JPS5842473B2 - ハクマク el ソシノ クドウホウホウ - Google Patents
ハクマク el ソシノ クドウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5842473B2 JPS5842473B2 JP50106692A JP10669275A JPS5842473B2 JP S5842473 B2 JPS5842473 B2 JP S5842473B2 JP 50106692 A JP50106692 A JP 50106692A JP 10669275 A JP10669275 A JP 10669275A JP S5842473 B2 JPS5842473 B2 JP S5842473B2
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- JP
- Japan
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- light
- polarization
- image
- voltage
- panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はスレッショルド以下の入射光量の光像を発光出
力として読出すことができるよう改良した光像メモリー
パネルに関する。
力として読出すことができるよう改良した光像メモリー
パネルに関する。
交流印加電圧に対しヒステリシス現象を伴って発光し、
電圧の印加及び光照射に依って光像の分極潜像が形成さ
れる光像メモリーパネルを駆動するにあたって、潜像が
形成されている該パネルに、発光の維持に必要な電圧成
分を波高値とする交流パルス列を印加する事に依って、
書き込まれた分極潜像を発光出力として読み出すと共に
、その発光を維持するようにした光像メモリーパネルの
駆動方法は特願昭49−65249号(特開昭50−1
57085号公報参照)として出願した。
電圧の印加及び光照射に依って光像の分極潜像が形成さ
れる光像メモリーパネルを駆動するにあたって、潜像が
形成されている該パネルに、発光の維持に必要な電圧成
分を波高値とする交流パルス列を印加する事に依って、
書き込まれた分極潜像を発光出力として読み出すと共に
、その発光を維持するようにした光像メモリーパネルの
駆動方法は特願昭49−65249号(特開昭50−1
57085号公報参照)として出願した。
この先願発明について以下に詳細に説明する。
第1図はEL素子の断面図で、21はMn等を添加した
ZnS薄膜、22.23はY2O3等の透明な絶縁層、
24は金属背面電極、25は透明電極、及び26はガラ
ス基板をそれぞれ示している。
ZnS薄膜、22.23はY2O3等の透明な絶縁層、
24は金属背面電極、25は透明電極、及び26はガラ
ス基板をそれぞれ示している。
このEL発光層を誘電体層で挾んだ上記サンドウィッチ
型の素子の性質として、絶縁層材料及び製造条件等によ
って、交流印加電圧と発光輝度の関係にヒステリシス特
性を持つ。
型の素子の性質として、絶縁層材料及び製造条件等によ
って、交流印加電圧と発光輝度の関係にヒステリシス特
性を持つ。
第2図はこのEL素子の駆動方法の説明に供する図であ
って、光像を書込むにあたって、光分極効果のみを利用
した場合を示している。
って、光像を書込むにあたって、光分極効果のみを利用
した場合を示している。
尚以下に説明するパネルは、上記光分極効果及びヒステ
リシス現象を呈示するEL素子から成るパネルであって
、光像メモリーパネルと称する。
リシス現象を呈示するEL素子から成るパネルであって
、光像メモリーパネルと称する。
第2図イに実線で示すのは、光像メモリーパネルに印加
する電圧波形であり、一点鎖線a、破線b、細線Cは該
パネルの異なる領域に於ける内部分極量を、外部電場υ
a、υb、υCに変換して表わしたものである。
する電圧波形であり、一点鎖線a、破線b、細線Cは該
パネルの異なる領域に於ける内部分極量を、外部電場υ
a、υb、υCに変換して表わしたものである。
また同口は該パネルの発光出力を図示するものである。
この駆動方法では光分極のみに依って光像の分極潜像を
形成するものであり、従って図イに示す如く、分極形成
のための直流電圧υ0の印加と同時にパターン光の照射
を行い、パネル上に分極量の大小として光像の潜像を形
成する。
形成するものであり、従って図イに示す如く、分極形成
のための直流電圧υ0の印加と同時にパターン光の照射
を行い、パネル上に分極量の大小として光像の潜像を形
成する。
この分極潜像は、ZnS薄膜EL素子に於いては、電圧
印加及びパターン光照射の停止後、暗室中にて数時間か
ら数十時間、そのまま保持されている。
印加及びパターン光照射の停止後、暗室中にて数時間か
ら数十時間、そのまま保持されている。
次に以上の如くしてメモリーされた光学像は、波高値が
VSである交流パルス列に依って発光出力として読み出
され、しかもパルスの印加中その発光を維持している。
VSである交流パルス列に依って発光出力として読み出
され、しかもパルスの印加中その発光を維持している。
パルスPsの波高値VSは、以下の如き値である。
即ち今第3図は、このパネルを構成するEL素子の、対
印加電圧発光輝度特性を示す図面で、上述した様にこの
素子はヒステリシス現象を伴って発光するが、このヒス
テリシスループ上で、最大発光輝度Bwと最少発光輝度
Bsの差が充分に大きい電圧値Vsを選び、この値V8
を上記パネルPsの波高値としでいる。
印加電圧発光輝度特性を示す図面で、上述した様にこの
素子はヒステリシス現象を伴って発光するが、このヒス
テリシスループ上で、最大発光輝度Bwと最少発光輝度
Bsの差が充分に大きい電圧値Vsを選び、この値V8
を上記パネルPsの波高値としでいる。
パルスPsを印加した場合の分極潜像の読み出しを、こ
の第3図を用いて説明すると、今パネルには、光像に対
応した量の分極電荷がメモリーされており、第2図イで
はこの分極量を、パネル上の各領域で、外部電圧に換算
して示しである。
の第3図を用いて説明すると、今パネルには、光像に対
応した量の分極電荷がメモリーされており、第2図イで
はこの分極量を、パネル上の各領域で、外部電圧に換算
して示しである。
この状態のパネルに、最初のパルスPs’の印加方向が
、分極形成のための直流電圧パルスと逆極性である交流
パルスPsを印加すると、上記内部分極電場Va、Vb
、Vcに重畳してパルスPs’による電場Vsがかかる
ため、このパネルには実効的に外部電圧(Vs +Va
)、(Vs +Vb )、(Vs +Vc )が印加
されたことになる。
、分極形成のための直流電圧パルスと逆極性である交流
パルスPsを印加すると、上記内部分極電場Va、Vb
、Vcに重畳してパルスPs’による電場Vsがかかる
ため、このパネルには実効的に外部電圧(Vs +Va
)、(Vs +Vb )、(Vs +Vc )が印加
されたことになる。
従って第3図に示されているようにパルスPsに依り、
パネルは一瞬それぞれの電圧に対応した輝度Bwa’、
Bwb’、Bwc’で発光し、光学像を表示することが
できる。
パネルは一瞬それぞれの電圧に対応した輝度Bwa’、
Bwb’、Bwc’で発光し、光学像を表示することが
できる。
この時の発光出力波形は同口に示されている。
また一方次の交流パルス列Psをこのパネルに続けて印
加すると、素子のヒステリシス現象のため各発光点は第
3図に示す如く点イ22ロ、ハ安定し、輝度Bwa、B
wb、Bwc の発光を行う。
加すると、素子のヒステリシス現象のため各発光点は第
3図に示す如く点イ22ロ、ハ安定し、輝度Bwa、B
wb、Bwc の発光を行う。
この発光は交流パルス列Psの印加期間中持続されてお
り、書込んだ光学像の正像が表示される。
り、書込んだ光学像の正像が表示される。
従ってこの交流パルス列Paを維持パルスと呼ぶことが
できる。
できる。
尚維持パルス列Psの最初のパルスPs’の印加方向を
、分極形成のための印加パルスと同極性とすると、反転
した次のパルスに依りてはじめて発光する。
、分極形成のための印加パルスと同極性とすると、反転
した次のパルスに依りてはじめて発光する。
また維持パルス列Psのデユーティは任意のものでよい
。
。
第4図は他の駆動方法を示す図面であって、この実施例
は一定直流電圧υ0の印加と共にメモリーパネル全体に
均一な光照射を行って、一様な光分極電場を形成した後
、電圧υ0の印加を停止し、該パネルにパターン光を照
射して分極の光緩和を行い、照射パターンに対応した潜
像を形成するものである。
は一定直流電圧υ0の印加と共にメモリーパネル全体に
均一な光照射を行って、一様な光分極電場を形成した後
、電圧υ0の印加を停止し、該パネルにパターン光を照
射して分極の光緩和を行い、照射パターンに対応した潜
像を形成するものである。
即ち、光分極効果に依って形成された内部分極電荷は、
照射光量に比例して緩和され減少するため、パネルに書
込まれた像は、光学像の反転像である。
照射光量に比例して緩和され減少するため、パネルに書
込まれた像は、光学像の反転像である。
即ち曲線a/で示される領域は光の照射量が1番少なく
、曲線b′、♂がそれに続くが、反対に読み出した場合
は曲線a/の領域が一番強く発光する。
、曲線b′、♂がそれに続くが、反対に読み出した場合
は曲線a/の領域が一番強く発光する。
この潜像はまた暗室中で十数時間から数十時間、そのま
まパネル上に保持されている。
まパネル上に保持されている。
この場合も前述の場合と同様に、パネルに交流維持パル
ス列Psを印加する事に依って、持続して表示される。
ス列Psを印加する事に依って、持続して表示される。
同口はこのパルス列Psによる発光出力波形を示してい
る。
る。
尚この例では、書込まれた潜像は光学像の反転像である
ため、分極用電圧と反対極性の最初のパルスPsの印加
で読み出される像は、反転像である。
ため、分極用電圧と反対極性の最初のパルスPsの印加
で読み出される像は、反転像である。
ところで、以上に説明した駆動方法ではスレッショルド
以下の入射光量の光像は発光出力として読出すことがで
きない。
以下の入射光量の光像は発光出力として読出すことがで
きない。
つまり、第2図イにおいて、直流バイアス電圧が40ボ
ルトとして光像照射をt時間行って分極潜像を形成し、
後にパルス列Ps−電圧Vs= 190V、デユーティ
50%、繰返しI KHz を印加して光像を読出すと
き第5図に示す入射光量が(140以下の光量の像を読
み出すことができない。
ルトとして光像照射をt時間行って分極潜像を形成し、
後にパルス列Ps−電圧Vs= 190V、デユーティ
50%、繰返しI KHz を印加して光像を読出すと
き第5図に示す入射光量が(140以下の光量の像を読
み出すことができない。
第5図は直流バイアス電圧をパラメータにして入射光量
と発光出力輝度の関係を示す。
と発光出力輝度の関係を示す。
このように入射光量にスレッショルドが存在するのは交
流ヒステリシスメモリーの主原因であるZnS(Mn)
と絶縁層との界面にある深いトラップレベルに起因
するものである。
流ヒステリシスメモリーの主原因であるZnS(Mn)
と絶縁層との界面にある深いトラップレベルに起因
するものである。
本発明は以上の点に鑑みスレッショルド以下の入射光量
の光像をも発光出力として読出すことを可能にする駆動
方法を提供することを目的とするものであり、前述した
第2図に示す駆動方法を基本とする。
の光像をも発光出力として読出すことを可能にする駆動
方法を提供することを目的とするものであり、前述した
第2図に示す駆動方法を基本とする。
即ち、本発明はある強さの光をバイアス光として光像と
ともに直流バイアス電圧(40ボルト)の印加の下で照
射することによって光量440以下の光像も読出すこと
を可能にするものである。
ともに直流バイアス電圧(40ボルト)の印加の下で照
射することによって光量440以下の光像も読出すこと
を可能にするものである。
第6図に本発明実施例の模式的構成図を示す。
1は反射鏡、2はパターン照射光源、3は照射強度可変
電源、4はバイアス光光源、5はバイアス光強度可変電
源、6は集光レンズ、7は透過パターン、8は光拡散板
、9は結像レンズ、10はガラス基板、11は透明電極
SnO2,12は絶縁層Y2O3,13はZnS(Mn
)EL層、14はAI背面電極、15は直流バイアス可
変電源、16は交流維持パルスPs電源、SWl、SW
2はスイッチである。
電源、4はバイアス光光源、5はバイアス光強度可変電
源、6は集光レンズ、7は透過パターン、8は光拡散板
、9は結像レンズ、10はガラス基板、11は透明電極
SnO2,12は絶縁層Y2O3,13はZnS(Mn
)EL層、14はAI背面電極、15は直流バイアス可
変電源、16は交流維持パルスPs電源、SWl、SW
2はスイッチである。
従って、スイッチSW1 を80間短絡、スイッチSW
2をde間短絡、即ち電極間に直流バイアス電圧を印加
して光源2より集光レンズbを通して透過パターン7を
照射し、パターン像7を結像レンズ9にてEL層13に
結像する。
2をde間短絡、即ち電極間に直流バイアス電圧を印加
して光源2より集光レンズbを通して透過パターン7を
照射し、パターン像7を結像レンズ9にてEL層13に
結像する。
同時に光源4より集光レンズ6を通して光拡散板8を照
射し、集光レンズ6を通して拡散光をEL層13に照射
する。
射し、集光レンズ6を通して拡散光をEL層13に照射
する。
このバイアス光の強度I40はl4(1”ユ梨に設定さ
れる。
れる。
を
照射後スイッチSW1 をab間に短絡する。
スイッチSW2はde間を短絡したままである。
この状態で分極潜像は保持、即ち記憶されている。
次にEL発光出力として読み出すためにスイッチSW2
をdf間に短絡し交流維持パルスP8を印加する。
をdf間に短絡し交流維持パルスP8を印加する。
以上のように本発明はパターン光照射に際して入射光量
にスレッショルドがあることを見出し、このスレッショ
ルド以下で照射される光像をも読出すことを企図するも
ので一様な強度のバイアス光を光像とともに照射し、光
量のスレッショルドを相殺するものであり、従来不可能
であった低輝度の光像あるいはスレッショルド以下の光
量しかもたない光源で照射される光像をも書込み、読出
すことができる。
にスレッショルドがあることを見出し、このスレッショ
ルド以下で照射される光像をも読出すことを企図するも
ので一様な強度のバイアス光を光像とともに照射し、光
量のスレッショルドを相殺するものであり、従来不可能
であった低輝度の光像あるいはスレッショルド以下の光
量しかもたない光源で照射される光像をも書込み、読出
すことができる。
またバイアス光強度を適正に選べば、不必要な周囲光を
取り除いて光像を明瞭に出力する。
取り除いて光像を明瞭に出力する。
しかも直流バイアス電圧の選定により入射光量の領域と
スレッショルド光量の値を可変することが可能である。
スレッショルド光量の値を可変することが可能である。
第1図はZnS薄膜EL素子の断面構成図、第2図は先
願発明の駆動方法を説明する図、第3図はZnS薄膜E
L素子の印加電圧対発光輝度特性図、第4図は先願発明
の他の実施例の駆動方法を説明する図、第5図はZnS
薄膜EL素子の入射光量と出力発光輝度の関係図、第6
図は本発明による駆動方法を説明する図である。 Psは維持パルス、Vsは維持パルスの電圧値、7は光
像パターン、4はバイアス光光源、12は絶縁層、13
はZnS(Mn)層。
願発明の駆動方法を説明する図、第3図はZnS薄膜E
L素子の印加電圧対発光輝度特性図、第4図は先願発明
の他の実施例の駆動方法を説明する図、第5図はZnS
薄膜EL素子の入射光量と出力発光輝度の関係図、第6
図は本発明による駆動方法を説明する図である。 Psは維持パルス、Vsは維持パルスの電圧値、7は光
像パターン、4はバイアス光光源、12は絶縁層、13
はZnS(Mn)層。
Claims (1)
- 1 交流印加電圧と発光輝度との間にヒステリシス特性
を有する薄膜EL素子に光照射して光像の分極潜像を形
成し、交流パルスの印加により前記分極潜像を発光表示
せしめる薄膜EL素子の駆動方法に於いて、前記分極潜
像の形成に要する光量の最小値程度の光量を有するバイ
アス光を前記薄膜EL素子に照射しながら電圧印加期間
で光像を光照射することによ′り分極潜像を形成するこ
とを特徴とする薄膜EL素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50106692A JPS5842473B2 (ja) | 1975-09-02 | 1975-09-02 | ハクマク el ソシノ クドウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP50106692A JPS5842473B2 (ja) | 1975-09-02 | 1975-09-02 | ハクマク el ソシノ クドウホウホウ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5230192A JPS5230192A (en) | 1977-03-07 |
JPS5842473B2 true JPS5842473B2 (ja) | 1983-09-20 |
Family
ID=14440079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50106692A Expired JPS5842473B2 (ja) | 1975-09-02 | 1975-09-02 | ハクマク el ソシノ クドウホウホウ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5842473B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2843963A1 (de) * | 1978-10-09 | 1980-04-24 | Merck Patent Gmbh | Im koerper resorbierbare geformte masse auf basis von kollagen und ihre verwendung in der medizin |
DE3124981A1 (de) * | 1981-06-25 | 1983-01-13 | Dr. Ruhland Nachfolger GmbH, 8425 Neustadt | Wirkstoffhaltige kollageneinlage zum einfuehren in knochen oder weichteile und verfahren zu deren herstellung |
JPS61246107A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-11-01 | Sankin Kogyo Kk | 人体硬組織用修復材 |
CA2104681C (en) * | 1991-12-30 | 2001-02-27 | Brent Richard Constantz | Mineralized collagen |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4965249A (ja) * | 1972-06-22 | 1974-06-25 | ||
JPS5017780A (ja) * | 1973-06-15 | 1975-02-25 |
-
1975
- 1975-09-02 JP JP50106692A patent/JPS5842473B2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4965249A (ja) * | 1972-06-22 | 1974-06-25 | ||
JPS5017780A (ja) * | 1973-06-15 | 1975-02-25 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5230192A (en) | 1977-03-07 |
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