JPS5833108A - ワ−ク外観検査方法 - Google Patents

ワ−ク外観検査方法

Info

Publication number
JPS5833108A
JPS5833108A JP13185281A JP13185281A JPS5833108A JP S5833108 A JPS5833108 A JP S5833108A JP 13185281 A JP13185281 A JP 13185281A JP 13185281 A JP13185281 A JP 13185281A JP S5833108 A JPS5833108 A JP S5833108A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellet
image
polarized light
filter
inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13185281A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Takemura
竹村 成市
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Home Electronics Ltd
NEC Corp
Original Assignee
NEC Home Electronics Ltd
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Home Electronics Ltd, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Home Electronics Ltd
Priority to JP13185281A priority Critical patent/JPS5833108A/ja
Publication of JPS5833108A publication Critical patent/JPS5833108A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G01B11/2433Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures for measuring outlines by shadow casting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半4体ベレットなどのワークの外形状總と表
向状總の両方を検査する外観検査方法に関するものであ
る。
一般に、トランジスタ等の半導体装置は7枚の牛4体り
エーハにII数の半導体ベレット(以下率にベレットと
称す)を一括形成するニー、牛峙体つェーへにおける各
ベレットを7つずつ1に気的へ社憔食して不良品のベレ
ットにはその表11i]Kインクの厘布やビンによる引
掻き傷などの不良T−り音形成する工楊、半導体ウェー
ハ1に谷ベレット毎に細分割するプレーヤyダニ根、分
1iJiされえベレットの表向中外形を検査して不良品
を除去(戚は良品のみをビッタアップ)するベレット外
m慣査工根、良品のベレットを放熱板等に半田付けする
マウント工程、マウントされたベレットに金−等をボン
ディングする工程などを経て製造される・上記ペレット
外観慣責工程はベレット表−の湯や汚れ、骨性検査工程
における不良i−りなどを慣出すJas面検査と、プレ
ーキングエ根などで発生したベレットの劃れや欠け、欠
は残りなどを検出す為外形tII[fの内方で竹われる
このようなベレット外観検査はベレットの外at顧値銚
などを俊りて拡大した像を目視でもって#!察すれば一
目暉然で簡単に行える。しかし、ベレットを7つ7つ目
視で検査することは恢宜作1に省に非富な疲労を覚えさ
せて作画性が看しく低下し、また慣査作業省の能力差ヤ
妓労夏のMKよって良否判定の基準レベルが変シ、良、
116が不良品と判定されて除去されたり、不良品が良
品と判定されて後工楊に送られて#!を果的に不&牟導
体4&置が製造され為不都合がある。
そこで、ベレット外観検査を自動的に行う方法として、
偶見は第1図に示す装置1便つ九次の方法が一般に行わ
れている。即ち、複数のベレット1ll(1)・・−を
透光性のシート(り上に互いVClm−させて固涜した
ものを用意し、シート(=)を間歇送夛してベレット(
1)t−/Iiずり外績検査の定ポジV*=yPに送り
込む、一方、この定ボジシ璽ンrの上方定位置に一台の
TVカメラ等の煽像管(3)とハロゲンランプ尋の光源
14:を有する上部照vA装置jil f配置し、下方
定位置く光源(6)を有す石工部照明装置(1)を配置
する。そして、上下の舎光源14: +s+ t一点灯
して、上部雇用装置11からの平行元酬を斜光照明して
ボジシwyPでのベレン) filの表面tmw曾li
tでベレット(1)の衣@渾t−燻像し、1b」時に下
部照明装置(1)からの平行光i11]!をベレット(
1)の孤面に照射して撮像@ 131でベレン) +1
1の外形像を撮諺する。すると、例えは第2図のけ)に
示すようにベレット(110表面に不良w −/ iU
が有ると、この不良!−り(&)で照明光か乱反射する
ため、撮像されたベレット表面l1Ii像は第2図の(
ロ)に示すように他のベレット表面像よ)明るく映り、
従ってこの画像M1に白黒の基準レベルと比較してコ瀘
化処塩すれば不良マークfl)の有無が自動的に検知さ
れる−また、第2図のK)K示すようにベレット(1)
の−角に欠け(畠1が有ると、II&rki照明で得ら
れたベレット外形像は113図の(ロ)に示すようKな
り、このAiI&l渾Mを一億化処場してl1iI渾面
積を出して基準面積と比較すれば、欠け(釦の有−が検
出される・ とこりで、上記方法におりて、ベレット(sH;を上下
から同一時刻にM明されるため、−像MMの明暗のレベ
ル量が小さくな)、明部と暗部の境界の区別か判然とし
ない場合がある。そのため、画像MMをJ値化処理する
際の基準レベルの設定が細しくて、高精度に検出するに
はかなり犬掻りで複雑な画像処理回路を必要とした。
このような問題点を解決するものとして、上下各照明装
置!61 t7+の光1[14i m t−電源スィッ
チの切換えで交互KA+速で点滅させてベレット表面と
ベレット外形の撮像を交互に行う方法が提案されている
・卸ち、まず下部光源(6)のみを点灯させて、ベレッ
ト外形像を撮像して画像処理を行い、次に下部光源(6
)を消灯させて、今度は、上部光源(6)を点灯させて
ベレット表面画像を撮像して、七の画像処!lを行って
から、次のベレット(1)を検査ボジシ1ンPK移動さ
せ、上記動作を線)返す方法である・このようにすbと
、ペレット!!1面や外形の画像の明暗が判つきりして
、噴出種度が向上する。しかし乍ら、光源+4:(6)
を点滅させると、スイッチング時点から照度が一定の明
るさ及び暗さまで安定するのに着千の時間的遍れが生じ
る・この時間的週九は個々ノヘレツ) tllの検置母
に生じるため、多数のベレツ) iml ill・−拳
ノ外wI4WIK査を連続して高速で何う装置において
、1記時間的遅れは大幅なインデックス低下の胃内とな
る。また、光源14:+61にハロゲンランプ等が使用
されるが、長時間に1って高速点滅させると寿命が着し
く短くなり、頻繁に交換する手間があって好11.<な
かっ九。
以下余白 本5&川はかかる問題点に罐みてなされたもので、偏光
照明全採用した新規なワーク外観検査方法を提供する。
以下2本発明を例えは上記ペレツ) +11の外観倹f
vc適用し、第V図を参照して1s!明する。
第V図において、(9)は検査ポジションrの真上に配
置した工TVカメラ等の撮像管、1M1は検査ポジショ
ンPの斜め上方に配置し九上部光源、 fillに検査
ポジションPの真下に配置した下部元鍬で、以上に従来
同様のものを使用すればよい・本発明の特徴灯上部光源
叫と下部光源1111及び撮像管(9)の手前に次のq
!r4A光フィルター11!l InIJ41k配置し
て、検査ポジションPに送り込まれたベレット(1)を
上下から−’fM度軸のずれた偏光でR明し、その偏光
で撮像することである。
即ち、上部光源−の偏光フィルターlJzに定位置に固
定さA、上部光drA−からの光(平行光線)を一方向
1例えば図面に示すX輪方向に偏光してベレツ) +l
+の表[fiに照射する。−万、下部光源(IL+の(
J11元フィルター0−一足位置に固定され。
下部光源+lIlからの光(平行光M)を前記!軸方(
口」と例え1−1′直交するX輪方向に偏光してベレッ
ト(11び)裏[Iに照射する・また、撮像管(9)と
ベレット(1)の間にある偏光フィルター〇4に一方向
の一元軸會有する円形のもので、これに水平な定位I]
IIVC中心点全中ノL7に回転自在に配置される。
この回転偏光フィルターα4の回転駆動は例えげパルス
モータ舖とギヤ機構gQでもって連続回転速度、或はり
Ooの間歇回転速度がコントロールされる・ 上記装置によるベレット外観検量に次の要領で行われる
。各光源−1111t−常時点灯させ、回転偏光フィル
ター[141を例えば一方向に連続回転させておいて、
ペレッ)ll11に検査ポジションPに送る。すると、
このペレット口)は上方からX輪方向の偏光m□ で照
明され、同時に下方からX輪方向の一元nl  で照明
さnhペレット表面で反射したX軸方向g】偏光m2 
 と、ペレッ) filの近傍を通り抜けたY@方向の
偏光n2 が同時に回転している偏光フィルターi4に
入る。すると、この偏光フィルターg4び)偏光軸がX
方向に向いた時点で工輔力同の偏光忌2だけが偏光フィ
ルター圓會洩遇して撮像管+91 K入り、ベレット光
間が撮像される。また、−元フイルター、141の駕元
細かY方向に向いた時点でX輪方向の偏光n2  だけ
が偏光フィルター041を通送して撮像管(9)に入り
、ベレット外形が撮像される。つまり、回転偏光フィル
ター■のり00回帖毎にベレット表面像とベレット外形
儂が交互lC撮像される。
また、この撮像され之各々の画像に専用1つ単一の照明
で得られる画像と同じように明暗レベ/L’IEが大き
く、従ってペレッ) il+の表面の傷や不良マーク、
割nb欠けなどの不良の検出が尚n度に行える。
ま念、このベレット外観の検査順序は次のように行えば
よい。ペレッ) filの送りに同期して回転偏光フィ
ルター!41t−回帖させ、ベレン) +1)が検fd
fジションPにきた時1回転−光フイルタ−I14の一
光軸t−Y方向に向けて1でベレット外形を虚像して、
回転偏光フィルタ=04が更にり00回帖するまでに撮
像したベレット外形−Jからベレット外形検査を行う・
次に回転−光フイルタ−■がり00回帖し九ところでベ
レット表向全撮像してペレット表1検査を行う、こσ)
表面検査の111に次のベレット1l)t−検査ポジシ
ョンPに送り込むと共に1回転フィルターJ41’i史
にり00回帖させる・このようにすれば無駄な時間が無
く、高速運転が9距となる・尚、ペレツ) 11+を照
明する上下の偏光のずれ角度は200[1i1らない。
ま九、本発明にペレツ) +11の外観検量に限定され
る−のではなく。
要は表面検査と外形検査の両方を必要とするワークであ
Aiげ通用できる。
以上説明したように1本発明によれはワークの表面像と
外形儂が異なる偏光軸の偏光で独自に撮像されるため、
 tmsの明暗度が大きくて検食椙度が向上する。特に
、偏光した光は一向反射し易いため、ワーク表面像の明
暗が尚更に判つ九りし、ワーク表面の傷中汚れなどの検
出が、容易になる・また、ツークの表面像と外形像の撮
像の切換えは撮像管手前の偏光フィルグーの回転で行え
るので%高遼這転が可能でインデックス向上が図A%を
九ft、源を点滅させる必要がなく、光源の長寿命化が
図れる。
【図面の簡単な説明】
第7図は従来のワーク外観検査装置の一例を示す砥略側
面図、第コ図及びlJ!IJWAはワーク表面検査及び
ツーク外形検査を説明するためのツーク千面図と撮像さ
れftH儂図、第ダ図は本発明を実施する装置の一例を
示す概略斜視内である。 (1)・・ツーク(半導体ペレット) 、 (1)・・
撮像管、I4e・偏光フィルター* (41)(&B)
(1)1)(11B)・・偏光。 第111 (イ)                    (ロ
)有4!i!1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) ワークを上下二方向から照明してワーク上方に
    配置したTマカメッでワーク表rJ77i像とワーク外
    形像を撮像して得九mm儂からワーク外観mfを行う方
    f&において、ワークの上下二方向からの各照明を互に
    一定角度偏光軸が異なるように偏jtさせて行うと共に
    、この各偏光によゐ前記テマカメラへの各入射光を偏光
    フィルターを介して交互に切換えて、ワーク表面像とワ
    ーク外形IIを交互に達IするようKしたことt轡値と
    するジータ外11検査方法。
JP13185281A 1981-08-21 1981-08-21 ワ−ク外観検査方法 Pending JPS5833108A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13185281A JPS5833108A (ja) 1981-08-21 1981-08-21 ワ−ク外観検査方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13185281A JPS5833108A (ja) 1981-08-21 1981-08-21 ワ−ク外観検査方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5833108A true JPS5833108A (ja) 1983-02-26

Family

ID=15067618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13185281A Pending JPS5833108A (ja) 1981-08-21 1981-08-21 ワ−ク外観検査方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5833108A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02120605A (ja) * 1988-10-31 1990-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 厚膜印刷パターンの外観検査装置
EP0614080A2 (en) * 1993-03-05 1994-09-07 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Apparatus for recognizing the shape of a semiconductor wafer
EP3236310A1 (en) * 2016-04-22 2017-10-25 Score Group Plc An imaging system and method
JP2019517670A (ja) * 2016-06-02 2019-06-24 ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh 容器を検査するための装置及び方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5321547B2 (ja) * 1973-05-23 1978-07-03
JPS5594145A (en) * 1979-01-12 1980-07-17 Hitachi Ltd Method of and device for inspecting surface of article

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5321547B2 (ja) * 1973-05-23 1978-07-03
JPS5594145A (en) * 1979-01-12 1980-07-17 Hitachi Ltd Method of and device for inspecting surface of article

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02120605A (ja) * 1988-10-31 1990-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 厚膜印刷パターンの外観検査装置
EP0614080A2 (en) * 1993-03-05 1994-09-07 Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. Apparatus for recognizing the shape of a semiconductor wafer
EP0614080A3 (en) * 1993-03-05 1995-01-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd Device for recognizing the shape of a semiconductor wafer.
EP3236310A1 (en) * 2016-04-22 2017-10-25 Score Group Plc An imaging system and method
JP2019517670A (ja) * 2016-06-02 2019-06-24 ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh 容器を検査するための装置及び方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4468696B2 (ja) 半導体ウエハ検査装置
US6954268B2 (en) Defect inspection apparatus
EP0935747A1 (en) Automated inspection system with bright field and dark field illumination
JP4434417B2 (ja) プリント配線板の検査装置
JP2008045965A (ja) ウェハの検査方法及びウェハのクラック検査装置
JPH05160230A (ja) ボンデイングワイヤ検査装置及び方法
KR20030015207A (ko) 결상 시스템
JP2008032433A (ja) 基板検査装置
JPH10312979A (ja) ウェーハの切削状況の検出方法
JPS5833108A (ja) ワ−ク外観検査方法
JP2000131037A (ja) 物体形状検査装置
JP3067142B2 (ja) ホトマスクの検査装置及びホトマスクの検査方法
JPH09252035A (ja) 半導体ウェーハの外観検査方法および装置
JPH0554622B2 (ja)
JPH04102050A (ja) Oリング検査方法
JP2005070012A (ja) 容器充填液体の異物検査方法とその装置
JP2004347525A (ja) 半導体チップ外観検査方法およびその装置
JP2000346813A (ja) 物品の表面検査装置
JPS61107144A (ja) 容器の検査方法
JPS58125837A (ja) 自動ダイボンダのペレツト位置決め装置
JPH0251007A (ja) 線状物体形状検査装置
JPH06160065A (ja) 欠け検査装置
JPH01227910A (ja) 光学検査装置
JPS6157839A (ja) 外観検査方法
JPH10148616A (ja) 結晶体の自動選別方法および装置