JPS5821817A - 非晶質多層薄膜作製装置 - Google Patents
非晶質多層薄膜作製装置Info
- Publication number
- JPS5821817A JPS5821817A JP56119352A JP11935281A JPS5821817A JP S5821817 A JPS5821817 A JP S5821817A JP 56119352 A JP56119352 A JP 56119352A JP 11935281 A JP11935281 A JP 11935281A JP S5821817 A JPS5821817 A JP S5821817A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- chamber
- valve
- thin film
- doping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は良質な非晶質多層薄膜を作製するための装置に
関するものである。
関するものである。
従来、この褌の多層薄膜作製は、同一のチャンバー内テ
導入ドーピングガスの種類を逐次変えて行なっていた。
導入ドーピングガスの種類を逐次変えて行なっていた。
このため、ドーピングカスのチャンバー壁への吸沼、ド
ーピングされた生成物の粉末もしくは膜の、壁面への付
N’を因として、その後、ドーピングガスを加えない状
況下でもこれらからのドーピングガスの脱離がおき、ノ
ンドーグ膜の作製、p−n接合の作製に著しく害を及は
していた。
ーピングされた生成物の粉末もしくは膜の、壁面への付
N’を因として、その後、ドーピングガスを加えない状
況下でもこれらからのドーピングガスの脱離がおき、ノ
ンドーグ膜の作製、p−n接合の作製に著しく害を及は
していた。
一例として、一層の非晶質シリコン膜の作製にしおいて
、ドーピングがノンドープに対していかに大きな影響を
与えるかを述べよう。第1図は非晶質シリコン膜の光導
電特性のうち、20m秒の周期で10m秒のパルス幅、
150μW/etIの強度での光のオンとオフ時の光電
流比、すなわちオン−オフ比を、第2図はホトルミネセ
ンスの受光強度ラド−ピングガスの種類およびドーピン
グittパラメータとしてプロットしたものである。微
量のドーピングガスの混入により、光導電特性のオン−
オフ比およびホトルミ坏センスの受光強度が著しく減少
する。従って、非晶質シリコンp−i−n接合の様な多
N膜の連続作成の場合、従来の多層薄膜作製法では、1
層すなわちノンドープ層の、それに先立つドーピング雰
囲気の混入に、J:!ll素子特性が劣化するとい9欠
点があった。
、ドーピングがノンドープに対していかに大きな影響を
与えるかを述べよう。第1図は非晶質シリコン膜の光導
電特性のうち、20m秒の周期で10m秒のパルス幅、
150μW/etIの強度での光のオンとオフ時の光電
流比、すなわちオン−オフ比を、第2図はホトルミネセ
ンスの受光強度ラド−ピングガスの種類およびドーピン
グittパラメータとしてプロットしたものである。微
量のドーピングガスの混入により、光導電特性のオン−
オフ比およびホトルミ坏センスの受光強度が著しく減少
する。従って、非晶質シリコンp−i−n接合の様な多
N膜の連続作成の場合、従来の多層薄膜作製法では、1
層すなわちノンドープ層の、それに先立つドーピング雰
囲気の混入に、J:!ll素子特性が劣化するとい9欠
点があった。
シリコン以外の非晶質薄膜でも、同様に、INへの、そ
れに先立つドーピングガスの混入という問題があった。
れに先立つドーピングガスの混入という問題があった。
本発明は層の種類別に蒸着室を分離することによって、
異釉層成長時の異種ドーピングガスの混入を防ぐことを
特徴と!、その目的はドーピング)@於工びノンドープ
層を高純度化することにある。
異釉層成長時の異種ドーピングガスの混入を防ぐことを
特徴と!、その目的はドーピング)@於工びノンドープ
層を高純度化することにある。
第3図は不発明の実施例であって、RFダグロー放電法
よって非晶質シリコンp−1−n構造を作製する場合に
ついて説ゆ+−rる。1はp型層作製用チャンバー、2
お工び3はp型層作製用チャンバーとノンドープ層作製
用チャンバーを分離するためのゲートバルブ、4はノン
ドープ層作製用チャンバー、5および6はノンドープ層
作製用チャンバーとn型層−作製用チー\・ンバーを分
離するためのゲートバルブ、7(はn型層作製用チャン
ノ・−18および9は谷チャンバー相互のドーピングガ
ス混入を防ぐための控室、10および11は試料移動用
石英管で、p型層作製用チャンバー1とノンドープ層作
製用チャンバー4とを相互にドーピングガス混入防止用
控室8及び試料移動用石英管10を介して連結すると共
に、控室8の両側に配置した石英管10にゲートバルブ
2,3を設ける。又前記のチャンバー4とnu層作製用
チャンバー7とをガス混入防止用控室95石英管11ヲ
介して連結すると共に、控室9の両側に配fp−,シた
石英管11にゲートバルプ5.6’(77設ける。12
、13 、14はプラズマ発生用の高周波平行平板電
極で夫々のチャンバー内に設けられる。
よって非晶質シリコンp−1−n構造を作製する場合に
ついて説ゆ+−rる。1はp型層作製用チャンバー、2
お工び3はp型層作製用チャンバーとノンドープ層作製
用チャンバーを分離するためのゲートバルブ、4はノン
ドープ層作製用チャンバー、5および6はノンドープ層
作製用チャンバーとn型層−作製用チー\・ンバーを分
離するためのゲートバルブ、7(はn型層作製用チャン
ノ・−18および9は谷チャンバー相互のドーピングガ
ス混入を防ぐための控室、10および11は試料移動用
石英管で、p型層作製用チャンバー1とノンドープ層作
製用チャンバー4とを相互にドーピングガス混入防止用
控室8及び試料移動用石英管10を介して連結すると共
に、控室8の両側に配置した石英管10にゲートバルブ
2,3を設ける。又前記のチャンバー4とnu層作製用
チャンバー7とをガス混入防止用控室95石英管11ヲ
介して連結すると共に、控室9の両側に配fp−,シた
石英管11にゲートバルプ5.6’(77設ける。12
、13 、14はプラズマ発生用の高周波平行平板電
極で夫々のチャンバー内に設けられる。
これを動作する場合にに1.1すチャンバー1において
下部電板12 a上に基板を置き、バルブ2を閉じた状
態で、si HI+PH3雰囲気の下にp型層を形成す
る。次にS i H4+P Hsガスを排気し、バルブ
2ヶ開けて真空排気した控室8に試料を導入する。
下部電板12 a上に基板を置き、バルブ2を閉じた状
態で、si HI+PH3雰囲気の下にp型層を形成す
る。次にS i H4+P Hsガスを排気し、バルブ
2ヶ開けて真空排気した控室8に試料を導入する。
その後、バルブ3を開は試料をチャンバー4に導入し、
バルブ3および5を閉じた状態で5i)I4′″!!!
:。
バルブ3および5を閉じた状態で5i)I4′″!!!
:。
囲気の下にノンドーグ層全形成する。次に、バルブ5を
開け、試を1全排気された控室9に導入してからバルブ
5を閉め、その後、バルブ6を開は試料をチャンバー7
に導入する。次に、バルブ6を閉じた状態で、Si )
i4+ B2H6雰囲気の下でn壓層全形成する。
開け、試を1全排気された控室9に導入してからバルブ
5を閉め、その後、バルブ6を開は試料をチャンバー7
に導入する。次に、バルブ6を閉じた状態で、Si )
i4+ B2H6雰囲気の下でn壓層全形成する。
この様な構造になっているため、異種ドーピングガスの
混入が非常に少ない。従って、筒純度の多層薄膜が作製
jj−4能vcなる。
混入が非常に少ない。従って、筒純度の多層薄膜が作製
jj−4能vcなる。
以上の説明&TJ1、非晶質シリコンp−1−n材造作
製を例(Cとって行なったが、l’−1−n’?i’;
造以外の多J會イ1゛谷造、およびシリコン以外の非晶
質多層薄膜作jAVLc応用でさることは191でもな
い。
製を例(Cとって行なったが、l’−1−n’?i’;
造以外の多J會イ1゛谷造、およびシリコン以外の非晶
質多層薄膜作jAVLc応用でさることは191でもな
い。
以上説明した様に、本発明の非晶質多層薄膜作製装(a
VcLれげ、ドーピングカスの41ν類により熱溶3(
を分離しているので、非常に篩が1(度の多層薄膜を作
製できるといり利人“民がある。
VcLれげ、ドーピングカスの41ν類により熱溶3(
を分離しているので、非常に篩が1(度の多層薄膜を作
製できるといり利人“民がある。
4、図面の+lIi牢な6シlす1」
第1図に早−のチャンバー内でf+−製した非晶質シリ
コン薄膜の光尋電特性に関するオン−オフ比のドーピン
グガス依存性、第2図は同様なホトルミネセンス′プ光
強度のドーピングカス依存性、第3図σ本発ツ1の実施
1り0の図である。
コン薄膜の光尋電特性に関するオン−オフ比のドーピン
グガス依存性、第2図は同様なホトルミネセンス′プ光
強度のドーピングカス依存性、第3図σ本発ツ1の実施
1り0の図である。
■・・・・・p型ノ冑作製用チャンバー、2,3・・・
・・・ゲー)・バルブ、4・・・・・・ノンドープ層作
製用チャンバー、5.6・・・・・・ゲートバルブ、7
・・・・・・n型層作製用チャンバー、8,9・・・・
・・控室、1(1、11・・・・・・試料移動用石英’
g、 12 、13 、14・・・・・・電極T1図
・・・ゲー)・バルブ、4・・・・・・ノンドープ層作
製用チャンバー、5.6・・・・・・ゲートバルブ、7
・・・・・・n型層作製用チャンバー、8,9・・・・
・・控室、1(1、11・・・・・・試料移動用石英’
g、 12 、13 、14・・・・・・電極T1図
Claims (1)
- ドーピングカスのS類別に蒸着室を分離して設け、各蒸
漸室間に、ゲートパルプで仕切られた控室全備えること
を特徴とする非晶質多層薄膜作製装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56119352A JPS5821817A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 非晶質多層薄膜作製装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56119352A JPS5821817A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 非晶質多層薄膜作製装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5821817A true JPS5821817A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14759359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56119352A Pending JPS5821817A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 非晶質多層薄膜作製装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5821817A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61294811A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体結晶製造装置 |
JPH01239841A (ja) * | 1988-03-19 | 1989-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜形成方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4942423A (ja) * | 1972-05-04 | 1974-04-22 | ||
JPS5578524A (en) * | 1978-12-10 | 1980-06-13 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
JPS5678416A (en) * | 1979-11-29 | 1981-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Preparation of thin film |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56119352A patent/JPS5821817A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4942423A (ja) * | 1972-05-04 | 1974-04-22 | ||
JPS5578524A (en) * | 1978-12-10 | 1980-06-13 | Shunpei Yamazaki | Manufacture of semiconductor device |
JPS5678416A (en) * | 1979-11-29 | 1981-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Preparation of thin film |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61294811A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体結晶製造装置 |
JPH01239841A (ja) * | 1988-03-19 | 1989-09-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 薄膜形成方法 |
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