JPS584030B2 - イソチアゾロンユウドウタイノセイゾウホウ - Google Patents

イソチアゾロンユウドウタイノセイゾウホウ

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Publication number
JPS584030B2
JPS584030B2 JP50043342A JP4334275A JPS584030B2 JP S584030 B2 JPS584030 B2 JP S584030B2 JP 50043342 A JP50043342 A JP 50043342A JP 4334275 A JP4334275 A JP 4334275A JP S584030 B2 JPS584030 B2 JP S584030B2
Authority
JP
Japan
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formula
penicillin
derivative represented
hydroxyl group
amine
Prior art date
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Expired
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JP50043342A
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English (en)
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JPS51118761A (en
Inventor
橘陽二
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Nisshin Seifun Group Inc
Original Assignee
Nisshin Seifun Group Inc
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Publication date
Application filed by Nisshin Seifun Group Inc filed Critical Nisshin Seifun Group Inc
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Publication of JPS584030B2 publication Critical patent/JPS584030B2/ja
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  • Thiazole And Isothizaole Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はイソチアゾロン誘導体の製造方法に関するもの
で、さらに詳しくは 一般式 (式中、Rはフエノキシアセトアミド、ペンジルアセト
アミド、フタルイミドを示し、R′は脂肪族、芳香族、
脂環族を示す。
)で示されるペニシリン誘導体にヒドロキシ基を有する
アミンの存在下に加熱転移せしめて 一般式 (式中R,R’は前と同じ。
)で示される、抗菌剤として有用なインチアゾロン誘導
体を得る方法に関するものである。
従来インチアゾロンの製法としては、1・4アゼピンの
クロル化(J.A.C,S86、5307(1964)
)、ピリジン、トリエチルアミン等の塩基の存在下で、
ペニシリンスルホキシドの転位による方法(J.C,S
(c)14.56、1974)、(J.C.S(c)1
184、(1974))が知られているが、いずれも主
生成物でなく副反応物として得られているものであり、
収率は著しく低い。
本発明者は、ヒドロキシ基を有するアミンを触媒とした
場合のみ特異的にペニシリン誘導体からイソチアゾロン
誘導体へきわめて好収率で転移することを見出し本発明
を完成するに到ったものである。
本発明の方法は、一般式 (式中Rはフエノキシアセトアミド、ペンジルアセトア
ミド、フタルイミドを示し、R′は脂肪族、芳香族、脂
環族を示す。
)で表わされるペニシリン誘導体に有機溶媒中でヒドロ
キシル基を有するアミンを存在せしめて加熱転移せしめ
る方法である。
本発明に用いる出発原料としては、ペニシリンV、ペニ
シリンG、6−フタルイミドペニシリン等のエステル類
であるが、エステルは特に限定はなく、例えばメチル基
、エチル基等のアルキルエステル、トリクロロエチル基 等でよい。
用い泣溶媒は、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジオキ
サン、酢酸ブチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルア
セトアミド等の一般有機反応に供される有機溶媒があげ
られる。
ヒドロキシ基を有するアミンとしては、ヒドロキシピリ
ジン類、ピリジンアルコール類(ピリジンメタノール、
ピリジンエタノール、ピリジンプロパノール類)、N−
ピぺリジンエタノール、4−モルホリンエタノール等の
第3級アミン、1−ピペラジンエタノール、ジエタノー
ルアミン等の第2級アミン、トリスヒドロキシアミンメ
タン、エタノールアミン、プロパノールアミン等の第L
級アミンが使用できるが、この中でも特に第3級アミン
が好結果を与える。
用いるこれらのアミンの量としては触媒量でよいが、さ
らに多量を用いると反応速度が高められ、短時間で目的
物質を得ることが可能である。
反応温度としては70℃から150℃程度で行うのが好
都合であり、従って前記の反応溶媒も沸点がそれ以上の
ものを選択して使用すればよいが、場合によっては加圧
下で反応せしめてもよい。
目的とするインチアゾロン誘導体は、ペニシリン誘導体
をヒドロキシル基を有するアミンの存在下で有機溶媒を
用いて加熱還流後、溶媒を除去することにより、容易に
結晶として得ることができるが、さらにシリカゲル、ア
ルミナ力ラムクロマトグラフイーにより精製すればなお
一層高純度のものを得ることができる。
次に本発明の触媒の効果を示すために、ヒドロキシル基
を有しないアミンとの比較を第1表に掲げる。
実施例1 ペニシリンVスルホキシドトリクロロエチルエステル5
.0g、2−ピリジンメタノール1.0gをn−酢酸ブ
チル30mlにとかし2時間加熱還流する。
反応後、希塩酸、水、飽和食塩水で洗浄後、溶媒を留去
する。
ただちにイソチアゾロンの結晶が析出してくる。
ベンゼン−ヘキサンより再結晶を行い、融点142〜1
43℃のインチアゾロン3.91を得る。
収率80%。分析値C=45.18%、H=3.65%
、N−5.86%、S=6.54%、Cl=21.21
% 計算値C=45.06%、H=3.54%、N−5.8
4%、S=6.68%、CI=21.28% NMR(inCD3COCD3): δ=1.93、2.40、4.73、4.83、6.8
7〜7.47、8.47、8.97(p.p.m) p−p・ ■R:νmax−3360、3060、1730、16
90、1630cIrL−1(Nujol)実施例2 ペニシリンGスルホキシドメチルエステル3.9g、N
−モルホリンエタノール1.0gをトルエン20mlに
とかし、2.5時間加熱還流し、希塩酸、水、飽和食塩
水の順で洗浄後、溶媒を留去する。
得られたオイル状残渣をベンゼン/酢酸エチル(1/1
)を用いてシリカゲルクロマトグラフイーを行い、留出
物をベンゼンーヘキサンより再結晶を行う。
収量2.6g、収率73%、融点230〜232℃。
分析値C58.85%H5.26% N8.14% 計算値C58.94%H5.10% N8.09% NMR:τ−1,02、1.30、2.68、6.24
、6.37、7.82、8.19(p.p.m)IR:
ν=3270、1710、1680、maX 1619cm−1(Nujol) 実施例3 6−フタルイミドペニシリンメチルエステル3.6g、
N−ピペリジンエタノール1.0gを、ジメチルホルム
アミド25mlにとかし、120〜130℃で1,5時
間反応する。
反応後、実施例2と同様の処理を行い、インチアゾロン
2.21を得る。
収率67%、融点254〜256°分析値C56.83
%H4.01% N7.75%S8.87% 計算値C56.98%H3.91% N7.82%88.94% NMR:δ(CDCl3)=1.97、2.41、3.
80、7.94、8.48(p.p.m) ■R:νmaX=1781、1730、1715、16
75cm−1(Nujol)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1一般式 (式中Rは、フエノキシアセトアミド、ペンジルアセト
    アミド、フタルイミドを示し、R′は脂肪族、芳香族、
    脂環族を示す。 )で表わされるペニシリ塔誘導体にヒドロキシ基を有す
    るアミンの存在下加熱転移せしめることを特徴とする一
    般式(式中RおよびR′は前記と同じ。 )で表わされるインチアゾロン誘導体の製造方法。
JP50043342A 1975-04-11 1975-04-11 イソチアゾロンユウドウタイノセイゾウホウ Expired JPS584030B2 (ja)

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JP50043342A JPS584030B2 (ja) 1975-04-11 1975-04-11 イソチアゾロンユウドウタイノセイゾウホウ

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JPS51118761A JPS51118761A (en) 1976-10-18
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JP (1) JPS584030B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194724U (ja) * 1984-11-26 1986-06-18
JPH02145921A (ja) * 1988-11-28 1990-06-05 Ranco Japan Ltd 液体の水位制御装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6194724U (ja) * 1984-11-26 1986-06-18
JPH02145921A (ja) * 1988-11-28 1990-06-05 Ranco Japan Ltd 液体の水位制御装置

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JPS51118761A (en) 1976-10-18

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