JPS5832421A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5832421A JPS5832421A JP56130557A JP13055781A JPS5832421A JP S5832421 A JPS5832421 A JP S5832421A JP 56130557 A JP56130557 A JP 56130557A JP 13055781 A JP13055781 A JP 13055781A JP S5832421 A JPS5832421 A JP S5832421A
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- JP
- Japan
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- wafer
- electrode
- electrodeposition
- circumference
- mesa
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体クエーハのペレット領域間に刻設した
メサ溝にガラス保護膜を形成する工程を含む半導体装置
の製造方法に関する。
メサ溝にガラス保護膜を形成する工程を含む半導体装置
の製造方法に関する。
一般に、メ？型のトランジスタやナイリスタなどの半導
体装置は、１枚の半導体ウェーハに複数の半導体ベレッ
ト領域（以下単にペレットと称す）を選択拡散等で形成
する工程、ウェーハのペレット間にメサ溝をエツチング
形成する工程、メサ溝に保護膜を被着する工程、半導体
ウェーハ表裏両面に電極を形成する工程、半導体つ・エ
ーハを各半導体ベレット毎に細分割する工程を経て製造
されている。
体装置は、１枚の半導体ウェーハに複数の半導体ベレッ
ト領域（以下単にペレットと称す）を選択拡散等で形成
する工程、ウェーハのペレット間にメサ溝をエツチング
形成する工程、メサ溝に保護膜を被着する工程、半導体
ウェーハ表裏両面に電極を形成する工程、半導体つ・エ
ーハを各半導体ベレット毎に細分割する工程を経て製造
されている。
ところで、上記メサ溝を保鏝する保護膜は、ゴムを使用
する一合もあるが、通常はガラスを使用し、このガラス
保護膜の形成工程は、グラシペーシ曹ンと呼ばれている
。グラシペ゛←シ１ンの方法として、沈殿法、電気泳動
法、印刷法、塗布法尋があるが、この発明は電気泳動法
に係わる。□例えば、半導体装置として８ＣＲを例にこ
のグラシペーシ■ン工程の従来の方法を説明すると、第
１図及び第２図はメサ溝形成工程が完了してグラシベー
シ冒ン工程に入るウェーハを示し、これらの図において
、Ｎ型のウェーハ１の表裏両面からＰ型不純物を拡散し
てＰ型領域２を形成し、表面側のＰ型領域に複数個のＮ
型領域をＮ型木綿物の選択拡散により形成して、Ｎ型領
域を含む複数のベレット領域３を形成し、その後ウェー
ハの表裏両面全域に酸化膜４を形成してから、この酸化
膜上にウェーハのベレット周上を除いて、例えばワック
ス５を塗布し、ワックス５の塗布されていないところか
ら酸化膜及びウェーハをエツチングしてウェーハのベレ
ット間メサ溝６を形成したものである。
する一合もあるが、通常はガラスを使用し、このガラス
保護膜の形成工程は、グラシペーシ曹ンと呼ばれている
。グラシペ゛←シ１ンの方法として、沈殿法、電気泳動
法、印刷法、塗布法尋があるが、この発明は電気泳動法
に係わる。□例えば、半導体装置として８ＣＲを例にこ
のグラシペーシ■ン工程の従来の方法を説明すると、第
１図及び第２図はメサ溝形成工程が完了してグラシベー
シ冒ン工程に入るウェーハを示し、これらの図において
、Ｎ型のウェーハ１の表裏両面からＰ型不純物を拡散し
てＰ型領域２を形成し、表面側のＰ型領域に複数個のＮ
型領域をＮ型木綿物の選択拡散により形成して、Ｎ型領
域を含む複数のベレット領域３を形成し、その後ウェー
ハの表裏両面全域に酸化膜４を形成してから、この酸化
膜上にウェーハのベレット周上を除いて、例えばワック
ス５を塗布し、ワックス５の塗布されていないところか
ら酸化膜及びウェーハをエツチングしてウェーハのベレ
ット間メサ溝６を形成したものである。
この時のメサ溝６には各ベレット領域のＰＮ接合部が露
出し、ここに重金属、水分、ゴオ等の異物が付着すると
、リークや耐圧劣化を招くため、メサ溝６を保護する必
要がある。
出し、ここに重金属、水分、ゴオ等の異物が付着すると
、リークや耐圧劣化を招くため、メサ溝６を保護する必
要がある。
即ち、まず上記クエーノ九を第３図に示すように電着液
フの中に浸漬する。この電着液は電解液にガラス微粉末
を懸濁したものである。次に、ウェーハｌの表裏両面の
近傍に電極板８を配置して電極板にプラス、ウェーハに
ｉイナスの電圧を印加する。すると第４図に示すように
２、電着液７の中のガラス微粉末９がマイナス電位であ
るメサ＃Ｉ６に電着していく。後はウェーハｌを電着液
７から９を焼きしめてガラス保護膜を形成する。
フの中に浸漬する。この電着液は電解液にガラス微粉末
を懸濁したものである。次に、ウェーハｌの表裏両面の
近傍に電極板８を配置して電極板にプラス、ウェーハに
ｉイナスの電圧を印加する。すると第４図に示すように
２、電着液７の中のガラス微粉末９がマイナス電位であ
るメサ＃Ｉ６に電着していく。後はウェーハｌを電着液
７から９を焼きしめてガラス保護膜を形成する。
ところで、このような従来のグラシペーシ１ン工程には
次の問題点があっ九。即ち、つ、エーハは周辺部にベレ
ットを形成して屯不良となる率が高く、従って、ベレッ
トはウェーハの周辺部を除く部分だけに形成されている
。そして、このウェーハのグラシペーシ嘗ンは、メサ溝
を除く全面をワックス又は酸化膜で絶縁保護して行りて
いた。第３図の状態で電圧印加するとメサ溝だけが電着
液中に露出し電着されるが、クエーイ・の周辺部と中央
部では電界の強さが均一にならず、特に、ウェーハ最外
周付近で中央部の電界との強さの差が最大となる。その
為、ガラス微粉末の層は、中央部と比較して周辺部に近
いものが大幅に厚くなる傾向がある。これが焼成後ガラ
ス厚のばらつきを生じる最大の原因である。
次の問題点があっ九。即ち、つ、エーハは周辺部にベレ
ットを形成して屯不良となる率が高く、従って、ベレッ
トはウェーハの周辺部を除く部分だけに形成されている
。そして、このウェーハのグラシペーシ嘗ンは、メサ溝
を除く全面をワックス又は酸化膜で絶縁保護して行りて
いた。第３図の状態で電圧印加するとメサ溝だけが電着
液中に露出し電着されるが、クエーイ・の周辺部と中央
部では電界の強さが均一にならず、特に、ウェーハ最外
周付近で中央部の電界との強さの差が最大となる。その
為、ガラス微粉末の層は、中央部と比較して周辺部に近
いものが大幅に厚くなる傾向がある。これが焼成後ガラ
ス厚のばらつきを生じる最大の原因である。
本発明の目的は、上記ガラス厚みのばらつきの抑制され
九半導体装置を歩留よく製造する方法を提供することで
ある。
九半導体装置を歩留よく製造する方法を提供することで
ある。
次に本発明を図面を参照して説明する。例えば第１図及
び第２図に示したウェーハをグ２シペーシ璽ンする場合
、ウェーハの周辺部の電界強度を弱める１例として、第
５図（−）、Φ）Ｋ示すような同心円状に分割した電極
１８を用いればよい。電極１８はステンレス製の中央円
板の周囲に直径が違う数個のステンレス条の輪体１１を
放射状配置の支持棒１２で支持した構造をもち、輪体１
１の間隔は周辺にゆくに従うてしだいに疎にしてあシ、
周辺部における電界の強度を中央部と等しくなるようＫ
しである。
び第２図に示したウェーハをグ２シペーシ璽ンする場合
、ウェーハの周辺部の電界強度を弱める１例として、第
５図（−）、Φ）Ｋ示すような同心円状に分割した電極
１８を用いればよい。電極１８はステンレス製の中央円
板の周囲に直径が違う数個のステンレス条の輪体１１を
放射状配置の支持棒１２で支持した構造をもち、輪体１
１の間隔は周辺にゆくに従うてしだいに疎にしてあシ、
周辺部における電界の強度を中央部と等しくなるようＫ
しである。
これを第６図に示すように、全体を電着液７の中に浸漬
する。そして電極１８にプラス、ウェーハＩＫマイナス
の電圧を印加する。すると電着液７の中のガラス微粉末
が露出し九メサ溝に電着していく。
する。そして電極１８にプラス、ウェーハＩＫマイナス
の電圧を印加する。すると電着液７の中のガラス微粉末
が露出し九メサ溝に電着していく。
従来の平板電極は周辺部の電界が強く、大幅に厚くガラ
ス微粉末が電着していたが、上記電極１８を用いれば、
周辺部の電界社中央部と等しくなシ均一な電着が可能に
なる。
ス微粉末が電着していたが、上記電極１８を用いれば、
周辺部の電界社中央部と等しくなシ均一な電着が可能に
なる。
以上説明したように、本発明によれば、ガラス電着時に
平板電極を用いていた場合、どおしても周辺部に電界が
集中しガラス厚みが均一でなかったものが、前記電極を
用いる事によ）、メサ溝のガラス電着層の厚さが全体に
わたつて均一化し、常に良好なグラシベーシｌンが可能
とな・シ、製品の良品率の向上が図れる。
平板電極を用いていた場合、どおしても周辺部に電界が
集中しガラス厚みが均一でなかったものが、前記電極を
用いる事によ）、メサ溝のガラス電着層の厚さが全体に
わたつて均一化し、常に良好なグラシベーシｌンが可能
とな・シ、製品の良品率の向上が図れる。
第１図は半導体ウェーへの平面図、第２図は第１図の一
部拡大断面図、第３図ば従来のグラシベーシｌン工程を
説明するガラス電着装置の概略断面図、第４図は第３図
の一部拡大断面図、第５図（ａ）、Φ）は本発明の一実
施例に係わる電極の概略平面図とそのＡ−Ａ断面図、第
６図は第５図の部品を用いたガラス電着装置の概略断面
図である。 ｌ・−・−・半導体ウェーハ、２＝、−ｐ型領域、３・
・・・−・ベレット領域、４・・・・・・酸化膜、５・
−・−ワックス、６・−・・・・メサ溝、７−・・・・
電着液、８，１８−・・・−電極、９−・・・・・ガラ
ス粉末、１０−−−−−・中央円板、１１・・・・−輪
体、１２−・・・・支持棒。 第３回 第６ 図
部拡大断面図、第３図ば従来のグラシベーシｌン工程を
説明するガラス電着装置の概略断面図、第４図は第３図
の一部拡大断面図、第５図（ａ）、Φ）は本発明の一実
施例に係わる電極の概略平面図とそのＡ−Ａ断面図、第
６図は第５図の部品を用いたガラス電着装置の概略断面
図である。 ｌ・−・−・半導体ウェーハ、２＝、−ｐ型領域、３・
・・・−・ベレット領域、４・・・・・・酸化膜、５・
−・−ワックス、６・−・・・・メサ溝、７−・・・・
電着液、８，１８−・・・−電極、９−・・・・・ガラ
ス粉末、１０−−−−−・中央円板、１１・・・・−輪
体、１２−・・・・支持棒。 第３回 第６ 図
Claims (1)
- 周辺部を除いて多数のベレット領域を形成した牛導体り
エーへの前記ペレット領域間に一メ′椿斜養す膚り形成
ル、前記ウェーハの周辺部に於仕る電界集中を抑制する
ための、周辺部の空所率を大きくした電極を用いて電気
泳動法にょ如前記メサ溝にガラス粉末を電着するように
し九ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56130557A JPS5832421A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56130557A JPS5832421A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5832421A true JPS5832421A (ja) | 1983-02-25 |
Family
ID=15037108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56130557A Pending JPS5832421A (ja) | 1981-08-20 | 1981-08-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5832421A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61263227A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6331125A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Toshiba Components Kk | 半導体装置の製造方法 |
| WO2016075787A1 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置 |
| CN109121423A (zh) * | 2017-04-19 | 2019-01-01 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
-
1981
- 1981-08-20 JP JP56130557A patent/JPS5832421A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61263227A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0528492B2 (ja) * | 1985-05-17 | 1993-04-26 | Matsushita Electronics Corp | |
| JPS6331125A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Toshiba Components Kk | 半導体装置の製造方法 |
| WO2016075787A1 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置 |
| JP6029771B2 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-11-24 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置 |
| CN109121423A (zh) * | 2017-04-19 | 2019-01-01 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| TWI657512B (zh) * | 2017-04-19 | 2019-04-21 | 新電元工業股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| CN109121423B (zh) * | 2017-04-19 | 2020-05-19 | 新电元工业株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
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