JPS5826652B2 - キンゾクカフイルムコンデンサ - Google Patents
キンゾクカフイルムコンデンサInfo
- Publication number
- JPS5826652B2 JPS5826652B2 JP50087684A JP8768475A JPS5826652B2 JP S5826652 B2 JPS5826652 B2 JP S5826652B2 JP 50087684 A JP50087684 A JP 50087684A JP 8768475 A JP8768475 A JP 8768475A JP S5826652 B2 JPS5826652 B2 JP S5826652B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- polyvinylidene fluoride
- capacitor
- metallized
- fluoride film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポリ弗化ビニリデンフィルムを誘電体として使
った小形化された金属化フィルムコンデンサに関するも
のである。
った小形化された金属化フィルムコンデンサに関するも
のである。
最近の電気機器においては特にラジオ、テレビ、テープ
レコーダ等の通信ないし音響機器は小形化の一途をたど
り、これに使用される電気部品もその小形化が益々要求
されるようになった。
レコーダ等の通信ないし音響機器は小形化の一途をたど
り、これに使用される電気部品もその小形化が益々要求
されるようになった。
フィルムコンデンサの分野でも例外でなく、この要求に
応えるため、誘電体フィルムの薄膜化、高誘電率化、更
には外装の簡略化などの小形化の研究が行われている。
応えるため、誘電体フィルムの薄膜化、高誘電率化、更
には外装の簡略化などの小形化の研究が行われている。
一軸又は二軸に延伸し、熱処理して得られるポリ弗化ビ
ニリデンフィルムは、誘電率ｉｏ〜１８、頗δ０．６〜
１％、体積固有抵抗１×１０１５〜５×１０１５Ω・ｍ
１絶縁破壊電圧２５０〜３００ ｋＶ／ｍｙ／を等の電
気特性を有しており、誘電率が他のフィルムより高いこ
とから、小形化フィルムコンデンサ指向の現状では最も
有力な誘電体となっている。
ニリデンフィルムは、誘電率ｉｏ〜１８、頗δ０．６〜
１％、体積固有抵抗１×１０１５〜５×１０１５Ω・ｍ
１絶縁破壊電圧２５０〜３００ ｋＶ／ｍｙ／を等の電
気特性を有しており、誘電率が他のフィルムより高いこ
とから、小形化フィルムコンデンサ指向の現状では最も
有力な誘電体となっている。
現在ポリ弗化ビニリデンフィルムに厚さ４μ汎まで開発
されている。
されている。
コンデンサに於いては金属箔巻込型及び金属化フィルム
型の両方が検討されているが、小形化のためには金属箔
を使わない金属化フィルム型の方が勿論有利となる。
型の両方が検討されているが、小形化のためには金属箔
を使わない金属化フィルム型の方が勿論有利となる。
更に金属化フィルムコンデンサには、フィルムの弱点部
が微小絶縁破壊を起こしても蒸着金属膜（電膜）が飛散
して絶縁性を回復する、いわゆる自己回復性があって、
金属箔巻込型より薄いフィルムを使用できる長所があり
、これも小形化に寄与する大きな要素となっている。
が微小絶縁破壊を起こしても蒸着金属膜（電膜）が飛散
して絶縁性を回復する、いわゆる自己回復性があって、
金属箔巻込型より薄いフィルムを使用できる長所があり
、これも小形化に寄与する大きな要素となっている。
しかしながら、ポリ弗化ビニリデンフィルムの場合には
その自己回復性に依って特性劣化が促進されるという欠
点を有することがこれまでの研究で明らかになった。
その自己回復性に依って特性劣化が促進されるという欠
点を有することがこれまでの研究で明らかになった。
即ち、自己回復の際のフィルム分解時に有害な弗酸を生
じて元δの上昇及び絶縁抵抗の低下をきたし、延いては
致命的な絶縁破壊へと進行していくのである。
じて元δの上昇及び絶縁抵抗の低下をきたし、延いては
致命的な絶縁破壊へと進行していくのである。
従って金属化ポリ弗化ビニリデンフィルムコンデンサは
、それ本来の特性を得、更に実際に使用することは非常
に困難となっていた。
、それ本来の特性を得、更に実際に使用することは非常
に困難となっていた。
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、ポリ弗化ビ
ニリデンフィルムに自己回復を起こさせないようにコン
デンサの構成を変えて優れた誘電性のみを発揮させた金
属化フィルムコンデンサを提供することを目的とするも
のである。
ニリデンフィルムに自己回復を起こさせないようにコン
デンサの構成を変えて優れた誘電性のみを発揮させた金
属化フィルムコンデンサを提供することを目的とするも
のである。
本発明を第１図と共に説明する。
第１図は、本発明の金属化フィルムコンデンサの構成を
説明する図であるが、構造的にはすでに公知のものであ
る。
説明する図であるが、構造的にはすでに公知のものであ
る。
即ち、ポリ弗化ビニリデンフィルム１の両面にそれぞれ
蒸着膜３，３′を形成して両面金属化ポリ弗化ビニリデ
ンフィルムを構成し、この両面金属化ポリ弗化ビニリデ
ンフィルムを基板としてその片面又は両面に有機又は無
機の絶縁薄膜４゜４′を形成したのち、これを捲回又は
積層して金縮化フィルムコンデンサが横取される。
蒸着膜３，３′を形成して両面金属化ポリ弗化ビニリデ
ンフィルムを構成し、この両面金属化ポリ弗化ビニリデ
ンフィルムを基板としてその片面又は両面に有機又は無
機の絶縁薄膜４゜４′を形成したのち、これを捲回又は
積層して金縮化フィルムコンデンサが横取される。
ここで基板フィルムのポリ弗化ビニリデンフィルム１の
厚さと絶縁薄膜４の厚さく片面形成の場合は４又は４′
、両面形成の場合は４＋４’）とがほぼ等しくて両者の
絶縁破壊強度がほとんど変らないとすれば、自己回復は
ほぼ同じような割合で両者に起ることは明らかである。
厚さと絶縁薄膜４の厚さく片面形成の場合は４又は４′
、両面形成の場合は４＋４’）とがほぼ等しくて両者の
絶縁破壊強度がほとんど変らないとすれば、自己回復は
ほぼ同じような割合で両者に起ることは明らかである。
しかし、絶縁薄膜４，４′をポリ弗化ビニリデンフィル
ム１より薄くするか、あるいはポリ弗化ビニリデンフィ
ルム１より絶縁破壊強度の低い材料で形成すれば、絶縁
薄膜４゜４′側だけに自己回復作用を行わせることが可
能である。
ム１より薄くするか、あるいはポリ弗化ビニリデンフィ
ルム１より絶縁破壊強度の低い材料で形成すれば、絶縁
薄膜４゜４′側だけに自己回復作用を行わせることが可
能である。
このような本発明金属化フィルムコンデンサは絶縁薄膜
４，４′の絶縁破壊強度をポリ弗化ビニリデンフィルム
１より低くして、コンデンサの自己回復を絶縁薄膜だけ
に起こさせることによりポリ弗化ビニリデンフィルム１
の自己回復を抑え、従ってポリ弗化ビニリデンフィルム
１の分解時の弗酸の発生を防止しようとするものである
。
４，４′の絶縁破壊強度をポリ弗化ビニリデンフィルム
１より低くして、コンデンサの自己回復を絶縁薄膜だけ
に起こさせることによりポリ弗化ビニリデンフィルム１
の自己回復を抑え、従ってポリ弗化ビニリデンフィルム
１の分解時の弗酸の発生を防止しようとするものである
。
そして更には絶縁薄膜４，４′を薄くすることによる小
形化の効果をも生み出そうとするものである。
形化の効果をも生み出そうとするものである。
尚、絶縁薄膜４，４′の材料としては、ポリカーボネー
ト、アセチルセルロース、ポリスルホン、ポリスチレン
、ポリビニールピリジン等のラッカリング可能な有機材
料、スチレンまたは有機シラン等の放電重合可能物質、
それに８１０２やＭｇＯ等の無機材料等、有機、無機を
問わない。
ト、アセチルセルロース、ポリスルホン、ポリスチレン
、ポリビニールピリジン等のラッカリング可能な有機材
料、スチレンまたは有機シラン等の放電重合可能物質、
それに８１０２やＭｇＯ等の無機材料等、有機、無機を
問わない。
次に本発明の一実施例について述べる。
厚さ４μｍのポリ弗化ビニリデンフィルム１の両面にア
ルミニウムを蒸着して電極とし、その両面に合計厚さが
２μ汎となるようにポリカーボネートのラッカー膜を形
成して捲回型の所望の金属化フィルムコンデンサ（１μ
Ｆ）を作った。
ルミニウムを蒸着して電極とし、その両面に合計厚さが
２μ汎となるようにポリカーボネートのラッカー膜を形
成して捲回型の所望の金属化フィルムコンデンサ（１μ
Ｆ）を作った。
そして両面金属化ポリビニリデンフィルム（４μｍ）と
ポリ弗化ビニリデンフィルム（４μｍ）との重ね巻きに
よる従来の金属化ポリ弗化ビニリデンコンデンサ（１μ
ｍ）と比較するために、長期電圧印加テストを実施した
。
ポリ弗化ビニリデンフィルム（４μｍ）との重ね巻きに
よる従来の金属化ポリ弗化ビニリデンコンデンサ（１μ
ｍ）と比較するために、長期電圧印加テストを実施した
。
従来のコンデンサには１６０ＶＤＣ。本発明一実施例の
コンデンサには１３０ＶＤＣの電圧を印加した。
コンデンサには１３０ＶＤＣの電圧を印加した。
その結果を第２図に示している。図中実線で示す従来の
コンデンサが除々に特性の低下をきたすのに対し、図中
破線で示す本実施例のコンデンサは長期にわたって変ら
ぬ一定の特性を示している。
コンデンサが除々に特性の低下をきたすのに対し、図中
破線で示す本実施例のコンデンサは長期にわたって変ら
ぬ一定の特性を示している。
この様に、本発明は両面金属化ポリ弗化ビニリデンフィ
ルムの片面又は両面に前記ポリ弗化ビニリデンフィルム
より絶縁破壊強度の低い絶縁薄膜を形成しであるのでポ
リ弗化ビニリデンフィルムの優れた誘電性を１００％生
かすことができるものであって、従来問題となっていた
コンデンサの特性劣化を防止することにより、一般の要
求に応え得る小型化コンデンサを製造することができる
という優れた効果を奏するものである。
ルムの片面又は両面に前記ポリ弗化ビニリデンフィルム
より絶縁破壊強度の低い絶縁薄膜を形成しであるのでポ
リ弗化ビニリデンフィルムの優れた誘電性を１００％生
かすことができるものであって、従来問題となっていた
コンデンサの特性劣化を防止することにより、一般の要
求に応え得る小型化コンデンサを製造することができる
という優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明の詳細な説明するための金属化ポリ弗化
ビニリデンフィルムの断面図、第２図は本発明の一実施
例と従来例コンデンサとの長期電圧印加テストの結果を
示すグラフであり、１はポリ弗化ビニリデンフィルム、
４，４′は絶縁薄膜である。
ビニリデンフィルムの断面図、第２図は本発明の一実施
例と従来例コンデンサとの長期電圧印加テストの結果を
示すグラフであり、１はポリ弗化ビニリデンフィルム、
４，４′は絶縁薄膜である。
Claims (1)
- １ 両面金属化ポリ弗化ビニリデンフィルムの片面また
は両面に前記ポリ弗化ビニリデンフィルムより絶縁破壊
強度の低い絶縁薄膜を形成して捲回又は積層して成るこ
とを特徴とする金属化フィルムコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50087684A JPS5826652B2 (ja) | 1975-07-16 | 1975-07-16 | キンゾクカフイルムコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50087684A JPS5826652B2 (ja) | 1975-07-16 | 1975-07-16 | キンゾクカフイルムコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5210554A JPS5210554A (en) | 1977-01-26 |
| JPS5826652B2 true JPS5826652B2 (ja) | 1983-06-04 |
Family
ID=13921744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50087684A Expired JPS5826652B2 (ja) | 1975-07-16 | 1975-07-16 | キンゾクカフイルムコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5826652B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4975505A (en) * | 1981-08-20 | 1990-12-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Amorphous copolymers of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole |
| US4977008A (en) * | 1981-08-20 | 1990-12-11 | E. I Du Pont De Nemours And Company | Amorphous copolymers of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole |
| US4973142A (en) * | 1981-08-20 | 1990-11-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Amorphous copolymers of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole |
| US4999248A (en) * | 1981-08-20 | 1991-03-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Amorphous copolymers of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole |
| US4977297A (en) * | 1981-08-20 | 1990-12-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Amorphous copolymers of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole |
| US4977026A (en) * | 1981-08-20 | 1990-12-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Amorphous copolymers of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole |
| US5000547A (en) * | 1981-08-20 | 1991-03-19 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Amorphous copolymers of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole |
| US4982056A (en) * | 1981-08-20 | 1991-01-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Amorphous copolymers of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxide |
| US4977025A (en) * | 1981-08-20 | 1990-12-11 | E. I Du Pont De Nemours And Company | Amorphous copolymers of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole |
| US5006382A (en) * | 1981-08-20 | 1991-04-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Amorphous copolymers of perfluoro-2,2-dimethyl-1,3-dioxole |
| JPS6425407A (en) * | 1987-07-21 | 1989-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Metallized film capacitor |
| JPH01158714A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-21 | Mitsubishi Shindo Kk | コンデンサ用蒸着フイルム |
-
1975
- 1975-07-16 JP JP50087684A patent/JPS5826652B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5210554A (en) | 1977-01-26 |
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