JPS5823921B2 - 電圧非直線抵抗器 - Google Patents

電圧非直線抵抗器

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JPS5823921B2
JPS5823921B2 JP53014238A JP1423878A JPS5823921B2 JP S5823921 B2 JPS5823921 B2 JP S5823921B2 JP 53014238 A JP53014238 A JP 53014238A JP 1423878 A JP1423878 A JP 1423878A JP S5823921 B2 JPS5823921 B2 JP S5823921B2
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nonlinear resistor
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voltage nonlinear
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/102Varistor boundary, e.g. surface layers

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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電圧非直線抵抗器にかかり、特に焼結体の内部
に金属材料からなる複数の電極を埋込んでなる構造の積
層型の電圧非直線抵抗器に関する。
電圧非直線抵抗体(以下バリスタと称す)はサージ吸収
素子避雷器1.電圧安定化素子等に広く用いられている
その電気特性は次式に示す実験式で表わされる。
α I / i −(V 、/ V i ) ・
・・・・・・・・(1)ここではIは素子を流れる電流
、■は印加電圧、Viは電流値が1アンペアのときの電
圧で通常1mAの値を採り立上がり電圧■1mAと称さ
れている。
αは非直線係数と称されており、バリスタを挿入した電
気回路の電圧がいかに制御されるかを示すものでαが大
きい程電圧制御に優れている。
従って、特殊用途を除けばこの値の大きいものの方が望
ましい。
Viは使用される電圧がいくらであるかによって定めら
れるもので、それぞれ指定された値に調整されることが
望ましい。
従来これらの用途にはSiCバリスタ、Siバリスタ、
Se整流器、亜酸化銅整流器、ゲルマニウムあるいはシ
リコン整流器等が用られてきた。
しかしながらこれらのバリスタあるいは整流器は電圧非
直線係数αが小さい、Viが任意に調整できない、形状
が小さくできない、耐電力負荷ないしは耐電流サージ特
性が劣る。
あるいは製造がむつかしく高価になる等のいずれかの欠
点を有しており用途は限られていた。
最近これらの欠点を改善するものとして、酸化亜鉛(Z
nO)を主成分とする酸化物バリスタが開発されてきた
その詳細は例えばジャパニーズ・ジャーナル・オブ・ア
プライド・フイジクス誌1971年6月号736〜74
.6ページ所載の論文[M、Matsuoka 。
” Nonohmic Properties of
Zinc 0x−ide Ceramics” Jap
an J、Appl、Phys、+10.736〜74
6(1971))に述べられている。
このバリスタは優れた電圧非直線係数を有しているため
その用途は拡大されようとしている。
しかし、高度に発達した通信機器等の電気回路素子とし
てはいまだ不充分な点が多い。
すなわち、従来の酸化亜鉛バリスタではαの値を犠牲に
することなしにVtmAの値を50V以下にすることは
困難であった。
■1mAの低いものを得るには焼結温度を上げるか、素
体の厚みを薄くすること以外に方法がない。
焼結温度を上げると、ZnOや添加物が蒸発し、バリス
タ特性が失なわれてしまったり、焼結時に素子が融着し
たりする問題が生じ、実用上1400 ℃が上限で焼結
温度を上げる方法には限度がある。
一方、素子の厚みを薄くする方法ではQ、 3 rnm
の厚みが実用上の下限である。
通常バリスタの製造は指定厚みの素子をプレスし、焼結
する工程を取るが、立上がり電圧を指定値の±10%以
内にするには、厚み精度も10%以内が少くとも必要で
ある。
Q、 3 am以下の厚みで均一にしかも10%以内の
精度でプレス成形することは非常に困難で、製造歩留り
が著るしく票くなる。
またQ、 3 min程度の薄いものを焼結する際には
、1200℃程度の温度に於ても素子表面からのZnO
や添加物の蒸発が無視できず、充分良好な特性が得られ
ないことが起る。
更にQ、3 mm以下の厚みのものは製造時あるいは使
用時に素子が破損しやすく、また焼付電極を付与する際
の処理によって、表面層が変質したりし、特性や安定性
が悪くなることも生じ、あまり薄くすることは望ましい
ことではない。
又、焼結後に切断し、更に研磨する方法でも同様の事情
が起り、更に研磨などにより、素子表面層が変質したり
、表面からの粒子の脱落などで、もれ電流の増加やαの
低下をもたらしやすく、切断や研磨によって薄くし、電
圧■1mAを下げる事はむつかしい。
vlmAの低いものとして、非直線性を示さない素体と
、電極との間の電位障壁を利用するものもあるが、■1
mA の値が任意に調整できないし、αが10以下と小
さい、また特性の再現性、安定性に欠けるなどの問題が
あり、実用にならない。
一方立上がり電圧が50V以下でしかもαが大きく、立
上がり電圧が任意に調整できるものの他の1例にゲルマ
ニウムあるいは91Jコン整流器ないしはゼナーダイオ
ードと称するものがある。
これらの素子は非対称な電圧非直線性を示しており、対
称型のバリスタ特性のものにするためには素子を2個逆
接続する必要がある。
また、サージ電流に対して比較的弱いために、サージ耐
量を増加させるには、大面積とする必要があり、従って
、形状も大きくなり、値段も高価なものとならざるを得
ない。
またα、■iのろならずもれ電流iRの値も重要である
バリスタを過電圧保護用として使用する場合、回路電圧
の1.6倍の立上がり電圧のバリスタを使用するのが普
通である。
この様な使用法の場合には、通常バリスタにはできるか
ぎり電流が流れないことが望まれる。
実用上もれ電流iRはViの60%の電圧における電流
値で定義するのが有益で、この値は1μA以下が望まし
い。
更にバリスタの鋭い電流の立上がり特性を利用した定電
圧素子として使用する場合には、一定の電力負荷の加わ
った状態で使用される。
従来のバリスタは一定電力負荷が長時間印加されると、
立上り電圧が低圧側に変化し、またもれ電流も増加する
という欠点を有しており、バリスタの優れた電圧非直線
性は維持し得なくなっていた。
また立上がり電圧の温度変化も大きく実用上の大きな障
害となっていた。
従来技術による積層型のセラミックバリスタとして特開
昭51−18849号公報に示されたものがあるが、こ
れはあらかじめ焼結を完了したバリスタ素子(焼結体)
の表裏に一対の電極を形成しそれらを並列に接続するよ
うに電極を付与したものを積重ね、バリスタの電極が取
り出し部分以外でも外部に露出している構造である。
更にこの部分の保護とバリスタ素子の接着のために接着
剤や外装用樹脂などの有機物で表面をコーディングして
いる。
したがって、焼結温度、その厚さの制限からVimAの
値を小とすることが出来ないものであり、さらに耐湿度
試験や高温負荷試験によって、セラミック部分と、有機
物の間に水分が浸み込んだり、有機物が変質して素子と
しての特性が悪化しやすく、信頼性に劣るものである。
本発明の目的は以上の種々の欠点を除去し、小型で電圧
非直線性、もれ電流、耐電力負荷特性、耐サージ特性が
共に優れた電圧非直線抵抗器を提供することである。
さらに本発明の目的は電極間の素子の厚みを変えること
で、立上がり電圧Viが4■以上の任意の値に調整でき
る積層型の電圧非直線抵抗器を提供することにある。
本発明の特徴は、焼結体の内部に複数の電極を設け、こ
の内部の電極の外部に取り出す部分以外の部分は焼結体
で囲まれた構造としたことである。
さらに本発明の特徴は、焼結体の内部に複数の電極を設
け、複数の電極と焼結して電圧非直線性を示す素体とを
焼結前に積層し、一体化した後焼結して得られた構造と
したことである。
以下図面に基づいて本発明を説明する。
第1図は、従来技術による電圧非直線抵抗器を示すもの
である。
その製造法は第1表右欄に示すように、あらかじめ焼結
を完了したバリスタ素子(焼結体)1の表裏に一対の電
極2および3を形成し、これらを並列に接続するように
積重ねて接着剤で接着する。
その後外部電極4および5を付けて、素子としている。
このように従来のものは、バリスタ素子同志はそれぞれ
別の焼結体であり接着剤で互いに接着されているだけで
ある。
また、電極2および3の側面部分が必然的に外部に露出
している構造である。
かかる従来技術のものは先に述べたように、バリスタ素
子の厚みをQ、 3 rnm以下で製造することは非常
に困難である。
従って、立上がり電圧V1mAを小さくするには限度が
ある。
また、素子を接着するために用いた接着剤や外装のため
に用いる有機物樹脂ないしは、積重ねたセラミック素子
1同志の空隙への水分の浸み込みや有機物の変質による
絶縁抵抗の低下によって、素子全体の特性が悪化しやす
く、耐湿度試験や高温負荷試験に対する信頼性に劣るも
のである。
また、その構造からも明らかなように、機械的ショック
によって、素子が分離することもあり、好ましい構造で
はない。
一方本発明では、たとえば第1表左欄に示すように、仮
焼後の原料粉末に、有機バインダと、分散媒、可塑剤を
加えて、ドクターブレード法で生シート膜を作る(以後
生シート技術と称する)。
この生シート上に内部電極を印刷し、これを積み・重ね
圧着した後所定の大きさに切断し、焼結する。
これに外部電極を付与するという製造方法を用いる。
そしてその構造を第2図A、B、C示す。第2図A、B
、Cは本発明の第1の実施例を示す。
積層セラミック・バリスタである。内部の電極12.1
3が外部取り出し電極部14.15と接続する部分を除
いて、全てバリスタ特性を有するセラミック10内部に
封入されていて、電極が一体化した同一焼結体10のみ
で囲まれている構造であるため、先に述べた水分の浸み
込み得る空隙はない。
また、外装樹脂や接着剤などが内部の電極とは分離され
ているため、これらの有機物の変質による特性悪化即ち
、IRの増大やαの低下などは起らず耐湿試験や高温負
荷試験による信頼度にも優れている。
また、生シート技術によれば従来不可能であった電極間
の素子の厚みをQ、 3 mm以下例えば10μないし
は20μにすることも容易であり、立上がり電圧■1m
Aの低下が実現できる。
次に本発明の第1実施例の積層セラミックバリスタの製
造法を従来の単板量(焼結体を積み重ね接着する品)の
製造法と比較して第1表に示す。
尚、第1表の右欄の(従来のバリスタ)の工程において
、電極焼付とは内部電極の形成であり、この後に単板を
積み重ね接着する工程、および外部取出し電極部の工程
を経て、リード付の工程となる。
原料として、純度99%以上の酸化亜鉛(ZnO)、酸
化コバル)(Cod)、酸化マンガン(、M1102
)。
酸化チタン(T102)、酸化スズ(5n02 )、酸
化ニッケル(Nip)、酸化銅(CuO)、酸化鉄(F
e203 ’ )、酸化ビスマス(B1203 )、酸
化ランタン(La203)、酸化ブラセオデイミウム(
Pr203)および酸化セリウム(Ce 02 )をそ
れぞれ第2表に示したごとく、各酸化物の形に換算した
所定モル比に秤量し、純水を用いてボールミルで36時
間混合した。
次いで沢過乾燥し・600℃〜850℃で2時間仮焼し
た。
仮焼後更に再度粉砕し、有機バインダーとともに溶媒中
に分散させスラリー状とする。
これをドクター・ブレード法によって10μ〜200μ
程度の厚さの均一な生シートにする。
この生シートを5Qim×40mmの矩形に打ち抜き、
この上にスクリーン印刷法によって金、白金、パラジウ
ム、銀又はこれらの内の二つ以上からなる合金を内部電
極としてペースト状にして、所定の大きさにスクリーン
印刷する。
内部電極を印刷した生シートを所定の枚数積重ね更に電
極を印刷していない生シートを上下に積重ね圧着する。
その後カッターで切断し、ヤ950℃〜1300℃で1
時間焼成し、内部電極を露出させた両端に銀電極を塗布
し600℃で焼付ける。
このようにして作られた本発明のバリスタのび。
Vi r iR特性を第3表に示す。
α、■i等の特性は直流ないしは、カーブ・トレーサの
パルスにより電圧電流特性を測定して算出した。
第3表の結果は、内部電極を印刷したシートの厚みが焼
き上がりで50μとなる様にし、1枚当りの電極面積は
3m711×57ILr/lの矩形で、10層積層し、
内部電極としてPiを用いたものを使用して得た。
試料全体の外形は厚み1.5朋で5mmX6mmの太き
さとしたものである。
又、以下示す各実施例においても同一の形状条件とした
尚、第3表の資料番号は組成を示す第2表の資料番号に
対応するものである。
第3図、第4図は第2表のAIOの組成の試料で1層当
りの素子厚みのみを変えて得たαおよび■1mAの値を
示している。
実線は本発明になる積層品で点線は従来の単板品の結果
で、焼結体を切断研磨し積層品と同じ電極材料、外形、
厚み、および層数の同じ形状にして得た結果である。
第3図で明らかなように、■1mAの値は積層品の方が
、単板品よりも低下しており、αの値は太きい。
即ち従来技術の単板品の方は厚みが薄くなると、αが極
端に小さくなってしまうが、本発明の積層品の方は、0
.1龍以下の素子厚みでもαが10以上と大きい。
また単板品は先に述べた様な製造技術的な制約のために
Q、 3 mm以下の素子厚みのものは製造できないが
、積層品の方は、10μm程度の素子厚みのものも容易
に製造できる。
従って、αを大きく保って電圧■1rnAをIOV以下
にすることは容易である。
第4図はiRの素子厚み依存を示す。
単板品では、厚みが薄くなると、iRの値は著るしく増
大し、10μA以上になるが、積層品では1μAを越え
ていない。
以上の結果から明らかな様に本発明になる積層セラミッ
クバリスタは、単に電圧非直線性を示す素体を積重ねて
得られる単板品の特性とは著るしく相異している。
即ち1以上の結果は本発明による積層品にして初めて得
られた結果である。
この特性の著るしい相異は、その構造の違い、即ち、本
発明になる積層品では、内部電極が全て電圧非直線性を
示す素体の内部に埋込まれた構造であるが、単板品は電
圧非直線性を示す素体に電極を付与し、単に積み重ねた
だけであるという構造および製造法の違いによる。
なお、本発明の主旨から明らかなように、素体としては
電圧非直線性を示す材料であれば何を用いてもよく、ま
た内部電極としては、焼結によって変質して、電気伝導
性が著るしくそこなわれないものであるかぎり何を用い
ても良いことは云うまでもない。
実施例 2 実施例1と異なる積層セラミックバリスタの製造法を従
来の単板品の製造方法と共に第4表に示す。
以下に特に実施例1と異なる積層セラミックバリスタの
製造方法について詳しく述べる。
原料として酸化鉄(Fe2O3)、酸化チタン(Ti0
2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ランタン(La203
)、酸化セリウム(Cen2)、酸化マンガン(MnO
2)、酸化アンチモン(Sb203)、酸化鉛(PbO
)およびガラスフリフトをそれぞれ第5表に示したごと
く、各酸化物の形に換算した所定モル比に秤量し、純水
を用いてボールミルで36時間混合した。
次いで瀘過乾燥し、600℃〜850℃で2時間仮焼し
た。
仮焼後更に再度粉砕し、有機バインダーとともに溶媒中
に分散させペースト状にする。
このセラミックペーストをスクリーン印刷法により有機
フィルム上に5μ〜100μになるように60’1lU
n×40mrnの矩形状に印刷乾燥する。
乾燥後この上に金、白金、パラジウム、銀又はこれらの
内の二つ以上からなる合金の内部電極ペーストをスクリ
ーン印刷法により印刷する。
内部電極が乾燥した後、再びセラミックペーストを5μ
〜100μになるようにスクリーン印刷法により印刷す
る。
これを乾燥し乾燥後金、白金、パラジウム、銀又はこれ
らの内の二つ以上からなる合金をペーストにして、所定
の大きさの内部電極をスクリーン印刷法で印刷する。
この操作を繰り返し行なう。
所定の敷積層゛を重ね乾燥した後、有機フィルムから積
層体を剥離し、カッターで切断し950℃〜1300°
Cで1時間焼成し、内部電極を露出させた両端に銀電極
を塗布し、600℃で焼付けた。
α、■i等の特性は直流ないしは、カーブ・トレーサの
パルスにより、電圧電流特性を測定して算定した。
結果を第5表および第5図に示す。
又、使用したGlassは、第11表中の記号Cで示す
組成のものである。
内部電極材料にはPiを用いた。
第5表の結果は、素子1層当りの厚みを50μとし、1
0層積層したものである。
第5表から明らかなように、ガラスが各酸化物の総重量
に対して1重量パーセントから50重量パーセントでα
の値が10以上と比較的良好である。
第5表の試料番号A8のものについて、1層当りの素子
厚みを変えて、特性を調べた結果を第5図に示す。
点線は単板品の結果で、A8の組成のものをあらかじめ
焼結したものを切断研磨し、積層品と同一の形状および
電極材料としで得た結果である。
実線が本発明による方法で作製した積層品による結果で
ある。
第5図で明らかなように、■1mAの値は実線で示す本
発明の積層品の特性では点線で示す従来技術による単板
品のものより低くなQている。
また非直線係数αの値は単板品では10以下であり素子
厚が薄くなると、著るしく低下してしまうが、積層品で
は0,1mmの厚みでも1層程度と大きい値である。
単板品では先に述べた様な製造技術的な制約のためにQ
、 3 mm以下の素子厚みのものは製造できないが、
積層品の方は1層8m程度の素子厚みのものも容易に製
造できる。
従って、αを大きく保って電圧V1mAをIOV以下に
することは容易である。
な上第5表および第5図に示した各特性は実施例1で述
べた製造工程に従って作製した結果と同じであった。
従って、得られるバリスタとしての電気特性は積層型の
構造にする製造工程の違いには無関係で、どの様な製造
工程でもよいことは明らかである。
実施例 3 酸化チタン(TlO2)を主原料とし、酸化バリウム(
BaO)、酸化コバルト(CoO)、酸化ランタン(L
a2 o3)、酸化鉛(PbO)、酸化ニッケル(Ni
p)、酸化アンチモン(Sb203)、をそれぞれ第6
表に示すように配合比で秤量し、更にガラスを0.1重
量パーセントから60重量パーセント加えた原料を実施
例1と同様の処理で試料を作製した。
積層して得られた結果を第6表および第6図に示す。
電気特性の測定についても先の実施例1と同じである。
第6表から明らかなように、ガラ4が1重量パーセント
から50重量パーセントの範囲がαの値が10以下と良
好である。
試料番号第6表中A3のものについて、1層当りの素子
厚みを変えて、特性を調べた結果を第6図に示す。
点線は単板品の結果で、A3の組成のものをあらかじめ
焼結したものを切断研磨し、積層品と同一の形状および
電極材料として得た結果である。
実線が本発明による方法で作製した積層品による結果で
ある。
第6図で明らかなように■1mA の値は実線で示す
本発明の積層品では点線で示す従来技術の単板品のもの
より低くなっている。
また非直線係数αの値は単板品では10以下であり、素
子厚が薄くなると、著るしく低下してしまうが、積層品
ではQ、 l ynynの厚みでも10以上である。
単板品では先に述べた様な製造技術的な制約のために0
.3朋以下の素子厚みのものは製造できないが、積層品
の方は10μm程度の素子厚みのものも容易に製造でき
る。
従って、αを大きく保って電圧V1mAをIOV以下に
することは容易である。
実施例 4 試料は純度99%以上の酸化亜鉛(ZnO)、酸化コバ
ルト(Coo)、酸化マンガン(MnO2)、酸化クロ
ム(Cr203)、酸化チタン(T102)、酸化スズ
(5n02 )、酸化ニッケル(NiO)、酸化銅(
Cu’O)、酸化鉄(Fe203)、酸化ビスマス(B
120s )、酸化ランク(La2 os )、酸化
ブラセオディミウム(Pr203)および酸化セリウム
(CeO2)を各酸化物の形に換算してそれぞれ第1実
施例の第2表に示した組成比で配合したものに対して、
各酸化物の総重量に対して硼珪酸亜鉛ガラスを加え実施
例1中第1表に示した積層セラミックバリスタの製造工
程に従って試料を製造した。
製造の条件および試料の形状、外形については実施例1
に記述した通りである。
この第4実施例の結果を第7表、第7図および第8図に
示す。
第7表で明らかな様に先の実施例1〜3で示したもので
は非直線係数αが高々20程度であるのに対して、第7
表の結果はいずれもαが30以上の非常に大きな値が得
られた。
第7図は第7表中試料番号A、 20の組成のもので、
1層当りの素子厚み変えて調べたαおよび■1mAの値
を示す。
図中点線は、単板品の結果で、あらかじめ焼結して得た
電圧非直線抵抗体を切断研磨し所定の厚みにしたものに
電極を付与し、積重ねて積層品と同一形状にしたものの
特性である。
図から明らかな様に、VlmAは実線で示す本発明の積
層品の値の方が単板品よりも低い値である。
またαは、積層品の方が大きい値である。
単板品では先に述べたように厚みの下限はQ、 3 m
mでこれ以下のものは製造が困難であり、またQ、 3
vanmm程度くすると、非直線係数αが極端に小さ
くなってしまう。
一方積層品では、Q、 3 mmの素子厚みでもαは4
0以上あり、更に素子厚みの薄いものでも製造は容易で
例えばQ、 l myn以下のものでもαは30以上あ
り、優れた特性であることを意味する。
第8図はiRの素子厚み依存性を示す。
iRは点線で示す従来技術の単板品ではQ、 3 mm
程度で許容される1μAをはるかに越えるが、実線で示
す本発明の積層品では0.027ff7Wでも1μAよ
りずっと小さい。
実施例 5 出発原料として純度99%以上の酸化亜鉛(ZnO)、
酸化コバルト(Coo)、酸化マンガン(Mn02)、
酸化アンチモン(Sb203)および酸化クロム(Cr
2 o3)および硼珪酸亜鉛ガラス粉末を用いた。
これらの各酸化物を第8表に・示す組成比で配合し、更
にこの混合物に対して、硼珪酸鉛亜鉛ガラスを10重量
パーセント加えたものを、純水を用いてボールミルで3
6時間混合した。
次いで濾過乾燥し、600℃〜850℃で2時間仮焼し
た。
仮焼後更に再度粉砕し、有機バインダーとともに溶媒中
に分散させスラリー状とする。
これをドクター・ブレード法によって、所定の厚みの均
一な生シートにする。
この生シートを60mm×40m1nの矩形に打ち抜き
、この上にスクリーン印刷法によって、金、銀、パラジ
ウム、白金、ロジウム、イリジウム、モリブデン、タン
グステン、ニッケル、鉄、クロム又はこれらの中から二
つ以上の金属からなる合金をペースト状にし、内部電極
として印刷する。
内部電極を印刷した生シートおよび内部電極を印刷して
いない生シートを所定の枚数積層し圧着する。
その後カッターで切断し、950℃〜1300℃で1時
間焼成し、内部電極の露出している両端に銀電極を塗布
し、600℃で焼付けた。
α、■i等の電気特性は直流ないしはカーブトレーサの
パルスにより電圧−電流特性を測定して算定した。
もれ電流iRの値はVlmAの60%の電圧に於る値と
して評価した。
第8表は内部電極として、Au p Ag F pct
#Pt 、Ag−Pd、Pt −Rh、Pt−Ir
Pt Mo 、Pt W*Pt Nt t
Pt FeおよびPt−Crのペーストを用いた場合
の特性■1mA、αp iRの値を示す。
いずれもはゾ同程の特性であり、積層セラミックバリス
タの特性は上記のいずれの内部電極材料を用いてもさし
つかえないことが明らかとなった。
第8表の郊果は積層セラミックバリスタの電気特性が、
内部電極材料の如何に依らずその素体自身およびその構
造によることを意味する。
従って、内部電極としての役割をはたす材料即ち、焼結
によっても著るしくは電気抵抗がそこなわれないもので
あれば何を用いてもさしつかえないことはいうまでもな
い。
実施例 6 主成分として、純度99%以上の酸化亜鉛(ZnO)を
用い、酸化コバルト(Cod)、酸化マンガン(MrI
02)、酸化アンチモン(Sb203)。
酸化クロム(Cr20s)の添加量を各酸化物の形に換
算して1.0モル%、1.0モル%、2モル%および1
モル%とし、ガラスフリットの粉末を各酸化物の総重量
と対する重量パーセントで添加した。
これらの各粉末を実施例1と同様の処理に従って、積層
し、試料を作製した。
1層当りの素子厚みが50μとなる様に生シートの膜厚
を調製したものを10層積層し、内部電極材料にはPt
を用いた。
その他試料の形状については実施例1と同じとした。
電気特性の測定は、直流ないしは、カーブトレーサーの
パルスによって、試料のI −V特性を測定して算定し
た。
電力負荷特性は、80°Cに保った恒温槽中で0.5W
の直流負荷を3時間印加して10μAに於る電圧の変化
率ΔV/VIOμAの値をもって評価した。
耐サージ特性は50A(電流波形10X200μeec
)のパルスを1秒間隔で10000回印加した後、Δ
V/V10μAの値で評価した。
第9図、第10図はガラスの添加量を変えた時の緒特性
結果を示す。
VlmAの値はガラスの添加量が0.1wt%から50
wt%までの間であまり大きな変化がなく、αもこの添
加量範囲で大きな値を保っている。
IRの値は第10図に見られる様に0.1wt%から5
0wt%までの範囲で、1μA以下と良好な特性である
第11図は電力負荷特性および耐サージ特性のガラス添
加量依存性を示す。
図から明らかなように、ガラスの添加量が0.1重量パ
ーセントから50重量パーセントの範囲内でΔV/V
10μAは±20%以内で良好な特性を示している。
尚、同図で特性100はサージ印加、特性200は電力
負荷の場合である。
以上の結果から明らかな様に、ガラスの添加量が0.1
重量パーセントから50重量パーセントの範囲で立上が
り電圧V1mAがIOV以下でαが40程度と積層電圧
非直線抵抗器の特性の非常に優れたものが容易に得られ
ることが明らかとなった。
実施例 7 主成分として、純度99%以上の酸化亜鉛(ZnO)を
用い、酸化コバルト(CoO)、酸化マンガン(Mn
02 )、酸化アンチモン(Sb2031)、酸化クロ
ム(Cr203)および酸化ビスマス(B120ρをそ
れぞれ各酸化物の形に換算して、1.0モル%、1.0
モル%、2.0モル%、1.0モル%およびOモル%〜
0.6モル%を配合したものに対して、硼珪酸亜鉛ガラ
ス粉、末を10重量パーセント添加した原料を用い、実
施例1と同様の処理によって、積層し、試料とした。
内部電極にはPtを用い、各生シートの厚みは、焼結し
て50μの厚みとなる様に調整した。
結果を第12図に、実線を本発明の積層品、点線を従来
技術による単板品(Q、5mm厚)として示す。
図から明らかな様に、Biの添加量が0.05モル%を
越えると、非直線係数αが極端に低下することが判明し
た。
以上の結果から明らかな様に添加物として、酸化ビスマ
スは0.05モル以下であることが必要であることが明
らかである。
第12図中の点線はQ、 5 mmの厚みの単板品の結
果であるがビスマスが添加されている方が特性は良好で
、本発明になる積層品の結果とは相異しており、ビスマ
スの効果は明らかに異る。
この相異は、本発明になる積層品では内部電極が素体中
に埋込まれた構造であることおよびその製造法の単板品
との相異によっていることは明らかである。
この原因を顕微鏡等の方法によって、試料の断面を調べ
た結果、ビスマスの含有量の多い所では、内部電極とし
て、配置した白金がビスマスと反応し、内部電極として
の役割をはたしていないことが判明した。
この現象は、白金のみでなく、pct t Au 、A
gあるいはそれらの合金を内部電極として用いた場合も
同様であった。
以上のごとく、本発明の主旨から明らかなように、積層
セラミックバリスタの特性は、ビスマスの添加量が酸化
物にして0.05モル%以下が必要である。
実施例 8 出発原料として、純度99%以上の酸化亜鉛(ZnO)
、酸化コバルト(Cod)、酸化ランクン(La203
)、酸化ブラセオデイミウム(Pr203)、酸化セリ
ウム(Ce02)、酸化ネオデイミウム(Nd203)
、酸化スズ(5n02 )、および硼珪酸亜鉛ガラス粉
末を用いた。
これらの各酸化物を第9表に示す組成比で配合し、更に
この混合物に対して硼珪酸鉛亜鉛ガラスを重量パーセン
トで加えたものを純水を用いて、ボールシルで36時間
混合した。
次いで濾過乾燥し、600℃〜850℃で2時間仮燥し
た。
仮燥後更に再度粉砕し、有機バインダーとともに溶媒中
に分散させスラリー状とする。
これをドクター・ブレード法によって所定の厚みの均一
な生シートにする。
この生シートを60mm×40vnの矩形に打ち抜き、
この上にスクリーン印刷法によって、金、白金、パラジ
ウム、銀又はこれらの中から二つ以上の金属からなる合
金をペースト状にし、内部電極として印刷する。
内部電極を印刷した生シートおよび内部電極を印刷して
いない生シートを所定の枚数積層し、圧着する。
その後、カッターで切断し、950℃〜1300℃で1
時間燥成し、内部電極の露出している両端に銀電極を塗
布し、600℃で燥付けた。
α、■1等の電気特性は直流ないしはカーブトレーサの
パルスにより電圧−電流特性を測定して算した。
もれ電流iRの値は■1mAの60%の電圧に於る値と
して評価した。
第9表中4.1〜A6はガラスを添加していないものの
特性でA7〜A14はガラスを添加したものの特性で、
いずれもバリスタ特性を示すが、ガラスを添加すること
によって、非直線性が良好になることを示している。
第13図、第14図は馬7〜11に示したガラスを添加
した組成のものの1層列の素子厚みを変えて作製した積
層品と、あらかじめ燥結して得た電圧非直線性を示す素
体を切断研磨して所定の厚みのものとし、それに電極を
付与して積重ね、積層品と同一の形状にした単板品で測
定した特性を示す。
第13図に明らかな様に、点線で示した従来技術の単板
品のVlmAは実線で示した本発明の積層品の■1mA
より太きい。
またαは積層品の方が単板品の値より大きい値である。
また、単板品の場合はQ、 3 mm以下のものは製造
が困難であるが、積層品ではQ、 l mm以下のもの
でも製造は容易で、しかもαは大きい値を保ったままで
ある。
又、第14も実線が本発明の積層品、点線が従来技術の
単板品の特性である。
実施例 9 出発原料として、純度99%以上の酸化亜鉛(ZnO)
、酸化コバルト(Cod)、酸化マンガン(Mn02)
、酸化アンチモン(Sb203)、酸化クロム(Cr2
o3)および第11表中の記号Aで示す硼珪酸鉛亜鉛
ガラス粉末を用いた。
これらの各酸化物を第10表に示す組成比で配合し、更
に、この混合物に対して硼珪酸鉛亜鉛ガラスを重量パー
セントで加えたものを、純水を用いて、ボールシルで3
6時間混合した。
次いで瀘過乾燥し、600℃〜850°Cで2時間仮燥
した。
仮燥後更に再度粉砕し、有機バインダーとともに溶媒中
に分散させスラリー状とする。
これをドクター・ブレード法によって、所定の厚みの均
一な生シートにする。
この生シートを60mm×401nrnの矩形に打ち抜
き、この上にスクリーン印刷法によって、金、白金、パ
ラジウム、銀又はこれらの中から二つ以上の金属からな
る合金をペースト状にし、内部電極として印刷する。
内部電極を印刷した生シートおよび内部電極を印刷して
いない生シートを所定の枚数積層し、圧着する。
その後、カッターで切断し、950℃〜1300℃で1
時間燥成し内部電極の露出している両端に銀電極を塗布
し、600℃で燥付けた。
その他試料作製の条件は実施例1と同様とした。
α+Vt等の電気特性は直流ないしはカーブトレーサの
パルスにより電圧−電流特性を測定して算定した。
もれ電流iRの値は■1mAの60%の電圧に於る値と
して評価した。
また電力負荷特性は80℃に保たれた恒温槽中で0.5
Wの電力を500時間印加した後室温にもどし、VIO
μAを測定して変化率を算出し、これで特性評価を行っ
た。
耐サージ特性は50A(電流波形10X200μsec
)の衝撃波形パルスを1秒間隔で10000回印加し
た後VIOμAを測定して、変化率を算出し、これで特
性評価を行った。
第10表および第15図〜第18図は得られた結果を示
す。
いずれも内部電極材料にはPtペーストを用いたが、燥
結後も、電気抵抗が十分小さく、電極としての役割をす
るもの、例えばAg 。
Au j Pd + irなどの安定な金属ないしは合
金を用いてもさしつかえない。
試料の外形は5朋×6朋の矩形で厚みは0.5龍〜2v
tmである。
第10表中単板と示しであるものは、あらかじめ燥結し
て電圧非直線性を示す素体を切断研磨して、所定の素子
厚みにした後、電極を付与し積重ねて得た試料であるこ
とを示す。
第15図は1層当りの素子厚みを変えた時のV 1 m
Aの変化を単板品に対して、点線で積層品に対して、実
線で示す。
図で明らかなように、同−素子厚みの場合でも積層品の
方が単板品よりも■□mAの値がずっと小さい。
また単板品の場合は、先に述べた様にQ、 3 mmの
厚みが下限で、これ以下にするのは困難であるが、本発
明による積層による方法ではQ、1mm以下の素子厚み
のものでも容易に製造できる。
第16図は非直線係数αの1層当りの素子厚みによる変
化を示す。
厚みがQ、 5 mm以上になると、点線で示す単板品
と実線で示す積層品で殆んど差がないが、単板品ではこ
れ以下の素子厚みでは著るしくαが小さくなり、電圧非
直線抵抗器としての性能が格段に落ちることを意味する
一方積層品では0.0:2朋程度の厚みでもαは約40
と優れた特性を示している。
第17図はもれ電流特性を示す。
図から明らかな様に本発明になる実線で示す積層品は素
子厚みが小さいと点線で示す単板品に比較して著るしく
良好である。
第18図は、電力負荷(特性200)およびサージ印加
(特性100)による10μAの電流値での電圧の変化
率ΔV/V 10μを示す。
単板品は厚みが薄くなると、Δ■/■10μAの値が著
るしく大きくなるが、積層品の場合は殆んど変らない。
尚、特性100、特性200共に実線は本発明の積層品
の場合、点線は従来技術による単板品の場合である。
以上の結果から明らかな様に、本発明になる積層セラミ
ックバリスタは、単に電圧非直線性を示す素体を積重ね
て得られる単板品とは著るしく特性が相異している。
即ち、第10表および第15図〜18図の結果は本発明
になる積層品にして初めて得られる結果であると云える
この特性の著るしい相異は、その構造および製造法の違
い即ち、本発明になる積層品では内部電極が全て電圧非
直線性を示す素体の内部に埋込まれた構造で、しかもこ
の構造を1度の焼結によって、作りあげるのに対して、
単板品では、電圧非直線性を示す素体に電極を付与し、
単に積重ねただけであるという構造および製造法の違い
による。
なお、本発明の主旨から明らかな様に、素体としては焼
結して電圧非直線性を示す材料であれば何を用いてもよ
く、また内部電極としては、焼結によって変質して、電
気伝導性が著るしくそこなわれないものであるかぎり何
を用いても良いことは云うまでもない。
最後に実施例9に使用した材料組成によって、第1表に
示した崇結体を積重ねて接着する従来の技術によるもの
と、本発明による製造法で得られた積層型セラミック・
バリスタの構造および製造法の違いによって生ずる特性
差について詳述する。
第12表は、積層セラミック・バリスタの形壮および製
造方法の違いによって生ずる特性差を示す。
試料番号煮2は第10表のA2と同じデータで本発明に
よる結果の例である。
A2aは生シート技術によって、厚みが0.O5Wmの
焼結体を製造しこれに内部電極を付与し、更にこれを1
0枚積み重ねて接着する従来技術によって製造した試料
で第1図に示す構造のものである。
16.2 bは本発明による製造法によっているが、内
部電極が焼結体の側面に露出している構造のものである
内部電極が焼結体で覆われているという条件を除いた例
を示す。
JF)、4の例は第10表44と同一で本発明による例
で電極間隔を大きくしたものである。
A4aは生シート技術を用いてA2aと同じ製造法は採
ったもので素子厚みが0.3 mm tである点が異る
例である。
A4bはA、 2 bと同じ製造法および構造で素子厚
みが異る例である。
素子厚みがQ、 3 vrynおよび0.05 m11
Lの例について、第12表に掲げたデータおよび第10
表の結果より次の点が明ら力1である。
(1)生シート技術を用いた例と、従来技術によって、
同じ素子厚みのものを製造した例と比較すると、生シー
ト技術による方が立上がり電圧が約半分に小さくできる
(2)本発明による製造法ではαは30以上であるが、
生シート技術を用いても積重ねて接着する方法では、α
は30以下である。
(3)生シート技術を用いかつ内部電極が側面に露出し
てG\る従来の構造と、焼結体内部に埋込んだ構造との
比較では、VlmAはそれほど差がないが、αは、内部
電極を埋込んだ構造の方か弱若太きい。
しかしながら、通流通電およびパルス試験による△V/
V 10μAの値は、電極を焼結体内部に埋込んだ構造
では10%以下であるが・電極露出構造では、いずれも
10%以上である。
(4)焼結体を接着する従来技術では電圧変化率△V/
V 10μAが通電負荷、パルスの両試験に対していず
れも10%以上である。
(5)生シート技術によって、Q、3 mmあるいはそ
れ以下の焼結体の製造してもそれらを接着する方法では
従来技術以下のαしか得られない。
このことは、Q、 3 mm以下の薄い生シートを焼結
する際には、焼結温度が950℃以上の高温であるので
、主成分であるZnOや添加物等の蒸発による組成変化
や変質が生ずると考えられる。
なお、焼結体を積重ね接着する従来技術を使用する場合
には、内部電極が、側面に露出していなくても、側面に
露出しているものとはゾ同様の結果が得られた。
以上のように本発明による積層セラミック・バリスタは
、゛単に電圧非直線性を示す素体を積重ねて得られる従
来技術による特性とは著るしく相違している。
即ち、以上の結果は本発明による積層品にして初めて得
られた結果である。
なお、この明細書中の諸実施例におけるガラスの記号お
よびその組成は第11表で示す。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術による電圧非直線抵抗器の斜視図であ
る。 第2図Aは本発明第1の実施例の斜視図であり、第2図
Bおよび第2図Cはそれぞれ第2図Aを切断線B−B’
、C−C・に沿って切断し矢印の方向を視た断面図であ
る。 第3図および第4図は本発明の第1の実施例の特性を従
来技術と比較して示した図面である。 第5図は本発明の第2実施例の特性を従来技術と比較し
て示した図面である。 第6図は本発明の第3実施例の特性を従来技術と比較し
て示した図面である。 第7図および第8図は本発明の第4実施例の特性を従来
技術と比較して示した図面である。 第9図、第10図および第11図は本発明の第6実施例
の特性を示す図面である。 第12図は本発明の第7実施例の特性を従来技術と比較
して示した図面である。 第13図および第14図は本発明の第8実施例の特性を
従来技術と比較して示した図面である。 第15図、第16図、第17図および第18図は本発明
の第9実施例を従来技術と比較して示した図面である。 尚、図において、2,3,12,13は内部電極部、4
,5,14,15は外部取り出し電極部、1は従来技術
による焼結体、10は本発明による内部に内部電極を封
入しである焼結体、実線−は本発明の特性、点線・・・
・・・・・(ま従来品の特性、100はサージ印加によ
る特性、200は電力負荷による特性である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 複数の内部電極と焼結体とが積層構造となっている
    電圧非直線抵抗器において、前記内部電極の外部へ取り
    出す部分以外の部分は前記焼結体で囲まれていることを
    特徴とする電圧非直線抵抗器2 内部電極間の間隔はQ
    、 3 mm以下であることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の電圧非直線抵抗器。 3 内部電極は金、銀、パラジウム、白金、ロジウム、
    イリジウム、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄
    、クロームのうちの一つの金属又はこれらの金属からな
    る合金によって形成されることを特徴とする特許請求の
    範囲第1項又は第2項記載の電圧非直線抵抗器。 4 素体はZnOを主成分とし、添加物として、Co、
    Mn、Sb、CryBiyTitsnyNi、Cu、F
    eLa、Nd、Pr、Ce の酸化物の中から少なくと
    も3種類の酸化物を添加したものであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項、第2項又は第3項記載の電圧
    非直線抵抗器。 5 各酸化物の重量に比して1重量%〜50重量%のガ
    ラスを添加したことを特徴とする特許請求の範囲第4項
    記載の電圧非直線抵抗器。 6 Biの酸化物を添加物として含んでおり、その含
    有量は0.05モル%以下であることを特徴とする特許
    請求の範囲第4項又は第5項記載の電圧非直線抵抗器。 γ 素体はFe2O3を主成分とし、添加物として、T
    i+ Z n t L a r Ce 2Mn t
    S b HP b の酸化物中から少なくとも4種類
    の酸化物を添加したものであることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項、第2項又は第3項記載の電圧非直線抵
    抗器。 8 酸化物の総重量に対してガラスを重量比1.0%〜
    50.0%添加したことを特徴とする特許請求の範囲第
    7項記載の電圧非直線抵抗器。 9 素体はTiO□を主成分とし、添加物としてBa+
    CoyLa、Pb+Sb、Niの酸化物の中から少なく
    とも4種類の酸化物を添加したものであることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項、第2項又は第3項記載の電
    圧非直線抵抗器。 10酸化物の総重量に対してガラスを重量比1.0%〜
    50.0%添加したことを特徴とする特許請求の範囲第
    9項記載の電圧非直線抵抗器。 11 複数の内部電極と焼結して電圧非直線性を示す
    素体とを焼結前に積層し、一体化した後に焼結すること
    によって得られる積層型の電圧非直線抵抗器。 12内部電極間の間隔はQ’、 3 mm以下であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第11項記載の電圧非直
    線抵抗器。 13内部電極は金、銀、パラジウム、白金、ロジウム、
    イリジウム、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄
    、クロームのうちの一つの金属又はこれらの金属からな
    る合金によって形成されることを特徴とする特許請求の
    範囲第11項又は第12項記載の電圧非直線抵抗器。 14素体はZnOを主成分とし、添加物として、Co
    s Mn + S b + Cr t B 1 + T
    it S n + N s + Cu t Fe +
    L a + N d + P r t Ce の酸化物
    の中から少なくとも3種類の酸化物を添加したものであ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第11項、第12項
    又は第13項記載の電圧非直線抵抗器。 15各酸化物の重量に比して1重量%〜50重量%のガ
    ラスを添加したことを特徴とする特許請求の範囲第14
    項記載の電圧非直線抵抗器。 16Biの酸化物を添加物として含んでおり、その含有
    量は0.05モル以下であることを特徴とする特許請求
    の範囲第14項又は第15項記載の電圧非直線抵抗器。 17 素体はFe2O3を主成分とし、添加物として、
    Ti 、Zn、La、Ce、Mn、Sb、Pb の酸
    化物の中から少なくとも4種類の酸化物を添加したもの
    であることを特徴とする特許請求の範囲第11項、第1
    2項又は第13項記載の電圧非直線抵抗器。 18酸化物の総重量に対してガラスを重量比1.0%〜
    50.0%添加したことを特徴とする特許請求の範囲第
    17項記載の電圧非直線抵抗器。 19素体はTiO2を主成分とし、添加物として、Ba
    、Co、La、Pb、Sb、Niの酸化物の中から少な
    くとも4種類の酸化物を添加したものであることを特徴
    とする特許請求の範囲第11項、第12項又は第13項
    記載の電圧非直線抵抗器。 20酸化物の総重量に対してガラスを重量比1.0%〜
    50.0%添加したことを特徴とする特許請求の範囲第
    19項記載の電圧非直線抵抗器。
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