JPS5850029B2 - サイリスタ変換器 - Google Patents
サイリスタ変換器Info
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- JPS5850029B2 JPS5850029B2 JP56151368A JP15136881A JPS5850029B2 JP S5850029 B2 JPS5850029 B2 JP S5850029B2 JP 56151368 A JP56151368 A JP 56151368A JP 15136881 A JP15136881 A JP 15136881A JP S5850029 B2 JPS5850029 B2 JP S5850029B2
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- JP
- Japan
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- module
- support
- thyristor
- epoxy resin
- insulating
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/112—Mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は直流送電あるいは異周波数電力系統間の連系統
におげろ交直変換用のサイリスタ変換器の構成に関する
ものである。
におげろ交直変換用のサイリスタ変換器の構成に関する
ものである。
直流送電あるいは異周波数連系等におげろ交直変換用の
サイリスタ変換器は、最近の高電圧化及び大電流化にと
もない高層化及び大形化しつつあり、安価で十分な強度
を有する絶縁支柱で構成されたコンパクトで保守点検の
容易なサイリスタ変換器をいかに製作するかが問題とな
って来ている。
サイリスタ変換器は、最近の高電圧化及び大電流化にと
もない高層化及び大形化しつつあり、安価で十分な強度
を有する絶縁支柱で構成されたコンパクトで保守点検の
容易なサイリスタ変換器をいかに製作するかが問題とな
って来ている。
以下従来のサイリスタ変換器について第1図及至第3図
により説明する。
により説明する。
サイリスク変換器は第1図に示すような複数個のサイリ
スク素子1を直並列接続したサイリスタスタック2とそ
の付属回路であるアノードリアクトル3、ダンピング回
路を兼ねた分圧回路4及び各サイリスタ素子1を点弧さ
せるための点弧回路5等を収納したモジュール6を第2
図および第3図のごとく絶縁支柱8により数段積み重ね
て接続し構成されている。
スク素子1を直並列接続したサイリスタスタック2とそ
の付属回路であるアノードリアクトル3、ダンピング回
路を兼ねた分圧回路4及び各サイリスタ素子1を点弧さ
せるための点弧回路5等を収納したモジュール6を第2
図および第3図のごとく絶縁支柱8により数段積み重ね
て接続し構成されている。
図で9は絶縁支柱8に突設したモジュール支え、10は
変換器の上下フレーム、11は変換器の下部フレーム、
12はサイリスク変換器を大地より支持絶縁する支持碍
子を示す。
変換器の上下フレーム、11は変換器の下部フレーム、
12はサイリスク変換器を大地より支持絶縁する支持碍
子を示す。
以上のように従来の構造では電位が異なる左右のモジュ
ールを電気的に絶縁するということから、絶縁支柱より
突出しているモジュール支え9はモジュールを支えるた
めに強度を有する絶縁部でなげればならないため、絶縁
支柱としてのコストが非常に高価なものとなるばかりで
なく、モジュール支え9と絶縁支柱8との取付は金属等
のボルト類は使用出来ず接着構成としなげればならない
ため、強度上の信頼性の面でも問題がある。
ールを電気的に絶縁するということから、絶縁支柱より
突出しているモジュール支え9はモジュールを支えるた
めに強度を有する絶縁部でなげればならないため、絶縁
支柱としてのコストが非常に高価なものとなるばかりで
なく、モジュール支え9と絶縁支柱8との取付は金属等
のボルト類は使用出来ず接着構成としなげればならない
ため、強度上の信頼性の面でも問題がある。
さらに絶縁支柱8は碍子のように沿面距離をとるための
ヒダをもうげることが出来ないため、バルブの高さが増
大するという問題が生じ、バルブの耐震強度にも大きな
影響が生ずることになる。
ヒダをもうげることが出来ないため、バルブの高さが増
大するという問題が生じ、バルブの耐震強度にも大きな
影響が生ずることになる。
本発明は上記のような問題点を解決し、安価でしかも強
度上、絶縁上信頼性の高い保守点検の容易なサイリスタ
変換器を提供することを目的としている。
度上、絶縁上信頼性の高い保守点検の容易なサイリスタ
変換器を提供することを目的としている。
以下本発明を第4図により説明する。
第4図に示すように、エポキシ碍子13の上下間を接続
するために[形支え14を取りつげて必要段数重ねて1
本の支柱にしている。
するために[形支え14を取りつげて必要段数重ねて1
本の支柱にしている。
[形支え14は左右のモジュール間の絶縁のために必要
な絶縁距離をもってエポキシ碍子13に取りつげ、モジ
ュール6はモジュール6から突き出した支え15を[形
支え14の中に入れ、ボルトにより固定される構成とな
っている。
な絶縁距離をもってエポキシ碍子13に取りつげ、モジ
ュール6はモジュール6から突き出した支え15を[形
支え14の中に入れ、ボルトにより固定される構成とな
っている。
上述したようにモジュール6の支えにエポキシ碍子13
を使用しているため碍子表面にヒダをもうけることが出
来、沿面距離をのばせるためバルブの高さを低く出来、
かつ絶縁性能は向上する。
を使用しているため碍子表面にヒダをもうけることが出
来、沿面距離をのばせるためバルブの高さを低く出来、
かつ絶縁性能は向上する。
またエポキシ碍子13の上下間は金属のフレームにより
ボルトで固定出来るので支柱としての強度も向上する。
ボルトで固定出来るので支柱としての強度も向上する。
さらに左右のモジュール6の絶縁は[形の支え14をエ
ポキシ碍子13の左右に取り付けることにより確保でき
るばかりでなく、[形の支え14を利用して容易にモジ
ュール6を取り付けることができるため、モジュール6
の交換も短時間のうちに出来る。
ポキシ碍子13の左右に取り付けることにより確保でき
るばかりでなく、[形の支え14を利用して容易にモジ
ュール6を取り付けることができるため、モジュール6
の交換も短時間のうちに出来る。
また第5図および第6図は本発明における別の実施例で
水で冷却する水冷式サイリスタ変換器において、メイン
パイプ16から各モジュール6へ冷却水を送るパイプ1
7及びモジュール6を交換するため配管を外したときに
水がもれないようにするセルフカップリング18を[形
支え14に取り付けることが出来る。
水で冷却する水冷式サイリスタ変換器において、メイン
パイプ16から各モジュール6へ冷却水を送るパイプ1
7及びモジュール6を交換するため配管を外したときに
水がもれないようにするセルフカップリング18を[形
支え14に取り付けることが出来る。
このように各モジュール6へ送る冷却パイプ17及びセ
ルフカップリング18及びモジュールの取り付けがモジ
ュール6の前面より操作できる位置にあるため、モジュ
ール6の交換が短時間で、かつセルフカップリング18
の接続が確認できるなどの信頼性の面でも向上する。
ルフカップリング18及びモジュールの取り付けがモジ
ュール6の前面より操作できる位置にあるため、モジュ
ール6の交換が短時間で、かつセルフカップリング18
の接続が確認できるなどの信頼性の面でも向上する。
第1図は一般的なモジュール内部の回路図、第2図はサ
イリスタ変換器の構成を示す平面図、第3図はサイリス
ク変換器の正面図、第4図は本発明による絶縁支持物の
構成を示す正面図、第5図は本発明の一実施例を示す正
面図、第6図は第5図の側面図である。 1・・・・・・サイリスタ素子、2・・・・・・サイリ
スタスタック、3・・・・・・アノードリアクトル、4
・・・・・・分圧回路、5・・・・・・素子点弧回路、
6・・・・・・モジュール、7・・・・・・サイリスク
変換器、8・・・・・・絶縁支持物、9・・・・・・モ
ジュール支え、10・・・・・・バルブ下部レーム、1
1・・・・・・バルブ下部フレーム、12・・・・・・
支持碍子、13・・・・・・エポキシ碍子、14・・・
・・・[形支え、15・・・・・・支え、16・・・・
・メインパイプ、17°°°′°°冷却水を送るパイプ
、18・・・・・・セルフカプリング。
イリスタ変換器の構成を示す平面図、第3図はサイリス
ク変換器の正面図、第4図は本発明による絶縁支持物の
構成を示す正面図、第5図は本発明の一実施例を示す正
面図、第6図は第5図の側面図である。 1・・・・・・サイリスタ素子、2・・・・・・サイリ
スタスタック、3・・・・・・アノードリアクトル、4
・・・・・・分圧回路、5・・・・・・素子点弧回路、
6・・・・・・モジュール、7・・・・・・サイリスク
変換器、8・・・・・・絶縁支持物、9・・・・・・モ
ジュール支え、10・・・・・・バルブ下部レーム、1
1・・・・・・バルブ下部フレーム、12・・・・・・
支持碍子、13・・・・・・エポキシ碍子、14・・・
・・・[形支え、15・・・・・・支え、16・・・・
・メインパイプ、17°°°′°°冷却水を送るパイプ
、18・・・・・・セルフカプリング。
Claims (1)
- 1 複数個のサイリスク素子とその付属回路であるコン
デンサ、抵抗、リアクトル及びサイリスタ素子の点弧回
路等を収納したサイリスタモジュールを、絶縁支持物に
より数段積み重ねて構成されるサイリスタ変換器におい
て、前記モジュールを支持する絶縁支持物にエポキシ系
樹脂碍子を使用し、エポキシ系樹脂碍子を積み重ねるた
め、エポキシ系樹脂碍子の上下接続端面に少なくとも1
対の金属製の接手を互いに離隔して設け、その接手によ
り上下のエポキシ系樹脂碍子を固着し、前記金属製の接
手に前記モジュールを取り付けたことを特徴としたサイ
リスク変換器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56151368A JPS5850029B2 (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | サイリスタ変換器 |
US06/418,607 US4494173A (en) | 1981-09-26 | 1982-09-16 | Three-dimensional insulating structure for high voltage components |
DE8282108834T DE3276602D1 (en) | 1981-09-26 | 1982-09-24 | High voltage apparatus with three-dimensional structure |
EP82108834A EP0076439B1 (en) | 1981-09-26 | 1982-09-24 | High voltage apparatus with three-dimensional structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56151368A JPS5850029B2 (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | サイリスタ変換器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5853855A JPS5853855A (ja) | 1983-03-30 |
JPS5850029B2 true JPS5850029B2 (ja) | 1983-11-08 |
Family
ID=15517016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56151368A Expired JPS5850029B2 (ja) | 1981-09-26 | 1981-09-26 | サイリスタ変換器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4494173A (ja) |
EP (1) | EP0076439B1 (ja) |
JP (1) | JPS5850029B2 (ja) |
DE (1) | DE3276602D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH035043Y2 (ja) * | 1985-02-23 | 1991-02-08 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4710850A (en) * | 1986-02-19 | 1987-12-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Tower design for high-voltage systems |
EP0269815A3 (en) * | 1986-10-15 | 1990-05-16 | Fujimori Kogyo Co., Ltd. | Ultrasonic method of inspecting contents of a package and apparatus thereof |
SE9001436L (sv) * | 1990-04-23 | 1991-10-24 | Asea Brown Boveri | Stroemriktaranlaeggning |
GB2291074B (en) * | 1994-06-30 | 1998-04-15 | Gec Alsthom Ltd | Static electrical converter arrangement |
JP2004213984A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Ngk Insulators Ltd | ポリマーポスト碍子装置及びその装着方法 |
WO2010145870A1 (de) * | 2009-06-16 | 2010-12-23 | Abb Schweiz Ag | Leistungselektronische einheit und system mit solchen leistungselektronischen einheiten |
CN105024527B (zh) * | 2015-07-28 | 2017-12-26 | 许继电气股份有限公司 | 柔性直流输电用igbt模块单元 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE2354663C3 (de) * | 1973-10-31 | 1976-07-15 | Siemens Ag | Stromrichter |
SU656559A3 (ru) * | 1975-08-25 | 1979-04-05 | Сименс Аг (Фирма) | Двенадцатифазна выпр мительна установка |
-
1981
- 1981-09-26 JP JP56151368A patent/JPS5850029B2/ja not_active Expired
-
1982
- 1982-09-16 US US06/418,607 patent/US4494173A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-09-24 DE DE8282108834T patent/DE3276602D1/de not_active Expired
- 1982-09-24 EP EP82108834A patent/EP0076439B1/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH035043Y2 (ja) * | 1985-02-23 | 1991-02-08 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5853855A (ja) | 1983-03-30 |
EP0076439A2 (en) | 1983-04-13 |
EP0076439B1 (en) | 1987-06-16 |
EP0076439A3 (en) | 1985-03-06 |
DE3276602D1 (en) | 1987-07-23 |
US4494173A (en) | 1985-01-15 |
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