JPS5840827A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS5840827A JPS5840827A JP13935381A JP13935381A JPS5840827A JP S5840827 A JPS5840827 A JP S5840827A JP 13935381 A JP13935381 A JP 13935381A JP 13935381 A JP13935381 A JP 13935381A JP S5840827 A JPS5840827 A JP S5840827A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09D133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
- C09D133/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
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- Organic Chemistry (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はIC又はLSIなどの半導体装置の微細加工に
使用するレジスト・やターン、特に向jドライエツチン
グ性ポジ形レジスト・ヤターンの形成方法に関する。
使用するレジスト・やターン、特に向jドライエツチン
グ性ポジ形レジスト・ヤターンの形成方法に関する。
ICやLSIなど数ミクロン以下のバタン寸法をもつ微
細加工では従来の湿式エツチング法を用いると、アンダ
ーカットの媚°が精度に対して無視でき々い値となるた
め、もっばらドライエツチングが用いられるようになっ
てきた。これにともなってこれらの微細加工に用いられ
るレゾスト材料にも新たにドライエツチング耐性が重要
な性能として要求されている。
細加工では従来の湿式エツチング法を用いると、アンダ
ーカットの媚°が精度に対して無視でき々い値となるた
め、もっばらドライエツチングが用いられるようになっ
てきた。これにともなってこれらの微細加工に用いられ
るレゾスト材料にも新たにドライエツチング耐性が重要
な性能として要求されている。
レジスト材料のうち、ネガ形材料では分子設計上電子線
、X線等の放射線に対する感度解像性とドライエ、チン
グ耐性を分離した分子構造とすることかり能であるがデ
ジ形材料ではドライエツチング耐性と放射線に対する感
度がどちらとも主鎖の分解のしやすさに関係し、従って
両性能が相反する傾向を持っているため両性能を同時に
満足するレジスト材料は実現していない。このため高感
度であるがドライエ、チング耐性の低い材料もしくはド
ライエツチング耐性は高いが感度の低い材料を使用せざ
るを得ない丸めサブミクロンドライプロセスのネックと
なっていた。
、X線等の放射線に対する感度解像性とドライエ、チン
グ耐性を分離した分子構造とすることかり能であるがデ
ジ形材料ではドライエツチング耐性と放射線に対する感
度がどちらとも主鎖の分解のしやすさに関係し、従って
両性能が相反する傾向を持っているため両性能を同時に
満足するレジスト材料は実現していない。このため高感
度であるがドライエ、チング耐性の低い材料もしくはド
ライエツチング耐性は高いが感度の低い材料を使用せざ
るを得ない丸めサブミクロンドライプロセスのネックと
なっていた。
一方ベンゼン壌ヲIII fiに待つyleリフェニル
ノタアクリレートやポリベンノルメタアクリレ−)1.
NIJ−α−メチルスチレンなどはベンゼン環を肩する
ポジ形しジスI・でありベンゼン環の内部保護効果のた
め、高いドライエツチング1制性を有する。しかし、γ
線照射により測定した主鎖分解のG値がそれぞれ0.8
6 、0.37 、 (1,23と代表的なボッ形電子
線レジストであるポリメチルメタアクリレート(PMM
A)の2,23に比べて小さく、従って電子線やX線に
対して、低感度であることが知られている。
ノタアクリレートやポリベンノルメタアクリレ−)1.
NIJ−α−メチルスチレンなどはベンゼン環を肩する
ポジ形しジスI・でありベンゼン環の内部保護効果のた
め、高いドライエツチング1制性を有する。しかし、γ
線照射により測定した主鎖分解のG値がそれぞれ0.8
6 、0.37 、 (1,23と代表的なボッ形電子
線レジストであるポリメチルメタアクリレート(PMM
A)の2,23に比べて小さく、従って電子線やX線に
対して、低感度であることが知られている。
例えばポリフェニルメタアクリレートはiK子線感度1
00μC/cm2が報告されている。、+5ノ形レジス
トでは溶解性の強い現像溶媒を使用することにより高感
度とすることが可能である。
00μC/cm2が報告されている。、+5ノ形レジス
トでは溶解性の強い現像溶媒を使用することにより高感
度とすることが可能である。
上記ベンゼン壌含有レジストでも強溶媒現像で、高感度
となるがこの場合分子量に対する選択的溶媒溶解性が低
いため解像性劣化を引きおこし、実用的加工はできない
欠点があった。
となるがこの場合分子量に対する選択的溶媒溶解性が低
いため解像性劣化を引きおこし、実用的加工はできない
欠点があった。
本発明の目的は面Jドライエツチング剛性を有し、基板
との接着性に優れ電子線やX線に対して高感度でかつ高
解像性のホゾ形しゾストの・ぐターン形成方法を提供す
ることである。
との接着性に優れ電子線やX線に対して高感度でかつ高
解像性のホゾ形しゾストの・ぐターン形成方法を提供す
ることである。
本発明によれば60モル%〜90モル係のフェニルメタ
アクリレートと40モル係〜10モル慢のメタアクリル
酸との共重合体から成るホゾ形しソスト膜を形成する工
程;上記レノスト膜にエネルギービームを照射して潜像
を形成する工程;および極性有機溶媒を含有する現像液
を用いて上記潜像を現像する工程を具備するレジストパ
ターンの形成方法が提供される。
アクリレートと40モル係〜10モル慢のメタアクリル
酸との共重合体から成るホゾ形しソスト膜を形成する工
程;上記レノスト膜にエネルギービームを照射して潜像
を形成する工程;および極性有機溶媒を含有する現像液
を用いて上記潜像を現像する工程を具備するレジストパ
ターンの形成方法が提供される。
上記極性有機溶媒としては1.4− 、:/オキサン、
テトラヒドロフラン、又はツメチルホルムアミドが好ま
し2く用いられ、これらは現像液の良溶媒を構成する。
テトラヒドロフラン、又はツメチルホルムアミドが好ま
し2く用いられ、これらは現像液の良溶媒を構成する。
本発明において現像液の貧溶媒としてはシイツブチルケ
トン又けn−ヘキサンがtjf tしく用いられる。
トン又けn−ヘキサンがtjf tしく用いられる。
本発明におけるベンゼン項含有フェニルメタアクリレー
ト−メタアクリル酸共重合体は、一般に知られている塊
状重合法、溶液重合法および乳化重合法等を用い通常の
手法により製造することができる。
ト−メタアクリル酸共重合体は、一般に知られている塊
状重合法、溶液重合法および乳化重合法等を用い通常の
手法により製造することができる。
重合体中のベンゼン項含有メタアクリレ−1・とメタア
クリル酸の組成比の制御は、重合仕込比による方法が最
も簡便である。この場合、共重合体の組成比は重合仕込
時の単坩体モル比で制御可能である。また、本発明にお
ける共重合体の分子量制御は重合開始剤の濃度および重
合温度の調節による方法が比較的容易である。
クリル酸の組成比の制御は、重合仕込比による方法が最
も簡便である。この場合、共重合体の組成比は重合仕込
時の単坩体モル比で制御可能である。また、本発明にお
ける共重合体の分子量制御は重合開始剤の濃度および重
合温度の調節による方法が比較的容易である。
次に本発明による共重合体ポリマを使用して被加工体の
微細加工を行う方法について説明する。
微細加工を行う方法について説明する。
まず、本発明による共重合体ポリマを適当カ溶媒例えば
モノクロルベンゼン、メチルインブチルケトン、キシレ
ン、ジオキサンまたはこれらの混合溶媒に溶解して溶液
としたのち被加工体面に均−被Il!i¥を形成する。
モノクロルベンゼン、メチルインブチルケトン、キシレ
ン、ジオキサンまたはこれらの混合溶媒に溶解して溶液
としたのち被加工体面に均−被Il!i¥を形成する。
次にこれを空気中180℃以上250℃以下ノ温度で3
0分間プリベーキングを行えば高分5− 子間に酸無水物よシなる分子間架橋が形成される。この
ような手順で被加工体表面に形成したレジスト膜に微細
パタンを形成する方法について以下実施例により詳細に
説明する。
0分間プリベーキングを行えば高分5− 子間に酸無水物よシなる分子間架橋が形成される。この
ような手順で被加工体表面に形成したレジスト膜に微細
パタンを形成する方法について以下実施例により詳細に
説明する。
実施例1
プロトン−NFJRで分析した本発明による共重合レジ
スト(メタアクリル酸成分30モルi4−セント、ジオ
キサン中30℃で測定した溶液粘度〔η] = 2.3
) 1:モノクロルベンゼン/メチルインブヂルケト
ン=1/1容積比の溶媒に約7%溶解し、これを表面熱
酸化シリコンウエノ・に膜厚約0.9 timとなるよ
うに、スピンコーティングする。つぎに空気中200℃
で1時間プリベーキングを行う。ノリベーキング後の膜
厚は約0.75μmとなる。このレゾスト試料に照射量
を変えて電子線を照射したあと、1,4−ゾオキサン/
ゾインブチルケトン25/75容積比よシなる現像紗に
室温でに「定時間浸漬し、現像を行った。
スト(メタアクリル酸成分30モルi4−セント、ジオ
キサン中30℃で測定した溶液粘度〔η] = 2.3
) 1:モノクロルベンゼン/メチルインブヂルケト
ン=1/1容積比の溶媒に約7%溶解し、これを表面熱
酸化シリコンウエノ・に膜厚約0.9 timとなるよ
うに、スピンコーティングする。つぎに空気中200℃
で1時間プリベーキングを行う。ノリベーキング後の膜
厚は約0.75μmとなる。このレゾスト試料に照射量
を変えて電子線を照射したあと、1,4−ゾオキサン/
ゾインブチルケトン25/75容積比よシなる現像紗に
室温でに「定時間浸漬し、現像を行った。
第1図は、この場合の感度曲線を示したもので(D■■
■はそれぞれ、現像時間が5分、1〇6− 分、20分および30分間に対応する。レジスト膜は3
0分間現像においても膨潤や変形が閣められず、感度5
μC/crn2、γ値(解像性指標)2.0が得られた
。
■はそれぞれ、現像時間が5分、1〇6− 分、20分および30分間に対応する。レジスト膜は3
0分間現像においても膨潤や変形が閣められず、感度5
μC/crn2、γ値(解像性指標)2.0が得られた
。
実施例2
共重合体ポリマ(メタアクリル酸成分10モルA−セン
ト、ジオキサン中30℃で測定した溶液粘度〔η) −
2,1、テトラヒドロフラン溶液ヲ使用し、デルパーミ
ェーションクロマトグラフィで測定した重量平均分子(
] My = 2.9×106)を本発明の共重合体レ
ジストとじて使用し、実施例1と同様の条件で塗布ノリ
ベーキング、電子線照射を行ったあと、1.4−ソオキ
サン/ノイソプチルケトンー15/85容積比よりなる
現像液を使用し、室温で20分間現像を行い感度7μC
/cm2を得た。
ト、ジオキサン中30℃で測定した溶液粘度〔η) −
2,1、テトラヒドロフラン溶液ヲ使用し、デルパーミ
ェーションクロマトグラフィで測定した重量平均分子(
] My = 2.9×106)を本発明の共重合体レ
ジストとじて使用し、実施例1と同様の条件で塗布ノリ
ベーキング、電子線照射を行ったあと、1.4−ソオキ
サン/ノイソプチルケトンー15/85容積比よりなる
現像液を使用し、室温で20分間現像を行い感度7μC
/cm2を得た。
実施例3
実施例1と同じレジストを使用し、同様の膜厚の膜を形
成し、シリベーキングを実M1jシ、ついで電子線の照
射幅と照射−鼠を変えて電子線照射を行った後、1,4
−ジオキサン/シイツブチルケトン−25/フ5容積比
の現像液で6分間現像を行った。このあと走査形電子顕
微鏡によりレジスト断面を観察し、基板面1でレジスト
が完全に除去されノ?タン変形の々い照射幅に対する最
小照射量を求めた。壕だ、高い解像性をもつヂソ形電子
線し・シストとして知られているP「vlMAも同様の
方法によシ比較した。すなわち、巴UJAにけ)IJ販
品エルバーサイ) 2041を使用し、こtlfモノク
ロルベンゼンとメチルイソブチルケトンの同容積比混合
溶液に溶解したのちスピンコーティングし、170℃3
0分間ノリベーキングI−だ。電子線照射後の現像はP
MMAの標準現像条件として知られているメチルイソブ
チルケトン/イソノロピルアルコ・−ルー’/3 容積
比の現像液を使用し21℃で2分間浸tf7 した。
成し、シリベーキングを実M1jシ、ついで電子線の照
射幅と照射−鼠を変えて電子線照射を行った後、1,4
−ジオキサン/シイツブチルケトン−25/フ5容積比
の現像液で6分間現像を行った。このあと走査形電子顕
微鏡によりレジスト断面を観察し、基板面1でレジスト
が完全に除去されノ?タン変形の々い照射幅に対する最
小照射量を求めた。壕だ、高い解像性をもつヂソ形電子
線し・シストとして知られているP「vlMAも同様の
方法によシ比較した。すなわち、巴UJAにけ)IJ販
品エルバーサイ) 2041を使用し、こtlfモノク
ロルベンゼンとメチルイソブチルケトンの同容積比混合
溶液に溶解したのちスピンコーティングし、170℃3
0分間ノリベーキングI−だ。電子線照射後の現像はP
MMAの標準現像条件として知られているメチルイソブ
チルケトン/イソノロピルアルコ・−ルー’/3 容積
比の現像液を使用し21℃で2分間浸tf7 した。
第2図は解像できる照射幅とこれを得るに必要な最小電
子線照射量との関係を示したものである。■は本発明に
よる共重合体レゾスト、■ば[)MMAである。本発明
による共重合体レジストは現像液中のソオキサンの混合
比を高く【−ていくと高感度となる1、4−ソオキザン
/ゾイソブチに’i ) 7= 25/75容積比の現
像液を使用した用台、PMMAに比べて約5倍高い実用
風IRjで設n1値0.125μm以上の照射幅が解イ
1!できることを第2図は示している。
子線照射量との関係を示したものである。■は本発明に
よる共重合体レゾスト、■ば[)MMAである。本発明
による共重合体レジストは現像液中のソオキサンの混合
比を高く【−ていくと高感度となる1、4−ソオキザン
/ゾイソブチに’i ) 7= 25/75容積比の現
像液を使用した用台、PMMAに比べて約5倍高い実用
風IRjで設n1値0.125μm以上の照射幅が解イ
1!できることを第2図は示している。
実施例4
実施例1と同じ共重合体レゾストおよび実が11例3と
同様のPMMAレソストを使用し、800℃4時間空気
中で熱処理した表面熱酸化シリコンウェハを室温冷却し
た直後にそれぞれのレジストをスピンコーティングした
。この後、本発明による共重合体レゾストは200℃1
時間、PMMAは170℃30分間ノリベーキングを行
った。グリベーキング後のレソスト膜厚幻いずれも0.
7μmであった。つぎに、実施例3の第2図における解
像できる照射幅2.0μmにおける電子線照射量で、現
像後に所定の長さの辺全もつ正方形のレジストパタンが
100個残るような照射を行ったあと、本発明による共
重合1.トレソ9− ストでは1,4−ゾオキサン/シイツブチルケトン=2
5/75容積比よりなる現像液で6分間、PMMAでは
メチルイソブチルケトン/イソゾロビルアルコール−1
73容積比よりなる現像液で2分間それぞれ現像を行っ
たのち、・ぐタンを赤査形市子顕微境で観察した第1表
は、それぞれの大きさの正方形パタンに対する各レゾス
トの様子を示したものである。これらの結果により本発
明による共重合体レゾストは基板への接着性に晴れてい
ることが明らかである。
同様のPMMAレソストを使用し、800℃4時間空気
中で熱処理した表面熱酸化シリコンウェハを室温冷却し
た直後にそれぞれのレジストをスピンコーティングした
。この後、本発明による共重合体レゾストは200℃1
時間、PMMAは170℃30分間ノリベーキングを行
った。グリベーキング後のレソスト膜厚幻いずれも0.
7μmであった。つぎに、実施例3の第2図における解
像できる照射幅2.0μmにおける電子線照射量で、現
像後に所定の長さの辺全もつ正方形のレジストパタンが
100個残るような照射を行ったあと、本発明による共
重合1.トレソ9− ストでは1,4−ゾオキサン/シイツブチルケトン=2
5/75容積比よりなる現像液で6分間、PMMAでは
メチルイソブチルケトン/イソゾロビルアルコール−1
73容積比よりなる現像液で2分間それぞれ現像を行っ
たのち、・ぐタンを赤査形市子顕微境で観察した第1表
は、それぞれの大きさの正方形パタンに対する各レゾス
トの様子を示したものである。これらの結果により本発
明による共重合体レゾストは基板への接着性に晴れてい
ることが明らかである。
第1表
=10−
実施例5
実施例1と同様の共重合体レジストを用い、同様の条件
で表面熱酸化シリコン表面にレジスト膜を形成し、グリ
ベーキングを行ったのち、各種・9タンの電子線照射を
行い、1,4−ジオキサン/シイツブチルケトン−25
/フ5容積比より々る現像溶媒で6分間現像を行った。
で表面熱酸化シリコン表面にレジスト膜を形成し、グリ
ベーキングを行ったのち、各種・9タンの電子線照射を
行い、1,4−ジオキサン/シイツブチルケトン−25
/フ5容積比より々る現像溶媒で6分間現像を行った。
良好な解像性を示すそれぞれのパタンに対する最小電子
線照射量を第2表に示す。
線照射量を第2表に示す。
なお第2表におけるラインはレジスト残存部であシス(
−スは電子線を照射したレゾスト除去部である。
−スは電子線を照射したレゾスト除去部である。
第2表
11−
(注1)残存膜厚は半分程度
つぎに第2表に示したパタンを有する酸化シリコン基板
を5−の酸素を含む四フッ化炭素ガスにより平行平板型
反応性ス・やツタエツチング装置−c エツチングを行
った。この場合のエツチング条件は13.56 MHz
高周波印加、パワー150W、ガス流t 10 SCC
M、ガス圧力60 mTorr %エツチング時間7分
であった。各ノやタンに対して基板酸化シリコンは23
00 X、本発明による共重合体レゾストの膜減り量は
25ooXであった。共ffi 合体レゾストのエツチ
ングによるパタンの変形は全くみられなかった。この残
存する共重合体レゾスト膜はプラズマアッシンダで容易
に除去され、精度の高い酸化シリコン加工面が得られた
。またPMMAを使用し、同様のパタンで同一条件の反
応性スパッタエッチングヲ行った場合PMMAの膜減り
量は5300 Xとなるほが、残存するPMMA t4
タンは凹凸や変形がはげしく、レノスト除去後の酸化シ
リコン加工バタンはレジスト・臂タンと著しく異な多質
形したものが得12− られた。
を5−の酸素を含む四フッ化炭素ガスにより平行平板型
反応性ス・やツタエツチング装置−c エツチングを行
った。この場合のエツチング条件は13.56 MHz
高周波印加、パワー150W、ガス流t 10 SCC
M、ガス圧力60 mTorr %エツチング時間7分
であった。各ノやタンに対して基板酸化シリコンは23
00 X、本発明による共重合体レゾストの膜減り量は
25ooXであった。共ffi 合体レゾストのエツチ
ングによるパタンの変形は全くみられなかった。この残
存する共重合体レゾスト膜はプラズマアッシンダで容易
に除去され、精度の高い酸化シリコン加工面が得られた
。またPMMAを使用し、同様のパタンで同一条件の反
応性スパッタエッチングヲ行った場合PMMAの膜減り
量は5300 Xとなるほが、残存するPMMA t4
タンは凹凸や変形がはげしく、レノスト除去後の酸化シ
リコン加工バタンはレジスト・臂タンと著しく異な多質
形したものが得12− られた。
本発明によるフェニルメタアクリレート−メタアクリル
酸共重合体はこれをジクロルエチルエーテル、モノクロ
ルベンゼン、ジクロルベンゼン、1,2−ジクロルエタ
ンなどの1素含有溶媒やメチルセロソルイ酢酸インアミ
ルなどを良溶媒として含有する現像液で現像した場合、
実施例1と同程度の感度を得ることができるが、実施例
3以下に示したような微細・量タンの現像では・臂タン
エッゾが丸くなる傾向を示し高い形状比(形状比−・量
タンの11さ/・ぞタンの幅)のレジストパタンを形成
することはできない。
酸共重合体はこれをジクロルエチルエーテル、モノクロ
ルベンゼン、ジクロルベンゼン、1,2−ジクロルエタ
ンなどの1素含有溶媒やメチルセロソルイ酢酸インアミ
ルなどを良溶媒として含有する現像液で現像した場合、
実施例1と同程度の感度を得ることができるが、実施例
3以下に示したような微細・量タンの現像では・臂タン
エッゾが丸くなる傾向を示し高い形状比(形状比−・量
タンの11さ/・ぞタンの幅)のレジストパタンを形成
することはできない。
本発明による共重合体レジストの溶媒溶解性は通常のポ
リメタアクリル酸エステルと異なり、プリメタアクリル
酸無水物の溶解性に類似することから、極性溶媒である
1、4−ノオキザンを現像液の良溶媒として用いると酸
無水物基との相互作用により溶解が進行するため分子針
に対する選択性が向上し、解像性の高い−tJij像を
司R1シとするものである。従って同じ柚類の極性溶媒
、13− 例えばテトラヒドロフランやジメチルホルムアミド々と
であっても本発明による効果は実現できる。
リメタアクリル酸エステルと異なり、プリメタアクリル
酸無水物の溶解性に類似することから、極性溶媒である
1、4−ノオキザンを現像液の良溶媒として用いると酸
無水物基との相互作用により溶解が進行するため分子針
に対する選択性が向上し、解像性の高い−tJij像を
司R1シとするものである。従って同じ柚類の極性溶媒
、13− 例えばテトラヒドロフランやジメチルホルムアミド々と
であっても本発明による効果は実現できる。
本発明による共重合体l/シストはレジストを被加工体
表面に塗布後、熱処理によりカル?ン酸2分子反応によ
る酸無水物の形成による分子間架橋を形成する。これに
より現像液への耐性が向上し膨−■や変形が起こりにく
く々るため強溶媒現像が可能と々り結果として高感度を
実現したものである。本発明による共重合体レゾスト’
t[40〜10モルパーセントのメタアクリル酸成分と
したときにその効果が十分に発揮できる。メタアクリル
酸成分が40モルノJ?−セントを超えると感度および
ドライエツチング耐性の低下を招き10モルパーセント
未満では解像性や耐熱性の低下がおこる。なかでもメタ
アクリル酸成分が30モルパーセント前後の共重合体レ
ジストでは感度、解像性、耐熱性、耐ドライエ、チング
性などにおいて実用的にバランスのとれたレノストを得
ることができる。
表面に塗布後、熱処理によりカル?ン酸2分子反応によ
る酸無水物の形成による分子間架橋を形成する。これに
より現像液への耐性が向上し膨−■や変形が起こりにく
く々るため強溶媒現像が可能と々り結果として高感度を
実現したものである。本発明による共重合体レゾスト’
t[40〜10モルパーセントのメタアクリル酸成分と
したときにその効果が十分に発揮できる。メタアクリル
酸成分が40モルノJ?−セントを超えると感度および
ドライエツチング耐性の低下を招き10モルパーセント
未満では解像性や耐熱性の低下がおこる。なかでもメタ
アクリル酸成分が30モルパーセント前後の共重合体レ
ジストでは感度、解像性、耐熱性、耐ドライエ、チング
性などにおいて実用的にバランスのとれたレノストを得
ることができる。
14−
本発明による共重合体レジストはノリベーキングによる
熱処理で高いガラス転移点Tgおよび熱分解点を有する
ポリマを生成する。
熱処理で高いガラス転移点Tgおよび熱分解点を有する
ポリマを生成する。
第3表はこれらの値をそれぞれの41独ポリマと比較し
たものである。
たものである。
第3表
(注1)Tgは250℃10分間熱処理後測定。
本発明による共重合体レゾストは熱処理によシ優れた熱
的性質を示す。これにより現像液中での膨潤や変形が押
えられて高解像性を示すほかドライエツチングで生じる
高温でも変形を生じない特徴がある。この性質は特に高
温となる高融点金属のリフトオフ工程などへ応用すれば
精度の高い加工が可能となる。
的性質を示す。これにより現像液中での膨潤や変形が押
えられて高解像性を示すほかドライエツチングで生じる
高温でも変形を生じない特徴がある。この性質は特に高
温となる高融点金属のリフトオフ工程などへ応用すれば
精度の高い加工が可能となる。
本発明による共重合体レゾストはカルd?ン酸基を有す
ることから、酸化シリコン、シリコン、酸化クロムなど
への親和性が高く従って、実施例4に示したように優れ
た基板への接着性を示す。特に微細バタンでは・臂タン
の接着面積が小さくなることより接着性の悪いレジスト
では・ぐタンの流れや変形を生じやすいのに対し本発明
による共重合体レゾストはサブミクロン微細バタン形成
で有利となる。
ることから、酸化シリコン、シリコン、酸化クロムなど
への親和性が高く従って、実施例4に示したように優れ
た基板への接着性を示す。特に微細バタンでは・臂タン
の接着面積が小さくなることより接着性の悪いレジスト
では・ぐタンの流れや変形を生じやすいのに対し本発明
による共重合体レゾストはサブミクロン微細バタン形成
で有利となる。
第1図は本発明の方法によって形成されたレゾストパタ
ーンにおける規格化残膜率と電子線照射量との関係を示
すグラフ、第2図は本発明および従来例の方法によって
それぞれ形成されたレノストノ!ターンにおける電子線
照射量と解像できる電子線照射幅との関係を示すグラフ
である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦=17−
ーンにおける規格化残膜率と電子線照射量との関係を示
すグラフ、第2図は本発明および従来例の方法によって
それぞれ形成されたレノストノ!ターンにおける電子線
照射量と解像できる電子線照射幅との関係を示すグラフ
である。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦=17−
Claims (2)
- (1)600モルチル9モル係のフェニルメタアクリレ
ートと40モル%〜10モルチのメタアクリル酸との共
重合体から成るIソ形しゾスト膜を形成する工程;上記
レゾスト膜に放射線を照射して潜像を形成する工程;お
よび極性有機溶媒を含有する現像液を用いて上記潜像を
現像する工程を具備するレゾス) aJ?ターンの形成
方法。 - (2)極性有機溶媒は1.4−ジオキサン、テトラヒド
ロフランおよびジメチルホルムアミドから選ばれる特許
請求の範囲第1項記載の方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13935381A JPS5840827A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | レジストパタ−ンの形成方法 |
US06/339,414 US4430419A (en) | 1981-01-22 | 1982-01-15 | Positive resist and method for manufacturing a pattern thereof |
GB8201246A GB2093048B (en) | 1981-01-22 | 1982-01-18 | Positive resist copolymer and method for manufacturing a pattern therewith |
CA000394565A CA1211600A (en) | 1981-01-22 | 1982-01-20 | Positive resist and method for manufacturing a pattern thereof |
NLAANVRAGE8200211,A NL186119C (nl) | 1981-01-22 | 1982-01-21 | Werkwijze voor het vormen van een patroon voor een positieve resist. |
DE19823201815 DE3201815A1 (de) | 1981-01-22 | 1982-01-21 | Positives resistmaterial und verfahren zur herstellung eines musters daraus |
FR8200936A FR2498198B1 (fr) | 1981-01-22 | 1982-01-21 | Revetement resistant positif et procede pour la formation d'un dessin de ce revetement sur un substrat |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13935381A JPS5840827A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5840827A true JPS5840827A (ja) | 1983-03-09 |
JPH0157779B2 JPH0157779B2 (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=15243345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13935381A Granted JPS5840827A (ja) | 1981-01-22 | 1981-09-04 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5840827A (ja) |
-
1981
- 1981-09-04 JP JP13935381A patent/JPS5840827A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0157779B2 (ja) | 1989-12-07 |
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