すような位
置関係に導（ことｋより行なわれる。マークパターンＷ
％Ｍと実素子を構成するパターンとは定められた関係に
あるので、マークパターンＷ、Ｍ同志を所定の位置関係
に導けば、クエへ−とマスク上の臭素子パターンは正し
く位置合わせされたことになる１、マークパターンＷ％
Ｍ同志の位置関係が検出されれば、所定の関係との差を
調べてこの差がな（なるよう化駆動機構を作動させれば
よい。ウェハーとマスクの位置合わせは二次元的な自由
度を全て制御する必要があり、通常はウェハー及びマス
ク上の複数個の場所を観測して行なわれている。
従来技術に於いては、前記の各観測場所ではウェハー及
びマスクから戻ってくる光信号をＩＷＡ。
びマスクから戻ってくる光信号をＩＷＡ。
光電検出器だけで検知していたので、両者が干渉し合っ
て不安定な信号となり、自動位置合わせが不可能になっ
たり、位置合わせ精度が悪化するという欠点があった。
て不安定な信号となり、自動位置合わせが不可能になっ
たり、位置合わせ精度が悪化するという欠点があった。
更には得られた信号中のマスクパターンＷ、Ｍに相当す
るピーク信号は、立上り巾が広いものとなりがちである
が、ピーク信号のレベルが必ずしも所定のレベル以上の
値で得られないために、ピークカット櫨を定めて信号を
鮮鋭化し高精度の位置合わせ情報を得ることはなかなか
困難である。
るピーク信号は、立上り巾が広いものとなりがちである
が、ピーク信号のレベルが必ずしも所定のレベル以上の
値で得られないために、ピークカット櫨を定めて信号を
鮮鋭化し高精度の位置合わせ情報を得ることはなかなか
困難である。
本発明の目的は、上述のような従来技術の欠点を解消し
、位置合わせの対象となるマスクとウェハーのそれぞれ
から戻ってくる光信号を別々に検知し、安定な信号成分
の振巾に合わせて、それぞれ相対的なし奮い憾で振巾弁
別することにより位置合わせパターンを示すアナログ信
号をデジタル信号に変換し、位置合わせな高精度に行な
う自動位置合わせ装置を提供することにあり、その内容
は、対象となるマークバターｙに関して配置した複徽個
の検出器により複数の検知信号を求め、検知信号ごとに
不必要な不安定信号成分を除去し、必要な安定信号成分
を抽出してその信号レベルを基に適切なしきい値を決定
し、前記検知信号からこのしきい値以上のレベル信号を
デジタル信号に変換して、これらの変換されたデジタル
信号を合成することを特徴とするものである。
、位置合わせの対象となるマスクとウェハーのそれぞれ
から戻ってくる光信号を別々に検知し、安定な信号成分
の振巾に合わせて、それぞれ相対的なし奮い憾で振巾弁
別することにより位置合わせパターンを示すアナログ信
号をデジタル信号に変換し、位置合わせな高精度に行な
う自動位置合わせ装置を提供することにあり、その内容
は、対象となるマークバターｙに関して配置した複徽個
の検出器により複数の検知信号を求め、検知信号ごとに
不必要な不安定信号成分を除去し、必要な安定信号成分
を抽出してその信号レベルを基に適切なしきい値を決定
し、前記検知信号からこのしきい値以上のレベル信号を
デジタル信号に変換して、これらの変換されたデジタル
信号を合成することを特徴とするものである。
本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
第２図は本発明の実施例の基本構成を示すブロック回路
図であり、１はクエへ−かｂＲ）て（為光信号を検知す
る第１０光電検出器、２はマスクから戻ってくる光信号
を検知する第２０光電検出器であって、それぞれ第１、
第２ｏ増巾器る、４に接続されている。第１の増巾器３
の出力は、第１の増巾器６と第２の増巾器４の出力信号
を択一的に切ｅ１える非接点切換スイッチ５、及び第１
の振巾弁別回路６に接続されている。又、第２の増巾器
４の出力は、前記切換スイッチ５及び第２の振巾弁別回
路７に入力するようになっている、これらの第１、第２
の振巾弁別回路６．７の出方は必要な信号成分のみを選
択抽出して合成する信号成分回路８を経て演算部、記憶
部を備える制御回路９に接続されている。一方、スイッ
チ５を経由した第１又は第２の増巾器６．４の出力はロ
ーパスフィルタ１０、切換スイッチ１１を経てＡＤ変換
器１２４こ、更に前記制御回路９に送出されゐ。
図であり、１はクエへ−かｂＲ）て（為光信号を検知す
る第１０光電検出器、２はマスクから戻ってくる光信号
を検知する第２０光電検出器であって、それぞれ第１、
第２ｏ増巾器る、４に接続されている。第１の増巾器３
の出力は、第１の増巾器６と第２の増巾器４の出力信号
を択一的に切ｅ１える非接点切換スイッチ５、及び第１
の振巾弁別回路６に接続されている。又、第２の増巾器
４の出力は、前記切換スイッチ５及び第２の振巾弁別回
路７に入力するようになっている、これらの第１、第２
の振巾弁別回路６．７の出方は必要な信号成分のみを選
択抽出して合成する信号成分回路８を経て演算部、記憶
部を備える制御回路９に接続されている。一方、スイッ
チ５を経由した第１又は第２の増巾器６．４の出力はロ
ーパスフィルタ１０、切換スイッチ１１を経てＡＤ変換
器１２４こ、更に前記制御回路９に送出されゐ。
又、上述の第１又は第２の増巾器３．４の出力は、更に
スイッチ１３を経てピークホールド回路１４に送信され
、前記切換スイッチ１１を介してＡＤ変換器１２に接続
されている。制御回路９は、前述のＡＤ変換器１２、信
号合成回路８かも得られた値を記憶、演算すると共に、
算出したしきい値なｓｌ、第２の振巾弁別回路６．７に
送出し、更には切換スイッチ５．１１、スイッチ１３に
切換指示信号を発信するようになっている。
スイッチ１３を経てピークホールド回路１４に送信され
、前記切換スイッチ１１を介してＡＤ変換器１２に接続
されている。制御回路９は、前述のＡＤ変換器１２、信
号合成回路８かも得られた値を記憶、演算すると共に、
算出したしきい値なｓｌ、第２の振巾弁別回路６．７に
送出し、更には切換スイッチ５．１１、スイッチ１３に
切換指示信号を発信するようになっている。
例エバウェハーとマスクのマークパターンＷ１Ｍが第６
図（（転）に示す位置関係にあるときに、レーザー光り
の走査のもとに第１の光電検出器１ではウェハーのマー
クパターンＷを検知すゐ。この第１の光電検出器１で検
知される検知信号８ｗ には、第６図（ｂ）に示すよう
に本来のマークパターンＷによるパターン信号２０以外
に、干渉現象によって生ずるマスクのマークパターンＭ
の不安定な信号２１も含破れることになる。更に検知信
号８ｗにはクエへ−面から一様に反射された光によるバ
イアス的な信号２２も含まれている。一方、第２の光電
検出器２で検知される第６図（ｆ目こ示す検知信号ＳＭ
ｌζは、マスクのマークパターンＭに基づくパターン
信号２６以外に、クエへ−のマークパターンＷによる僅
かなレベルの信号２４、及びマスク面からの一様な反射
光によって検出され為信号２５が含まれている。レーザ
ー光りの走査は数回に渡って行なわれ、検知信号−ｓ
８Ｍはそれでれ常時振巾弁別回路６．７に入力している
が、ロ一パスフィルタ１０及びピークホールド回路１４
には、制御回路９の切換信号により作動する切換スイッ
チ５によって択一的化選択されて入力される。
図（（転）に示す位置関係にあるときに、レーザー光り
の走査のもとに第１の光電検出器１ではウェハーのマー
クパターンＷを検知すゐ。この第１の光電検出器１で検
知される検知信号８ｗ には、第６図（ｂ）に示すよう
に本来のマークパターンＷによるパターン信号２０以外
に、干渉現象によって生ずるマスクのマークパターンＭ
の不安定な信号２１も含破れることになる。更に検知信
号８ｗにはクエへ−面から一様に反射された光によるバ
イアス的な信号２２も含まれている。一方、第２の光電
検出器２で検知される第６図（ｆ目こ示す検知信号ＳＭ
ｌζは、マスクのマークパターンＭに基づくパターン
信号２６以外に、クエへ−のマークパターンＷによる僅
かなレベルの信号２４、及びマスク面からの一様な反射
光によって検出され為信号２５が含まれている。レーザ
ー光りの走査は数回に渡って行なわれ、検知信号−ｓ
８Ｍはそれでれ常時振巾弁別回路６．７に入力している
が、ロ一パスフィルタ１０及びピークホールド回路１４
には、制御回路９の切換信号により作動する切換スイッ
チ５によって択一的化選択されて入力される。
切換スイッチ５に於いて端部畠とＣとを導通させれば、
クエへ−の検知信号〜がローパスフィルタ１０及びピー
クホールド回路１４に入力し、ローパスフィルタ１０で
は検知信号Ｓｗの各ピーク２０．２１はカットされて一
様な信号２２の１みが通過することになる。一方、ピー
クホールド回路１４には検知信号８ｗがスイッチ１３を
経由して入力するようになっており、検知信号ｓＷで必
要。
クエへ−の検知信号〜がローパスフィルタ１０及びピー
クホールド回路１４に入力し、ローパスフィルタ１０で
は検知信号Ｓｗの各ピーク２０．２１はカットされて一
様な信号２２の１みが通過することになる。一方、ピー
クホールド回路１４には検知信号８ｗがスイッチ１３を
経由して入力するようになっており、検知信号ｓＷで必
要。
とする信号は走査方向から数えて第２番目と第５番目の
信号２０であるから、スイッチ１ｓは制御回路の指令信
号によって第６図（ｃ）に示すような信号２６により第
２番目と第５番目のパルスのみを通過させるタイミング
で閉止さｆｔ！：、る。従ってピークホールド回路１４
に入力する信号は第３図（ｄ）に示すような信号２７と
され、この信号２７中のパターン信号２０のピーク値は
ホールドされ、切換スイッチ１１を経て人り変換器１２
に送出されるこのホールドされた信号と前述のローパフ
ィルタ１０からの信号は、それぞれムＤ変換器１２によ
りデジタル量となり制御回路９中に人力し、ここでこれ
らを減算することによりウニへ−のパターン信号２０の
ピーク値を知ることができる。そしてこのピーク値に１
より小さい或ゐ一定の値を乗じてしきい値とし、増巾弁
別回路６に送出する。
信号２０であるから、スイッチ１ｓは制御回路の指令信
号によって第６図（ｃ）に示すような信号２６により第
２番目と第５番目のパルスのみを通過させるタイミング
で閉止さｆｔ！：、る。従ってピークホールド回路１４
に入力する信号は第３図（ｄ）に示すような信号２７と
され、この信号２７中のパターン信号２０のピーク値は
ホールドされ、切換スイッチ１１を経て人り変換器１２
に送出されるこのホールドされた信号と前述のローパフ
ィルタ１０からの信号は、それぞれムＤ変換器１２によ
りデジタル量となり制御回路９中に人力し、ここでこれ
らを減算することによりウニへ−のパターン信号２０の
ピーク値を知ることができる。そしてこのピーク値に１
より小さい或ゐ一定の値を乗じてしきい値とし、増巾弁
別回路６に送出する。
増巾弁別回路６では、検知信号〜をデジタル変換して前
述のしきい値に達したピーク信号のみを把え、第６図（
ｅ）に示す一定の高さを有し、しきい値に於ける巾を持
って矩形状のパルス信号２８に変換し、信号合成回路８
＃ｃ出カする。
述のしきい値に達したピーク信号のみを把え、第６図（
ｅ）に示す一定の高さを有し、しきい値に於ける巾を持
って矩形状のパルス信号２８に変換し、信号合成回路８
＃ｃ出カする。
一方、第７６ＷＪ（ｆ）に示すマスクのマークパターン
Ｍによる検知信号８Ｍは、切換スイッチ５の端部すとＣ
とが導通したと会のみ、ローパスフィルタ１０等に入力
し、スイッチ１３は第６図（Ｃ） ｉｃ示す指令信号２
６と排反的な−）ｋ示す指令信号２９によって作動する
。以下の処理は先に述べた検知信号８ｗと同様であり、
第６図（ｈ）に示す信号墨◎を経て、振巾弁別回路７か
らはＣ旧ζ示すパルス信号６１が送出される。更に信号
合成回路８では、第一６図伽）と（１）に示すパルス信
号２８．６１を合成してり）に示す信号３２が得られ、
この信号６２は制御回路９番こ送られ、位置合わせ動作
のために使用されることになる。
Ｍによる検知信号８Ｍは、切換スイッチ５の端部すとＣ
とが導通したと会のみ、ローパスフィルタ１０等に入力
し、スイッチ１３は第６図（Ｃ） ｉｃ示す指令信号２
６と排反的な−）ｋ示す指令信号２９によって作動する
。以下の処理は先に述べた検知信号８ｗと同様であり、
第６図（ｈ）に示す信号墨◎を経て、振巾弁別回路７か
らはＣ旧ζ示すパルス信号６１が送出される。更に信号
合成回路８では、第一６図伽）と（１）に示すパルス信
号２８．６１を合成してり）に示す信号３２が得られ、
この信号６２は制御回路９番こ送られ、位置合わせ動作
のために使用されることになる。
本発明は上述の実施例のみに限定されるものではなく、
例えば３個の位置合わせ用マークパターンを用いた場合
にも適用できる。又、検知信号８１Ｆ、 ８Ｍのピーク
値を初成の増巾器にフィードバックしてオートゲイン・
コントロール回路を構成し、振巾な一定にすれば、しき
い値も一定となり、制御回路の省略が可能となる。
例えば３個の位置合わせ用マークパターンを用いた場合
にも適用できる。又、検知信号８１Ｆ、 ８Ｍのピーク
値を初成の増巾器にフィードバックしてオートゲイン・
コントロール回路を構成し、振巾な一定にすれば、しき
い値も一定となり、制御回路の省略が可能となる。
以上説明したように本発明に係る位置合わせ信号処理装
置は、ウェハーやマスクからの信号に相手方のマークパ
ターンの信号が含まれ、更には表面反射率の違いにより
クエへ−面やマスク面力１らの一様な反射光に差異が生
じても、マークパターンのデジタル信号は安定で鮮鋭な
ものが得られるので、高精度な位置合わせ信号を提供す
ることができる。
置は、ウェハーやマスクからの信号に相手方のマークパ
ターンの信号が含まれ、更には表面反射率の違いにより
クエへ−面やマスク面力１らの一様な反射光に差異が生
じても、マークパターンのデジタル信号は安定で鮮鋭な
ものが得られるので、高精度な位置合わせ信号を提供す
ることができる。
１１１図はクエへ−とマスクのマークパターンの説明図
、第２図は本発明に係る位置合わせ信号処理装置の実施
例の基本的構成を示すブロック回路図、第６図は回路の
動作を説明するためのタイムチャート図である。 符号１．２は光電検出器、６．４は増巾器、５．１１．
１１！！はスイッチ、６．７は振巾弁別回路、８は信号
合成回路、９は制御回路、１０はローパスフィルタ、１
２はムＤ変換器、１４はピークホールド回路、Ｗはクエ
へ−のマークパターン、Ｍはマスクのマークパターンで
ある。
、第２図は本発明に係る位置合わせ信号処理装置の実施
例の基本的構成を示すブロック回路図、第６図は回路の
動作を説明するためのタイムチャート図である。 符号１．２は光電検出器、６．４は増巾器、５．１１．
１１！！はスイッチ、６．７は振巾弁別回路、８は信号
合成回路、９は制御回路、１０はローパスフィルタ、１
２はムＤ変換器、１４はピークホールド回路、Ｗはクエ
へ−のマークパターン、Ｍはマスクのマークパターンで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、対象となるマークパターンに関して配置した徳数個
の検出器により複数の検知信号を求め、検−信号ごとに
不必要な不安定信号成分を除去し、必要な安定信号成分
を抽出してその信号レベルを基に適切なし会い値を決定
し、前記検知信号からこのし合い値以上のレベル信号を
デジタル信号に変換して、これらの変換されたデジタル
信号を合成することを特徴とする位置合わせ信号ｍｍａ
置。 ２ 前記し会い麺の決定は、安定な信号成分の振巾に１
より小さな成る値を乗じて求め為ようにした位置合わぜ
信ＪＩ＃躯理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56151531A JPS5852826A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 位置合わせ信号処理装置 |
| US06/419,512 US4487505A (en) | 1981-09-24 | 1982-09-17 | Apparatus for processing a signal for alignment |
| DE19823235247 DE3235247A1 (de) | 1981-09-24 | 1982-09-23 | Signalaufbereitungseinrichtung fuer ausrichtungssignale |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56151531A JPS5852826A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 位置合わせ信号処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5852826A true JPS5852826A (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=15520544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56151531A Pending JPS5852826A (ja) | 1981-09-24 | 1981-09-24 | 位置合わせ信号処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4487505A (ja) |
| JP (1) | JPS5852826A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5972728A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-24 | Canon Inc | 自動整合装置 |
| JPS60168149A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-08-31 | Canon Inc | 位置合わせ信号処理装置 |
| JPH0785466B2 (ja) * | 1986-07-04 | 1995-09-13 | キヤノン株式会社 | 位置合せ装置 |
| DE3735154C2 (de) * | 1986-10-17 | 1994-10-20 | Canon Kk | Verfahren zum Erfassen der Lage einer auf einem Objekt vorgesehenen Marke |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5952535B2 (ja) * | 1977-01-21 | 1984-12-20 | キヤノン株式会社 | 光学装置 |
| DE2726173C2 (de) * | 1977-06-08 | 1982-05-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und Schaltung zur automatischen Positionierung eines Werkstückes relativ zu einem Abtastfeld bzw. zu einer Maske, sowie Verwendung des Verfahrens |
| DE2843282A1 (de) * | 1977-10-05 | 1979-04-12 | Canon Kk | Fotoelektrische erfassungsvorrichtung |
| JPS5624504A (en) * | 1979-08-06 | 1981-03-09 | Canon Inc | Photoelectric detector |
-
1981
- 1981-09-24 JP JP56151531A patent/JPS5852826A/ja active Pending
-
1982
- 1982-09-17 US US06/419,512 patent/US4487505A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4487505A (en) | 1984-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5654800A (en) | Triangulation-based 3D imaging and processing method and system | |
| US4327292A (en) | Alignment process using serial detection of repetitively patterned alignment marks | |
| EP1091229A3 (en) | Apparatus and method for autofocus | |
| US4149085A (en) | Automatic overlay measurements using an electronic beam system as a measurement tool | |
| JP2833908B2 (ja) | 露光装置における位置決め装置 | |
| JPS60168149A (ja) | 位置合わせ信号処理装置 | |
| US4515481A (en) | Apparatus for processing a signal for aligning | |
| KR20120135257A (ko) | 변위 센서 | |
| JPS5852826A (ja) | 位置合わせ信号処理装置 | |
| JPS6029716A (ja) | 焦点検出装置の信号処理方法 | |
| JPH0135492B2 (ja) | ||
| EP0916071B1 (en) | Triangulation-based 3d imaging and processing method and system | |
| EP0130497B1 (en) | Alignment technique for a scanning beam | |
| US4510384A (en) | Automatic focusing device with frequency weighted amplification | |
| EP0019941B1 (en) | Reduction projection aligner system | |
| JPS63154911A (ja) | 路面計測装置 | |
| JPS6327642B2 (ja) | ||
| JPH0682683A (ja) | 測距方法 | |
| JPS6316900B2 (ja) | ||
| JPH07112288A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JP2758979B2 (ja) | マーク位置検出方法 | |
| JPS62139329A (ja) | 位置合せ装置 | |
| MICKA | Cross correlation anomaly detection system[Patent] | |
| GB2104334A (en) | Automatic focusing device | |
| JPS5693009A (en) | Digital displacement transducer |