JPS58218376A - 溶接機の出力制御器 - Google Patents
溶接機の出力制御器Info
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- JPS58218376A JPS58218376A JP10172082A JP10172082A JPS58218376A JP S58218376 A JPS58218376 A JP S58218376A JP 10172082 A JP10172082 A JP 10172082A JP 10172082 A JP10172082 A JP 10172082A JP S58218376 A JPS58218376 A JP S58218376A
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- switching element
- welding machine
- rectifier
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/10—Other electric circuits therefor; Protective circuits; Remote controls
- B23K9/1006—Power supply
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K9/00—Arc welding or cutting
- B23K9/06—Arrangements or circuits for starting the arc, e.g. by generating ignition voltage, or for stabilising the arc
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Arc Welding Control (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Rectifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本蛸明は溶接機の出力制御器、特に半導体整流器°と、
この半導体整流器の出力端に直列接続された1つあるい
は複数個の半導体スイッチング素子と、この半導体スイ
ッチ・イブ素子の出力側に一端が接続された環流ダイオ
−Pと、上記半導体スイッチング素子を駆動するように
接続された駆動用スイッチング素子等で構成された溶接
機の出力制御器に関するものである。
この半導体整流器の出力端に直列接続された1つあるい
は複数個の半導体スイッチング素子と、この半導体スイ
ッチ・イブ素子の出力側に一端が接続された環流ダイオ
−Pと、上記半導体スイッチング素子を駆動するように
接続された駆動用スイッチング素子等で構成された溶接
機の出力制御器に関するものである。
従来、この種の出力制御器として第1図の回路構成のも
のがあった。第1図において、第1の半導体整流器ユニ
ツ)10は第1の半導体整流器10a、10b、10c
がら成り、その各半導体整流器のアノードを各別に3つ
の交流入力端子100 a、 100 b、 100
cに接続し、上記半導体整流器のカソードを共通に接続
して1つの整流出力部を形成している。第2の半導体整
流器ヱニット12は第2の半導体整流器12a、12b
。
のがあった。第1図において、第1の半導体整流器ユニ
ツ)10は第1の半導体整流器10a、10b、10c
がら成り、その各半導体整流器のアノードを各別に3つ
の交流入力端子100 a、 100 b、 100
cに接続し、上記半導体整流器のカソードを共通に接続
して1つの整流出力部を形成している。第2の半導体整
流器ヱニット12は第2の半導体整流器12a、12b
。
12cと1つの環流ダイオード12dから成り、その各
半導体整流器のカソードを各別に上記の交流入力端子1
00 a 、 100 b 、 100 c K接続
し、上記各半導体整流器のアノードを共通に接続して1
つの整流出力部を形成している。また上記環流ダイオー
ド12dは出力端子101 a1101b間に接続され
ている。牛導体スイッチングユニット14は半導体スイ
ッチング素子14a114b。
半導体整流器のカソードを各別に上記の交流入力端子1
00 a 、 100 b 、 100 c K接続
し、上記各半導体整流器のアノードを共通に接続して1
つの整流出力部を形成している。また上記環流ダイオー
ド12dは出力端子101 a1101b間に接続され
ている。牛導体スイッチングユニット14は半導体スイ
ッチング素子14a114b。
14cから成り、その各半導体スイッチング素子のコレ
クタを共通に上記第1の半導体整流器ユニット10の出
力部に接続し、上記各半導体スイッチング素子のエミッ
タを共通に出力端子102aに接続している。駆動用ス
イッチング素子16はそのペース、コレクタを制御信号
入力端子104a。
クタを共通に上記第1の半導体整流器ユニット10の出
力部に接続し、上記各半導体スイッチング素子のエミッ
タを共通に出力端子102aに接続している。駆動用ス
イッチング素子16はそのペース、コレクタを制御信号
入力端子104a。
104bに接続し、エミッタを上記半導体スイッチング
素子14 a、 14 b、 14 cの各ペースに接
続している。
素子14 a、 14 b、 14 cの各ペースに接
続している。
第2図は、第1図の回路構、、成を有する出力制御器の
具体的な構造を示すもので、図中、第1図と同一部Iに
は同符号を付して賜明を省略する。第2図において、第
1の冷却フ、)イン18は前記第1の半導体整流器10
a %’ 10:Nb、 10 cの取付けと冷却を
兼ねたもので、この俯1の半導体整流器のカソードと同
電位になりfib、る。第2の冷却フィン20は前記第
2の半導体整流器12a、12b。
具体的な構造を示すもので、図中、第1図と同一部Iに
は同符号を付して賜明を省略する。第2図において、第
1の冷却フ、)イン18は前記第1の半導体整流器10
a %’ 10:Nb、 10 cの取付けと冷却を
兼ねたもので、この俯1の半導体整流器のカソードと同
電位になりfib、る。第2の冷却フィン20は前記第
2の半導体整流器12a、12b。
12Cと環流ダイオード12dの取付けと冷却を兼ねた
もので第2の半導体整流器及び環流ダイオードのアノー
ドと同電位になっている。第3の冷却フィン22は前記
半導体スイッチング素子14a、14b、14Cの数句
げと冷却を兼ねたもので、半導体スイッチング素子のコ
レクタと同電位になっている。第4の冷却フィン24は
前記駆動用スイッチング素子16の取付けをその冷却を
兼ねるもので、駆動用スイッチング素子のコレクタと同
電位である。
もので第2の半導体整流器及び環流ダイオードのアノー
ドと同電位になっている。第3の冷却フィン22は前記
半導体スイッチング素子14a、14b、14Cの数句
げと冷却を兼ねたもので、半導体スイッチング素子のコ
レクタと同電位になっている。第4の冷却フィン24は
前記駆動用スイッチング素子16の取付けをその冷却を
兼ねるもので、駆動用スイッチング素子のコレクタと同
電位である。
第1の接続線26は半導体スイッチング素子14 a、
14 b、 14 cのエミッタと環流ダイオード1
2dのカソードとを接続する。第2の接続線28は、前
記陣10半導体整流器10a、10b。
14 b、 14 cのエミッタと環流ダイオード1
2dのカソードとを接続する。第2の接続線28は、前
記陣10半導体整流器10a、10b。
10cのカソードと前記半導体スイッチング素子14
a、 14 b、 14 cのコレクタとを接続する。
a、 14 b、 14 cのコレクタとを接続する。
第3の接続線36は前記第1の半導体整流器10a、1
0 b、’ 10 ctf)”’アノードと前記第2の
半導体整流器12a、12’b、12cのカソードを夫
々接続する。
0 b、’ 10 ctf)”’アノードと前記第2の
半導体整流器12a、12’b、12cのカソードを夫
々接続する。
上記各冷却フィン18.20.22はその4隅にあけた
穴18a、20a、22aに中空の絶縁ブツシュ32を
数句け、この絶縁ブツシュに通したネジ棒34に冷却フ
ィン間の間隔を一定にする為のスペーサ36をはめなが
ら該ネジ棒に第1〜第3の冷却フィン18.20.22
.を順次に組付は固定する。第4の冷却フィン24は絶
縁固定具40によって前記第3の冷却22上に絶縁して
固定する。
穴18a、20a、22aに中空の絶縁ブツシュ32を
数句け、この絶縁ブツシュに通したネジ棒34に冷却フ
ィン間の間隔を一定にする為のスペーサ36をはめなが
ら該ネジ棒に第1〜第3の冷却フィン18.20.22
.を順次に組付は固定する。第4の冷却フィン24は絶
縁固定具40によって前記第3の冷却22上に絶縁して
固定する。
第3図は上記絶縁ブツシュ32の取付部の拡大断面図を
示すもので、一端の外周を細径とした絶縁ブツシュ32
aとこの細径部にはまる内径の絶縁ブツシュ32bとを
用い、各冷却フィン18.20.22の穴18 a、
20 a、 22 aに通した絶縁ブツシュ32aの
細径部323′に上記絶縁ブツシュ32bをはめて冷却
フィンを挾持させ、この絶縁ブツシュに通したネジ棒3
4が冷却フィンと接触しないように、した構造である。
示すもので、一端の外周を細径とした絶縁ブツシュ32
aとこの細径部にはまる内径の絶縁ブツシュ32bとを
用い、各冷却フィン18.20.22の穴18 a、
20 a、 22 aに通した絶縁ブツシュ32aの
細径部323′に上記絶縁ブツシュ32bをはめて冷却
フィンを挾持させ、この絶縁ブツシュに通したネジ棒3
4が冷却フィンと接触しないように、した構造である。
従来の溶接機の出力制御器は上記のように各冷却フ・イ
ンがユニット毎に作られて各々独立に絶縁されている。
ンがユニット毎に作られて各々独立に絶縁されている。
このため、各°冷却フィンの組立てに絶縁ブツシュ、ス
ペーサ、通しネジ棒等が多数必要となり、構造が複雑に
なり、組立てに要するコストも大きなものがあった。ま
た、交流入力端子への接続の作業性も悪い。さらにこの
出力制御器は、絶縁して溶接機本体に組込む必要がある
ため、その組込みコストも大きくなり、信頼性が低下す
る等の欠点があった。
ペーサ、通しネジ棒等が多数必要となり、構造が複雑に
なり、組立てに要するコストも大きなものがあった。ま
た、交流入力端子への接続の作業性も悪い。さらにこの
出力制御器は、絶縁して溶接機本体に組込む必要がある
ため、その組込みコストも大きくなり、信頼性が低下す
る等の欠点があった。
本発明は前述した従来の課題に鑑み為されたもので、そ
の目的は構造を簡略化し、溶接機本体への組込み作業も
容易にできるようにしてコスト低減と信頼性の向上を計
ることのできる溶接機の出力制御器を提供することにあ
る。 □上記目的を達成するために、本発明は半導
体整流器と、この半導体整流器の整流出力の1端に直列
接続された1つあるいは複数個の半導体スイッチング素
子と、この半導体スイッチング素子の出力側に一端が接
続された環流ダイオ−Pと、上記半導体スイッチング素
子を駆動するように接続された駆動用スイッチング素子
とからなる溶接機の出力制御器において、上記の半導体
整流器、半導体スイッチング素子、環流ダイオード及び
駆動用スイッチング素子の夫々を絶縁体を介して同一の
冷却フィン上に組立てたことを特徴とする。
の目的は構造を簡略化し、溶接機本体への組込み作業も
容易にできるようにしてコスト低減と信頼性の向上を計
ることのできる溶接機の出力制御器を提供することにあ
る。 □上記目的を達成するために、本発明は半導
体整流器と、この半導体整流器の整流出力の1端に直列
接続された1つあるいは複数個の半導体スイッチング素
子と、この半導体スイッチング素子の出力側に一端が接
続された環流ダイオ−Pと、上記半導体スイッチング素
子を駆動するように接続された駆動用スイッチング素子
とからなる溶接機の出力制御器において、上記の半導体
整流器、半導体スイッチング素子、環流ダイオード及び
駆動用スイッチング素子の夫々を絶縁体を介して同一の
冷却フィン上に組立てたことを特徴とする。
以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例を説明する
。第4図は本発明出力制御蓋の外観斜視図を示すもので
、冷却フィン42の上に組立てられた半導体整流器や、
半導体スイッチング素子を、外部の埃、湿気あるいは外
的機械損傷から守る為に、通常、合成樹脂製のカバー4
3が上記冷却フィンに取付けられている。そして、この
カッ々−からは前記第1図に示した交流入力端子100
a、100b、100c、出力端子102a、102b
。
。第4図は本発明出力制御蓋の外観斜視図を示すもので
、冷却フィン42の上に組立てられた半導体整流器や、
半導体スイッチング素子を、外部の埃、湿気あるいは外
的機械損傷から守る為に、通常、合成樹脂製のカバー4
3が上記冷却フィンに取付けられている。そして、この
カッ々−からは前記第1図に示した交流入力端子100
a、100b、100c、出力端子102a、102b
。
制御信号入力端子104a、104bが突設されている
。
。
第5図は第4図のカバー43・を取外して内部の回路構
成を示した斜視図であφ、。第5図において、第1の整
流器ペース“−44は導体製であり、その表面に力?/
ニドを共通にハンμけした第1の半導体整流器10 a
、 10 b、 10 cを取付けである。
成を示した斜視図であφ、。第5図において、第1の整
流器ペース“−44は導体製であり、その表面に力?/
ニドを共通にハンμけした第1の半導体整流器10 a
、 10 b、 10 cを取付けである。
上記第1の整流器ペース4゛4と冷却フィン420間に
ハンダ付けされた絶縁体46は、熱抵抗な小さくする為
に極めて薄く、かつ熱伝導の良い絶縁物、例えばアルミ
ナのような材料が用いられている。第2の整流器ペース
48は導体製であり、その表面にアノードを共通にハン
ダ付けした第2の半導体整流器12a、12b、12c
とアノ−Pをハンダ付けした環流ダイオード12dを取
付けである。スイッチング素子ペース50は導体製であ
り、その表面にコレクタを共通にハンダ付けした半導体
スイッチング素子14a、14b、14’cが取付けで
ある。駆動用スイッチング素子ペース52は導体製であ
り、その表面にコレクタをハンダ付けした駆動用スイッ
チング素子16が取付けである。 ) 第1〜第3の接続導体26.28.3oは前記第2図と
同じであるからその接続関係の説明は省略する。第“の
2:導体゛は環流ダ′・−ド12dのカッ−導体プレー
ト56を接続している。すなわち、第4の接続導体54
、導体プレート56、第5の接続導体57によって、環
流ダイオード12dのカソードと半導体スイッチング−
素子14a、14b、14cのエミッタが接続されてい
ることになる。第6の接続導体58は駆動用スイッチン
グ素子16の工、ミッタと半導体スイッチング素子14
a、14b、14.Cの各ペースを接続している。交流
入力端子100 a、 100b、100cは、第3の
接続導体3oに接続され、一方の出力端子102aは、
導体プレート56に接続され、他方の出力端子102b
は、第2の整流器ペース48に接続され、一方の制御信
号入力端子104aは、駆動用スイッチング素子16の
コレクタと同電位にある駆動用素子ペース52に接続さ
れ、他方の制御信号入力端子102bは、上記駆動用ス
イッチング素子16のペースに接続されている。
ハンダ付けされた絶縁体46は、熱抵抗な小さくする為
に極めて薄く、かつ熱伝導の良い絶縁物、例えばアルミ
ナのような材料が用いられている。第2の整流器ペース
48は導体製であり、その表面にアノードを共通にハン
ダ付けした第2の半導体整流器12a、12b、12c
とアノ−Pをハンダ付けした環流ダイオード12dを取
付けである。スイッチング素子ペース50は導体製であ
り、その表面にコレクタを共通にハンダ付けした半導体
スイッチング素子14a、14b、14’cが取付けで
ある。駆動用スイッチング素子ペース52は導体製であ
り、その表面にコレクタをハンダ付けした駆動用スイッ
チング素子16が取付けである。 ) 第1〜第3の接続導体26.28.3oは前記第2図と
同じであるからその接続関係の説明は省略する。第“の
2:導体゛は環流ダ′・−ド12dのカッ−導体プレー
ト56を接続している。すなわち、第4の接続導体54
、導体プレート56、第5の接続導体57によって、環
流ダイオード12dのカソードと半導体スイッチング−
素子14a、14b、14cのエミッタが接続されてい
ることになる。第6の接続導体58は駆動用スイッチン
グ素子16の工、ミッタと半導体スイッチング素子14
a、14b、14.Cの各ペースを接続している。交流
入力端子100 a、 100b、100cは、第3の
接続導体3oに接続され、一方の出力端子102aは、
導体プレート56に接続され、他方の出力端子102b
は、第2の整流器ペース48に接続され、一方の制御信
号入力端子104aは、駆動用スイッチング素子16の
コレクタと同電位にある駆動用素子ペース52に接続さ
れ、他方の制御信号入力端子102bは、上記駆動用ス
イッチング素子16のペースに接続されている。
そして、上記の第2.、の整流器ペース48、スイッチ
ング素子ペース60.駆動用スイッチング素子ぺ一、X
、、52、導体プレート56と冷却フィン420間・に
も前記絶縁板46と同じ絶縁板6o、62.64.66
がハンダ付され゛ている。
ング素子ペース60.駆動用スイッチング素子ぺ一、X
、、52、導体プレート56と冷却フィン420間・に
も前記絶縁板46と同じ絶縁板6o、62.64.66
がハンダ付され゛ている。
上記のように、第1図で稈明した各ユニット及び駆動用
スイッチング素子等を1つの冷却フィン上に、絶縁体を
介してハンダ付は等の手段により組み込み、第1図の回
路構成と同じに配線したアルミニウム等の導電性の接続
導体を、上記各ユニット及び駆動用スイッチング素子等
へハンダ付け、超音波によるボンディングあるいは、レ
ーザによるゼンデイングによって接着することで、溶接
機の出力制御器を組立てることができ構造が簡単な為、
作業性が良い。
スイッチング素子等を1つの冷却フィン上に、絶縁体を
介してハンダ付は等の手段により組み込み、第1図の回
路構成と同じに配線したアルミニウム等の導電性の接続
導体を、上記各ユニット及び駆動用スイッチング素子等
へハンダ付け、超音波によるボンディングあるいは、レ
ーザによるゼンデイングによって接着することで、溶接
機の出力制御器を組立てることができ構造が簡単な為、
作業性が良い。
このような構造では、大出力のパワートランジスタ等に
て使用されている自動配線技術が容易に応用でき、組立
、配線の自動化が容易に可能となる。また、組み上った
出力制御器は、冷却フィンが絶縁されているので、溶接
機本体に組み込む際に絶縁する必要がないので作業性が
良く、そのために信頼性も向上する。
て使用されている自動配線技術が容易に応用でき、組立
、配線の自動化が容易に可能となる。また、組み上った
出力制御器は、冷却フィンが絶縁されているので、溶接
機本体に組み込む際に絶縁する必要がないので作業性が
良く、そのために信頼性も向上する。
上記実施例では、板状の冷却フィンで説明していたが、
各ユニット、各素子の発熱が太き(、板状冷却フィンで
は冷却能力が十分でない場合は、第6図に示すように表
面積の大きな波状の冷却7イン68を冷却フィン42に
取り付けて冷却能力を向上させる事ができる。また、冷
却フイ/42のかわりに、直接波状の冷却フィン68上
に各ユニット駆動用スイッチング素子等を組み上げても
良い。
各ユニット、各素子の発熱が太き(、板状冷却フィンで
は冷却能力が十分でない場合は、第6図に示すように表
面積の大きな波状の冷却7イン68を冷却フィン42に
取り付けて冷却能力を向上させる事ができる。また、冷
却フイ/42のかわりに、直接波状の冷却フィン68上
に各ユニット駆動用スイッチング素子等を組み上げても
良い。
以上のように、本発明によれば、溶接機の出力制御器に
必要な、半導体整流器、半導体スイッチング素子、駆動
用スイッチング素子及び環流ダイオード等を、絶縁体を
介して1つの冷却フィン上にハンダ付等により、組み上
げるから、構造が簡単、自動組立化が容易、溶接機本体
に組み込む際に絶縁の必要がなく作業性が良い。従って
、総合的なコストダウンを計り、信頼性の向上を計るこ
とができる効果が得られる。、。
必要な、半導体整流器、半導体スイッチング素子、駆動
用スイッチング素子及び環流ダイオード等を、絶縁体を
介して1つの冷却フィン上にハンダ付等により、組み上
げるから、構造が簡単、自動組立化が容易、溶接機本体
に組み込む際に絶縁の必要がなく作業性が良い。従って
、総合的なコストダウンを計り、信頼性の向上を計るこ
とができる効果が得られる。、。
4、図面の簡単な説明 、、、。
第1図は出力制御器の回路1、構成図、第2図は従来の
出力制御器の構造図、第1.1.空回はその一部の拡大
断面図、第4図は本発明の一実施例による出力制廁1器
の外観斜視図、第5図はその内部構造を示す斜視図、第
6図は本発萌の他の実施例を示す外観斜視図である。
出力制御器の構造図、第1.1.空回はその一部の拡大
断面図、第4図は本発明の一実施例による出力制廁1器
の外観斜視図、第5図はその内部構造を示す斜視図、第
6図は本発萌の他の実施例を示す外観斜視図である。
各図中、同一部材には同一符号を付し、10は第1の半
導体整流器ユニット、10a110b、10cは第1の
半導体整流器、12は第2の半導体整流器、ユニット、
12 a、 12b、12cは第2の半導体整流器、1
2dは環流ダイオード、14は半導体スイッチングユニ
ット、14a、 14b。
導体整流器ユニット、10a110b、10cは第1の
半導体整流器、12は第2の半導体整流器、ユニット、
12 a、 12b、12cは第2の半導体整流器、1
2dは環流ダイオード、14は半導体スイッチングユニ
ット、14a、 14b。
14cは半導体スイッチング素子、16は駆動用スイッ
チング素子、18.20.22.24は第1〜第4の冷
却フィン、26.28.30.54.57.58は第1
〜第6の接続線(接続導体)32は絶縁ブツシュ、34
はネジ棒、36はスペーサ、40は絶縁固定具、42は
冷却フィン、43はカッ々−144,48は第1、第2
の整流器ペース、46.60.62.64.66は絶縁
体、50はスイッチング氷1子ベース、52は駆動用ス
イン1; チンク素子ベーメ1,56は導体プレートである。
チング素子、18.20.22.24は第1〜第4の冷
却フィン、26.28.30.54.57.58は第1
〜第6の接続線(接続導体)32は絶縁ブツシュ、34
はネジ棒、36はスペーサ、40は絶縁固定具、42は
冷却フィン、43はカッ々−144,48は第1、第2
の整流器ペース、46.60.62.64.66は絶縁
体、50はスイッチング氷1子ベース、52は駆動用ス
イン1; チンク素子ベーメ1,56は導体プレートである。
代理人 弁理士 葛 野 信 −
(外1名)
第1図
□第2図
第3図
第4図
特許庁長官轡
1.事件の表示 特願昭 57−101720号
2、 発明の名称 溶接機の出ツノ制御器3、補正を
する者 5、補正の対象 明細書の特許請求の範囲、発明の詳細な説明の欄、。
2、 発明の名称 溶接機の出ツノ制御器3、補正を
する者 5、補正の対象 明細書の特許請求の範囲、発明の詳細な説明の欄、。
以上
特許請求の範囲
(1)半導体整流器と、この半導体整流器の整流出力の
1端に直列接続された1つあるいは複数個の半導体スイ
ッヂング素子と、この半導体スイツヂング素子の出力側
に一端が接続された環流ダイオードと、上記半導体スイ
ッチング素子を駆動するように接続された駆動用スイッ
チング素子とからなる溶接機の出力制御器においC1上
記の半導体整流器、半導体スイッチング素子、環流ダイ
オード及び駆動用スイッチング素子の夫々を絶縁体を介
して同一の冷却フィン上に、あるいは少なくてたことを
特徴とする溶接機の出力制御器。
1端に直列接続された1つあるいは複数個の半導体スイ
ッヂング素子と、この半導体スイツヂング素子の出力側
に一端が接続された環流ダイオードと、上記半導体スイ
ッチング素子を駆動するように接続された駆動用スイッ
チング素子とからなる溶接機の出力制御器においC1上
記の半導体整流器、半導体スイッチング素子、環流ダイ
オード及び駆動用スイッチング素子の夫々を絶縁体を介
して同一の冷却フィン上に、あるいは少なくてたことを
特徴とする溶接機の出力制御器。
Claims (1)
- (11半導体整流器と、この半導体整流器の整流出力の
1端に直列接続された1つあるいは複数個の半導体スイ
ッチング素子と、この半導体スイッチング素子の出力側
に一端が接続された環流ダイオードと、上記半導体スイ
ッチング素子を駆動するように接続された駆動用スイッ
チング素子とからなる溶接機の出力制御器において、上
記の半導体整流器、半導体スイッチング素子、環流ダイ
オード及び駆動用スイッチング素子の夫々を絶縁体を介
して同一の冷却フィン上に組立てたことを特徴とする溶
接機の出、力制御器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10172082A JPS58218376A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 溶接機の出力制御器 |
DE19833320575 DE3320575A1 (de) | 1982-06-14 | 1983-06-07 | Leistungssteuervorrichtung fuer eine schweissmaschine |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10172082A JPS58218376A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 溶接機の出力制御器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58218376A true JPS58218376A (ja) | 1983-12-19 |
Family
ID=14308135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10172082A Pending JPS58218376A (ja) | 1982-06-14 | 1982-06-14 | 溶接機の出力制御器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58218376A (ja) |
DE (1) | DE3320575A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE4005333A1 (de) * | 1990-02-20 | 1991-08-22 | Rehm Schweisstechnik Gmbh | Elektronischer leistungs-schalter |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE1913679B2 (de) * | 1969-03-18 | 1971-03-25 | Waermeleitvorrichtung fuer elektrische baugruppen | |
US3697814A (en) * | 1971-06-21 | 1972-10-10 | Gen Motors Corp | Bridge rectifier heat sink assembly |
DE2344145A1 (de) * | 1973-09-01 | 1975-03-13 | Bosch Gmbh Robert | Steuerteil fuer ein elektronisches steuergeraet, insbesondere fuer die zentralelektronik in fahrzeugen |
US4029999A (en) * | 1975-04-10 | 1977-06-14 | Ibm Corporation | Thermally conducting elastomeric device |
FR2469089A1 (fr) * | 1979-11-02 | 1981-05-08 | Telemecanique Electrique | Dispositif de fixation de composants semi-conducteurs sur un radiateur |
US4367523A (en) * | 1981-02-17 | 1983-01-04 | Electronic Devices, Inc. | Rectifier bridge unit |
DE8219553U1 (de) * | 1982-07-08 | 1982-10-07 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Halbleitermodul |
-
1982
- 1982-06-14 JP JP10172082A patent/JPS58218376A/ja active Pending
-
1983
- 1983-06-07 DE DE19833320575 patent/DE3320575A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3320575A1 (de) | 1983-12-15 |
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