JPS5826201U - 遅延素子 - Google Patents

遅延素子

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Publication number
JPS5826201U
JPS5826201U JP12064381U JP12064381U JPS5826201U JP S5826201 U JPS5826201 U JP S5826201U JP 12064381 U JP12064381 U JP 12064381U JP 12064381 U JP12064381 U JP 12064381U JP S5826201 U JPS5826201 U JP S5826201U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
delay element
thin film
substrate
electrode
back surface
Prior art date
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Pending
Application number
JP12064381U
Other languages
English (en)
Inventor
澄夫 山田
嘉朗 藤原
中　敏明
Original Assignee
富士通株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 富士通株式会社 filed Critical 富士通株式会社
Priority to JP12064381U priority Critical patent/JPS5826201U/ja
Publication of JPS5826201U publication Critical patent/JPS5826201U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のストリップ線路型遅延素子の斜視図、第
２図は本考案にかかる実施例の遅延素子の断面図、第３
図及び第４図はその使用状態を説明する説明図、第５図
は本考案の遅延素子のリードフレームの平面図、第６図
は第５図のＶＩ−ＶＩ線における断面図、第７図は本考
案の遅延素子のリードフレーム半田付けを説明する説明
図である。 ４・・・誘電体基板、５・・・ストリップ線路、６・・
・基板裏面の導体薄膜、７・・・絶縁層、８・・・容量
調整用電極。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 誘電体基板の上面には磁性薄膜を利用したストリップ線
    路を形成し、該基板の裏面には全面に導体薄膜を形成し
    た遅延素子において、基板裏面に形成した導体薄膜の上
    に、さらに絶縁層を介して容量調整用の電極を設けたこ
    とを特徴とする遅延素子。
JP12064381U 1981-08-15 1981-08-15 遅延素子 Pending JPS5826201U (ja)

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JP12064381U JPS5826201U (ja) 1981-08-15 1981-08-15 遅延素子

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JP12064381U JPS5826201U (ja) 1981-08-15 1981-08-15 遅延素子

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JPS5826201U true JPS5826201U (ja) 1983-02-19

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ID=29914628

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JP12064381U Pending JPS5826201U (ja) 1981-08-15 1981-08-15 遅延素子

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