JPS5850177A - 溶接用倣い検出装置 - Google Patents
溶接用倣い検出装置Info
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- JPS5850177A JPS5850177A JP14804481A JP14804481A JPS5850177A JP S5850177 A JPS5850177 A JP S5850177A JP 14804481 A JP14804481 A JP 14804481A JP 14804481 A JP14804481 A JP 14804481A JP S5850177 A JPS5850177 A JP S5850177A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/12—Automatic feeding or moving of electrodes or work for spot or seam welding or cutting
- B23K9/127—Means for tracking lines during arc welding or cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本!11−は溶接用倣い検出装置に関し、その精度が陶
土するとともに誤動作などの異常を検出し畳重よう企図
した亀のである。 菖111#i従来の溶接用倣い検出装置を示すブーツタ
構成図である。同図に示すように#I兼兼用−検出装置
はセシt1と発振回路2と検皺出カー3とからなる。蔽
のうちセンナ1社、溶接機に備見られて金属性の被検体
4に秦近・離反するとともに検出コイルst有している
。そしてこの検出コイ)jsKは″発振回路2から高周
皺電#lが滝れ込んでいる。このと自着検体4への接近
・−反に起因して前記発振1路2の負荷とさってい為検
出コイル5のインダクタンスが変化する細条、−゛記高
周皺電流の電流値が変化する。10えめζOta値に対
応した出力を送出する横皺出力II3の検出出力N4は
、前記センナlの被検体4へ011近φ離反に従%/−
hm化することとなる。したがって検出出力音、の出力
値によ〉溶接機に備えられ九センt1と被検体4との距
離りが算出され、この算出値に基づ1!溶接機の位置が
制御されて適正な溶接が行なわれる。 とζろでかかる従来技術で鉱次のイ)1口)、→。 二)に述べるような欠点があつ良。 イ)縦軸に検出出力114¥r1横軸に検出コイル5の
温度#
土するとともに誤動作などの異常を検出し畳重よう企図
した亀のである。 菖111#i従来の溶接用倣い検出装置を示すブーツタ
構成図である。同図に示すように#I兼兼用−検出装置
はセシt1と発振回路2と検皺出カー3とからなる。蔽
のうちセンナ1社、溶接機に備見られて金属性の被検体
4に秦近・離反するとともに検出コイルst有している
。そしてこの検出コイ)jsKは″発振回路2から高周
皺電#lが滝れ込んでいる。このと自着検体4への接近
・−反に起因して前記発振1路2の負荷とさってい為検
出コイル5のインダクタンスが変化する細条、−゛記高
周皺電流の電流値が変化する。10えめζOta値に対
応した出力を送出する横皺出力II3の検出出力N4は
、前記センナlの被検体4へ011近φ離反に従%/−
hm化することとなる。したがって検出出力音、の出力
値によ〉溶接機に備えられ九センt1と被検体4との距
離りが算出され、この算出値に基づ1!溶接機の位置が
制御されて適正な溶接が行なわれる。 とζろでかかる従来技術で鉱次のイ)1口)、→。 二)に述べるような欠点があつ良。 イ)縦軸に検出出力114¥r1横軸に検出コイル5の
温度#
【採りた第2図かられかるように、一般に検出コ
イル5の温度が変化すると主としてそのキャパシタンス
が変化するため、検出出力−が変化するといういわゆる
温度ドリフトが砧生する。そこで従来では温度ドダフト
に対処すぺく、第3図−)K示す如く検出コイル!!0
11[ドリフトをちょうど打ち消すような温度係数を有
する補償用コンデンナ01゜0雪を検出コイ65にiI
I!続し友夛、第3図6)に示す如く冷却水が強制ms
せしめられる水冷ジャケット・内に検出コイル5を備え
検出コイル50温tt一定に保持するようにした夛、第
8図(a)に示す如く検出コイA−8と励磁コイルs&
と差動コイル5′にとで差動トランスを構成して温度ド
リフトを補償するようにしえりしていた。ところが第3
8ilI&IK示す4のては検出コイル5の温度が5o
ct越えた場合KFi温変ドリフトを打ち消すことがで
きず、まえ第3図6)に示すものでは水冷ジャケット・
により検出感変が劣化するとともに寸法が大きくなシ、
更に83図(o)K示すものでは複雑な構成Kekると
と−に寸法が大きくなっていた。 −)縦軸に検出出力−を、横軸にセン−?1と被検出休
養との距離Lt採つ九第4図かられかるように、一般K
[I用倣い検出装置では検出出力−と距離りとの関係が
非lII形であるため、円滑且つ高精度に@装機の位t
を制御することがむつかしかった。そこで従来では検−
出コイk 50”寸法を太き(するととにより、第41
1に示す特性のうちの線形特性を示す部分が大きくなる
ようにしてこのm形勢性を示す範囲内において制御を行
なうようにしたり、#l警用倣い検出値fK補正用非線
形増幅II(一般にリニヤライザと呼ばれる装置)を接
続して検出出力音・0#1ml形特性が線Ji#特性と
なるよう補正したシしていた。tころが前者の手段ては
検出コイル50寸法が大きくなるとと−に制御範囲が制
限され、を九後者の手段では装置構成が複雑に&るとと
もK11lfjl寿!I形増幅器の微妙な調整作業を嘗
していた。 ノ→ 検出コイル5が溶接の熱等により過熱された)断
線したシする異常が発生すると、溶接用做i検出装筺が
誤動作した)所期の機能t、喪失してしまうが、従来の
#接用做い検出装置では上述し九異常を検出する手段が
なかつ九〇 → 従来てれ、合成樹脂製コイルポビンに検出コイAf
5を装着した後これらを合成樹脂でモールド威璽してセ
ンナ1を形成していえ。し−kがって溶接の熱によ〕セ
ンナ1が変形しこれに伴ない検出コイA5の特性が変わ
ってし重う虞があ〕誤動作の一因となっていた。また#
F袈スパッタリングがセンナIK付着してこのセンt1
が焼損する虞もあった。 本発明は、上記従来技術に鑑み、高精度で且つ異常の1
IllKFi仁の異常を検出し得る溶接用倣い検出装置
を提供することt目的とする。かかる目的を遺戒する本
発明の構成は、溶接機に備見られて金属性の被検体Km
近・離反するセンナの検出コイルに発振回路から高I@
波電Rを流すとと−に、前記被検体への接近・離反に起
因する前記検出コイルのインダクタンスのt’化によ多
発生する高周波電流の電流値の変化を検出して帥記S*
機と被検体との距離に対応した横皺出力を送出する溶接
用倣い検出装置において、前記検出コイルに微小な直流
電流を流すとともに1こO直、流電流による検出コイル
における電圧降下に基づく電圧を検出する検出回路とζ
O電JEがあらかじめ設定され九所定の電圧値よ)も大
きい場合に異常と判定する判定回路とを備え、更Km記
検出回路で検出され友前記電圧に対応してキャパシタン
スがt化することによ動電tr化に起因する前記検出コ
イルのキャパシタンスO増減をちょうど相駿する可変容
量回路とコンダクタンス0@性が前記検出出力の弊鐘形
−性をIII形に補正するような非!I形特性となって
いる補正回路とを前記検出コイル及び発振回路を含む回
路に接続する一方、前記検出コイルが内蔵されるセンナ
の外殻管耐熱性材料で形成した仁とt−特徴とする。 以下本発1101!論例を図面に基づき詳細に説明する
。なお従来技暫と同一部分には同一番号を付し重複する
説明は省略する。 fIXS図及び第6図は夫々本発″−の実施例を示すブ
ロック構成図及び回路図である。両図に示すように本実
施例では、センサ1と発振回路2とを結ぶツイン7に検
出(ハ)路SがIII絖されている。そして通常時には
発振回路2から検出1路口を介してセンナ1に高周波電
流が流れ込み、従来と同様に、センサ1が砿検体4に接
近・離反するに伴い高周波電流の電流値が変化する結果
、検波出力部3から検出出力冨、が送出される。 仁のとき検出コイル5IICd検出回路$の抵抗Rを介
して微小な直流電流が流されるとともに、検出回路80
コンデンナdの両端には前記直流電流による検出プイル
6Kかける電圧降下に対応しえ電圧aが生起される。そ
して仁の電圧aは検出コイル5oii度に比例して変化
する。これ紘縦軸に検出コイ+5の抵抗を、横−に検出
;イ身6の温度を採つ九第7図かられかるように、検出
コイル5の抵抗とその温度とが比例しているからである
。なお第7図0411性社、合成エナメル鋼線t901
11111してなる検出コイル2を実−して得られえも
のである。 増@umsには、非反転入力端子が接地され九演算増幅
器10が設けられてjP6、この演算増@器1oKti
、その反転入力端子に検出回路8のコンデンナC゛が接
続されるとともに増@変調整用の可変抵抗マR1,マR
2及び翼ル調整用の可変抵抗マR37ha外付けされて
いる。即ち演算増幅器10*によ)反転増幅器が構成さ
れている。したがって演算増幅器10の出力電圧1)0
電圧値は、前記電圧1の電圧値が上昇すると下降し、逆
に電圧aO電圧値が下降すると上昇する。可変容量回路
11Kt!可変容量ダイオードDI、D2が設けられて
おに、この可変容量ダイオードDI、D2のカソードは
ラインIKl続されるとともに、そのアノードは可変容
量ダイオードDI、D2の基準動作点を調整するための
可変抵抗71114に介して負の電1[Kli綬されて
いる。このため可変容量ダイオードDI。 D2には逆電圧−が印加されぬとなる。このとき縦軸に
可変容量コンデンサD1.D20m子間のキャパシタン
ス化を、横軸に逆電圧−を保つ九gssaかられかるよ
うに、キャパシタンスへと逆電Bc−”rと紘反比例す
る。なお第8111における特性線、可変容量ダイオー
ドDI、D20周■の温度が25℃で且つ高周波電流の
周波数がI Ml、 Kおけるもol示している。まえ
前記可変容量ダイオードDi、D!のアノード儒が前記
演算増幅器10の出力亀子KIi[l続されて−るえめ
、可変容量ダイオードDI、02に印加され大逆電圧マ
10電圧値は、出力電圧すの電圧値が上昇すると下降し
、逆に出力電圧すの電圧値が下降すると上昇する。そζ
で例えば、検出コイル5F)11&が上昇してそのキャ
パシタンスが増加すると、温度の上昇KflPい電圧a
の電圧値が上昇するため、出力電圧すの電圧値が下降し
て逆電圧v1の電圧値が上外す:h結果、可変容量ダイ
オードDi、D2のキャパシタンス−が減少する。この
と自検出コイx S 0%性に合わせて可変抵抗VB4
によ)可変容量ダイオードD 1.D! t)基準動作
点が適轟に調整されている九め、検出コイz5における
キャパシタンスの増mは、可変容量ダイオードDI、D
2のキャパシタンス−の減少によ)ちょうど相殺される
。もちろん検出コイル5ositが下降しえ場合にも、
上述し九のと−の動6によ〉検出コイル−5O4Pヤパ
シ゛タンスの変化がちょうど劃−されることF1′いう
′までもない。し友がって検出コイルsOキャパシタン
スの資化に起因する温度ド#17トの悪影響を#に#し
祷る。因に諺9mK従来の特性(図中点曽て示す)と本
実論例の特性(WJ中集線で示す)とを比較して示して
シ〈。 なsPpiilmにおいては、縦軸に検出出力−を、横
−に*y+10m1度−を採っている。セして菖9図か
ら事実論例では略−5O(℃)〜50(1(c)KID
温度ドリフ)0悪影響を除去で自ることが1解される。 補正回路12KFi、コレクタ及びエミッタがライン7
Kmmされ良トランジスタ〒11が設けられてお如、こ
れのベースに#i)ランジスタTR1()コレクタ・エ
イータ関Oコレダクタンス特性を調整するための可変抵
抗VR5が接続されている。そして第1011に前記゛
トランジスタ711の特性を示しておく。なお同層にs
P%Aてはペース電1m X@ f=一定であるときK
おけるコ性を一纏で、またこの%性から算出されえコレ
クタ・工2ツタコンダクタンス(j□B −:lレフ−
・ニオツタ電圧Van 41性を点線て示しそいる。そ
してとOSからコレクタ・エイツタコンダクタンス・c
冨−コレクタ・エンツタ電圧マ01%性カ非ll1l形
であることがll鍔声れる。し九がって−ツタ・エンツ
タ間のコンダクタンス’)01−の特性を遣蟲なもOK
段設定ることによ)、前記検出出力−04!性は、補正
囲路1zで補正されて線形と1に養、これは従来では非
−形てあった検出出9カー(−4図参照)が、これの非
、線形特性をダクタンスGOI K’よ)ちょうど補正
されるからである。tksiP本実施例ではトランジス
タ711を用い友が、電界効果トランジスタ(1−丁)
を用いても同様の効果を得ることができる。因に811
図に従来041性(WJ中点−で示す)と本実論飼O%
性(図中実線で示す)とを比較して示しておく、なお同
図においては縦軸に検出出力鳥を、横軸にセンナ1と被
検体−との距離りを採っている。そしてこの図から本実
論例によれば検出出力−がlI彰特性管示す仁とが理解
される。 比較回路13KFi、反転入力端子が接地され良比着器
14.14m及びエミッタが発振回路2のトランジスタ
TR20ベースに皺続されたトランジスタ?R3が′般
けられている。そして前記比較Wk14F!、その反転
入力端子が検出回路8崖び閾値決定回路IsO町変抵抗
マR@KII続されるとともに、その出力端子がトラン
ジスタTR20ベース及び表示回路111に備えられ九
発光ダイオードLIDIのカソードに接S!されている
。壕大同様に比較器14m祉、その反転入力端子が検出
回路8及び閾値決定回路Xiの可変抵抗マRIK*続さ
れるとともに、その出力端子がトランジスタ〒Rgのペ
ース及び表示1路1番に備えられ九発光ダイオードX、
ND2Oカソード儒K[!されている。こ0とき閾値設
定回路ISKよ〕、負の電圧値であゐ閾値t。 tlが一定されている。そして−値10絶対値は検出コ
イksが過熱し九ときKお社る電圧1の絶対値と等しく
1に′)ておシ、閾値t*0IIA対値は検出コイル5
が断線しえときに:&Pける電圧10M1!!値と勢し
くなっている。したがって通常時には電圧−〇絶対値が
閾値電圧1,1.0絶対値よりも小さいため、比較器1
4,148の出力電圧直a tLx #iハイレベ身H
となる。このため比較回路゛13のトランジスタテ1意
がOシシ状°態と1k)これの出力−がハイレベル市な
る。この紬果亀振(ロ)路2のトランジスタ?Ft2の
ON状態が保持されて発振状態が続行され、溶接用倣い
検出装置としての所期の動作か行なわれる。 まえ前記出力−がハイレベルHとなっているため表示回
路160発光ダイオードLmD1及び発光ダイオードL
IDi ii共に点灯しない、一方検出コイル5が過熱
されると電圧1の絶対値が閾値電圧tの絶対値よりも大
きくなるえめ、比較器14の出力電圧dがロウレベルL
となる。ζ〇九めトランジスタ〒R2が011状態とな
り′トれQ出力−がEl′f;レベALとなる。し良が
ってトランジスタテR3が011状態とな)発振1路8
0発mlが停止せしめられる。この結果検出出カー紘零
となる。また出力電圧直がロウレベルLK&るえめ発光
ダイオードLIDIが点灯し、検出コイル5が過熱して
いることがわかる。更に検出コイル5が断線すると電圧
aの絶対値が閾値電圧t、tiO絶対値よ)4大きくな
るため、比較器14.14aの出力電圧a 、 a、が
共に一つレベルLとなる。よってトランジスタTR2が
ON状簡に&!?発振回路2の発振が停止せしめられる
とともに、発光ダイオードLltDl 、 LID!が
共に発光する。このように本実施例では検出コイ)5が
過熱されると発光ダイオードLIDIが点灯し、11え
検出コイル5が断線すると発光ダイオードLl!Di及
び発光ダイオードLID2が点灯する九め、過熱や断1
IilIIIの異常が検出される。 一センナ1は、41に第12図(IIL)、伽)に抽絹
・拡大して夫々その断iis及び背面図で示すように、
夫々耐熱性セラ建ツクで作製されえコイルlビン1?a
と外筒1711とからなる外殻17に検出コイルSを内
蔵して構成されている。したがって嬢擬O熱や溶接スパ
ッタリングの付着によ)セン−11−1が損傷すること
Fiない。 1にシlll5図は本実施例に係る溶接用倣い検出装置
ill、18at自動すみ肉111m1lK搭載し先例
を示しておシ、検出装置1$は垂直kK対する距離を、
また検出装置18aは水平面に対する距離を党々検出す
る。更に第14図は本実施例に係るS*用倣い検出装置
18.18a−を自―突龜会わせ#*I!に搭載した例
を示してか)、検出装置18は上下方角の距離を、また
検出装置18aFi左右方向の距離を夫々検出す・る。 以上奥論例注と−に具体的に説−したように本実@によ
れば、可変容量回路、補正回路及び判定回路を備え九の
与ならずセンナの外殻を耐熱性材料で形成した丸め、温
度ドリフトが発生せず検出出力04I性が線形になると
ともに検出コイルO遥熱中−線を検出し得、更にセンナ
の損傷をも防止し得る。し丸がって簡単な構成にて従来
の欠点を悉く除去し得精gO高いiigat的tkII
IIII用做−検出装置となる。 表!lll0簡単1に説明 第1閣は従来の溶接用倣い検出装置を示すプロッタ構成
図、菖2mはそ0#輸出カー−検出コイルOm1度#特
性を示す特性図、第31%11 (a)。 (2)、ム)は夫々温度ドラフトの発生を抑えるべ〈従
来用いられて%Aえセンナに備えられた構成を示す櫃略
図、腑4図は従来技術の検噴出カーー距離L41性を示
す特性図、菖SWJ#i本発明の実JIII9I4を示
すプロッタ構成図、第6図は本実施例を示す回路図、1
IX7図は検出コイルの抵抗−温f特性を示す特性図、
第8図は可変容量ダイオードの中ヤパシタンスζ−逆電
圧vr4I性を示す特性図、189図は本実施例の検出
出カーーセンナの温度#特性を示す特性図、第1011
はトランジスタO勾−vg菖特性及びaom −Yal
特性を示す特性図、第11閣は本実施例と従来技g。 検出出カーー距離り特性を比較して示す特性図、菖1z
図−)、伽)は夫々センナを示す断面図及び背厘閣、第
13図及び菖14図は本実施例を自励す拳轟II装機及
び自動突き合わせfIHIm!に搭載し先例を示す説明
図である。 ai+iii 中、 1はセンナ、 2は発振回路、 番は被検体、 sFi検出コイル、 11は可変容量回路、 12#i補正回路、 11社比較回路、 ls社調値決定回路、 1丁は外殻である。 第10図 (mV) (mA) 】レクタ−エ ミー/ 7% Te’lc*
(y)第11図 跳籠L (m町 第12図 (α)(b〕 1r7シ 第13図 fG−
イル5の温度が変化すると主としてそのキャパシタンス
が変化するため、検出出力−が変化するといういわゆる
温度ドリフトが砧生する。そこで従来では温度ドダフト
に対処すぺく、第3図−)K示す如く検出コイル!!0
11[ドリフトをちょうど打ち消すような温度係数を有
する補償用コンデンナ01゜0雪を検出コイ65にiI
I!続し友夛、第3図6)に示す如く冷却水が強制ms
せしめられる水冷ジャケット・内に検出コイル5を備え
検出コイル50温tt一定に保持するようにした夛、第
8図(a)に示す如く検出コイA−8と励磁コイルs&
と差動コイル5′にとで差動トランスを構成して温度ド
リフトを補償するようにしえりしていた。ところが第3
8ilI&IK示す4のては検出コイル5の温度が5o
ct越えた場合KFi温変ドリフトを打ち消すことがで
きず、まえ第3図6)に示すものでは水冷ジャケット・
により検出感変が劣化するとともに寸法が大きくなシ、
更に83図(o)K示すものでは複雑な構成Kekると
と−に寸法が大きくなっていた。 −)縦軸に検出出力−を、横軸にセン−?1と被検出休
養との距離Lt採つ九第4図かられかるように、一般K
[I用倣い検出装置では検出出力−と距離りとの関係が
非lII形であるため、円滑且つ高精度に@装機の位t
を制御することがむつかしかった。そこで従来では検−
出コイk 50”寸法を太き(するととにより、第41
1に示す特性のうちの線形特性を示す部分が大きくなる
ようにしてこのm形勢性を示す範囲内において制御を行
なうようにしたり、#l警用倣い検出値fK補正用非線
形増幅II(一般にリニヤライザと呼ばれる装置)を接
続して検出出力音・0#1ml形特性が線Ji#特性と
なるよう補正したシしていた。tころが前者の手段ては
検出コイル50寸法が大きくなるとと−に制御範囲が制
限され、を九後者の手段では装置構成が複雑に&るとと
もK11lfjl寿!I形増幅器の微妙な調整作業を嘗
していた。 ノ→ 検出コイル5が溶接の熱等により過熱された)断
線したシする異常が発生すると、溶接用做i検出装筺が
誤動作した)所期の機能t、喪失してしまうが、従来の
#接用做い検出装置では上述し九異常を検出する手段が
なかつ九〇 → 従来てれ、合成樹脂製コイルポビンに検出コイAf
5を装着した後これらを合成樹脂でモールド威璽してセ
ンナ1を形成していえ。し−kがって溶接の熱によ〕セ
ンナ1が変形しこれに伴ない検出コイA5の特性が変わ
ってし重う虞があ〕誤動作の一因となっていた。また#
F袈スパッタリングがセンナIK付着してこのセンt1
が焼損する虞もあった。 本発明は、上記従来技術に鑑み、高精度で且つ異常の1
IllKFi仁の異常を検出し得る溶接用倣い検出装置
を提供することt目的とする。かかる目的を遺戒する本
発明の構成は、溶接機に備見られて金属性の被検体Km
近・離反するセンナの検出コイルに発振回路から高I@
波電Rを流すとと−に、前記被検体への接近・離反に起
因する前記検出コイルのインダクタンスのt’化によ多
発生する高周波電流の電流値の変化を検出して帥記S*
機と被検体との距離に対応した横皺出力を送出する溶接
用倣い検出装置において、前記検出コイルに微小な直流
電流を流すとともに1こO直、流電流による検出コイル
における電圧降下に基づく電圧を検出する検出回路とζ
O電JEがあらかじめ設定され九所定の電圧値よ)も大
きい場合に異常と判定する判定回路とを備え、更Km記
検出回路で検出され友前記電圧に対応してキャパシタン
スがt化することによ動電tr化に起因する前記検出コ
イルのキャパシタンスO増減をちょうど相駿する可変容
量回路とコンダクタンス0@性が前記検出出力の弊鐘形
−性をIII形に補正するような非!I形特性となって
いる補正回路とを前記検出コイル及び発振回路を含む回
路に接続する一方、前記検出コイルが内蔵されるセンナ
の外殻管耐熱性材料で形成した仁とt−特徴とする。 以下本発1101!論例を図面に基づき詳細に説明する
。なお従来技暫と同一部分には同一番号を付し重複する
説明は省略する。 fIXS図及び第6図は夫々本発″−の実施例を示すブ
ロック構成図及び回路図である。両図に示すように本実
施例では、センサ1と発振回路2とを結ぶツイン7に検
出(ハ)路SがIII絖されている。そして通常時には
発振回路2から検出1路口を介してセンナ1に高周波電
流が流れ込み、従来と同様に、センサ1が砿検体4に接
近・離反するに伴い高周波電流の電流値が変化する結果
、検波出力部3から検出出力冨、が送出される。 仁のとき検出コイル5IICd検出回路$の抵抗Rを介
して微小な直流電流が流されるとともに、検出回路80
コンデンナdの両端には前記直流電流による検出プイル
6Kかける電圧降下に対応しえ電圧aが生起される。そ
して仁の電圧aは検出コイル5oii度に比例して変化
する。これ紘縦軸に検出コイ+5の抵抗を、横−に検出
;イ身6の温度を採つ九第7図かられかるように、検出
コイル5の抵抗とその温度とが比例しているからである
。なお第7図0411性社、合成エナメル鋼線t901
11111してなる検出コイル2を実−して得られえも
のである。 増@umsには、非反転入力端子が接地され九演算増幅
器10が設けられてjP6、この演算増@器1oKti
、その反転入力端子に検出回路8のコンデンナC゛が接
続されるとともに増@変調整用の可変抵抗マR1,マR
2及び翼ル調整用の可変抵抗マR37ha外付けされて
いる。即ち演算増幅器10*によ)反転増幅器が構成さ
れている。したがって演算増幅器10の出力電圧1)0
電圧値は、前記電圧1の電圧値が上昇すると下降し、逆
に電圧aO電圧値が下降すると上昇する。可変容量回路
11Kt!可変容量ダイオードDI、D2が設けられて
おに、この可変容量ダイオードDI、D2のカソードは
ラインIKl続されるとともに、そのアノードは可変容
量ダイオードDI、D2の基準動作点を調整するための
可変抵抗71114に介して負の電1[Kli綬されて
いる。このため可変容量ダイオードDI。 D2には逆電圧−が印加されぬとなる。このとき縦軸に
可変容量コンデンサD1.D20m子間のキャパシタン
ス化を、横軸に逆電圧−を保つ九gssaかられかるよ
うに、キャパシタンスへと逆電Bc−”rと紘反比例す
る。なお第8111における特性線、可変容量ダイオー
ドDI、D20周■の温度が25℃で且つ高周波電流の
周波数がI Ml、 Kおけるもol示している。まえ
前記可変容量ダイオードDi、D!のアノード儒が前記
演算増幅器10の出力亀子KIi[l続されて−るえめ
、可変容量ダイオードDI、02に印加され大逆電圧マ
10電圧値は、出力電圧すの電圧値が上昇すると下降し
、逆に出力電圧すの電圧値が下降すると上昇する。そζ
で例えば、検出コイル5F)11&が上昇してそのキャ
パシタンスが増加すると、温度の上昇KflPい電圧a
の電圧値が上昇するため、出力電圧すの電圧値が下降し
て逆電圧v1の電圧値が上外す:h結果、可変容量ダイ
オードDi、D2のキャパシタンス−が減少する。この
と自検出コイx S 0%性に合わせて可変抵抗VB4
によ)可変容量ダイオードD 1.D! t)基準動作
点が適轟に調整されている九め、検出コイz5における
キャパシタンスの増mは、可変容量ダイオードDI、D
2のキャパシタンス−の減少によ)ちょうど相殺される
。もちろん検出コイル5ositが下降しえ場合にも、
上述し九のと−の動6によ〉検出コイル−5O4Pヤパ
シ゛タンスの変化がちょうど劃−されることF1′いう
′までもない。し友がって検出コイルsOキャパシタン
スの資化に起因する温度ド#17トの悪影響を#に#し
祷る。因に諺9mK従来の特性(図中点曽て示す)と本
実論例の特性(WJ中集線で示す)とを比較して示して
シ〈。 なsPpiilmにおいては、縦軸に検出出力−を、横
−に*y+10m1度−を採っている。セして菖9図か
ら事実論例では略−5O(℃)〜50(1(c)KID
温度ドリフ)0悪影響を除去で自ることが1解される。 補正回路12KFi、コレクタ及びエミッタがライン7
Kmmされ良トランジスタ〒11が設けられてお如、こ
れのベースに#i)ランジスタTR1()コレクタ・エ
イータ関Oコレダクタンス特性を調整するための可変抵
抗VR5が接続されている。そして第1011に前記゛
トランジスタ711の特性を示しておく。なお同層にs
P%Aてはペース電1m X@ f=一定であるときK
おけるコ性を一纏で、またこの%性から算出されえコレ
クタ・工2ツタコンダクタンス(j□B −:lレフ−
・ニオツタ電圧Van 41性を点線て示しそいる。そ
してとOSからコレクタ・エイツタコンダクタンス・c
冨−コレクタ・エンツタ電圧マ01%性カ非ll1l形
であることがll鍔声れる。し九がって−ツタ・エンツ
タ間のコンダクタンス’)01−の特性を遣蟲なもOK
段設定ることによ)、前記検出出力−04!性は、補正
囲路1zで補正されて線形と1に養、これは従来では非
−形てあった検出出9カー(−4図参照)が、これの非
、線形特性をダクタンスGOI K’よ)ちょうど補正
されるからである。tksiP本実施例ではトランジス
タ711を用い友が、電界効果トランジスタ(1−丁)
を用いても同様の効果を得ることができる。因に811
図に従来041性(WJ中点−で示す)と本実論飼O%
性(図中実線で示す)とを比較して示しておく、なお同
図においては縦軸に検出出力鳥を、横軸にセンナ1と被
検体−との距離りを採っている。そしてこの図から本実
論例によれば検出出力−がlI彰特性管示す仁とが理解
される。 比較回路13KFi、反転入力端子が接地され良比着器
14.14m及びエミッタが発振回路2のトランジスタ
TR20ベースに皺続されたトランジスタ?R3が′般
けられている。そして前記比較Wk14F!、その反転
入力端子が検出回路8崖び閾値決定回路IsO町変抵抗
マR@KII続されるとともに、その出力端子がトラン
ジスタTR20ベース及び表示回路111に備えられ九
発光ダイオードLIDIのカソードに接S!されている
。壕大同様に比較器14m祉、その反転入力端子が検出
回路8及び閾値決定回路Xiの可変抵抗マRIK*続さ
れるとともに、その出力端子がトランジスタ〒Rgのペ
ース及び表示1路1番に備えられ九発光ダイオードX、
ND2Oカソード儒K[!されている。こ0とき閾値設
定回路ISKよ〕、負の電圧値であゐ閾値t。 tlが一定されている。そして−値10絶対値は検出コ
イksが過熱し九ときKお社る電圧1の絶対値と等しく
1に′)ておシ、閾値t*0IIA対値は検出コイル5
が断線しえときに:&Pける電圧10M1!!値と勢し
くなっている。したがって通常時には電圧−〇絶対値が
閾値電圧1,1.0絶対値よりも小さいため、比較器1
4,148の出力電圧直a tLx #iハイレベ身H
となる。このため比較回路゛13のトランジスタテ1意
がOシシ状°態と1k)これの出力−がハイレベル市な
る。この紬果亀振(ロ)路2のトランジスタ?Ft2の
ON状態が保持されて発振状態が続行され、溶接用倣い
検出装置としての所期の動作か行なわれる。 まえ前記出力−がハイレベルHとなっているため表示回
路160発光ダイオードLmD1及び発光ダイオードL
IDi ii共に点灯しない、一方検出コイル5が過熱
されると電圧1の絶対値が閾値電圧tの絶対値よりも大
きくなるえめ、比較器14の出力電圧dがロウレベルL
となる。ζ〇九めトランジスタ〒R2が011状態とな
り′トれQ出力−がEl′f;レベALとなる。し良が
ってトランジスタテR3が011状態とな)発振1路8
0発mlが停止せしめられる。この結果検出出カー紘零
となる。また出力電圧直がロウレベルLK&るえめ発光
ダイオードLIDIが点灯し、検出コイル5が過熱して
いることがわかる。更に検出コイル5が断線すると電圧
aの絶対値が閾値電圧t、tiO絶対値よ)4大きくな
るため、比較器14.14aの出力電圧a 、 a、が
共に一つレベルLとなる。よってトランジスタTR2が
ON状簡に&!?発振回路2の発振が停止せしめられる
とともに、発光ダイオードLltDl 、 LID!が
共に発光する。このように本実施例では検出コイ)5が
過熱されると発光ダイオードLIDIが点灯し、11え
検出コイル5が断線すると発光ダイオードLl!Di及
び発光ダイオードLID2が点灯する九め、過熱や断1
IilIIIの異常が検出される。 一センナ1は、41に第12図(IIL)、伽)に抽絹
・拡大して夫々その断iis及び背面図で示すように、
夫々耐熱性セラ建ツクで作製されえコイルlビン1?a
と外筒1711とからなる外殻17に検出コイルSを内
蔵して構成されている。したがって嬢擬O熱や溶接スパ
ッタリングの付着によ)セン−11−1が損傷すること
Fiない。 1にシlll5図は本実施例に係る溶接用倣い検出装置
ill、18at自動すみ肉111m1lK搭載し先例
を示しておシ、検出装置1$は垂直kK対する距離を、
また検出装置18aは水平面に対する距離を党々検出す
る。更に第14図は本実施例に係るS*用倣い検出装置
18.18a−を自―突龜会わせ#*I!に搭載した例
を示してか)、検出装置18は上下方角の距離を、また
検出装置18aFi左右方向の距離を夫々検出す・る。 以上奥論例注と−に具体的に説−したように本実@によ
れば、可変容量回路、補正回路及び判定回路を備え九の
与ならずセンナの外殻を耐熱性材料で形成した丸め、温
度ドリフトが発生せず検出出力04I性が線形になると
ともに検出コイルO遥熱中−線を検出し得、更にセンナ
の損傷をも防止し得る。し丸がって簡単な構成にて従来
の欠点を悉く除去し得精gO高いiigat的tkII
IIII用做−検出装置となる。 表!lll0簡単1に説明 第1閣は従来の溶接用倣い検出装置を示すプロッタ構成
図、菖2mはそ0#輸出カー−検出コイルOm1度#特
性を示す特性図、第31%11 (a)。 (2)、ム)は夫々温度ドラフトの発生を抑えるべ〈従
来用いられて%Aえセンナに備えられた構成を示す櫃略
図、腑4図は従来技術の検噴出カーー距離L41性を示
す特性図、菖SWJ#i本発明の実JIII9I4を示
すプロッタ構成図、第6図は本実施例を示す回路図、1
IX7図は検出コイルの抵抗−温f特性を示す特性図、
第8図は可変容量ダイオードの中ヤパシタンスζ−逆電
圧vr4I性を示す特性図、189図は本実施例の検出
出カーーセンナの温度#特性を示す特性図、第1011
はトランジスタO勾−vg菖特性及びaom −Yal
特性を示す特性図、第11閣は本実施例と従来技g。 検出出カーー距離り特性を比較して示す特性図、菖1z
図−)、伽)は夫々センナを示す断面図及び背厘閣、第
13図及び菖14図は本実施例を自励す拳轟II装機及
び自動突き合わせfIHIm!に搭載し先例を示す説明
図である。 ai+iii 中、 1はセンナ、 2は発振回路、 番は被検体、 sFi検出コイル、 11は可変容量回路、 12#i補正回路、 11社比較回路、 ls社調値決定回路、 1丁は外殻である。 第10図 (mV) (mA) 】レクタ−エ ミー/ 7% Te’lc*
(y)第11図 跳籠L (m町 第12図 (α)(b〕 1r7シ 第13図 fG−
Claims (1)
- 溶接機に備えられて金属性の被検体に接近・離反するセ
ンナの検出コイルに発振回路から高周波電流を流すとと
−に、前記被検体への接近・離反に起因すゐ前記検出コ
イルのインダクタンスの変化によ〉発生する高周波電流
の電流値の変化を検出して前記溶接機と被検体との距離
に対応しえ検出出力を送出する*m用倣い検出装置にお
いて、前記検出コイルに微小な直流電流を流すとともに
、仁の直流電ILKよる検出コイルにおける電圧降下に
基づ〈電圧を検出する検出呵踏と、この電圧があらかじ
め設定され九所定OVa″値よ〕も大きい場合に異常と
判定する判定−路とを備え、更に前記検出回路で検出さ
れた前記電圧に対応してキャパシタンスが変化する仁と
によ)11j1変化に起因する―配検出プイルodFヤ
パシタンスの増減をちょうど相殺する可変害量回路メ、
コンダクタンスの特性が前記検出出力の非鐘形特性を線
形に補正するようt*m形−往となっている補正回路と
を鹸記検出コイル及び発振回路を含む回路に接続する一
方、前記検出コイルが内蔵されるセンtC>外殻を耐電
性材料で形成したことを特徴と子るS*用倣い検出装置
。 −
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14804481A JPS5842788B2 (ja) | 1981-09-19 | 1981-09-19 | 溶接用倣い検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14804481A JPS5842788B2 (ja) | 1981-09-19 | 1981-09-19 | 溶接用倣い検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5850177A true JPS5850177A (ja) | 1983-03-24 |
JPS5842788B2 JPS5842788B2 (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=15443871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14804481A Expired JPS5842788B2 (ja) | 1981-09-19 | 1981-09-19 | 溶接用倣い検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5842788B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0298536A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-10 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | 耐圧耐熱容器及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-09-19 JP JP14804481A patent/JPS5842788B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0298536A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-10 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | 耐圧耐熱容器及びその製造方法 |
JPH0512219B2 (ja) * | 1988-09-29 | 1993-02-17 | Toyo Seikan Kaisha Ltd |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5842788B2 (ja) | 1983-09-21 |
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