JPS5845501A - 運動する被検出体の運動位置検出装置 - Google Patents
運動する被検出体の運動位置検出装置Info
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- JPS5845501A JPS5845501A JP56142386A JP14238681A JPS5845501A JP S5845501 A JPS5845501 A JP S5845501A JP 56142386 A JP56142386 A JP 56142386A JP 14238681 A JP14238681 A JP 14238681A JP S5845501 A JPS5845501 A JP S5845501A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
- G01D5/147—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the movement of a third element, the position of Hall device and the source of magnetic field being fixed in respect to each other
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は運動する被検出体の運動位置検出装置に関する
。
。
従来の、磁気変化素子を用い是、運動する被検出体の運
動位置検出装置の一例が第1図ないし第4図を用いて説
明される。第1図にお−て、1は磁気抵抗素子(例えば
、シーメンス社製差動センサ、製品番号FP211D1
55)を包含する位隨検出本体であり、4はハウジング
、7L 72社磁気抵抗素子、5は磁気抵抗素子71.
72をマウンシする樹脂である。6は円筒形になりた永
久磁石である。2は磁性体で出来てiる円板状の被検出
体で1つO突起21を有し、この突起21が被検出体回
転の基準位置でTo、ITo第3図は磁気抵抗素子71
.72の抵抗値変化を電気的に取り出す丸めの電気回路
図である。磁気抵抗素子71゜72社同じ特性をもった
素子である。
動位置検出装置の一例が第1図ないし第4図を用いて説
明される。第1図にお−て、1は磁気抵抗素子(例えば
、シーメンス社製差動センサ、製品番号FP211D1
55)を包含する位隨検出本体であり、4はハウジング
、7L 72社磁気抵抗素子、5は磁気抵抗素子71.
72をマウンシする樹脂である。6は円筒形になりた永
久磁石である。2は磁性体で出来てiる円板状の被検出
体で1つO突起21を有し、この突起21が被検出体回
転の基準位置でTo、ITo第3図は磁気抵抗素子71
.72の抵抗値変化を電気的に取り出す丸めの電気回路
図である。磁気抵抗素子71゜72社同じ特性をもった
素子である。
第5図に&いて、磁気抵抗素子71.72は直列に接続
し1該直列接続にまたがつて1定電圧v6 が印加して
あシ、磁気抵抗素子71の一端は接地しである。一方、
is*抵抗eof、ao2も直列に接続してあシ、蒙直
列接−続にまたがって前記一定電圧v8 が印加してI
!り、固定抵抗801の一端は接地しである。前記各磁
気抵抗素子71と72の接続点と該固定抵抗801と8
02の接続点との電位差ΔV′が出力になりている。各
磁気抵抗素子7j、72と各固走抵抗80j、802と
はブリッヂレ路を構成しておシ、磁気抵抗素子71.7
2,801.802の抵抗値をそれぞれR1* Rj
+ g、 l R4とすルト、w圧Δv’tt、
′となる。この場合、突起21が接近していない状絆の
時、R,XR4=R2XR,になるように設定しである
。
し1該直列接続にまたがつて1定電圧v6 が印加して
あシ、磁気抵抗素子71の一端は接地しである。一方、
is*抵抗eof、ao2も直列に接続してあシ、蒙直
列接−続にまたがって前記一定電圧v8 が印加してI
!り、固定抵抗801の一端は接地しである。前記各磁
気抵抗素子71と72の接続点と該固定抵抗801と8
02の接続点との電位差ΔV′が出力になりている。各
磁気抵抗素子7j、72と各固走抵抗80j、802と
はブリッヂレ路を構成しておシ、磁気抵抗素子71.7
2,801.802の抵抗値をそれぞれR1* Rj
+ g、 l R4とすルト、w圧Δv’tt、
′となる。この場合、突起21が接近していない状絆の
時、R,XR4=R2XR,になるように設定しである
。
以上0@成でその作動を説明すると、第1図において、
永久磁石6にょシ点線で示す磁力−が出ているとすると
、円板2の突起21が接近していない場合には、磁力哨
は磁気抵抗素子71.72に均等に通っている。そして
、被検出体2が回転して突起21が第1図のように磁気
抵抗素子71に接近すると、磁気抵抗素子、71を通る
磁力線は増加して磁気抵抗素子71の抵抗値は大きくな
シ、逆に磁気抵抗素子72を通過する磁力lは減少して
磁気抵抗素子72の抵抗値は小さくなる。従って、第3
図の電圧△V′は正方向の半波波形になる。
永久磁石6にょシ点線で示す磁力−が出ているとすると
、円板2の突起21が接近していない場合には、磁力哨
は磁気抵抗素子71.72に均等に通っている。そして
、被検出体2が回転して突起21が第1図のように磁気
抵抗素子71に接近すると、磁気抵抗素子、71を通る
磁力線は増加して磁気抵抗素子71の抵抗値は大きくな
シ、逆に磁気抵抗素子72を通過する磁力lは減少して
磁気抵抗素子72の抵抗値は小さくなる。従って、第3
図の電圧△V′は正方向の半波波形になる。
これに反し、突起21が磁気抵抗素子72を通過する時
には負方向の半波波形になる。従って、正半波波形と負
半波波形の切換ゎシ点を基準位置とすればよいわけであ
る・ しかし、このようKして位置検出器を使用する場合には
、円筒形にな−)九未久磁石6、磁気抵抗素子71,7
2、突起21の形状から、各磁気抵抗素子71と72は
1s4図のように回転方向に所定関係に並べて置かない
と具合が悪い。すなわち、814図において位置検出本
体1が例えば、左回転又は右回転で90度回転ず颯と、
もはや連動位置の検出が不可能となる。この意味におい
て、第4図の構成は方向性を要求することになる・従り
て、位置検出本体1と被検出体2の相対的な位置関係か
ら位置検出本体1を検出部分と被検出体2との距離を保
ちながら所定の方向性を持たせるには、位置検出器のW
4増が難しいというgii+点がある。
には負方向の半波波形になる。従って、正半波波形と負
半波波形の切換ゎシ点を基準位置とすればよいわけであ
る・ しかし、このようKして位置検出器を使用する場合には
、円筒形にな−)九未久磁石6、磁気抵抗素子71,7
2、突起21の形状から、各磁気抵抗素子71と72は
1s4図のように回転方向に所定関係に並べて置かない
と具合が悪い。すなわち、814図において位置検出本
体1が例えば、左回転又は右回転で90度回転ず颯と、
もはや連動位置の検出が不可能となる。この意味におい
て、第4図の構成は方向性を要求することになる・従り
て、位置検出本体1と被検出体2の相対的な位置関係か
ら位置検出本体1を検出部分と被検出体2との距離を保
ちながら所定の方向性を持たせるには、位置検出器のW
4増が難しいというgii+点がある。
例えば、第2図のようにハウジング4にねじ41を切っ
て、そのねじ41で位蒙検出本体1′t−被取付部3に
固定する場合には、被検出体2側が目にみえない場合は
、特に距離tで方向性を持たせるのが用111になる。
て、そのねじ41で位蒙検出本体1′t−被取付部3に
固定する場合には、被検出体2側が目にみえない場合は
、特に距離tで方向性を持たせるのが用111になる。
特KX距1111に精度が必要な場合には位置検出本体
1を回ぜはねじ41の性質によ゛シLが出なく、tを出
せは方向が出なくなってしまうので、位置検出本体1を
とのようなねじ41で簡単に装置することはできないと
いう1i21題点がある。その他の方決として、被付付
部3に多持板をつけて位置検出本体1のハウジング4に
は穴をあけるようなものが考えられるが、いずれの場合
も密封の問題や支持板の形状が大きくなりたシするので
簡単に取付けられないというl!#lI!i′点がおる
。
1を回ぜはねじ41の性質によ゛シLが出なく、tを出
せは方向が出なくなってしまうので、位置検出本体1を
とのようなねじ41で簡単に装置することはできないと
いう1i21題点がある。その他の方決として、被付付
部3に多持板をつけて位置検出本体1のハウジング4に
は穴をあけるようなものが考えられるが、いずれの場合
も密封の問題や支持板の形状が大きくなりたシするので
簡単に取付けられないというl!#lI!i′点がおる
。
また、方向性のない位置検出としてケ゛、発振型のフィ
ルによシ磁力@を発生させ、磁性体が通過すると磁束が
鐘断されるめを利用したものがあるが、この穆の検出器
の問題点としては、発振回路、増幅スイッチング回路等
が必要になム回路が複雑Keり高価になることと、発振
周波数との関係上\応答周波数が10KI’IZ 以下
になシ、検出値の回転がmsくなると応答しないという
問題点と、検出器と検出体との距alttvwa整が困
難であるという問題点がある。
ルによシ磁力@を発生させ、磁性体が通過すると磁束が
鐘断されるめを利用したものがあるが、この穆の検出器
の問題点としては、発振回路、増幅スイッチング回路等
が必要になム回路が複雑Keり高価になることと、発振
周波数との関係上\応答周波数が10KI’IZ 以下
になシ、検出値の回転がmsくなると応答しないという
問題点と、検出器と検出体との距alttvwa整が困
難であるという問題点がある。
本発明の目的は、前述の従来形における問題点にかんが
み、運動する被検出体の運動位置の検出を行うKあ九シ
、位置検出本体についての方向性を無くし、位置検出本
体と被検出体との距離の設定に番ける余裕を増大し、外
部鍵音の影411It少なくシ、適確な運動位置の検出
を−行うことにある。
み、運動する被検出体の運動位置の検出を行うKあ九シ
、位置検出本体についての方向性を無くし、位置検出本
体と被検出体との距離の設定に番ける余裕を増大し、外
部鍵音の影411It少なくシ、適確な運動位置の検出
を−行うことにある。
本発明においては、中空円筒状のラジアル方向に着磁さ
れた永久磁石、該永久磁石の円筒の内側か、ら発生する
磁力線の左右に分肢する点である中心軸上の最小磁界附
近に配設された磁気変化素子、および該磁気変化素子の
電、気前出力信号における変化量を増幅すゐ増幅回路を
具備すること管特徴とする、運動する被検出体の運動位
置検出装置、が提供される。
れた永久磁石、該永久磁石の円筒の内側か、ら発生する
磁力線の左右に分肢する点である中心軸上の最小磁界附
近に配設された磁気変化素子、および該磁気変化素子の
電、気前出力信号における変化量を増幅すゐ増幅回路を
具備すること管特徴とする、運動する被検出体の運動位
置検出装置、が提供される。
以下、本発明を図に示す実施例について説明する。゛第
5図は動作態1Illlであシ、5祉中空の円筒状of
k久磁石であ〕、軸方向の断面が示してめり、磁力線の
方向が矢印の実線にて図示しである。なお、蒙永久磁石
5の材質はフェライトで図示のごと〈ラジアル方向く内
側はN極、外1はS極に着磁しである。このよpな永久
磁石5においてFiN極から811に行く磁力−のうち
右輪に行くものと、左側に行くものとc分岐点P、が永
久磁石5の中”;bs上に必ず1ムこの分岐点P0 の
磁界の強でと!て、ま理論的にはDである。磁束の強さ
の嘩子を第6図に示す。この總5図において、鳩醗(X
)は軸方向?餉離、縦軸は磁界の強さくH)t−表わす
。なお、第5ヌの分岐点P。C近−%i(r%つと細か
い磁力本が無数に鴫って“A士が、見やすくするために
′4略しである。
5図は動作態1Illlであシ、5祉中空の円筒状of
k久磁石であ〕、軸方向の断面が示してめり、磁力線の
方向が矢印の実線にて図示しである。なお、蒙永久磁石
5の材質はフェライトで図示のごと〈ラジアル方向く内
側はN極、外1はS極に着磁しである。このよpな永久
磁石5においてFiN極から811に行く磁力−のうち
右輪に行くものと、左側に行くものとc分岐点P、が永
久磁石5の中”;bs上に必ず1ムこの分岐点P0 の
磁界の強でと!て、ま理論的にはDである。磁束の強さ
の嘩子を第6図に示す。この總5図において、鳩醗(X
)は軸方向?餉離、縦軸は磁界の強さくH)t−表わす
。なお、第5ヌの分岐点P。C近−%i(r%つと細か
い磁力本が無数に鴫って“A士が、見やすくするために
′4略しである。
第6図において基準状すの1界H0r:実線で示される
。永久磁石5の内部の中心から−れた所の磁界の強さは
、#1とんど平行になっているうそして遠くなるに従っ
て姓唖の2乗に反比もして小でくなりてい春、Po一点
付近カニ一番磁界の変イヒが大きい。この吠略で磁性¥
勢の被検出体λ−が級近し曳場合、20点は中心軸上を
左側に、移蛎し麿−のような磁界■・ になり、磁界の
彊さ、y、cahp。
。永久磁石5の内部の中心から−れた所の磁界の強さは
、#1とんど平行になっているうそして遠くなるに従っ
て姓唖の2乗に反比もして小でくなりてい春、Po一点
付近カニ一番磁界の変イヒが大きい。この吠略で磁性¥
勢の被検出体λ−が級近し曳場合、20点は中心軸上を
左側に、移蛎し麿−のような磁界■・ になり、磁界の
彊さ、y、cahp。
点からP0′点になるっ従り1、いtP0点に磁気変化
素子6を置いておくと、被検出体Mが接近した場合には
磁気変化素子6にはH1?磁界が印加される。それによ
りて磁気変化素子6の電気量は変化する。当然磁界ai
ui財称になっているので方向−は無間係である。1壺
、$−界の点P0 は −2中空円箇シの形状、
り0内径、外径、長さKよシ決壇)、着磁の強褥は無関
係でやるO第7図に本発明の一実施例における構成を示
す。
素子6を置いておくと、被検出体Mが接近した場合には
磁気変化素子6にはH1?磁界が印加される。それによ
りて磁気変化素子6の電気量は変化する。当然磁界ai
ui財称になっているので方向−は無間係である。1壺
、$−界の点P0 は −2中空円箇シの形状、
り0内径、外径、長さKよシ決壇)、着磁の強褥は無関
係でやるO第7図に本発明の一実施例における構成を示
す。
2は回転すゐ円板状?被検牛体、21は被検出体2にN
咋た磁性体製の突起であり、3は位置検出本体1を装着
する取付部、5は前述した内@が中門永久磁石、6は磁
気抵抗素子(例えば、ソエ、−株式条社額品番号DM1
01ム)で!シ、8は増幅回路としての増幅スイッチン
グ回路である。
咋た磁性体製の突起であり、3は位置検出本体1を装着
する取付部、5は前述した内@が中門永久磁石、6は磁
気抵抗素子(例えば、ソエ、−株式条社額品番号DM1
01ム)で!シ、8は増幅回路としての増幅スイッチン
グ回路である。
91は!I着剣で、例えばエポキシ樹脂よりなる。
そして、位置検出本体1のアルTx−−ム、銅等の非磁
性体よりなゐ円筒状ハウジング4の内部に増幅スイッチ
ングaiie レグ4内の開口端側に永久磁石5が内蔵され゛、とO永
久磁石5の外側端 保護部材92が設けである。また、磁気抵抗素子6は永
久磁石5の中心線上の磁界零の付近であるリング状保護
部材92の中心に配設され、これら磁気抵抗素子6、永
久磁石5およびリング状保護部材92は、このリング状
保護部材92およびハウジング4内に充填した接着剤9
1によシハウジング4に固着保持、される。位置検出本
体1はそのハウジング4の外闇に形成したねじ41によ
り取付部3に螺着′され、ねじ41に螺合し九ロツクナ
ッ)51によいリフする。前記中空円筒型永久磁石5の
形状は外径8φ、内径五5φ、長さ4嘗麿で、このとき
零磁界は中心である。 4 、第8図は第7図図示の増
幅スイッチング回路8の内部回路を示すものである。こ
の第7図において、入力端子820,821.822は
前記磁気抵抗素子6の一方のバイア、スミ圧端子、出力
電圧端子、他方の、バイアス電圧端子にこの順にそれぞ
れ接続しである。コンデンサ803の一端社前記入力端
子821に、他端轄演算増幅器(以下オペアンプという
)808の反転入力に接続しである。
性体よりなゐ円筒状ハウジング4の内部に増幅スイッチ
ングaiie レグ4内の開口端側に永久磁石5が内蔵され゛、とO永
久磁石5の外側端 保護部材92が設けである。また、磁気抵抗素子6は永
久磁石5の中心線上の磁界零の付近であるリング状保護
部材92の中心に配設され、これら磁気抵抗素子6、永
久磁石5およびリング状保護部材92は、このリング状
保護部材92およびハウジング4内に充填した接着剤9
1によシハウジング4に固着保持、される。位置検出本
体1はそのハウジング4の外闇に形成したねじ41によ
り取付部3に螺着′され、ねじ41に螺合し九ロツクナ
ッ)51によいリフする。前記中空円筒型永久磁石5の
形状は外径8φ、内径五5φ、長さ4嘗麿で、このとき
零磁界は中心である。 4 、第8図は第7図図示の増
幅スイッチング回路8の内部回路を示すものである。こ
の第7図において、入力端子820,821.822は
前記磁気抵抗素子6の一方のバイア、スミ圧端子、出力
電圧端子、他方の、バイアス電圧端子にこの順にそれぞ
れ接続しである。コンデンサ803の一端社前記入力端
子821に、他端轄演算増幅器(以下オペアンプという
)808の反転入力に接続しである。
抵抗804と抵抗805は直列に接続、してあ〕、抵抗
804の他端は入力端子820に接続してあシ、抵抗8
05の他端紘入力端子822に接続しである。入力端子
820は電源端子851に接続され工いて一定電圧V、
が印加しであるO入力端子822は接地端子85S
IK接続してあり0抵抗804と抵抗805の接続点は
一オペアンプ808の伸反一転入力に接続しである。抵
抗、806は前記コンデンサ80Sの他端と抵抗804
と抵抗805の接続点に接続してあシ、抵抗807襦コ
ンデンサ80!lの他端と接地端子835の間に接続し
である0オペアンプ808I!i、例えばシーメンス社
製ICである製品111テムム765Wを使用するO蒙
オペアンプ11080非反転入力と出力との間に正帰還
用抵抗80?が挿入しである・該オペ了ンブ8轡の出力
と電源端子831との間に負荷抵抗810が接続してあ
ゐo*オペアンプ808のプラス電源端子は電源端子8
s1に、マイナス電源端子は接地端子853に接続しで
ある。オペアンプ808の出力は増幅スイッチ、・ 力端子832となつている・ 以上の構成でその作動を説明すると、第7間の被検出体
2が回転して突起21が接近すると、第5図、第6図の
原理図で説明したように、中空円wmの永久磁石5のa
I界によシ作ちれている0点が変化するので、磁界が大
きく変化する。その磁界の変化は磁気抵抗素子6の抵抗
値変化として表われ、入力端子821の電圧は突起21
が接近しない場合とじ大場合とで変化する。その変化分
ΔVをコンデンf805で検出する。突起21の連動に
基づく入力1子821における電圧マの変化の様子(P
1→P2→P、)#;@9!iloに示される。
804の他端は入力端子820に接続してあシ、抵抗8
05の他端紘入力端子822に接続しである。入力端子
820は電源端子851に接続され工いて一定電圧V、
が印加しであるO入力端子822は接地端子85S
IK接続してあり0抵抗804と抵抗805の接続点は
一オペアンプ808の伸反一転入力に接続しである。抵
抗、806は前記コンデンサ80Sの他端と抵抗804
と抵抗805の接続点に接続してあシ、抵抗807襦コ
ンデンサ80!lの他端と接地端子835の間に接続し
である0オペアンプ808I!i、例えばシーメンス社
製ICである製品111テムム765Wを使用するO蒙
オペアンプ11080非反転入力と出力との間に正帰還
用抵抗80?が挿入しである・該オペ了ンブ8轡の出力
と電源端子831との間に負荷抵抗810が接続してあ
ゐo*オペアンプ808のプラス電源端子は電源端子8
s1に、マイナス電源端子は接地端子853に接続しで
ある。オペアンプ808の出力は増幅スイッチ、・ 力端子832となつている・ 以上の構成でその作動を説明すると、第7間の被検出体
2が回転して突起21が接近すると、第5図、第6図の
原理図で説明したように、中空円wmの永久磁石5のa
I界によシ作ちれている0点が変化するので、磁界が大
きく変化する。その磁界の変化は磁気抵抗素子6の抵抗
値変化として表われ、入力端子821の電圧は突起21
が接近しない場合とじ大場合とで変化する。その変化分
ΔVをコンデンf805で検出する。突起21の連動に
基づく入力1子821における電圧マの変化の様子(P
1→P2→P、)#;@9!iloに示される。
こO場合、抵抗804ど抵抗805は−」じ抵抗値罠な
っているので接続点の電圧は−V、 Kなっており、ζ
O電圧はオペアンプ808の非反転入力に印加しである
と同時に、抵抗806をイiしてコンデンサ603のオ
ペアンプ80B−の電圧〃二上V、にしである。しかし
との場合、オペアンプ80Bは比較器として使用してい
るので、低レベルか高レベルかにオペアンプ808のオ
フセット電圧によ)決壇うてし壕う。それを防ぐために
抵抗807によ)−V、を抵抗806t!−抵抗807
! によシ分割し大電圧をオペアンプ80Bとコンデン?8
03とに印加することによシ、オペアンプ80Bの出力
が高レベルに設走しである。この状態で、突起21が接
近すると磁気抵抗素子6の抵抗値が変化して入力1子8
21の電圧が上がシ、オペアンプ808の反転入力の電
圧が−Cより大暑<*つて、オペアンプ808の出力は
低レベルになる。突起21が遠ざかると入力端子821
の電圧は下が9、オペアンプ808の出力は低レベルか
ら高レベルになる。このようにして、増幅スイッチング
回路8は磁気抵抗素子6の抵抗値変化を増幅して出力端
子852に高レベル、低レベルのスイッチング信号を出
す。この高しヘA/ i)h ラ低レベルに変化する所
を位置検出信号として使用す為ことにより位置検出がで
きる。壕九、増幅スイッチング−路8を位置検出本体1
に内蔵するととKよ)、8N比を大きくすることができ
るので外部雑音による影。響を少くすることができる。
っているので接続点の電圧は−V、 Kなっており、ζ
O電圧はオペアンプ808の非反転入力に印加しである
と同時に、抵抗806をイiしてコンデンサ603のオ
ペアンプ80B−の電圧〃二上V、にしである。しかし
との場合、オペアンプ80Bは比較器として使用してい
るので、低レベルか高レベルかにオペアンプ808のオ
フセット電圧によ)決壇うてし壕う。それを防ぐために
抵抗807によ)−V、を抵抗806t!−抵抗807
! によシ分割し大電圧をオペアンプ80Bとコンデン?8
03とに印加することによシ、オペアンプ80Bの出力
が高レベルに設走しである。この状態で、突起21が接
近すると磁気抵抗素子6の抵抗値が変化して入力1子8
21の電圧が上がシ、オペアンプ808の反転入力の電
圧が−Cより大暑<*つて、オペアンプ808の出力は
低レベルになる。突起21が遠ざかると入力端子821
の電圧は下が9、オペアンプ808の出力は低レベルか
ら高レベルになる。このようにして、増幅スイッチング
回路8は磁気抵抗素子6の抵抗値変化を増幅して出力端
子852に高レベル、低レベルのスイッチング信号を出
す。この高しヘA/ i)h ラ低レベルに変化する所
を位置検出信号として使用す為ことにより位置検出がで
きる。壕九、増幅スイッチング−路8を位置検出本体1
に内蔵するととKよ)、8N比を大きくすることができ
るので外部雑音による影。響を少くすることができる。
この場合、第7図において突起21の形状を縦4ms。
横5雪寵、奥行9gの8150の鉄にし大場合に1磁気
抵抗素子6の方向に無関係に、突起24部分と位置検出
本体1の先端までの鉗離tは0〜2.5utで検出でき
た。なお、ぽ気変什素子6としては小さい程よいが、実
施例におけゐ感磁部の大書さはt18X2.!i6雪−
であシ、厚さは1mm以下の形状であるが、本発明によ
る磁気変化素子としては十分使用できる。
抵抗素子6の方向に無関係に、突起24部分と位置検出
本体1の先端までの鉗離tは0〜2.5utで検出でき
た。なお、ぽ気変什素子6としては小さい程よいが、実
施例におけゐ感磁部の大書さはt18X2.!i6雪−
であシ、厚さは1mm以下の形状であるが、本発明によ
る磁気変化素子としては十分使用できる。
本発明の実施例においては種々の変形彫鯵をとることが
できる。例えば、前述においては磁気変化素子として、
ソニー社製製品番号DM101Aを使用゛シ友が、これ
に限らす、シーメンス社製の磁気抵抗素子を使用しても
よく、また、磁気抵抗素子の代りにホール素子を用いて
もよい。また、増幅スイッチング回路12として交流増
幅スイッチング回路を用いたが、この代りに、ブリッヂ
回路の出力を比較器の反転入力、非反転入力に印加する
直流増幅スイッチング回路を用いることができる。また
、前述においては永久磁石5ON極側の零磁束点に磁気
変化素子を置いたが、永久磁石5の方向を逆にしてS極
の零磁束点に磁気変化素子をW%Aても位置検出できる
ことは明らかである。
できる。例えば、前述においては磁気変化素子として、
ソニー社製製品番号DM101Aを使用゛シ友が、これ
に限らす、シーメンス社製の磁気抵抗素子を使用しても
よく、また、磁気抵抗素子の代りにホール素子を用いて
もよい。また、増幅スイッチング回路12として交流増
幅スイッチング回路を用いたが、この代りに、ブリッヂ
回路の出力を比較器の反転入力、非反転入力に印加する
直流増幅スイッチング回路を用いることができる。また
、前述においては永久磁石5ON極側の零磁束点に磁気
変化素子を置いたが、永久磁石5の方向を逆にしてS極
の零磁束点に磁気変化素子をW%Aても位置検出できる
ことは明らかである。
また、前述においては、増幅スイッチング回路8をハウ
ジング4内に挿入し九が、別の場所に設けるようにして
もよい。
ジング4内に挿入し九が、別の場所に設けるようにして
もよい。
本発明によれば、運動する被検出体の運動位置の検出を
行うにあたり、位置検出本体についての方向性を無くす
ことができ、被検出体と位置検出本体の検出部分との彫
離の設定に大幅な余裕をもたせるヒとができ、外部雑音
の影響を少くシ、適−な運動位置検出を行うことができ
る。
行うにあたり、位置検出本体についての方向性を無くす
ことができ、被検出体と位置検出本体の検出部分との彫
離の設定に大幅な余裕をもたせるヒとができ、外部雑音
の影響を少くシ、適−な運動位置検出を行うことができ
る。
第1図および第2図は従来形の運動位置検出装置の構成
を示す図、第3図は第1図の運動位置検出装置における
電気回路を示す図、第4図は第1図の右側園図、第5図
および第6図は本発明による運動検出装置の原理を説明
する図、第7図は本発明の一実施例としての運動位置検
出装置の構成を示す図、第8図は第7図装NKおける電
気回路を示す図、第9図は第7図装置1における信号の
波形を示す図である。 1!位置検出本体、2!被検出体、21:突起、5’を
取付部、31エロツタナツト、4−ハウジング、41:
ねじ、5を永久磁石、6!磁気抵抗累子、83増幅スイ
ッチング回路、91:接着剤、92言リング状保護部材
・M!被検出体。 特許出願人 株式会社 日本自動車部品総合研究所 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 松 下 操 弁理士山口昭之 第1図 第2図 第3図 第4図 ↑ 第5図 第6図゛ ら 第7図
を示す図、第3図は第1図の運動位置検出装置における
電気回路を示す図、第4図は第1図の右側園図、第5図
および第6図は本発明による運動検出装置の原理を説明
する図、第7図は本発明の一実施例としての運動位置検
出装置の構成を示す図、第8図は第7図装NKおける電
気回路を示す図、第9図は第7図装置1における信号の
波形を示す図である。 1!位置検出本体、2!被検出体、21:突起、5’を
取付部、31エロツタナツト、4−ハウジング、41:
ねじ、5を永久磁石、6!磁気抵抗累子、83増幅スイ
ッチング回路、91:接着剤、92言リング状保護部材
・M!被検出体。 特許出願人 株式会社 日本自動車部品総合研究所 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士 松 下 操 弁理士山口昭之 第1図 第2図 第3図 第4図 ↑ 第5図 第6図゛ ら 第7図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 t 中空円筒状のラジアル方向に着磁され九永久磁石、
該永久磁石の円fIIO内側から発生すゐ磁力線の左右
に分紋する点である中心軸上の最小磁界附近に配設され
た磁気変化素子、および該磁気変化素子の電気的出力信
号における変化量を増幅する増幅回路をJ&債すること
を特徴とする、運動する被検出体の運動位置検出装置。 2 前記増幅回路が前記永久磁石、および前記磁気変化
素子と一体的に設けられた、特許請求の範81111項
記載の装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56142386A JPS5845501A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 運動する被検出体の運動位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56142386A JPS5845501A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 運動する被検出体の運動位置検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5845501A true JPS5845501A (ja) | 1983-03-16 |
Family
ID=15314152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56142386A Pending JPS5845501A (ja) | 1981-09-11 | 1981-09-11 | 運動する被検出体の運動位置検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5845501A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5637995A (en) * | 1992-12-09 | 1997-06-10 | Nippondenso Co., Ltd. | Magnetic detection device having a magnet including a stepped portion for eliminating turbulence at the MR sensor |
WO2013121153A1 (fr) * | 2012-02-16 | 2013-08-22 | Sc2N | Capteur comprenant un aimant et une sonde a effet hall |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5275458A (en) * | 1975-11-12 | 1977-06-24 | Philips Nv | Method of and apparatus for inspecting position of moving member |
JPS54138457A (en) * | 1978-04-19 | 1979-10-26 | Nippon Soken | Location detector |
-
1981
- 1981-09-11 JP JP56142386A patent/JPS5845501A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5275458A (en) * | 1975-11-12 | 1977-06-24 | Philips Nv | Method of and apparatus for inspecting position of moving member |
JPS54138457A (en) * | 1978-04-19 | 1979-10-26 | Nippon Soken | Location detector |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5637995A (en) * | 1992-12-09 | 1997-06-10 | Nippondenso Co., Ltd. | Magnetic detection device having a magnet including a stepped portion for eliminating turbulence at the MR sensor |
WO2013121153A1 (fr) * | 2012-02-16 | 2013-08-22 | Sc2N | Capteur comprenant un aimant et une sonde a effet hall |
FR2987115A1 (fr) * | 2012-02-16 | 2013-08-23 | Sc2N Sa | Capteur comprenant un aimant et une sonde a effet hall |
CN104169686A (zh) * | 2012-02-16 | 2014-11-26 | Sc2N公司 | 包括磁体和霍尔效应探针的传感器 |
US9683868B2 (en) | 2012-02-16 | 2017-06-20 | Sc2N | Sensor comprising a magnet and a Hall-effect probe |
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