JPS5842473B2 - ハクマク ｅｌ ソシノ クドウホウホウ - Google Patents
ハクマク ｅｌ ソシノ クドウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5842473B2 JPS5842473B2 JP50106692A JP10669275A JPS5842473B2 JP S5842473 B2 JPS5842473 B2 JP S5842473B2 JP 50106692 A JP50106692 A JP 50106692A JP 10669275 A JP10669275 A JP 10669275A JP S5842473 B2 JPS5842473 B2 JP S5842473B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- polarization
- image
- voltage
- panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスレッショルド以下の入射光量の光像を発光出
力として読出すことができるよう改良した光像メモリー
パネルに関する。
力として読出すことができるよう改良した光像メモリー
パネルに関する。
交流印加電圧に対しヒステリシス現象を伴って発光し、
電圧の印加及び光照射に依って光像の分極潜像が形成さ
れる光像メモリーパネルを駆動するにあたって、潜像が
形成されている該パネルに、発光の維持に必要な電圧成
分を波高値とする交流パルス列を印加する事に依って、
書き込まれた分極潜像を発光出力として読み出すと共に
、その発光を維持するようにした光像メモリーパネルの
駆動方法は特願昭４９−６５２４９号（特開昭５０−１
５７０８５号公報参照）として出願した。
電圧の印加及び光照射に依って光像の分極潜像が形成さ
れる光像メモリーパネルを駆動するにあたって、潜像が
形成されている該パネルに、発光の維持に必要な電圧成
分を波高値とする交流パルス列を印加する事に依って、
書き込まれた分極潜像を発光出力として読み出すと共に
、その発光を維持するようにした光像メモリーパネルの
駆動方法は特願昭４９−６５２４９号（特開昭５０−１
５７０８５号公報参照）として出願した。
この先願発明について以下に詳細に説明する。
第１図はＥＬ素子の断面図で、２１はＭｎ等を添加した
ＺｎＳ薄膜、２２．２３はＹ２Ｏ３等の透明な絶縁層、
２４は金属背面電極、２５は透明電極、及び２６はガラ
ス基板をそれぞれ示している。
ＺｎＳ薄膜、２２．２３はＹ２Ｏ３等の透明な絶縁層、
２４は金属背面電極、２５は透明電極、及び２６はガラ
ス基板をそれぞれ示している。
このＥＬ発光層を誘電体層で挾んだ上記サンドウィッチ
型の素子の性質として、絶縁層材料及び製造条件等によ
って、交流印加電圧と発光輝度の関係にヒステリシス特
性を持つ。
型の素子の性質として、絶縁層材料及び製造条件等によ
って、交流印加電圧と発光輝度の関係にヒステリシス特
性を持つ。
第２図はこのＥＬ素子の駆動方法の説明に供する図であ
って、光像を書込むにあたって、光分極効果のみを利用
した場合を示している。
って、光像を書込むにあたって、光分極効果のみを利用
した場合を示している。
尚以下に説明するパネルは、上記光分極効果及びヒステ
リシス現象を呈示するＥＬ素子から成るパネルであって
、光像メモリーパネルと称する。
リシス現象を呈示するＥＬ素子から成るパネルであって
、光像メモリーパネルと称する。
第２図イに実線で示すのは、光像メモリーパネルに印加
する電圧波形であり、一点鎖線ａ、破線ｂ、細線Ｃは該
パネルの異なる領域に於ける内部分極量を、外部電場υ
ａ、υｂ、υＣに変換して表わしたものである。
する電圧波形であり、一点鎖線ａ、破線ｂ、細線Ｃは該
パネルの異なる領域に於ける内部分極量を、外部電場υ
ａ、υｂ、υＣに変換して表わしたものである。
また同口は該パネルの発光出力を図示するものである。
この駆動方法では光分極のみに依って光像の分極潜像を
形成するものであり、従って図イに示す如く、分極形成
のための直流電圧υ０の印加と同時にパターン光の照射
を行い、パネル上に分極量の大小として光像の潜像を形
成する。
形成するものであり、従って図イに示す如く、分極形成
のための直流電圧υ０の印加と同時にパターン光の照射
を行い、パネル上に分極量の大小として光像の潜像を形
成する。
この分極潜像は、ＺｎＳ薄膜ＥＬ素子に於いては、電圧
印加及びパターン光照射の停止後、暗室中にて数時間か
ら数十時間、そのまま保持されている。
印加及びパターン光照射の停止後、暗室中にて数時間か
ら数十時間、そのまま保持されている。
次に以上の如くしてメモリーされた光学像は、波高値が
ＶＳである交流パルス列に依って発光出力として読み出
され、しかもパルスの印加中その発光を維持している。
ＶＳである交流パルス列に依って発光出力として読み出
され、しかもパルスの印加中その発光を維持している。
パルスＰｓの波高値ＶＳは、以下の如き値である。
即ち今第３図は、このパネルを構成するＥＬ素子の、対
印加電圧発光輝度特性を示す図面で、上述した様にこの
素子はヒステリシス現象を伴って発光するが、このヒス
テリシスループ上で、最大発光輝度Ｂｗと最少発光輝度
Ｂｓの差が充分に大きい電圧値Ｖｓを選び、この値Ｖ８
を上記パネルＰｓの波高値としでいる。
印加電圧発光輝度特性を示す図面で、上述した様にこの
素子はヒステリシス現象を伴って発光するが、このヒス
テリシスループ上で、最大発光輝度Ｂｗと最少発光輝度
Ｂｓの差が充分に大きい電圧値Ｖｓを選び、この値Ｖ８
を上記パネルＰｓの波高値としでいる。
パルスＰｓを印加した場合の分極潜像の読み出しを、こ
の第３図を用いて説明すると、今パネルには、光像に対
応した量の分極電荷がメモリーされており、第２図イで
はこの分極量を、パネル上の各領域で、外部電圧に換算
して示しである。
の第３図を用いて説明すると、今パネルには、光像に対
応した量の分極電荷がメモリーされており、第２図イで
はこの分極量を、パネル上の各領域で、外部電圧に換算
して示しである。
この状態のパネルに、最初のパルスＰｓ’の印加方向が
、分極形成のための直流電圧パルスと逆極性である交流
パルスＰｓを印加すると、上記内部分極電場Ｖａ、Ｖｂ
、Ｖｃに重畳してパルスＰｓ’による電場Ｖｓがかかる
ため、このパネルには実効的に外部電圧（Ｖｓ ＋Ｖａ
）、（Ｖｓ ＋Ｖｂ ）、（Ｖｓ ＋Ｖｃ ）が印加
されたことになる。
、分極形成のための直流電圧パルスと逆極性である交流
パルスＰｓを印加すると、上記内部分極電場Ｖａ、Ｖｂ
、Ｖｃに重畳してパルスＰｓ’による電場Ｖｓがかかる
ため、このパネルには実効的に外部電圧（Ｖｓ ＋Ｖａ
）、（Ｖｓ ＋Ｖｂ ）、（Ｖｓ ＋Ｖｃ ）が印加
されたことになる。
従って第３図に示されているようにパルスＰｓに依り、
パネルは一瞬それぞれの電圧に対応した輝度Ｂｗａ’、
Ｂｗｂ’、Ｂｗｃ’で発光し、光学像を表示することが
できる。
パネルは一瞬それぞれの電圧に対応した輝度Ｂｗａ’、
Ｂｗｂ’、Ｂｗｃ’で発光し、光学像を表示することが
できる。
この時の発光出力波形は同口に示されている。
また一方次の交流パルス列Ｐｓをこのパネルに続けて印
加すると、素子のヒステリシス現象のため各発光点は第
３図に示す如く点イ２２ロ、ハ安定し、輝度Ｂｗａ、Ｂ
ｗｂ、Ｂｗｃ の発光を行う。
加すると、素子のヒステリシス現象のため各発光点は第
３図に示す如く点イ２２ロ、ハ安定し、輝度Ｂｗａ、Ｂ
ｗｂ、Ｂｗｃ の発光を行う。
この発光は交流パルス列Ｐｓの印加期間中持続されてお
り、書込んだ光学像の正像が表示される。
り、書込んだ光学像の正像が表示される。
従ってこの交流パルス列Ｐａを維持パルスと呼ぶことが
できる。
できる。
尚維持パルス列Ｐｓの最初のパルスＰｓ’の印加方向を
、分極形成のための印加パルスと同極性とすると、反転
した次のパルスに依りてはじめて発光する。
、分極形成のための印加パルスと同極性とすると、反転
した次のパルスに依りてはじめて発光する。
また維持パルス列Ｐｓのデユーティは任意のものでよい
。
。
第４図は他の駆動方法を示す図面であって、この実施例
は一定直流電圧υ０の印加と共にメモリーパネル全体に
均一な光照射を行って、一様な光分極電場を形成した後
、電圧υ０の印加を停止し、該パネルにパターン光を照
射して分極の光緩和を行い、照射パターンに対応した潜
像を形成するものである。
は一定直流電圧υ０の印加と共にメモリーパネル全体に
均一な光照射を行って、一様な光分極電場を形成した後
、電圧υ０の印加を停止し、該パネルにパターン光を照
射して分極の光緩和を行い、照射パターンに対応した潜
像を形成するものである。
即ち、光分極効果に依って形成された内部分極電荷は、
照射光量に比例して緩和され減少するため、パネルに書
込まれた像は、光学像の反転像である。
照射光量に比例して緩和され減少するため、パネルに書
込まれた像は、光学像の反転像である。
即ち曲線ａ／で示される領域は光の照射量が１番少なく
、曲線ｂ′、♂がそれに続くが、反対に読み出した場合
は曲線ａ／の領域が一番強く発光する。
、曲線ｂ′、♂がそれに続くが、反対に読み出した場合
は曲線ａ／の領域が一番強く発光する。
この潜像はまた暗室中で十数時間から数十時間、そのま
まパネル上に保持されている。
まパネル上に保持されている。
この場合も前述の場合と同様に、パネルに交流維持パル
ス列Ｐｓを印加する事に依って、持続して表示される。
ス列Ｐｓを印加する事に依って、持続して表示される。
同口はこのパルス列Ｐｓによる発光出力波形を示してい
る。
る。
尚この例では、書込まれた潜像は光学像の反転像である
ため、分極用電圧と反対極性の最初のパルスＰｓの印加
で読み出される像は、反転像である。
ため、分極用電圧と反対極性の最初のパルスＰｓの印加
で読み出される像は、反転像である。
ところで、以上に説明した駆動方法ではスレッショルド
以下の入射光量の光像は発光出力として読出すことがで
きない。
以下の入射光量の光像は発光出力として読出すことがで
きない。
つまり、第２図イにおいて、直流バイアス電圧が４０ボ
ルトとして光像照射をｔ時間行って分極潜像を形成し、
後にパルス列Ｐｓ−電圧Ｖｓ＝ １９０Ｖ、デユーティ
５０％、繰返しＩ ＫＨｚ を印加して光像を読出すと
き第５図に示す入射光量が（１４０以下の光量の像を読
み出すことができない。
ルトとして光像照射をｔ時間行って分極潜像を形成し、
後にパルス列Ｐｓ−電圧Ｖｓ＝ １９０Ｖ、デユーティ
５０％、繰返しＩ ＫＨｚ を印加して光像を読出すと
き第５図に示す入射光量が（１４０以下の光量の像を読
み出すことができない。
第５図は直流バイアス電圧をパラメータにして入射光量
と発光出力輝度の関係を示す。
と発光出力輝度の関係を示す。
このように入射光量にスレッショルドが存在するのは交
流ヒステリシスメモリーの主原因であるＺｎＳ（Ｍｎ）
と絶縁層との界面にある深いトラップレベルに起因
するものである。
流ヒステリシスメモリーの主原因であるＺｎＳ（Ｍｎ）
と絶縁層との界面にある深いトラップレベルに起因
するものである。
本発明は以上の点に鑑みスレッショルド以下の入射光量
の光像をも発光出力として読出すことを可能にする駆動
方法を提供することを目的とするものであり、前述した
第２図に示す駆動方法を基本とする。
の光像をも発光出力として読出すことを可能にする駆動
方法を提供することを目的とするものであり、前述した
第２図に示す駆動方法を基本とする。
即ち、本発明はある強さの光をバイアス光として光像と
ともに直流バイアス電圧（４０ボルト）の印加の下で照
射することによって光量４４０以下の光像も読出すこと
を可能にするものである。
ともに直流バイアス電圧（４０ボルト）の印加の下で照
射することによって光量４４０以下の光像も読出すこと
を可能にするものである。
第６図に本発明実施例の模式的構成図を示す。
１は反射鏡、２はパターン照射光源、３は照射強度可変
電源、４はバイアス光光源、５はバイアス光強度可変電
源、６は集光レンズ、７は透過パターン、８は光拡散板
、９は結像レンズ、１０はガラス基板、１１は透明電極
ＳｎＯ２，１２は絶縁層Ｙ２Ｏ３，１３はＺｎＳ（Ｍｎ
）ＥＬ層、１４はＡＩ背面電極、１５は直流バイアス可
変電源、１６は交流維持パルスＰｓ電源、ＳＷｌ、ＳＷ
２はスイッチである。
電源、４はバイアス光光源、５はバイアス光強度可変電
源、６は集光レンズ、７は透過パターン、８は光拡散板
、９は結像レンズ、１０はガラス基板、１１は透明電極
ＳｎＯ２，１２は絶縁層Ｙ２Ｏ３，１３はＺｎＳ（Ｍｎ
）ＥＬ層、１４はＡＩ背面電極、１５は直流バイアス可
変電源、１６は交流維持パルスＰｓ電源、ＳＷｌ、ＳＷ
２はスイッチである。
従って、スイッチＳＷ１ を８０間短絡、スイッチＳＷ
２をｄｅ間短絡、即ち電極間に直流バイアス電圧を印加
して光源２より集光レンズｂを通して透過パターン７を
照射し、パターン像７を結像レンズ９にてＥＬ層１３に
結像する。
２をｄｅ間短絡、即ち電極間に直流バイアス電圧を印加
して光源２より集光レンズｂを通して透過パターン７を
照射し、パターン像７を結像レンズ９にてＥＬ層１３に
結像する。
同時に光源４より集光レンズ６を通して光拡散板８を照
射し、集光レンズ６を通して拡散光をＥＬ層１３に照射
する。
射し、集光レンズ６を通して拡散光をＥＬ層１３に照射
する。
このバイアス光の強度Ｉ４０はｌ４（１”ユ梨に設定さ
れる。
れる。
を
照射後スイッチＳＷ１ をａｂ間に短絡する。
スイッチＳＷ２はｄｅ間を短絡したままである。
この状態で分極潜像は保持、即ち記憶されている。
次にＥＬ発光出力として読み出すためにスイッチＳＷ２
をｄｆ間に短絡し交流維持パルスＰ８を印加する。
をｄｆ間に短絡し交流維持パルスＰ８を印加する。
以上のように本発明はパターン光照射に際して入射光量
にスレッショルドがあることを見出し、このスレッショ
ルド以下で照射される光像をも読出すことを企図するも
ので一様な強度のバイアス光を光像とともに照射し、光
量のスレッショルドを相殺するものであり、従来不可能
であった低輝度の光像あるいはスレッショルド以下の光
量しかもたない光源で照射される光像をも書込み、読出
すことができる。
にスレッショルドがあることを見出し、このスレッショ
ルド以下で照射される光像をも読出すことを企図するも
ので一様な強度のバイアス光を光像とともに照射し、光
量のスレッショルドを相殺するものであり、従来不可能
であった低輝度の光像あるいはスレッショルド以下の光
量しかもたない光源で照射される光像をも書込み、読出
すことができる。
またバイアス光強度を適正に選べば、不必要な周囲光を
取り除いて光像を明瞭に出力する。
取り除いて光像を明瞭に出力する。
しかも直流バイアス電圧の選定により入射光量の領域と
スレッショルド光量の値を可変することが可能である。
スレッショルド光量の値を可変することが可能である。
第１図はＺｎＳ薄膜ＥＬ素子の断面構成図、第２図は先
願発明の駆動方法を説明する図、第３図はＺｎＳ薄膜Ｅ
Ｌ素子の印加電圧対発光輝度特性図、第４図は先願発明
の他の実施例の駆動方法を説明する図、第５図はＺｎＳ
薄膜ＥＬ素子の入射光量と出力発光輝度の関係図、第６
図は本発明による駆動方法を説明する図である。 Ｐｓは維持パルス、Ｖｓは維持パルスの電圧値、７は光
像パターン、４はバイアス光光源、１２は絶縁層、１３
はＺｎＳ（Ｍｎ）層。
願発明の駆動方法を説明する図、第３図はＺｎＳ薄膜Ｅ
Ｌ素子の印加電圧対発光輝度特性図、第４図は先願発明
の他の実施例の駆動方法を説明する図、第５図はＺｎＳ
薄膜ＥＬ素子の入射光量と出力発光輝度の関係図、第６
図は本発明による駆動方法を説明する図である。 Ｐｓは維持パルス、Ｖｓは維持パルスの電圧値、７は光
像パターン、４はバイアス光光源、１２は絶縁層、１３
はＺｎＳ（Ｍｎ）層。
Claims (1)
- １ 交流印加電圧と発光輝度との間にヒステリシス特性
を有する薄膜ＥＬ素子に光照射して光像の分極潜像を形
成し、交流パルスの印加により前記分極潜像を発光表示
せしめる薄膜ＥＬ素子の駆動方法に於いて、前記分極潜
像の形成に要する光量の最小値程度の光量を有するバイ
アス光を前記薄膜ＥＬ素子に照射しながら電圧印加期間
で光像を光照射することによ′り分極潜像を形成するこ
とを特徴とする薄膜ＥＬ素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50106692A JPS5842473B2 (ja) | 1975-09-02 | 1975-09-02 | ハクマク ｅｌ ソシノ クドウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50106692A JPS5842473B2 (ja) | 1975-09-02 | 1975-09-02 | ハクマク ｅｌ ソシノ クドウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5230192A JPS5230192A (en) | 1977-03-07 |
| JPS5842473B2 true JPS5842473B2 (ja) | 1983-09-20 |
Family
ID=14440079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50106692A Expired JPS5842473B2 (ja) | 1975-09-02 | 1975-09-02 | ハクマク ｅｌ ソシノ クドウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842473B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2843963A1 (de) * | 1978-10-09 | 1980-04-24 | Merck Patent Gmbh | Im koerper resorbierbare geformte masse auf basis von kollagen und ihre verwendung in der medizin |
| DE3124981A1 (de) * | 1981-06-25 | 1983-01-13 | Dr. Ruhland Nachfolger GmbH, 8425 Neustadt | Wirkstoffhaltige kollageneinlage zum einfuehren in knochen oder weichteile und verfahren zu deren herstellung |
| JPS61246107A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-11-01 | Sankin Kogyo Kk | 人体硬組織用修復材 |
| CA2104681C (en) * | 1991-12-30 | 2001-02-27 | Brent Richard Constantz | Mineralized collagen |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4965249A (ja) * | 1972-06-22 | 1974-06-25 | ||
| JPS5017780A (ja) * | 1973-06-15 | 1975-02-25 |
-
1975
- 1975-09-02 JP JP50106692A patent/JPS5842473B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4965249A (ja) * | 1972-06-22 | 1974-06-25 | ||
| JPS5017780A (ja) * | 1973-06-15 | 1975-02-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5230192A (en) | 1977-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3975661A (en) | Driving method for a thin-film electroluminescent element of a three-layer construction | |
| DE2713718C2 (de) | Optisches Lichtventil | |
| JPH04318514A (ja) | ポリマー分散液晶セルの動作用の成形された電圧パルス方法およびそれを使用した光バルブ | |
| US4206460A (en) | EL Display drive controlled by an electron beam | |
| US4672266A (en) | Thin film light emitting element | |
| US3967112A (en) | Photo-image memory panel and activating method thereof | |
| JPS5842473B2 (ja) | ハクマク ｅｌ ソシノ クドウホウホウ | |
| US4024389A (en) | Photo-image memory panel and activating method therefor | |
| US5990853A (en) | Projection type image displaying apparatus | |
| US5731797A (en) | Driving method for spatial light modulator and projection display system | |
| US4048628A (en) | Method and apparatus for erasing scattering in storage-type liquid crystals by frequency sweeping | |
| JPH03278342A (ja) | 記録方法 | |
| US4733369A (en) | Method for providing separately adjustable voltage dependent optical properties | |
| JP2643712B2 (ja) | 液晶ディスプレイ | |
| JPH0797657B2 (ja) | 光メモリ | |
| JPS61175625A (ja) | Ｘ線を受け取り得る光学・光学像変換器 | |
| US3244891A (en) | Variable intensity electroluminescent radiation amplifier | |
| JPS599067B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンスパネルの消去回路 | |
| JPS609280B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子の光駆動装置 | |
| JPS5866241A (ja) | 記憶を有するイメ−ジインテンシフアイア又は増幅管及びその使用法 | |
| Hamblen et al. | An experimental fluorescent dye panel | |
| US3286027A (en) | Electro-luminescent phosphorescent dynamic display | |
| JPS599068B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンスパネルの消去方法 | |
| JPS5847714B2 (ja) | メモリパネルの消去駆動方法 | |
| SU959015A1 (ru) | Преобразователь изображени |