JPS5840614Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5840614Y2 JPS5840614Y2 JP1981004300U JP430081U JPS5840614Y2 JP S5840614 Y2 JPS5840614 Y2 JP S5840614Y2 JP 1981004300 U JP1981004300 U JP 1981004300U JP 430081 U JP430081 U JP 430081U JP S5840614 Y2 JPS5840614 Y2 JP S5840614Y2
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- Japan
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- wire bonding
- circuit element
- wire
- external lead
- semiconductor circuit
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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-
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は外部引出し導体のワイヤボンディング領域を
千鳥調に配置すると共に、この領域の面積を他のリード
部より大きく形威し、これにより特にLSIチップなど
のような半導体回路素子を基板上等にコンパクトに実装
できるようにした半導体装置に関するものである。
千鳥調に配置すると共に、この領域の面積を他のリード
部より大きく形威し、これにより特にLSIチップなど
のような半導体回路素子を基板上等にコンパクトに実装
できるようにした半導体装置に関するものである。
従来一般に用いられているICチップなどの半導体装置
は第1図に示すように絶縁材からなる基板1上に外部引
出し導体2をフォトエツチング等により形成すると共に
、この外部引出し導体2の一部にダイボンディング領域
2aを一体に連設して、このダイボンディング2a上に
ICチップなどの半導体回路素子3を接着固定し、がっ
前記ダイポンチ゛イング領域2aの外周に外部引出し導
体2の先端、即ち、ワイヤボンディング領域2bを揃え
て整列、配置し、更にこの半導体回路素子3の各パッド
部3aと、各外部引出し導体2のワイヤポンチ゛イング
領域2bとはそれぞれ金あるいはアルミニウムの細線4
で電気的に接続されている。
は第1図に示すように絶縁材からなる基板1上に外部引
出し導体2をフォトエツチング等により形成すると共に
、この外部引出し導体2の一部にダイボンディング領域
2aを一体に連設して、このダイボンディング2a上に
ICチップなどの半導体回路素子3を接着固定し、がっ
前記ダイポンチ゛イング領域2aの外周に外部引出し導
体2の先端、即ち、ワイヤボンディング領域2bを揃え
て整列、配置し、更にこの半導体回路素子3の各パッド
部3aと、各外部引出し導体2のワイヤポンチ゛イング
領域2bとはそれぞれ金あるいはアルミニウムの細線4
で電気的に接続されている。
そしてこの回路素子3と外部引出し導体2のワイヤボン
ディング領域2bとはその間の距離を可及的に短くでき
るようにボンディング領域2bはダイポンチ゛イング領
域2aの外周に整列、配置され、しかも外部引出し導体
2はワイヤポンチ゛イング領域2bに近ずくにつれ先細
りになっているが、又は同一幅のままでワイヤボンディ
ング領域となっている。
ディング領域2bとはその間の距離を可及的に短くでき
るようにボンディング領域2bはダイポンチ゛イング領
域2aの外周に整列、配置され、しかも外部引出し導体
2はワイヤポンチ゛イング領域2bに近ずくにつれ先細
りになっているが、又は同一幅のままでワイヤボンディ
ング領域となっている。
しかし、LSIなどのように多くの回路素子を含むと共
に、多くの結線数を必要とし、がっ多くのポンチ゛イン
数を必要とするような場合には従来の実装手段では極め
て不都合である。
に、多くの結線数を必要とし、がっ多くのポンチ゛イン
数を必要とするような場合には従来の実装手段では極め
て不都合である。
すなわち、結線に要するボンディング面積は通常最低Q
、3mm角の広さを要すると共に、隣接する各外部引出
し導体間の間隔は前記導体の厚みに制限され、それ以上
この間隔を接近させて導体を形成することは技術的に極
めて困難なためである。
、3mm角の広さを要すると共に、隣接する各外部引出
し導体間の間隔は前記導体の厚みに制限され、それ以上
この間隔を接近させて導体を形成することは技術的に極
めて困難なためである。
従って、特に回路素子の多いLSIなどをコンパクトに
実装しようとすると、外部引出し導体2のワイヤボンデ
ィング領域2bの幅が小さくなり、必要なボンディング
面積が得られないため、ポンチ゛イングの信頼性が低下
し、また外部引出し導体2のパターン形成が困難となっ
て歩留りが低下してコスト高を招き、仮りに実装出来た
としても結線部分の占める面積が大きくなるため、コン
パクトに実装することは技術的に極めて困難であった。
実装しようとすると、外部引出し導体2のワイヤボンデ
ィング領域2bの幅が小さくなり、必要なボンディング
面積が得られないため、ポンチ゛イングの信頼性が低下
し、また外部引出し導体2のパターン形成が困難となっ
て歩留りが低下してコスト高を招き、仮りに実装出来た
としても結線部分の占める面積が大きくなるため、コン
パクトに実装することは技術的に極めて困難であった。
この考案は上記のような問題点を鑑みてなされたもので
、LSIなどの半導体回路素子を接着固定しているダイ
ボンディング領域の外周に、外部引出し導体のワイヤボ
ンディング領域を整列、配置することなく千鳥調に配置
し、かつ、必要なボンディング面積を得るため、ワイヤ
ボンディング領域のみを他の部分よりも拡大し、これに
よりLSIなどの半導体チップをコンパクトに実装せし
めようとするものである。
、LSIなどの半導体回路素子を接着固定しているダイ
ボンディング領域の外周に、外部引出し導体のワイヤボ
ンディング領域を整列、配置することなく千鳥調に配置
し、かつ、必要なボンディング面積を得るため、ワイヤ
ボンディング領域のみを他の部分よりも拡大し、これに
よりLSIなどの半導体チップをコンパクトに実装せし
めようとするものである。
以下本考案を第2図に基いて詳細に説明する。
10は基板11上に設けられている外部引出し導体で、
この外部引出し導体10の一部にはダイボンディング領
域10 aが一体にフォトエツチング等により一体に形
成されていると共に、このダイボンディング領域10
a上にはLSIチップの半導体回路素子12が接着、固
定されてあり、また、前記外部引出し導体10の内側の
先端部、すなわちワイヤボンディング領域10 bは前
記ダイボンディング領域の外周に沿い、適当間隔を設け
て千鳥調に配置され、更にこのワイヤボンディング領域
10 bは他の導体部分10 Cより拡大して方形即ち
角形に形成されている。
この外部引出し導体10の一部にはダイボンディング領
域10 aが一体にフォトエツチング等により一体に形
成されていると共に、このダイボンディング領域10
a上にはLSIチップの半導体回路素子12が接着、固
定されてあり、また、前記外部引出し導体10の内側の
先端部、すなわちワイヤボンディング領域10 bは前
記ダイボンディング領域の外周に沿い、適当間隔を設け
て千鳥調に配置され、更にこのワイヤボンディング領域
10 bは他の導体部分10 Cより拡大して方形即ち
角形に形成されている。
13はワイヤボンディング領域10 bと半導体回路素
子12のパッド部12 a間を電気的に接続している金
あるいはアルミニウムの細線である。
子12のパッド部12 a間を電気的に接続している金
あるいはアルミニウムの細線である。
この考案は上記の如く、LSIチップ11との半導体回
路素子の外周に外部引出し導体のワイヤボンディング領
域を千鳥調に配設したものであるから、回路素子の外周
一定範囲内に、従来に比し数多くの外部引出し導体を形
成できると共に、数多くの結線が可能となり、かつその
結線部分の占める面積も少くて済むのでLSIチップな
どをコンパクトに実装できる。
路素子の外周に外部引出し導体のワイヤボンディング領
域を千鳥調に配設したものであるから、回路素子の外周
一定範囲内に、従来に比し数多くの外部引出し導体を形
成できると共に、数多くの結線が可能となり、かつその
結線部分の占める面積も少くて済むのでLSIチップな
どをコンパクトに実装できる。
また、ワイヤボンディング領域は他の導体部分の線巾よ
り拡大して方形状即ち角状に拡大して形成しているため
、設計上、図面が書き易く、製造上からも位置の認識が
容易であり、その上ボンディング領域の面積を大きくと
ることができる。
り拡大して方形状即ち角状に拡大して形成しているため
、設計上、図面が書き易く、製造上からも位置の認識が
容易であり、その上ボンディング領域の面積を大きくと
ることができる。
そのためワイヤボンディングを実施するに際してオート
ボンダの導入が可能となり、これによりポンチ゛イング
強度が安定し、信頼性の向上が図れると共に、生産性が
向上し、大量生産が可能となるためコストの低減化を図
ることができ、更に座標の位置合せが容易となり、ボン
ディングの位置誤差を少くすることができるので作業性
に富む。
ボンダの導入が可能となり、これによりポンチ゛イング
強度が安定し、信頼性の向上が図れると共に、生産性が
向上し、大量生産が可能となるためコストの低減化を図
ることができ、更に座標の位置合せが容易となり、ボン
ディングの位置誤差を少くすることができるので作業性
に富む。
更にまた、従来の手動によるボンディング法を用いた場
合にも、外部引出導体の内端、即ち半導体回路素子の外
周部の近傍でボンディングできるとともに、ボンディン
グの面積が大きいのでポンチ゛イング作業が極めて容易
で、作業性に富み、かつワイヤ径の大きいものを選ぶこ
とができるのでボンディング強度が増し、更に外部引出
し導体のパターン形成が容易となるため歩留りが向上し
、コストの低減化を図ることができる等の効果を有する
。
合にも、外部引出導体の内端、即ち半導体回路素子の外
周部の近傍でボンディングできるとともに、ボンディン
グの面積が大きいのでポンチ゛イング作業が極めて容易
で、作業性に富み、かつワイヤ径の大きいものを選ぶこ
とができるのでボンディング強度が増し、更に外部引出
し導体のパターン形成が容易となるため歩留りが向上し
、コストの低減化を図ることができる等の効果を有する
。
更に、前記実施例では基板上に外部引出し導体を形成し
た場合について説明したが、本案装置は他の方法、例え
ばリードフレームを用いて半導体装置を実装するような
場合にも適用できることは勿論である。
た場合について説明したが、本案装置は他の方法、例え
ばリードフレームを用いて半導体装置を実装するような
場合にも適用できることは勿論である。
第1図は従来用いられている半導体装置の説明用平面図
、第2図は本考案に係る半導体装置の説明用平面図、で
ある。 10.14・・・・・・外部引出し導体、10 a 、
14 a・・・・・・ダイボンディング領域、10b、
14b・・・・・・ワイヤボンディング領域、11・・
・・・・基板、12・・・・・・半導体回路素子。
、第2図は本考案に係る半導体装置の説明用平面図、で
ある。 10.14・・・・・・外部引出し導体、10 a 、
14 a・・・・・・ダイボンディング領域、10b、
14b・・・・・・ワイヤボンディング領域、11・・
・・・・基板、12・・・・・・半導体回路素子。
Claims (1)
- 絶縁材からなる基板と、この基板にダイボンディングさ
れたLSI半導体回路素子と、このLSI半導体回路素
子の外周から放射状に伸びた複数の外部引出し導体と、
この外部引出し導体の各先端部に設けられたワイヤボン
ディング領域とを備え、前記LSI半導体回路素子と前
記ワイヤボンディング領域とが結線された半導体装置に
おいて、前記ワイヤボンディング領域を略1本おきに互
い違いに前記LSI半導体回路素子の側部に近づけると
共に、前記ワイヤボンディング領域の幅を前記引出し導
体の幅より大きくすることにより前記ワイヤポンチ゛イ
ング領域の面積を拡大したことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1981004300U JPS5840614Y2 (ja) | 1981-01-16 | 1981-01-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1981004300U JPS5840614Y2 (ja) | 1981-01-16 | 1981-01-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56167549U JPS56167549U (ja) | 1981-12-11 |
JPS5840614Y2 true JPS5840614Y2 (ja) | 1983-09-13 |
Family
ID=29600988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1981004300U Expired JPS5840614Y2 (ja) | 1981-01-16 | 1981-01-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5840614Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58182858A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
-
1981
- 1981-01-16 JP JP1981004300U patent/JPS5840614Y2/ja not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
ELECTRONIC DESIGN=1967 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56167549U (ja) | 1981-12-11 |
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