JPS5844723A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPS5844723A
JPS5844723A JP56142531A JP14253181A JPS5844723A JP S5844723 A JPS5844723 A JP S5844723A JP 56142531 A JP56142531 A JP 56142531A JP 14253181 A JP14253181 A JP 14253181A JP S5844723 A JPS5844723 A JP S5844723A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
particulates
rate
grooves
sintering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56142531A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasushi Sawada
廉士 澤田
Toshiro Karaki
俊郎 唐木
Junji Watanabe
純二 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP56142531A priority Critical patent/JPS5844723A/ja
Publication of JPS5844723A publication Critical patent/JPS5844723A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Element Separation (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、誘電体絶縁分離法を施した半導体装置夕製造
方法に関するもので、さらに詳しくは、高耐圧回路素子
を形成するだめの複数の半導体結晶領域がそれぞれ誘電
体を介して（Ｙ特休に埋め込まれた構造の基板の製造方
法に関するものである。
従来のこの種の装置の製造方法は、半導体基板表面の分
離領域に蝕刻溝を形成した後に、熱酸化により酸化膜を
当該溝部分に形成させ、さらに６００〜４００μｍの厚
さの多結晶シリコンをＣＶＤで形成させて保持体として
いたので、多結晶シリコンの成長速度が３〜５μｍ／分
程度と遅く、その上誘電体分離するために熱酸化する等
の必要があった。
本興明はこれらの欠点を解決するため、四塩化硅素（８
１Ｃ１４）　　を主成分とする原料を酸水素炎で火炎加
水分解させろことによって生じるガラス（５１０２）の
微粒子を半導体基板上に堆積した後１゜焼結させたもの
で、以下図面について詳細に説明する。
第１図は本発明の製造方法の原理説明図である。
図において、１は半導体基板（単結晶基板）で、２は蝕
刻溝、６は吹き付はバーナ、４は火炎である。
第２図は本発明によって形成された半導体装置の断面図
である。図において、５は透明な硬質ガラス（保持体）
である。
本発明の製造方法を行彦うにあたっては、分離領域に蝕
刻溝２を形成した半導体基板１にＳ　ｉ　Ｃｌ　４を主
成分（この他にガラスの膨張係数、焼結に必要な温度等
の調整用に；例えばＢ２Ｏ３，Ｐ２Ｏ５等を加えてもよ
い。）とする原料を酸水素炎とともに溝形成表面に吹き
付はバーす６から吹き付けて、微粒子のガラスを付着さ
せ、多孔質ガラスの保持体を形成する。更に、１０００
〜１６００℃の高温で加熱すると、この多孔質ガラスの
保持体は体積が六程度に減少するとともに透明の硬質ガ
ラスとなる。
次に実施例を説明する。
吹き付はバーナ６（第１図参照）に、Ｓ　ｉ（−１！　
４を１００ＣＣ／分、［Ｉ２を２０００ＣＣ／分、０２
を３０００ｃｃ／分の割合で送り込んで、蝕刻溝を設け
た半導体基板１の表面にガラス（ＳｉＯ２）の微粒子を
堆積させた。６インチの半導体基板上に６００μｍのガ
ラスを形成するためには、およそ６分で充分であった。
すなわち、ガラスの成長速度は０．５ｇ／分程度である
。その後熱処理を行なったが、熱処理時間は温度が１２
００℃のとき、およそ１２０分程度であった。焼結後、
透明の硬質ガラスが形成された面と反対側の面を所望の
厚さになるまで加工□し、高耐圧素子形成用の分離領域
を備えた基板が構成できた。
以上説明したように、本発明の製造方法は誘電体である
Ｓ　ｒ　０２を直接当該基板に付着させるため、熱酸化
工程が不要である上に、成長速度が一桁向上する。また
、焼結後、透明体の保持体が形成されるため、その後の
溝と逆方向からの加工工程の際の加工量測定が光学的に
容易に計測できる等の利点がある。　□
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の製造方法の原理説明図、第２図は本発
明によって形成された半導体装置の断面図である。 １・・・半導体基板　　　　２・・・蝕刻溝６・・・吹
き付はバーナ　　４・・・火炎５・・・硬質ガラス（保
持体） 特許出願人　　日本電信電話公社 代理人弁理士　　中村純之助

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 、半導体基板表面の分離すべき領域に蝕刻溝を形成した
    後に、５ＩＣ１４を主成分とする原料を酸水素炎ととも
    に該溝形成側基板表面に吹き付けて、火炎加水分解反応
    で生じるガラス微粒子を層状に堆積させて多孔質母材と
    し、その後１０００℃以上で高温熱処理することにより
    多孔質１母材を焼結させ、当該基板の保持体を形成させ
    ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP56142531A 1981-09-11 1981-09-11 半導体装置の製造方法 Pending JPS5844723A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56142531A JPS5844723A (ja) 1981-09-11 1981-09-11 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56142531A JPS5844723A (ja) 1981-09-11 1981-09-11 半導体装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5844723A true JPS5844723A (ja) 1983-03-15

Family

ID=15317518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56142531A Pending JPS5844723A (ja) 1981-09-11 1981-09-11 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5844723A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61242033A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体基板の接合方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61242033A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体基板の接合方法
NL8600983A (nl) * 1985-04-19 1986-11-17 Nippon Telegraph & Telephone Werkwijze voor het vervaardigen van een substraat voor een halfgeleider.
US4978379A (en) * 1985-04-19 1990-12-18 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method of joining semiconductor substrates

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3746587A (en) Method of making semiconductor diodes
KR900005890B1 (ko) 반도체 기판의 접합방법
JPS59126639A (ja) 半導体装置用基板の製造方法
JPS5844723A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01184927A (ja) 大面積半導体基板の製造方法
JPS62160718A (ja) 半導体デバイスの製造方法
JPH056883A (ja) 半導体基板の製造方法
JP3400180B2 (ja) シリカガラス治具
JPS59126661A (ja) 薄膜抵抗体の製法
GB1480129A (en) Method of obtaining high temperature resistant assemblies comprising isolated silicon islands bonded to a substrate
JPS6295454A (ja) マイクロガスセンサおよびその製造方法
JP2735150B2 (ja) 複合半導体基板の製造方法
JPS61114523A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH052117A (ja) シリコン基板上に光導波路用石英薄膜を形成する方法
JPS63202034A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH02123769A (ja) 半導体圧力センサ用ダイヤフラム製造方法
JPH05238764A (ja) ガラス膜付き基板の製造方法
JPH01270313A (ja) 半導体薄膜の製造方法
JPS63148685A (ja) 太陽電池素子の製造方法
JPH0246768A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JPS5826043A (ja) 非石英系光フアイバ用母材の製造方法
JPS62198118A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62290174A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0521345B2 (ja)
JPH09115790A (ja) 複合半導体基板