JPS5845997A - レリ−フ装置作製方法 - Google Patents
レリ−フ装置作製方法Info
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- JPS5845997A JPS5845997A JP57070191A JP7019182A JPS5845997A JP S5845997 A JPS5845997 A JP S5845997A JP 57070191 A JP57070191 A JP 57070191A JP 7019182 A JP7019182 A JP 7019182A JP S5845997 A JPS5845997 A JP S5845997A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
ビデオディスクは「マスク」から製作されるが、このマ
スクはビデオ情報を同ディスク表面しリーリ、マのよう
なマスタを゛使゛つてそのレリーフの鏡像を適当な基i
内にプレス又は成形する。マスクを作るのに従来使用さ
れていた1つの8方法は、ビスマス、テルル、又はテル
ルをペースとした媒体などのような低融点、低熱伝導率
を持った材料の薄膜をガラスなどのような適当な゛基板
に被覆し、そしてこの薄膜のちち、選択された局部にア
ブレーション処理を施して、ビデオデータに順次対応す
るぎット(以下ぎ71列という)を形成する。
スクはビデオ情報を同ディスク表面しリーリ、マのよう
なマスタを゛使゛つてそのレリーフの鏡像を適当な基i
内にプレス又は成形する。マスクを作るのに従来使用さ
れていた1つの8方法は、ビスマス、テルル、又はテル
ルをペースとした媒体などのような低融点、低熱伝導率
を持った材料の薄膜をガラスなどのような適当な゛基板
に被覆し、そしてこの薄膜のちち、選択された局部にア
ブレーション処理を施して、ビデオデータに順次対応す
るぎット(以下ぎ71列という)を形成する。
さらに、このほかの一連の操作が、これらのぎツ“***
又は突起を作るために、実施される。こうし下!スジが
いったん作られると、゛それをプレス装置又は噴射装置
内に使用して、グラスチックディスク上に上記表面レリ
ーフの鏡像複写を得る0いくつかの理由から、表面レリ
ーフを直接、すなわち、アブレーションピット列の初期
形成を行かつテルルより低コストの材料を利用すること
ができる。他方、アゾレージロン処理は蒸発くずを生じ
、このくずは所望される値よ゛り低い信号対雑音比を招
き、・さらにテルルは毒性を有する。
又は突起を作るために、実施される。こうし下!スジが
いったん作られると、゛それをプレス装置又は噴射装置
内に使用して、グラスチックディスク上に上記表面レリ
ーフの鏡像複写を得る0いくつかの理由から、表面レリ
ーフを直接、すなわち、アブレーションピット列の初期
形成を行かつテルルより低コストの材料を利用すること
ができる。他方、アゾレージロン処理は蒸発くずを生じ
、このくずは所望される値よ゛り低い信号対雑音比を招
き、・さらにテルルは毒性を有する。
本発明によれば、□イ”オン交換ガラスの層が、♂デオ
ディスク用マスクとして利用されている。イオン交換に
起因されて、この種のガラスは蓄積エネルヤを圧縮−力
の形で所有している。イオン交換ガラスの層の局所部分
が充分に加熱されたとき、このガラスのこれらの部分は
、軟化し圧縮比カエネルヤを局所表面***の形で解放す
る。表面***の形で解放する。表面***の有無及び/又
はそれらの高さにより、ビデオ情報をアナ四グ又はディ
ジタル形式で伝えることができる。イオン交換マスクは
表面***を直接的に形成するため本来的に低コストマス
タであるが、更にそれは容易に入手可能で、低コストで
、毒性のない材料、すなわち、ガラスを使用している。
ディスク用マスクとして利用されている。イオン交換に
起因されて、この種のガラスは蓄積エネルヤを圧縮−力
の形で所有している。イオン交換ガラスの層の局所部分
が充分に加熱されたとき、このガラスのこれらの部分は
、軟化し圧縮比カエネルヤを局所表面***の形で解放す
る。表面***の形で解放する。表面***の有無及び/又
はそれらの高さにより、ビデオ情報をアナ四グ又はディ
ジタル形式で伝えることができる。イオン交換マスクは
表面***を直接的に形成するため本来的に低コストマス
タであるが、更にそれは容易に入手可能で、低コストで
、毒性のない材料、すなわち、ガラスを使用している。
さらに、イオン交換マスクは、アブレーション破片がな
いために高い信号対雑音比を与える。
いために高い信号対雑音比を与える。
イオン交換マスクが形成されると、このマスクは従来の
方法で使用されて適当な従来型の基板、一般にはプラス
チックの上に鏡像複写を生成する。
方法で使用されて適当な従来型の基板、一般にはプラス
チックの上に鏡像複写を生成する。
この複写は、一般には、プレス又はスタンぎングによっ
て、あるいは噴射成形技術によって生成される。形成さ
れた複写のレリーフ表面は従来型の光反射層で被覆され
、−レリーフ表面に記憶されたビデオ情報の光学的読出
しが可能となる。
て、あるいは噴射成形技術によって生成される。形成さ
れた複写のレリーフ表面は従来型の光反射層で被覆され
、−レリーフ表面に記憶されたビデオ情報の光学的読出
しが可能となる。
以下、本発明を付図を引用して実施例について説明する
。
。
第1図゛を参照すると、♂チオディスクマスク1は、ガ
ラス基板8のイオン交換層6の表面4上の小さな離散し
た単***(5o11 ’bump ) 2 の形で、
ビデオデータの連続・トラックを記憶している。ガラス
基板8は、適当な酸化物修飾剤を含有する従来型のホウ
ケイ酸ガラス、たとえば、酸化物修飾剤として4モルパ
ーセントの酸化ナトリウム゛−(Nano ) を含
有するコーニングガラス(Oorninge1aε8)
77・40などである◇容認されるガラスの酸化物修飾
剤のイオンは、ガラス格子内の緩やかな結合配列内に分
散され、これによってこの酸化物修飾剤のイオン、すな
わち、このガラス内のナトリウムイオン(Ha”)
はガラス格子内できわめて移動し易くなっている。製造
工程中に酸化物修飾剤が添加されその間ガラスは溶融さ
れているので、ガラス基板8は、応力の形の蓄積エネル
ヤをほとんど含んでいない。
ラス基板8のイオン交換層6の表面4上の小さな離散し
た単***(5o11 ’bump ) 2 の形で、
ビデオデータの連続・トラックを記憶している。ガラス
基板8は、適当な酸化物修飾剤を含有する従来型のホウ
ケイ酸ガラス、たとえば、酸化物修飾剤として4モルパ
ーセントの酸化ナトリウム゛−(Nano ) を含
有するコーニングガラス(Oorninge1aε8)
77・40などである◇容認されるガラスの酸化物修飾
剤のイオンは、ガラス格子内の緩やかな結合配列内に分
散され、これによってこの酸化物修飾剤のイオン、すな
わち、このガラス内のナトリウムイオン(Ha”)
はガラス格子内できわめて移動し易くなっている。製造
工程中に酸化物修飾剤が添加されその間ガラスは溶融さ
れているので、ガラス基板8は、応力の形の蓄積エネル
ヤをほとんど含んでいない。
比較的内きな量のエネルイが、圧縮応力の形テ、表面の
イオン交換層6内にイオン交換を経て蓄積される。この
ようなイオン交換は、基板8を交換イオンに露すごとに
よって達成されるが、交換イオンは、酸化物修飾剤の有
するよりも大きな親和力を持っていてガラスの格子点を
占有する。特別の実施例においては、銅イオン(Ou”
)が格子点を先に引用したコーニングが?スフ740
のナトリウムイオン(Ha+)と交換させられる、すな
わち、ナトリウムイオンはガラスの格子点の外へ拡散さ
せられ、すなわち格子をあけ渡し、このあけ渡された格
子点は銅イオンによって占有される。
イオン交換層6内にイオン交換を経て蓄積される。この
ようなイオン交換は、基板8を交換イオンに露すごとに
よって達成されるが、交換イオンは、酸化物修飾剤の有
するよりも大きな親和力を持っていてガラスの格子点を
占有する。特別の実施例においては、銅イオン(Ou”
)が格子点を先に引用したコーニングが?スフ740
のナトリウムイオン(Ha+)と交換させられる、すな
わち、ナトリウムイオンはガラスの格子点の外へ拡散さ
せられ、すなわち格子をあけ渡し、このあけ渡された格
子点は銅イオンによって占有される。
銅イオンは、ナトリウムイオンの原子半径(0,96^
7)よりも僅かに大きな原子半径(0,98x)を持っ
ているために、イオン交換層6は、蓄積エネルギーをF
E紡応力の形で含んでいる。
7)よりも僅かに大きな原子半径(0,98x)を持っ
ているために、イオン交換層6は、蓄積エネルギーをF
E紡応力の形で含んでいる。
二こに指定さむたイオン交IIは、コーニングガことに
よって達成空れ鼠。湯の温度は厳密ではないが、セ氏5
50°で充分であり、塩化第一銅の蒸気は有毒であるの
で、塩化第一銅が蒸発しないように注意を払わなければ
ならない。イオン交換層6の深さは、交換時間、すなわ
ち、コー゛ニングがラス7740が湯中にある時間、の
平方根の関数である。この場合、6−2−094fであ
り、ここにdは層部分6の深さで単位はマイクロメータ
、またtは湯中の時間で単位は分である。第2図は、セ
氏550°の湯の場合の、分で表した交換時間9の関数
、とじて層6の深さをマイクロメータで示すグラフであ
る。第1図において1.イオン交換層6は、湯中又はそ
の後の研磨の間中適当なマス゛りを掛けることによって
基板の一方の側だけにしか存在しないが、もし両側マス
クを得たいと望むならば、イオン交換層6を両平坦面に
沿って施すことができる。
よって達成空れ鼠。湯の温度は厳密ではないが、セ氏5
50°で充分であり、塩化第一銅の蒸気は有毒であるの
で、塩化第一銅が蒸発しないように注意を払わなければ
ならない。イオン交換層6の深さは、交換時間、すなわ
ち、コー゛ニングがラス7740が湯中にある時間、の
平方根の関数である。この場合、6−2−094fであ
り、ここにdは層部分6の深さで単位はマイクロメータ
、またtは湯中の時間で単位は分である。第2図は、セ
氏550°の湯の場合の、分で表した交換時間9の関数
、とじて層6の深さをマイクロメータで示すグラフであ
る。第1図において1.イオン交換層6は、湯中又はそ
の後の研磨の間中適当なマス゛りを掛けることによって
基板の一方の側だけにしか存在しないが、もし両側マス
クを得たいと望むならば、イオン交換層6を両平坦面に
沿って施すことができる。
層6内の圧縮応力の形の蓄積エネルギーに加えて、イオ
ン交換はまた層6の光吸収スペクトルを変化させること
かで′きる。塩化第一銅(0ucx )とコーニングガ
ラス774o・がイオン交換層6を生成するとき、!#
6は着色(暗色化)さhその光吸収率は増大される。第
6図の曲線ムは、銅イオン交換コーニングガラス774
oの層の光吸収スペクトルのノロツー゛トである。次の
点に注目されたい、すなわちこのイオン交換層は、スペ
クトルの背端、すなわち、従来型のアルインレーデ及び
ヘリウム−カドミウムレーデからの“発射波長、におい
て比較的良好な吸収性を示し、こ′れにより、この種の
レーデが、開示されたイオン交換ガラスビデオディスク
に対して書込みビームエネルギを伝える妥当なビデオ信
号源となっている。(イオン交換以前のガラスに比較し
て)増大した光吸収率のために、有意な量の書込みビー
ムエネルギがイオン交換層6の離散した局部に吸収され
、この吸収の結果生じた熱がこれらの離散した局部にお
いてイオン交換層を軟化させ、柔軟にする。蓄積圧縮応
力エネルギは、軟化した加熱部分を「押し」、これが原
因となってこの部分を可能な方向にのみ変形させ、これ
によって、小さな離散した嚢起すなわち***2が形成さ
れる。このようにして、マスタ1の表面レリーフが直接
的に、すなわち、従来型のピットの形成を行うことなく
、形成される。
ン交換はまた層6の光吸収スペクトルを変化させること
かで′きる。塩化第一銅(0ucx )とコーニングガ
ラス774o・がイオン交換層6を生成するとき、!#
6は着色(暗色化)さhその光吸収率は増大される。第
6図の曲線ムは、銅イオン交換コーニングガラス774
oの層の光吸収スペクトルのノロツー゛トである。次の
点に注目されたい、すなわちこのイオン交換層は、スペ
クトルの背端、すなわち、従来型のアルインレーデ及び
ヘリウム−カドミウムレーデからの“発射波長、におい
て比較的良好な吸収性を示し、こ′れにより、この種の
レーデが、開示されたイオン交換ガラスビデオディスク
に対して書込みビームエネルギを伝える妥当なビデオ信
号源となっている。(イオン交換以前のガラスに比較し
て)増大した光吸収率のために、有意な量の書込みビー
ムエネルギがイオン交換層6の離散した局部に吸収され
、この吸収の結果生じた熱がこれらの離散した局部にお
いてイオン交換層を軟化させ、柔軟にする。蓄積圧縮応
力エネルギは、軟化した加熱部分を「押し」、これが原
因となってこの部分を可能な方向にのみ変形させ、これ
によって、小さな離散した嚢起すなわち***2が形成さ
れる。このようにして、マスタ1の表面レリーフが直接
的に、すなわち、従来型のピットの形成を行うことなく
、形成される。
もし望むならば、イオン交換層の離散した局部の加熱は
、高強度光ビーム以外の手段、すなわち、適当に制御さ
れた電子又はイオンビームによっても達成される。
、高強度光ビーム以外の手段、すなわち、適当に制御さ
れた電子又はイオンビームによっても達成される。
先に述べたように、コーニングガラス774゜は、4モ
ルパーセントのMl!L20 を含んでいる・高率の
酸化物修飾剤を含有しているホウケイ酸ガラスを使うと
さらに有利である。第1に、このようなガラスは低い軟
化点を有し、したがって、圧縮エネルギの放出を行うた
めに必要とすあ書込みビームエネルギは少くて済む。第
2に、このようなガラスはより多くの格子点を、これを
占有する交換イオンに与え、したがってこの種のガラス
の光吸収性を向上しまたさらに必要な書込みエネルギは
少くなる。
ルパーセントのMl!L20 を含んでいる・高率の
酸化物修飾剤を含有しているホウケイ酸ガラスを使うと
さらに有利である。第1に、このようなガラスは低い軟
化点を有し、したがって、圧縮エネルギの放出を行うた
めに必要とすあ書込みビームエネルギは少くて済む。第
2に、このようなガラスはより多くの格子点を、これを
占有する交換イオンに与え、したがってこの種のガラス
の光吸収性を向上しまたさらに必要な書込みエネルギは
少くなる。
ガラス基板は、酸化ナトリウム以外の酸化物条件剤を含
有することができる。たとえば、ガラス基板は酸化物修
飾剤として酸化ナトリウムの代りに酸化カリウム又は酸
化リチウムのいずれかを、又はこれらの拳化物の両方又
はそれ以上を含有することもできる。Ou”/’K”
及びOu”7’LL+イオン交換は、Ou+/N&+イ
オン交換が達成される場合と実質的に同様に達、成され
るが、シかしながらNa+イオンはX+イオン又はLi
+イオンのいずれよりも良く外へ拡散するので、Ou”
/Na+イオン交換の方が第4図は、***2を記録する
実施例の装置を示す。レクセルー7rル(Lexe’l
Moael)95−4などのようなアルインレーデ2
0は、波長488ナノメートルのコヒーレント光ビーム
を発射する一発射された光ビーム(書込みビーム゛)は
、反射鏡22によって、電源26付きの従来型電子−光
学変調器24に向けて送られる。この変調器は、コヒー
レント・アソシェート(Coher@nt As5oc
iates )Xアップル(ムpp1e ) Ifコン
ぎユータ/♂デオカメラ構成などのような♂デオ制御f
aセッサ29から従来式の方法で受取るたビデオ信号の
順序に従って書込み♂−ムを振幅変調するように機能す
る。反射鏡2Bは、変調書込♂−ムを空間フィル□ それがコリメートレンズ32に到達する前に「クリーン
アップ」シ、コリメートレンズはこの一一ム(空間フィ
ルタ30は規準の合っていない書込み♂−ムを出力する
)の規準を合わせて延長する。
有することができる。たとえば、ガラス基板は酸化物修
飾剤として酸化ナトリウムの代りに酸化カリウム又は酸
化リチウムのいずれかを、又はこれらの拳化物の両方又
はそれ以上を含有することもできる。Ou”/’K”
及びOu”7’LL+イオン交換は、Ou+/N&+イ
オン交換が達成される場合と実質的に同様に達、成され
るが、シかしながらNa+イオンはX+イオン又はLi
+イオンのいずれよりも良く外へ拡散するので、Ou”
/Na+イオン交換の方が第4図は、***2を記録する
実施例の装置を示す。レクセルー7rル(Lexe’l
Moael)95−4などのようなアルインレーデ2
0は、波長488ナノメートルのコヒーレント光ビーム
を発射する一発射された光ビーム(書込みビーム゛)は
、反射鏡22によって、電源26付きの従来型電子−光
学変調器24に向けて送られる。この変調器は、コヒー
レント・アソシェート(Coher@nt As5oc
iates )Xアップル(ムpp1e ) Ifコン
ぎユータ/♂デオカメラ構成などのような♂デオ制御f
aセッサ29から従来式の方法で受取るたビデオ信号の
順序に従って書込み♂−ムを振幅変調するように機能す
る。反射鏡2Bは、変調書込♂−ムを空間フィル□ それがコリメートレンズ32に到達する前に「クリーン
アップ」シ、コリメートレンズはこの一一ム(空間フィ
ルタ30は規準の合っていない書込み♂−ムを出力する
)の規準を合わせて延長する。
t;リーラ」ヶ書込、ビーA(+)直径、よ、制御器。
部材38によって調節dれ、これによって、適当な直径
にさせられた書込みビームが反射鏡40によってレンズ
41に向けて送られ、このレンズは書込みビームをイオ
ン交換層6の表面4の離散部分上に集束する一層6の表
面4は、書込みビームに対して、たとえば、ら旋トラッ
クのrXJ及び[yJ門標に沿って、ステツゾモータ4
2と44制御され、この制御器は適当な入゛力を制御ノ
ロセッサ29から受は取る。したがって、書込みV−ム
は、順次イオン交換層6の選択部分を加熱7し、この結
果、蓄積圧縮応力エネルギが局部的に解放されまた単デ
ータ***2が形成され、これによってビデオマスク1が
直接的に形成される。書込みビーム及び/又はそのパル
ス長を調節することによって、***2の寸法(高さ)を
関節するととができ、これによってアナレグ信号の情報
内容を伝えることができる。ディジタル信号の情報を伝
えるためには、書込みビームは単にオン・オフすなわち
2つの適当なエネルギレベルに変調される0***2の寸
法は、いくつかの因子に依存し、これらの因子には、層
6の圧縮応力エネルギ、層6の光吸収率、及び書込みビ
ームの電力及びパルス長、さが含まれる。コーニングガ
ラス7740を溶融(550℃)した塩化鋼湯に152
0分漬けることによって作られる銅イオン交換コーニン
グガラス7740と層6の表面において5 Q mW
の1マイクル秒パルスを出力するように動作するアルイ
ンレーデ(波長488μmで放出する)を使用して、隆
起2が形成されるが、その***の直径は約2.25μm
また高さは約0.6〜0.5μmである@このような寸
法の***は、レンズ41が従来型の倍率10の顕微鏡対
物レンズであるときに、形成される。これより小さい直
径の、すなわち、0.5μm程度の直径の***は、レン
ズ41がもつと高い倍率、通常、倍率60くらいのとき
、形成される。比較的大きな高さの***は、アブレーシ
ョン処理されたテルルを用いるマスタの***に比較して
高い信号対雑音比を与える。また、データはきわめて竪
牢な材料(ガラス)の1部(単表面***)として記憶さ
れるので、保存記憶は保護ケースを必要とせず容易に達
成される。加えて、マスク媒質もきわめて低摩な材料で
あるから、非常に低コストのマスクが得られる。
にさせられた書込みビームが反射鏡40によってレンズ
41に向けて送られ、このレンズは書込みビームをイオ
ン交換層6の表面4の離散部分上に集束する一層6の表
面4は、書込みビームに対して、たとえば、ら旋トラッ
クのrXJ及び[yJ門標に沿って、ステツゾモータ4
2と44制御され、この制御器は適当な入゛力を制御ノ
ロセッサ29から受は取る。したがって、書込みV−ム
は、順次イオン交換層6の選択部分を加熱7し、この結
果、蓄積圧縮応力エネルギが局部的に解放されまた単デ
ータ***2が形成され、これによってビデオマスク1が
直接的に形成される。書込みビーム及び/又はそのパル
ス長を調節することによって、***2の寸法(高さ)を
関節するととができ、これによってアナレグ信号の情報
内容を伝えることができる。ディジタル信号の情報を伝
えるためには、書込みビームは単にオン・オフすなわち
2つの適当なエネルギレベルに変調される0***2の寸
法は、いくつかの因子に依存し、これらの因子には、層
6の圧縮応力エネルギ、層6の光吸収率、及び書込みビ
ームの電力及びパルス長、さが含まれる。コーニングガ
ラス7740を溶融(550℃)した塩化鋼湯に152
0分漬けることによって作られる銅イオン交換コーニン
グガラス7740と層6の表面において5 Q mW
の1マイクル秒パルスを出力するように動作するアルイ
ンレーデ(波長488μmで放出する)を使用して、隆
起2が形成されるが、その***の直径は約2.25μm
また高さは約0.6〜0.5μmである@このような寸
法の***は、レンズ41が従来型の倍率10の顕微鏡対
物レンズであるときに、形成される。これより小さい直
径の、すなわち、0.5μm程度の直径の***は、レン
ズ41がもつと高い倍率、通常、倍率60くらいのとき
、形成される。比較的大きな高さの***は、アブレーシ
ョン処理されたテルルを用いるマスタの***に比較して
高い信号対雑音比を与える。また、データはきわめて竪
牢な材料(ガラス)の1部(単表面***)として記憶さ
れるので、保存記憶は保護ケースを必要とせず容易に達
成される。加えて、マスク媒質もきわめて低摩な材料で
あるから、非常に低コストのマスクが得られる。
いくつかの面でビデオマスクとしてアブレーション処理
テルル構造より侵れてはいるものの、開示されたイオン
交換マスクは′アブレーション処理テルルを用いるマス
クが必要とするよりも多くのエネルギを必要とする。た
とえば、テルルをアブレーション処理するには0.25
nJ 程度のエネルギを必要とするが、***2を形
成するには3Qn、T(ナノジュール)を必要とする。
テルル構造より侵れてはいるものの、開示されたイオン
交換マスクは′アブレーション処理テルルを用いるマス
クが必要とするよりも多くのエネルギを必要とする。た
とえば、テルルをアブレーション処理するには0.25
nJ 程度のエネルギを必要とするが、***2を形
成するには3Qn、T(ナノジュール)を必要とする。
銅イオン交換層の必要とするデータ蓄積エネルギは、水
素低域によって減少するが、成形ガス(窒素80%、水
素20%)などのような水素含有ガスが加熱(セ氏40
0°)イオン交換層の上を通って、イオン交換層の厚さ
に正比例する時間(1ないし数時間)流される。水素の
流れによって銅イオンは、金属#l(0u0)の小さな
粒子となる。イ。オン交換層内の金属鋼の存在は、イオ
ン交換層の光吸収率を増大させるが、これは、水素低域
時間1時間及び6時間それぞれに対する第6図の曲線B
及びCに示されるとおりである。イオン交換層の光吸収
率の増大は、イオン交換層の離散部分を、次のような点
、すなわち、これらの離散部分の圧縮応力エネルギが隆
起2として解放されるような点まで、軟化するに必要と
される書込み一一ムの量を減少する。−例として、コー
ニングガラス7740の試料が15分分間式550°で
0uOj イオン交換され、これに続いて45分分間
風400°で成形ガス内で低減化された場合、***を1
nJ 未満の書込み一一ムエネルヤで形成することがで
きる。これは、レンズ41が倍率60、N、A、 0.
85 の対物レンズのときに起こる。
素低域によって減少するが、成形ガス(窒素80%、水
素20%)などのような水素含有ガスが加熱(セ氏40
0°)イオン交換層の上を通って、イオン交換層の厚さ
に正比例する時間(1ないし数時間)流される。水素の
流れによって銅イオンは、金属#l(0u0)の小さな
粒子となる。イ。オン交換層内の金属鋼の存在は、イオ
ン交換層の光吸収率を増大させるが、これは、水素低域
時間1時間及び6時間それぞれに対する第6図の曲線B
及びCに示されるとおりである。イオン交換層の光吸収
率の増大は、イオン交換層の離散部分を、次のような点
、すなわち、これらの離散部分の圧縮応力エネルギが隆
起2として解放されるような点まで、軟化するに必要と
される書込み一一ムの量を減少する。−例として、コー
ニングガラス7740の試料が15分分間式550°で
0uOj イオン交換され、これに続いて45分分間
風400°で成形ガス内で低減化された場合、***を1
nJ 未満の書込み一一ムエネルヤで形成することがで
きる。これは、レンズ41が倍率60、N、A、 0.
85 の対物レンズのときに起こる。
鋪イオンとナトリウム、カリウム又はリチウムの°うち
のいずれかとの間のイオン交換は有効なマスタ材料を提
供するけれども、イオン交換源として鋼を使用すること
によってマスク材料がある回避できない制約を受けるよ
う辷なる。とくにこの場合、Ou”、/ma”交換材料
上にデータを記録するために使用されるレーデビームの
波長はスペクトルの前端に限定される、そしてこれは、
第3図の曲線ムによって示されるように、Cu”/Na
+交換材料が488nmより実質的に長い波長において
は非常に低い光吸収率を持つからである。・なおまた、
Ou+イーオンはHa+イオンよりさほど大きくないの
で、蓄檀王縮応カエネルイの絶対量は比較的低い。
のいずれかとの間のイオン交換は有効なマスタ材料を提
供するけれども、イオン交換源として鋼を使用すること
によってマスク材料がある回避できない制約を受けるよ
う辷なる。とくにこの場合、Ou”、/ma”交換材料
上にデータを記録するために使用されるレーデビームの
波長はスペクトルの前端に限定される、そしてこれは、
第3図の曲線ムによって示されるように、Cu”/Na
+交換材料が488nmより実質的に長い波長において
は非常に低い光吸収率を持つからである。・なおまた、
Ou+イーオンはHa+イオンよりさほど大きくないの
で、蓄檀王縮応カエネルイの絶対量は比較的低い。
488nmを超える波長における光吸収率の増大は、ガ
ラス基板8として、スコツト(5cott ) BG−
58及びBG−18のようなガラス色フィルタを利用す
ることによって達成される。スペクトルの遠赤端(80
0〜950 nm ) におけ7るある程度の光吸収
率により1.書込み♂−ム源としてダイオードレーデの
使用が可能になるであろう。蓄積圧縮応カエネ・ルイー
の増大は、酸化物修飾剤イオンが持つよりも遥かに大き
な原子半径を持つ交換イオンを利用することによって達
成される。たとえば、交換イオンとしてカリウムイオン
を酸化物修飾剤として酸化ナトリウムを含有するガラス
2共に使用すると、比較的多量の圧縮応力、エネルギが
得られるが、これはカリウムイオンがナトリウムイオン
より遥かに大きいからである。Ou”/Ha+イオン交
換と似た具合に、K+/Na+ イオン交換も、酸化ナ
トリウム修飾−(modiriel ) ガラスを・
KOjなどのようなカリウム塩の湯に漬けることによっ
て達成される。
ラス基板8として、スコツト(5cott ) BG−
58及びBG−18のようなガラス色フィルタを利用す
ることによって達成される。スペクトルの遠赤端(80
0〜950 nm ) におけ7るある程度の光吸収
率により1.書込み♂−ム源としてダイオードレーデの
使用が可能になるであろう。蓄積圧縮応カエネ・ルイー
の増大は、酸化物修飾剤イオンが持つよりも遥かに大き
な原子半径を持つ交換イオンを利用することによって達
成される。たとえば、交換イオンとしてカリウムイオン
を酸化物修飾剤として酸化ナトリウムを含有するガラス
2共に使用すると、比較的多量の圧縮応力、エネルギが
得られるが、これはカリウムイオンがナトリウムイオン
より遥かに大きいからである。Ou”/Ha+イオン交
換と似た具合に、K+/Na+ イオン交換も、酸化ナ
トリウム修飾−(modiriel ) ガラスを・
KOjなどのようなカリウム塩の湯に漬けることによっ
て達成される。
形成されたマスタ1は従来式の方′法で利用さへ鏡像(
マスクが***を有するところではぎット、マスクが平ら
なところでは***)レリーフ表部複写を、一般にプラス
スチック材料で作られた従来型の適当な基板又はディス
ク上に生じる。この複写は、一般に、プレス又はスタン
ピング技術によって、あるいは、注入成形技術によって
形成され、この場合、複写はマスタ1上の***のある場
所に相当する場所に凹みを有する。読出しを行なうため
に光反射材料の薄層が、通常、このレリーフ表面に被着
され、次いで、透明被膜がこの光反射材料薄層に対する
保護被膜として被着される。
マスクが***を有するところではぎット、マスクが平ら
なところでは***)レリーフ表部複写を、一般にプラス
スチック材料で作られた従来型の適当な基板又はディス
ク上に生じる。この複写は、一般に、プレス又はスタン
ピング技術によって、あるいは、注入成形技術によって
形成され、この場合、複写はマスタ1上の***のある場
所に相当する場所に凹みを有する。読出しを行なうため
に光反射材料の薄層が、通常、このレリーフ表面に被着
され、次いで、透明被膜がこの光反射材料薄層に対する
保護被膜として被着される。
この複写からの再生は、従来式の方法で達成される。レ
ーデか゛らの光は、光学系を通してディスクの反射材料
薄層上に集束される。反射材料薄層内における凹みの有
・無が、反射材料薄層からの光の反射量を決定し、この
反射量は従来型の光学系によって再捕獲されて、光検出
器によって従来式の方法で電気信号に変換される。検出
信号は、マスタ1を作るのに使用された書込みビームに
よって伝えられた原始ビデオ信号情報を再生するのに使
用される。
ーデか゛らの光は、光学系を通してディスクの反射材料
薄層上に集束される。反射材料薄層内における凹みの有
・無が、反射材料薄層からの光の反射量を決定し、この
反射量は従来型の光学系によって再捕獲されて、光検出
器によって従来式の方法で電気信号に変換される。検出
信号は、マスタ1を作るのに使用された書込みビームに
よって伝えられた原始ビデオ信号情報を再生するのに使
用される。
マスタ1は、♂デオディスクの製造との関連において述
べられたけれども、マスク製造工程は、他のレリーフ表
面装置、たとえば、導波管、表面レリーフ格子、微小レ
ンズ配列等の製造に適用可能である。
べられたけれども、マスク製造工程は、他のレリーフ表
面装置、たとえば、導波管、表面レリーフ格子、微小レ
ンズ配列等の製造に適用可能である。
第1図は、本発明による「マスタ」の斜視図、第2図は
、イオン交換層の深さを時間の関数として示すグラフ図
、 第6図は、イオン交換層上の吸収スペクトルを示すグラ
フ図、 第4図は、本発明によるマスクを製造する光学系のブロ
ック図、 である。 1:ビデオディスクマスク 2:*** 4:***のある表面 6:イオン交換層 8ニガラス基板 20:アルインレーデ 22:反射鏡 24:電子−光学変調器 26:電源 29:ビデオ制御ゾ豐七ツサ 30:空間フィルタ 32:コリメートレンズ 38:制御開口部材 42.44ニステツプモータ 代理人 浅 村 皓 外4名 FIG、 2 FIG、J
、イオン交換層の深さを時間の関数として示すグラフ図
、 第6図は、イオン交換層上の吸収スペクトルを示すグラ
フ図、 第4図は、本発明によるマスクを製造する光学系のブロ
ック図、 である。 1:ビデオディスクマスク 2:*** 4:***のある表面 6:イオン交換層 8ニガラス基板 20:アルインレーデ 22:反射鏡 24:電子−光学変調器 26:電源 29:ビデオ制御ゾ豐七ツサ 30:空間フィルタ 32:コリメートレンズ 38:制御開口部材 42.44ニステツプモータ 代理人 浅 村 皓 外4名 FIG、 2 FIG、J
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (凰) レリーフ装置作製方法であって1、 蓄積エ
ネルギを圧縮応力の形で有するイオン交換ガラスを用意
することと、 前記層の表面の局部を圧縮応力エネルギが前記局部にお
いて表面***の形で解放されるに充分なだけ加熱するこ
とと、 前記***のある表面の少くとも1つの鏡像表面複写を形
成するために前記***のある表面を利用すること とを包含することを特徴とする前記方法。 (2) レリーフ装置作製方法であって、蓄積エネル
ギを圧縮応力の形で有するイオン交換ガラスを用意する
ことと、 光エネルギによって前記層の表面の局部を圧縮応力エネ
ルギが前記局部において表面***の形で解放されるに充
分なだけ加熱することと、前記***のある表面の少くと
も1つの鏡像表面複写を形成するために前記***のある
表面を利用することと を包含することを特徴とする前記方法。 (3) レリーフ装置作製方法であって、蓄積エネル
ギを圧縮応力の形で有するイオン交換ガラスを用意する
ことと、 前記層の表面の局部を圧縮応力エネルギが前記局部にお
いて表面***の形で解放されるに充分なだけ加熱するこ
とと、 前記***のある表面の少くとも1つの鏡像表面複写を形
成するために前記***のある表面を利用することと、 前記鏡像表面複写を光反射材料の層で被覆することとを
包含することを特徴とする前記方法。 (4) レリーフ装置作製方法であって蓄積エネルギ
を圧縮応力の形で有するイオン交換ガラスを用意するこ
とと、 前記層の表面の局部を圧縮応力エネルギが前記局部にお
いて表面***の形で解放されるに充分のある表面□の少
くとも1つの鏡像表面複写を形成するためのマスクとし
て前記***のあ ・る表面を利用することと、 前記鏡像表面複写を光反射材料め層で被覆することとを
包含することを特徴とする前記方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/300,084 US4382103A (en) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | Master for device replication |
US300084 | 1981-09-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5845997A true JPS5845997A (ja) | 1983-03-17 |
Family
ID=23157637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57070191A Pending JPS5845997A (ja) | 1981-09-08 | 1982-04-26 | レリ−フ装置作製方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4382103A (ja) |
EP (1) | EP0074158B1 (ja) |
JP (1) | JPS5845997A (ja) |
DE (1) | DE3275606D1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60182030A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Hoya Corp | 情報記録用基板の製造方法 |
JPH02103293A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-16 | Lion Corp | 高嵩密度粒状洗剤組成物 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4619804A (en) * | 1985-04-15 | 1986-10-28 | Eastman Kodak Company | Fabricating optical record media |
US5188863A (en) * | 1989-06-30 | 1993-02-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Direct effect master/stamper for optical recording |
US5234717A (en) * | 1990-06-14 | 1993-08-10 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Process for producing a minute-patterned substrate |
FR2929749A1 (fr) * | 2008-04-08 | 2009-10-09 | Pascal Andre | Procede et systeme pour l'enregistrement de donnees sous forme d'une nanostructure |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3954469A (en) * | 1973-10-01 | 1976-05-04 | Mca Disco-Vision, Inc. | Method of creating a replicating matrix |
US4211617A (en) * | 1975-02-24 | 1980-07-08 | Mca Disco-Vision, Inc. | Process for producing a stamper for videodisc purposes |
US4192689A (en) * | 1978-05-30 | 1980-03-11 | Ppg Industries, Inc. | Ion exchange strengthening of soda-lime-silica glass |
US4264986A (en) * | 1979-03-12 | 1981-04-28 | Willis Craig I | Information-recording process & apparatus |
-
1981
- 1981-09-08 US US06/300,084 patent/US4382103A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-04-26 JP JP57070191A patent/JPS5845997A/ja active Pending
- 1982-04-27 DE DE8282302145T patent/DE3275606D1/de not_active Expired
- 1982-04-27 EP EP82302145A patent/EP0074158B1/en not_active Expired
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60182030A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Hoya Corp | 情報記録用基板の製造方法 |
JPH0370866B2 (ja) * | 1984-02-29 | 1991-11-11 | Hoya Corp | |
JPH02103293A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-16 | Lion Corp | 高嵩密度粒状洗剤組成物 |
JPH0637639B2 (ja) * | 1988-10-12 | 1994-05-18 | ライオン株式会社 | 高嵩密度粒状洗剤組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0074158B1 (en) | 1987-03-04 |
EP0074158A3 (en) | 1984-07-18 |
EP0074158A2 (en) | 1983-03-16 |
US4382103A (en) | 1983-05-03 |
DE3275606D1 (en) | 1987-04-09 |
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