JPS5851509A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/225—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
- H01L21/2258—Diffusion into or out of AIIIBV compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明をエキ導体装置の製造方法、より靜しくにレーザ
アニーリングによるガリウム・砒素Ｇａム虐基板内への
不純物例えば錫（１ｍ）拡散方法に関する。
アニーリングによるガリウム・砒素Ｇａム虐基板内への
不純物例えば錫（１ｍ）拡散方法に関する。
半導体装置の製造において多用されるようＫなってきた
ンーザ光照射によるンーザ７二−リング技術は、半導体
基板の一部に固溶度以上に不純物を添加し５Φ長所があ
る。かかるＩ＃ｌＩｋは、従来の炉７二−ル法に比べて
、 ＧａＡｍ ＦＥＴ ＩＣのソース、ドレイ・ンの形
成において１わめて効果的である。
ンーザ光照射によるンーザ７二−リング技術は、半導体
基板の一部に固溶度以上に不純物を添加し５Φ長所があ
る。かかるＩ＃ｌＩｋは、従来の炉７二−ル法に比べて
、 ＧａＡｍ ＦＥＴ ＩＣのソース、ドレイ・ンの形
成において１わめて効果的である。
しかし、レーザ７二−ルにおいては、基板界面を例えば
荒れのない良好な状態に保って７二−ルの効果を得るに
ついて、固難な問題を経験する。
荒れのない良好な状態に保って７二−ルの効果を得るに
ついて、固難な問題を経験する。
基板内に高一度の不純物拡散層な得る方法として、現在
試みられている方法には、高濃度イオン注入層のレーザ
／ニールによるイオン注入原子の電気的活性化と、 Ｇ
ａＡ１ ＆板上に成長された不純物添加酸化膜から不純
物を拡散する方法とがある・前の方法を工、イオン注入
によって導入された欠陥による光の吸収係数の増加現象
を利用するものである。従って、良好な高濃度を得るた
めに１工、注入原子を電気的に活性化させると同時に、
それによって導入された欠陥な除去する必要がある。そ
のために・工、レーザ光の照射エネルギー６工ｘＪ／ｌ
ｃが以上が必要となり、その結果ＧａＡｓ ｉｓ板表面
会工に一ザ照射による損傷を受けること罠なる。
試みられている方法には、高濃度イオン注入層のレーザ
／ニールによるイオン注入原子の電気的活性化と、 Ｇ
ａＡ１ ＆板上に成長された不純物添加酸化膜から不純
物を拡散する方法とがある・前の方法を工、イオン注入
によって導入された欠陥による光の吸収係数の増加現象
を利用するものである。従って、良好な高濃度を得るた
めに１工、注入原子を電気的に活性化させると同時に、
それによって導入された欠陥な除去する必要がある。そ
のために・工、レーザ光の照射エネルギー６工ｘＪ／ｌ
ｃが以上が必要となり、その結果ＧａＡｓ ｉｓ板表面
会工に一ザ照射による損傷を受けること罠なる。
他方、後の方法におい″Ｃ１不純物を添加された酸化膜
の光吸収係数は、ＧａＡ−基板の光吸収係数に比べて、
不純物添加量に依存して数桁以上高くなる。さらＫは、
レーザ照射の場合イオン注入によつ【導入された欠陥の
除去という問題がない。
の光吸収係数は、ＧａＡ−基板の光吸収係数に比べて、
不純物添加量に依存して数桁以上高くなる。さらＫは、
レーザ照射の場合イオン注入によつ【導入された欠陥の
除去という問題がない。
従って、照射エネルギーは、イオン注入層をレーザ７二
−ルする場合に比較して小になる利点かあ金 − 不純物添加酸化膜による拡散を、第１図を参照して説明
すると、その（ａ）の断面図に示されるように、半絶縁
性ＧａＡｓ 基板ｌｆ）表面には、錫を含む二酸化シ
ｌ ：ｌ ：／ ｇｖ′ａｉｏａの酸化１ｉｌｋ２がス
ピンコーティング（回転塗布）で塗布され、１５０℃の
温度で有機溶媒を飛散させ乾燥される。８ｍ 拡散のた
めｖｃは、酸化膜２０表面に矢印で示す如＜ ＣＷＡｒ
レーザ光を照射する。かかるアニールにおいてｌｌ論拡
散のために・工、同図（ｂ）に示されるように、酸化膜
２の全層をレーザ光照射によって高温度すなわ８！Ｏ℃
以上に加熱する必要があるので、酸化膜２は損傷を受け
やす−・、同図（ｂｌは、酸化１１２０表面からＧａＡ
−基板１内への深さく横軸）とレーザ光照射に、よる温
度（縦軸）の関係を示し、縦の点線は酸化膜２とＧａＡ
ｓ 基板ｌの界面を示す、前記したレーザ光を照射し
た場合、１１７ｃｍ”の照射エネルギーを得るためには
、酸化膜２のａ向の温度がＪｌｖ′ＩＩｉもの沸点以上
になることが多く、そのときは酸化膜表面は蒸発しよう
として不安定な状１１になり、ＧａＡ１ 基板ｌ内へ
の８ｎ の拡散が不均一になるだけでなく、酸化膜２
の熱歪によっ？ ＧａＡｍ基板１の表面か悪化する。す
なわち荒れたり欠陥が導入されたりする。
−ルする場合に比較して小になる利点かあ金 − 不純物添加酸化膜による拡散を、第１図を参照して説明
すると、その（ａ）の断面図に示されるように、半絶縁
性ＧａＡｓ 基板ｌｆ）表面には、錫を含む二酸化シ
ｌ ：ｌ ：／ ｇｖ′ａｉｏａの酸化１ｉｌｋ２がス
ピンコーティング（回転塗布）で塗布され、１５０℃の
温度で有機溶媒を飛散させ乾燥される。８ｍ 拡散のた
めｖｃは、酸化膜２０表面に矢印で示す如＜ ＣＷＡｒ
レーザ光を照射する。かかるアニールにおいてｌｌ論拡
散のために・工、同図（ｂ）に示されるように、酸化膜
２の全層をレーザ光照射によって高温度すなわ８！Ｏ℃
以上に加熱する必要があるので、酸化膜２は損傷を受け
やす−・、同図（ｂｌは、酸化１１２０表面からＧａＡ
−基板１内への深さく横軸）とレーザ光照射に、よる温
度（縦軸）の関係を示し、縦の点線は酸化膜２とＧａＡ
ｓ 基板ｌの界面を示す、前記したレーザ光を照射し
た場合、１１７ｃｍ”の照射エネルギーを得るためには
、酸化膜２のａ向の温度がＪｌｖ′ＩＩｉもの沸点以上
になることが多く、そのときは酸化膜表面は蒸発しよう
として不安定な状１１になり、ＧａＡ１ 基板ｌ内へ
の８ｎ の拡散が不均一になるだけでなく、酸化膜２
の熱歪によっ？ ＧａＡｍ基板１の表面か悪化する。す
なわち荒れたり欠陥が導入されたりする。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題を解決するＫ
あり、そのためには、半導体基板の主面上にそれのもつ
光吸収係数よりも数桁以上大きな光吸収係数をもつ不純
物添加酸化膜の薄膜を成長させ、しかる後に、半導体基
板裏面すなわち前記酸化膜が成長された表面とは反対側
の裏面から、半導体基板を十分に透過し、かつ、＊化膜
の領域でｙｔ、吸収が発生する波長をもつレーザ光を照
射し、酸化膜中の不純物を半導体基板内に拡散させる方
法を提供する。
あり、そのためには、半導体基板の主面上にそれのもつ
光吸収係数よりも数桁以上大きな光吸収係数をもつ不純
物添加酸化膜の薄膜を成長させ、しかる後に、半導体基
板裏面すなわち前記酸化膜が成長された表面とは反対側
の裏面から、半導体基板を十分に透過し、かつ、＊化膜
の領域でｙｔ、吸収が発生する波長をもつレーザ光を照
射し、酸化膜中の不純物を半導体基板内に拡散させる方
法を提供する。
以下１本発明の方法の実施例を添付図面を参照して説明
する。
する。
第２図を参照すると（なお同図において、第１図に示し
た部分と同じ部分は同一符号を付し示す）。
た部分と同じ部分は同一符号を付し示す）。
半絶縁性ＧａＡｍ 基板ｌ上には、前記した液状のＩ
Ｉ ｎ７’ＩＩ ｉ （ｈ （錫シリカフィルム）を３
ｔＯ００ｒｐｍ 、 ３０蹴 で塗布し、しかる後に１
５０℃、３０ 分の条件で８１１／８１０ｍ膜を乾燥
して酸化膜２を形成する。次いで、図に矢印で示す如く
、約０．６ Ｊ／ａｄのＣＯ象レーザパルス、または２
００Ｗ／ｃｍのＣＷ Ｃｏｔ ｖ−ザを照射する。とこ
ろで、ＣへまたはＮｄのＹＡＧ レーザ光に対して、
ＧａＡ−の光吸収係数は非常に小で０．１国−１以下で
ある。一方、ＧａＡｇ 基板１上の酸化膜２０光吸収
係数は、不純物添加量に依存して１０４〜１Ｇ”国−１
以上になる。
Ｉ ｎ７’ＩＩ ｉ （ｈ （錫シリカフィルム）を３
ｔＯ００ｒｐｍ 、 ３０蹴 で塗布し、しかる後に１
５０℃、３０ 分の条件で８１１／８１０ｍ膜を乾燥
して酸化膜２を形成する。次いで、図に矢印で示す如く
、約０．６ Ｊ／ａｄのＣＯ象レーザパルス、または２
００Ｗ／ｃｍのＣＷ Ｃｏｔ ｖ−ザを照射する。とこ
ろで、ＣへまたはＮｄのＹＡＧ レーザ光に対して、
ＧａＡ−の光吸収係数は非常に小で０．１国−１以下で
ある。一方、ＧａＡｇ 基板１上の酸化膜２０光吸収
係数は、不純物添加量に依存して１０４〜１Ｇ”国−１
以上になる。
その結果、菖２図伽）に示されるように（なお。
同図（ｂｌにおいて縦軸は温度を、横軸は基板１内への
深さを表わす）％ＧａＡｓ 基板１と酸化＠２の界面
（同図（ｂｌＫ縦の点線で示す）の近傍だけが温度上昇
する。かくして、酸化膜２の全層が高温度になることが
ないので、酸化＃１２のレーザ光照射による損傷は発生
しない、い（・かえると、前記したレーザ光照射によっ
て均一な不純物拡散層が得られることになった。
深さを表わす）％ＧａＡｓ 基板１と酸化＠２の界面
（同図（ｂｌＫ縦の点線で示す）の近傍だけが温度上昇
する。かくして、酸化膜２の全層が高温度になることが
ないので、酸化＃１２のレーザ光照射による損傷は発生
しない、い（・かえると、前記したレーザ光照射によっ
て均一な不純物拡散層が得られることになった。
上記の実施例によって得られた結果はＭ３図に示され、
同図において、横軸はＧａＡ−基板内への不純物拡散深
さ、縦軸は不純物の温度を示す。図カラ明らかなよ５ｉ
Ｃ，前記の実施例においては、表面濃度約１０” ｃｒ
” 、拡散深さ約１０００１ の不純物拡散層が得られ
た。なお同図において、砂地部分は酸化膜を示す。
同図において、横軸はＧａＡ−基板内への不純物拡散深
さ、縦軸は不純物の温度を示す。図カラ明らかなよ５ｉ
Ｃ，前記の実施例においては、表面濃度約１０” ｃｒ
” 、拡散深さ約１０００１ の不純物拡散層が得られ
た。なお同図において、砂地部分は酸化膜を示す。
前記実施例を利用し、高電子移動度トランジスタ（ＨＩ
ＣＭ？）のソース、ドレイン領域に高濃度８ｎドープ層
を形成することにより、コンタクト抵抗が著しく減少し
たことが確認された。
ＣＭ？）のソース、ドレイン領域に高濃度８ｎドープ層
を形成することにより、コンタクト抵抗が著しく減少し
たことが確認された。
４４図には、上記した方法で形成された拡散層をもった
高電子移動度トランジスタ（ＨＮＭＴ）の要部が断面図
で示され、同図において、１１はＧａＡｇ基板、１２は
鳳濠ム７ＧａＡｓ 層、点線１３で示す−の・Ｘ２次
元電子ガスの走行路、１４はソース電極。
高電子移動度トランジスタ（ＨＮＭＴ）の要部が断面図
で示され、同図において、１１はＧａＡｇ基板、１２は
鳳濠ム７ＧａＡｓ 層、点線１３で示す−の・Ｘ２次
元電子ガスの走行路、１４はソース電極。
１５はドレイン電極、１６はゲート電極（これらの電極
は金・ゲル１ニク人（ム＠Ｇ＠）または金（ム１）で形
成する）、斜線を付した部分１７は高濃度８ｎドープ層
（〜１Ｇ”ｏｒ”）である、かかるＨＥＭＴ におい
て、図示の如くソース、ドレイン領域Ｋ１１１度Ｉｎ
ドープ層を設けることによつ【、コンタクト抵抗が着
しく減少した。
は金・ゲル１ニク人（ム＠Ｇ＠）または金（ム１）で形
成する）、斜線を付した部分１７は高濃度８ｎドープ層
（〜１Ｇ”ｏｒ”）である、かかるＨＥＭＴ におい
て、図示の如くソース、ドレイン領域Ｋ１１１度Ｉｎ
ドープ層を設けることによつ【、コンタクト抵抗が着
しく減少した。
従来の熱拡散法を用いＣＭ記の程度の高１１１にのドー
プ層を形成しようとすると、ｓｓｏ’ｃ＃！度σ）−魁
理が必要となる。このような高温度では、ｎ−ムｊＧａ
ムｓ ／ ＧａＡｓ ヘデー構造の電子ｅ〕走行路１３
となる高純度のＧａＡｍ へロームｊＧａム畠の不純
物であるシリコンまたはアルミニウム力（拡散し、高い
電子移動度が得られなかったものである１図示の実施例
では、シリ：１７またはアルミニウムの拡散は発生する
ことなく、電子移動度の高−・ＨＲＭＴが得られた。
プ層を形成しようとすると、ｓｓｏ’ｃ＃！度σ）−魁
理が必要となる。このような高温度では、ｎ−ムｊＧａ
ムｓ ／ ＧａＡｓ ヘデー構造の電子ｅ〕走行路１３
となる高純度のＧａＡｍ へロームｊＧａム畠の不純
物であるシリコンまたはアルミニウム力（拡散し、高い
電子移動度が得られなかったものである１図示の実施例
では、シリ：１７またはアルミニウムの拡散は発生する
ことなく、電子移動度の高−・ＨＲＭＴが得られた。
以上“に説明した如く、不晃明の方法によると、半導体
（ＧａＡｇ）基板上に、それのもつ光吸収係数よりも数
桁以上大なる光吸収係数をもつ不純物（ｉｌｍ）を添加
した酸化掬の薄い層（１０００〜３０θ０λ）な成長さ
せ、しかも後に、半導体基板裏面から、当Ｍ牛導体基板
を十分に透過し、かつ、前記酸化膜層の領域で光吸収の
生じる波長をもつレーザ光（例えばＣＷＡｒレーザ光）
を照射し、この酸化膜中の不純物を半導体内に均一に拡
散させ、コンタクト抵抗を減少し５金ものであって、例
えばＨＥＭＴの製造におい℃は、従来の熱拡散法による
場合に比べ、轟〜・電子移動度が得られる効果があう。
（ＧａＡｇ）基板上に、それのもつ光吸収係数よりも数
桁以上大なる光吸収係数をもつ不純物（ｉｌｍ）を添加
した酸化掬の薄い層（１０００〜３０θ０λ）な成長さ
せ、しかも後に、半導体基板裏面から、当Ｍ牛導体基板
を十分に透過し、かつ、前記酸化膜層の領域で光吸収の
生じる波長をもつレーザ光（例えばＣＷＡｒレーザ光）
を照射し、この酸化膜中の不純物を半導体内に均一に拡
散させ、コンタクト抵抗を減少し５金ものであって、例
えばＨＥＭＴの製造におい℃は、従来の熱拡散法による
場合に比べ、轟〜・電子移動度が得られる効果があう。
第１図は従来技術による半絶縁性ＧａＡｓ 基板のレ
ーザ７二−ルを示す図、第２図は本発明の方法による半
絶縁性Ｇ１ムＳ 基板のレーザ７二−ルを示す図、９３
図（Ｉ４２図に示すレーザ７二−ルの結果を示す線図、
第４図は本発明の方法により形成されるＨＥＭＴ のｌ
１部の断面図である。 ｌ・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２ ・＝ ８ｍ ／ ｊｉｉｏ＊ ＩＩ！化膜、 １１
− ＧａＡｍ基板、ｌｊ！ −慕−ムｊＧａＡ一層。 １３・・・２次元電子ガス走行路、 １４・・・ソース電極、１Ｂ−・・ドレイン電極、１６
・−ゲート電極、１７−高濃度８ｎドープ層特許出願人
富士通株式会社 （（１）（ｂ） 第１図 （ａ） （ｂ） 第２図
ーザ７二−ルを示す図、第２図は本発明の方法による半
絶縁性Ｇ１ムＳ 基板のレーザ７二−ルを示す図、９３
図（Ｉ４２図に示すレーザ７二−ルの結果を示す線図、
第４図は本発明の方法により形成されるＨＥＭＴ のｌ
１部の断面図である。 ｌ・・・半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２ ・＝ ８ｍ ／ ｊｉｉｏ＊ ＩＩ！化膜、 １１
− ＧａＡｍ基板、ｌｊ！ −慕−ムｊＧａＡ一層。 １３・・・２次元電子ガス走行路、 １４・・・ソース電極、１Ｂ−・・ドレイン電極、１６
・−ゲート電極、１７−高濃度８ｎドープ層特許出願人
富士通株式会社 （（１）（ｂ） 第１図 （ａ） （ｂ） 第２図
Claims (2)
- （１） 半導体基板主面上に、＃半導体の一つ党徴収
係数により大なる光吸収係数をもつ不純物を添加した酸
化膜の層を形成し、咳半導体基板の裏画から、賦半導体
を透過し前記酸化膜の領域でｊｔ、機微が発生するレー
ザ光を照射すること罠より、飾記酸化膜中の不純物を該
半導体基板内に拡散させることを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - （２） ＧａＡ１ 基板上にｎ−ムｊＧａＡｓ
層が形成された高電子移動度トランジスタを形成する方
法において、そのノース領域とドレイン領域とに高濃度
不純物をドープすることを特徴とする特許請求の範１１
１１ＥＩ項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14998381A JPS5851509A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14998381A JPS5851509A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5851509A true JPS5851509A (ja) | 1983-03-26 |
Family
ID=15486897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14998381A Pending JPS5851509A (ja) | 1981-09-22 | 1981-09-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5851509A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06156277A (ja) * | 1992-02-24 | 1994-06-03 | Fiat Ferroviaria Spa | 鉄道車両の長手軸周りの車体回転制御装置 |
| JP2013041938A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | V Technology Co Ltd | レーザードーピング方法及びレーザードーピング装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130917A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1981
- 1981-09-22 JP JP14998381A patent/JPS5851509A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56130917A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06156277A (ja) * | 1992-02-24 | 1994-06-03 | Fiat Ferroviaria Spa | 鉄道車両の長手軸周りの車体回転制御装置 |
| JP2013041938A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | V Technology Co Ltd | レーザードーピング方法及びレーザードーピング装置 |
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