JPS58213887A - 電解用電極 - Google Patents
電解用電極Info
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- JPS58213887A JPS58213887A JP57096975A JP9697582A JPS58213887A JP S58213887 A JPS58213887 A JP S58213887A JP 57096975 A JP57096975 A JP 57096975A JP 9697582 A JP9697582 A JP 9697582A JP S58213887 A JPS58213887 A JP S58213887A
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- plating bath
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- sulfur
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、低過電圧ケ示し、かつエネルギー効率に優れ
、′また充分な耐久性、耐食性ケ有する電極に関するも
のであり、さらに詳しくは硫黄化合物を含むニッケルメ
ッキ浴中にフッ素樹脂を分散させた浴を用い分散メッキ
を施してなる電解用電極に関するものである。
、′また充分な耐久性、耐食性ケ有する電極に関するも
のであり、さらに詳しくは硫黄化合物を含むニッケルメ
ッキ浴中にフッ素樹脂を分散させた浴を用い分散メッキ
を施してなる電解用電極に関するものである。
本発明によシ得られる!極に、水素発生用電極。
酸素発生用電極等、柚々の電極としての用途に適してい
るが、特にアルカリ浴液中の水素発生反応全主反応とす
る1叢惨としての用途に適している。
るが、特にアルカリ浴液中の水素発生反応全主反応とす
る1叢惨としての用途に適している。
従来、水素発生反応を陰極の主反応とする水電解あるい
は1篇化アルカリ水溶液の電解においては、主に鉄IS
4Thが使用されてきた。鉄は陰極材料としてコスト
的にも安浦であり、またがなり低い水素過電圧(r t
i<すものであるが、近年さらにこれを改良する必要性
が生じている。
は1篇化アルカリ水溶液の電解においては、主に鉄IS
4Thが使用されてきた。鉄は陰極材料としてコスト
的にも安浦であり、またがなり低い水素過電圧(r t
i<すものであるが、近年さらにこれを改良する必要性
が生じている。
特に、陽イオン交1勢膜法食膚電解技術の発展と共に、
省エネルギーの而から水素過電圧の一層の低下が宅捷れ
、また高Ak、高アルカリ濃変という電解柔性のため、
鉄の耐食性等が間頭視されている。このため、鉄晰極に
11′:べて低い水素過電圧ケ示し、経済的でし7かも
充分な耐久性、耐食性を有する新しい陰極の出現がb但
まれ、各所で椎々の検討がなされておね、いくつかの方
法が提案されている。
省エネルギーの而から水素過電圧の一層の低下が宅捷れ
、また高Ak、高アルカリ濃変という電解柔性のため、
鉄の耐食性等が間頭視されている。このため、鉄晰極に
11′:べて低い水素過電圧ケ示し、経済的でし7かも
充分な耐久性、耐食性を有する新しい陰極の出現がb但
まれ、各所で椎々の検討がなされておね、いくつかの方
法が提案されている。
この中で、従来の水電解技術の発展の過程で提案されて
きた低水素過電圧會I与えるニッケルメッキ、例えば、
髄藪ヲ含1rニッケルメッキ(例えば!侍公昭25−2
!1115あるいは吉沢四部−渡辺信淳共著「電気化学
■」共立全書出版の水電解の隼。
きた低水素過電圧會I与えるニッケルメッキ、例えば、
髄藪ヲ含1rニッケルメッキ(例えば!侍公昭25−2
!1115あるいは吉沢四部−渡辺信淳共著「電気化学
■」共立全書出版の水電解の隼。
Pd2)が古くより知られており、白金族等を被覆した
電極に比ベコスト的にも安価であり注目きれている。
電極に比ベコスト的にも安価であり注目きれている。
本発明者は、上記手法により得られるメッキ被膜につき
詳細な検討を行った結果、これらのメッキ被喚のもつい
くつかの欠点、即ち、基材との密着性が不良であること
、表向被膜がもろく弱いこと、さらには水素過電圧の低
下が未だ不充分であること、等の欠点全克服した′畦解
用陰極の製法を見出し先に特許出願全行ったC%願昭5
5−092295、同56−000!105)。
詳細な検討を行った結果、これらのメッキ被喚のもつい
くつかの欠点、即ち、基材との密着性が不良であること
、表向被膜がもろく弱いこと、さらには水素過電圧の低
下が未だ不充分であること、等の欠点全克服した′畦解
用陰極の製法を見出し先に特許出願全行ったC%願昭5
5−092295、同56−000!105)。
本発明者は、硫黄を含むニッケルメッキにつき、さらに
研妃奮市ねた結果、金属からなる基体表面に硫黄金倉む
ニッケルメッキ浴中に、フッ素樹脂全分散させたメッキ
浴ケ用いて、分散メッキヶはどこすことにより、メッキ
の密着性が一層向上し、その結果優れた耐久性、耐食性
を示し、かつ一層低い過電圧が得られ、さらに得られた
電極會陽イオン父換膜法食塩電解技術のように、イオン
交換膜ケはさみ、狭い陽陰極間距離で電解する場合、浴
市、圧が大巾にiI!: −1;することケ晃出し、本
発明全完成するに眉1つ斤。
研妃奮市ねた結果、金属からなる基体表面に硫黄金倉む
ニッケルメッキ浴中に、フッ素樹脂全分散させたメッキ
浴ケ用いて、分散メッキヶはどこすことにより、メッキ
の密着性が一層向上し、その結果優れた耐久性、耐食性
を示し、かつ一層低い過電圧が得られ、さらに得られた
電極會陽イオン父換膜法食塩電解技術のように、イオン
交換膜ケはさみ、狭い陽陰極間距離で電解する場合、浴
市、圧が大巾にiI!: −1;することケ晃出し、本
発明全完成するに眉1つ斤。
すなわち、本発明t:I 、金属からなる基体表面に可
溶性含4Mf黄化合物ケ含むニッケルメッキ浴中に、フ
ッ素樹脂全分散させたメッキ浴ケ用い分散メッキ會はど
こし7’j′WL4◆に関するものであり、優れた耐久
性、耐食性ケ示し、’I’41に1蔓期間にわたり低い
水素過電圧ケ維持するm俸を与えること紫特徴とするも
のであり、さらにイオン交換膜を用いる電解システムの
1颯1躯とL−rX犬[IJに浴電圧を低下させる電極
ケあたえること紮特徴とするものである。
溶性含4Mf黄化合物ケ含むニッケルメッキ浴中に、フ
ッ素樹脂全分散させたメッキ浴ケ用い分散メッキ會はど
こし7’j′WL4◆に関するものであり、優れた耐久
性、耐食性ケ示し、’I’41に1蔓期間にわたり低い
水素過電圧ケ維持するm俸を与えること紫特徴とするも
のであり、さらにイオン交換膜を用いる電解システムの
1颯1躯とL−rX犬[IJに浴電圧を低下させる電極
ケあたえること紮特徴とするものである。
本発明に用いイ)@媚からなる基体表面としては、鉄、
ニッケル、クロム、銅又Qj−これらを含む合金等、ニ
ッケルメッキのり能な材料、あるいは金属表面に、メッ
キ法、浴射法、蒸着法等により、上記金属又は合金相奮
岐瞳したものが用いられ、通常、表面組成としてt−[
、ニッケル、鉄、ステンレス等が用いられる。
ニッケル、クロム、銅又Qj−これらを含む合金等、ニ
ッケルメッキのり能な材料、あるいは金属表面に、メッ
キ法、浴射法、蒸着法等により、上記金属又は合金相奮
岐瞳したものが用いられ、通常、表面組成としてt−[
、ニッケル、鉄、ステンレス等が用いられる。
さらに、基体形状についてi丁、平板、メツシュ状、多
孔状、いかなる形状のものでも良いが、高電流密度での
水素発生taとして用いる場合は、特にエキスバンドメ
タル、パンチングメタル、金網状、ロッド状等の多孔状
の基体形状?用いることが好ましい。
孔状、いかなる形状のものでも良いが、高電流密度での
水素発生taとして用いる場合は、特にエキスバンドメ
タル、パンチングメタル、金網状、ロッド状等の多孔状
の基体形状?用いることが好ましい。
本発明の電極全与えるためには、上記基体表面に可溶性
含硫黄化合物ケ含むニッケルメッキ浴中に、フッ素樹脂
全分散させたメッキ浴を用い、分散メッキ全はどこすこ
とが必要である。
含硫黄化合物ケ含むニッケルメッキ浴中に、フッ素樹脂
全分散させたメッキ浴を用い、分散メッキ全はどこすこ
とが必要である。
可溶性含硫黄化合物を含むニッケルメッキ浴は、可溶性
のニッケル塩と適量の可溶性含硫黄化合物ケ含むニッケ
ルメッキ浴により与えられる。さらに好ましくハ、ニッ
ケルメッキ浴に適量のアンモニウムイオンを加えること
が望ましい。ニッケル塩は可溶性の塩であれば良く、通
常、[11モル濃吐から2.0モル襦変の範囲で用いる
ことが望ましい。
のニッケル塩と適量の可溶性含硫黄化合物ケ含むニッケ
ルメッキ浴により与えられる。さらに好ましくハ、ニッ
ケルメッキ浴に適量のアンモニウムイオンを加えること
が望ましい。ニッケル塩は可溶性の塩であれば良く、通
常、[11モル濃吐から2.0モル襦変の範囲で用いる
ことが望ましい。
メッキ浴中に用いられる可溶性含硫黄化合物は、チオシ
アン酸塩、チオ尿素、硫黄の酸化数が5以下のオキソ酸
塩全意味し、特に低水素過電圧を示すメッキ被膜ケ時え
るという効果ケもつ。
アン酸塩、チオ尿素、硫黄の酸化数が5以下のオキソ酸
塩全意味し、特に低水素過電圧を示すメッキ被膜ケ時え
るという効果ケもつ。
硫黄の酸化数が5以下のオキソ酸塩とは、例えば、亜硫
酸2重能硫酸、チオ値、酸、亜ジチオン酸等の基音意味
する。
酸2重能硫酸、チオ値、酸、亜ジチオン酸等の基音意味
する。
メッキ浴中に加えられるチオシアン酸塩、チオ尿素、硫
鹸の酸化数が5以下のオキソI′W塩の洟変は、化合物
中のイ1市鹸の−で[101モルrAll[以上、1.
0モル真1以下、好ましくはα05モル′1m変以上、
1モルフ4111以下の範囲で用いることが望ましい。
鹸の酸化数が5以下のオキソI′W塩の洟変は、化合物
中のイ1市鹸の−で[101モルrAll[以上、1.
0モル真1以下、好ましくはα05モル′1m変以上、
1モルフ4111以下の範囲で用いることが望ましい。
4iWt黄化合物の#1昼″が0.01モル′m!f未
満の場合は得られるニッケルメッキ表面の水素過電圧の
低下が不充分であり、−また1、0モル濃度をこえると
メッキ掖114にとの密着性が不良となる。
満の場合は得られるニッケルメッキ表面の水素過電圧の
低下が不充分であり、−また1、0モル濃度をこえると
メッキ掖114にとの密着性が不良となる。
さらに、本発明で月1いZ、ニッケルメッキ浴中に適瞬
のアンモニウムイオン音訓えることにより、得られる被
膜の密着性i丁自好となり、またメッキの敲覆力も増大
し、さらに強固な特性ケもつ被膜表面ケ得ることができ
る。
のアンモニウムイオン音訓えることにより、得られる被
膜の密着性i丁自好となり、またメッキの敲覆力も増大
し、さらに強固な特性ケもつ被膜表面ケ得ることができ
る。
メッキ浴中に加えられるアンモニウムイオンの11−1
チオシア/「W1傭、チオ尿素、硫黄の酸化数が5以下
のオキソ酸塩等の硫黄化合物中の値数の瞳に対し少なく
ともα5倍モル濃度以−ヒ用いることが好ましく、上限
は特に制限されず、飽和濃度まで許される。
チオシア/「W1傭、チオ尿素、硫黄の酸化数が5以下
のオキソ酸塩等の硫黄化合物中の値数の瞳に対し少なく
ともα5倍モル濃度以−ヒ用いることが好ましく、上限
は特に制限されず、飽和濃度まで許される。
本発明で用いるニッケルメッキ浴中に分散させるフッ素
樹脂として汀、ポリ4フフ化エチレン樹脂、47ツ化エ
チレン−67)化プロピレン共重合樹脂、3フッ化塩化
エチレン#l脂等、市販されているフッ素樹脂ケ用いる
ことができるが、高温、高#度のアルカリ浴液中の水素
発生用電接としては、耐久性、耐食性の而からポリ4フ
フ化エチレン樹脂?用いることが好ましい。
樹脂として汀、ポリ4フフ化エチレン樹脂、47ツ化エ
チレン−67)化プロピレン共重合樹脂、3フッ化塩化
エチレン#l脂等、市販されているフッ素樹脂ケ用いる
ことができるが、高温、高#度のアルカリ浴液中の水素
発生用電接としては、耐久性、耐食性の而からポリ4フ
フ化エチレン樹脂?用いることが好ましい。
可溶性含硫黄化合物ケ含むニッケルメッキ浴中にフッ素
樹脂を分散させることにより、メッキの密着性は−j−
向上し、その結果、優れた耐久性、耐食性を示す電極が
得られる。このことばおそらくメッキ被膜中に分散した
フッ素樹脂がバインダー的な役割ケはたしているものと
推察される。又、フッ素樹脂ケ分散させたメッキ破嘆汀
、フッ素樹脂ケ分散させないメッキ被膜に比較してわず
かではめるが、より低い水素過電圧を示す。
樹脂を分散させることにより、メッキの密着性は−j−
向上し、その結果、優れた耐久性、耐食性を示す電極が
得られる。このことばおそらくメッキ被膜中に分散した
フッ素樹脂がバインダー的な役割ケはたしているものと
推察される。又、フッ素樹脂ケ分散させたメッキ破嘆汀
、フッ素樹脂ケ分散させないメッキ被膜に比較してわず
かではめるが、より低い水素過電圧を示す。
術のように、イオン交1φIl1分はさみ、狭い陽陰極
間距離で′電解する場イ1、従来の′電極に比較して水
素過電圧の低下分以上に、大巾に浴電圧の低下が得られ
ることである。この理由は定かではないが以下のような
理由によるものではないかと推察される。
間距離で′電解する場イ1、従来の′電極に比較して水
素過電圧の低下分以上に、大巾に浴電圧の低下が得られ
ることである。この理由は定かではないが以下のような
理由によるものではないかと推察される。
即ち、イオン交11!!lll1A法良塩市解において
は、その浴電圧は、水゛ケ、1語幸を発生するための分
解電圧、陽−陰極の、IAII屯圧、イオン交換膜によ
る電圧降下、1〜!会陰忰′¥各甫、yH液による′市
圧降下等により構成される。これらの曹素tJ1特に電
極から発生するガス気泡が市、極とイオン交換膜間に分
散。
は、その浴電圧は、水゛ケ、1語幸を発生するための分
解電圧、陽−陰極の、IAII屯圧、イオン交換膜によ
る電圧降下、1〜!会陰忰′¥各甫、yH液による′市
圧降下等により構成される。これらの曹素tJ1特に電
極から発生するガス気泡が市、極とイオン交換膜間に分
散。
滞留する度合によって変化する。例えば、膜面上にガス
気泡が伺漕すると、その付着面は膜中金泥れるイオン電
流、イさえき゛るデッド・スペースとなり、その結果、
IIIハ’i” j 、4.山、圧降下ケ増大させるこ
ととなる。又、l?!i液中に分11々したガス気泡も
同様に′電解液中の電圧降下葡増大させることとなる。
気泡が伺漕すると、その付着面は膜中金泥れるイオン電
流、イさえき゛るデッド・スペースとなり、その結果、
IIIハ’i” j 、4.山、圧降下ケ増大させるこ
ととなる。又、l?!i液中に分11々したガス気泡も
同様に′電解液中の電圧降下葡増大させることとなる。
従って、′電極とイオン文学膜間に分散、滞留するガス
気泡をいかに少なくするか、カス気泡の除去全いかにス
ムーズにするかが、このようなイオン交換膜法食哩屯解
技術の重要な課叩となっている。
気泡をいかに少なくするか、カス気泡の除去全いかにス
ムーズにするかが、このようなイオン交換膜法食哩屯解
技術の重要な課叩となっている。
特に、嗅面−トのガスの利着は、股の抵抗が電解液の抵
抗に対し、1オ一ダ以上高いために、大巾に浴′亀圧ケ
上ゼさせる1m因となると考えられる。
抗に対し、1オ一ダ以上高いために、大巾に浴′亀圧ケ
上ゼさせる1m因となると考えられる。
一般のイオン交換喚法食塩車屏技術のように、狭い陽陰
極間距離、膜/電極間距離で電解する場什、最もガスの
付着しや丁い領域(疎水性領域)は膜表面であるため、
′開極より発生したガス気泡のかなりの部分が膜表面に
滞留するようになる0、一方、本発明の′電極において
(1、表面のメッキ被喚中に分散したフッ素樹脂がrl
i、@iより発生したガス気泡を捕え、その結果、膜面
上に付着するガス気泡ケ減少させることにより、従来の
市惨に比較して水素過電圧の低下分以上に大巾に浴電圧
の低下が得られるものと考えられる。
極間距離、膜/電極間距離で電解する場什、最もガスの
付着しや丁い領域(疎水性領域)は膜表面であるため、
′開極より発生したガス気泡のかなりの部分が膜表面に
滞留するようになる0、一方、本発明の′電極において
(1、表面のメッキ被喚中に分散したフッ素樹脂がrl
i、@iより発生したガス気泡を捕え、その結果、膜面
上に付着するガス気泡ケ減少させることにより、従来の
市惨に比較して水素過電圧の低下分以上に大巾に浴電圧
の低下が得られるものと考えられる。
メッキ浴中に加えられる7)素#脂の分e /# 11
tはa1〜50p、の範囲で用いられる。フッ素樹脂の
分散#度が上記−譲:]1Fの場合は、得られる電極の
蜜漬性が小充分となり、父、上記濃度以上の過大なフッ
素111 ++>r’(r加えると、もはや均一な分散
が畦かしくなり、メソギトψ作が困難となる。
tはa1〜50p、の範囲で用いられる。フッ素樹脂の
分散#度が上記−譲:]1Fの場合は、得られる電極の
蜜漬性が小充分となり、父、上記濃度以上の過大なフッ
素111 ++>r’(r加えると、もはや均一な分散
が畦かしくなり、メソギトψ作が困難となる。
用いるフッ素樹脂の粒径t、[、一般に10μ以下、好
ましくは1μ以下の範囲で用いられる。これはメッキ浴
中でフッ素樹脂の均一分散の状態會得るために必要であ
る。きらに1フツ素樹脂の分散メッキを行うためにr、
丁、ガス吹込法、液循墳法、+j&械的な攪拌機を月1
いるhfl’:、あるいはマグネティック・スターラー
による方法等、適度な攪拌方法ケ用いることが必要であ
る。
ましくは1μ以下の範囲で用いられる。これはメッキ浴
中でフッ素樹脂の均一分散の状態會得るために必要であ
る。きらに1フツ素樹脂の分散メッキを行うためにr、
丁、ガス吹込法、液循墳法、+j&械的な攪拌機を月1
いるhfl’:、あるいはマグネティック・スターラー
による方法等、適度な攪拌方法ケ用いることが必要であ
る。
なお、本発明で用いるメッキ浴中には、上記の成分の他
に、イnられる表+F+i 波II1. (I−不都合
ならしめない限り、通常のメッキで用いられる界面活性
剤や他の可削性J焦(r加えることもπ(:される。例
えば、ニッケルメッキと6によ<用いられるホウ酸等の
緩衝剤の使用d1杢発明で用いるニッケルメッキ被H社
の特性ゲーj−1好ならしめる場合もあり、好適成分と
して本発明で用いるメッキ浴に加えられる場合もある。
に、イnられる表+F+i 波II1. (I−不都合
ならしめない限り、通常のメッキで用いられる界面活性
剤や他の可削性J焦(r加えることもπ(:される。例
えば、ニッケルメッキと6によ<用いられるホウ酸等の
緩衝剤の使用d1杢発明で用いるニッケルメッキ被H社
の特性ゲーj−1好ならしめる場合もあり、好適成分と
して本発明で用いるメッキ浴に加えられる場合もある。
−iだ、本発明で用いるメッキの操作中性は、特に厳密
な制限を受けないが、通常、室温より70℃程度の温眩
面)囲、01〜10A/血2程度の電流密度範囲で行わ
れる。捷た、本発明の電極を与えるためには、基材の前
処理として、脱脂、酸洗、電解洗浄等の通常の前処理方
法や、エツチング処理、プラスト処理、さらには化学的
。
な制限を受けないが、通常、室温より70℃程度の温眩
面)囲、01〜10A/血2程度の電流密度範囲で行わ
れる。捷た、本発明の電極を与えるためには、基材の前
処理として、脱脂、酸洗、電解洗浄等の通常の前処理方
法や、エツチング処理、プラスト処理、さらには化学的
。
電気的研轡等、任意の前処理方法7選ぶことができる。
さらに、基材と本発明のフッ素樹脂分散ニッケルメッキ
被膜との間に、適当な中間メッキ、例えば、銅メッキ、
ニッケルメッキ等の中間メッキ紫施こすことはメッキの
密着性を一層良好ならしめ、その結果、得られる電極の
耐久性、耐食性ゲ一層良好ならしめる場合もあり、本発
明のフッ素樹脂分散ニッケルメッキ表向被膜の持つ特質
ケ失なわない範囲において、これら中間メッキヶ施こし
ても良い。
被膜との間に、適当な中間メッキ、例えば、銅メッキ、
ニッケルメッキ等の中間メッキ紫施こすことはメッキの
密着性を一層良好ならしめ、その結果、得られる電極の
耐久性、耐食性ゲ一層良好ならしめる場合もあり、本発
明のフッ素樹脂分散ニッケルメッキ表向被膜の持つ特質
ケ失なわない範囲において、これら中間メッキヶ施こし
ても良い。
以上のように、金楕からなる基体表面に可潜性含硫黄化
合物を含+Irニッケルメッキ浴中にフッ素樹脂ケ分赦
させたメッキ浴會用い分散メッキヶ施こすことにより、
潰れた耐久性、耐食性全示し、特に低い本末過密、川?
r lψ1川間椎間維持かつ、大巾に浴電圧全低下させ
ることシ(より、エネルギー効率の極めてff41い市
3惨紮与えることができる。
合物を含+Irニッケルメッキ浴中にフッ素樹脂ケ分赦
させたメッキ浴會用い分散メッキヶ施こすことにより、
潰れた耐久性、耐食性全示し、特に低い本末過密、川?
r lψ1川間椎間維持かつ、大巾に浴電圧全低下させ
ることシ(より、エネルギー効率の極めてff41い市
3惨紮与えることができる。
以下、実施例ケ述べるが、本発明はこれに限定されるも
ので1ない。
ので1ない。
実施例1.比@ 1ull 1
電極故材として軟′J−岐で4nnX5tMの大きさの
半インナサイズのエキスバンドメタル(短径ZO闘、陵
径12.7 txm )を用い、央輛例1として以下の
ような試料ケ作成し7た。
半インナサイズのエキスバンドメタル(短径ZO闘、陵
径12.7 txm )を用い、央輛例1として以下の
ような試料ケ作成し7た。
即ち、基材ケ脱脂、酸洸等の、山常の前処理の後に、以
下に示すメッキ面、メッキ条件?用いてフッ素樹脂の分
散メソキ全行っに0即ち、可溶性含#L黄化合物ケ含む
ニッケルメッキ浴としては、硫酸ニッケル0.91 M
/ t 、 、l′M化ニッケルα19M/l、ホウ酸
α49M/j、チA尿* a 10 M/1よりなるメ
ッキ浴を建浴し、分散させるフッ素樹脂としては、ポリ
4フツ化エチレン、ダイキン工業社製ポリフロンディス
パージョンD−1(ポリフロン平均粒径約α3μ、ポリ
フロン粒子含有量60%)ケ用い、これi1m//メッ
キ浴中に攪拌下のもとで添加して均一に分散させた。
下に示すメッキ面、メッキ条件?用いてフッ素樹脂の分
散メソキ全行っに0即ち、可溶性含#L黄化合物ケ含む
ニッケルメッキ浴としては、硫酸ニッケル0.91 M
/ t 、 、l′M化ニッケルα19M/l、ホウ酸
α49M/j、チA尿* a 10 M/1よりなるメ
ッキ浴を建浴し、分散させるフッ素樹脂としては、ポリ
4フツ化エチレン、ダイキン工業社製ポリフロンディス
パージョンD−1(ポリフロン平均粒径約α3μ、ポリ
フロン粒子含有量60%)ケ用い、これi1m//メッ
キ浴中に攪拌下のもとで添加して均一に分散させた。
このメッキ浴會用いて、湛度り0℃、′醒流密v1A/
血2のメッキ条件で2時間メッキした。
血2のメッキ条件で2時間メッキした。
一方、比較例1としては、フッ素樹脂を分散させないこ
との他は実施例1と同一の浴組成、メッキ条件のもとに
ニッケルメッキを行った。
との他は実施例1と同一の浴組成、メッキ条件のもとに
ニッケルメッキを行った。
これら二つの試料を、30wt%NaOH浴液中で白金
を陽極とし、温度90℃、試料の外周面積に対し、50
A 78m”の電解条件で20日間陰極として1史用
しfc。
を陽極とし、温度90℃、試料の外周面積に対し、50
A 78m”の電解条件で20日間陰極として1史用
しfc。
表i vc各例の陰極電位の測定結果ならびに20日後
の表面状態ケ示す。なお、基材として柱jIAた軟嘲製
試料の陰極電位に−1,35Vvθ、Hシ乍gOであっ
た。表1より明らかなように、本発明の実輛例1は良好
な密着性ケ示し、極めて低い水素過電圧を維持している
。
の表面状態ケ示す。なお、基材として柱jIAた軟嘲製
試料の陰極電位に−1,35Vvθ、Hシ乍gOであっ
た。表1より明らかなように、本発明の実輛例1は良好
な密着性ケ示し、極めて低い水素過電圧を維持している
。
一方、比較例1にνいてt」−蜜漬性が不良であり、電
極性能も劣化していイ)。−\[〕にこの実施例1の試
料ケ50[]]間連続1.−c回び)条件で’ME解試
験ケ行全行ところ、陰極市1位+j、filば一定であ
ね、かつメッキ層が刊tilIl−Jイ)ようろ、問題
もなかった。
極性能も劣化していイ)。−\[〕にこの実施例1の試
料ケ50[]]間連続1.−c回び)条件で’ME解試
験ケ行全行ところ、陰極市1位+j、filば一定であ
ね、かつメッキ層が刊tilIl−Jイ)ようろ、問題
もなかった。
表1 実lイtil′I11.比較例1以上のように本
発明の実施例1は、極めて低い水素過電1圧を長lυ1
間維持しており、優れた耐食性。
発明の実施例1は、極めて低い水素過電1圧を長lυ1
間維持しており、優れた耐食性。
耐久性ケ示す1N、極を与えることがわかる。
実施例2
電極基材としてニッケル製で4 tyn X 5 cm
の大きさの半イ/テサイズのエキスバンドメタルゲ用い
通常の前処理の後に、以下に示すメッキ浴、メッキ条件
を用いてフッ素樹脂の分散メッキを行った。
の大きさの半イ/テサイズのエキスバンドメタルゲ用い
通常の前処理の後に、以下に示すメッキ浴、メッキ条件
を用いてフッ素樹脂の分散メッキを行った。
即ち、可溶性含硫黄化合物ヲ含むニッケルメッキ浴とし
ては、塩化ニッケルn 5 M/!、チオシアン酸ナト
リウム0.2M/l、tJi化アンモニウム05M/l
、ホウ酸α4M/!よりなるメッキ浴を建浴し、分散さ
せるフッ素(至)脂としては、実施例1で用いたポリ4
フフ化エチレンのディスパージョン液(ダイキン工業社
製、ポリフロンディスパージョンD−1,ポリフロン平
均粒径約0.3μ。
ては、塩化ニッケルn 5 M/!、チオシアン酸ナト
リウム0.2M/l、tJi化アンモニウム05M/l
、ホウ酸α4M/!よりなるメッキ浴を建浴し、分散さ
せるフッ素(至)脂としては、実施例1で用いたポリ4
フフ化エチレンのディスパージョン液(ダイキン工業社
製、ポリフロンディスパージョンD−1,ポリフロン平
均粒径約0.3μ。
ポリフロン粒子含有量6o%)r純水にて10襲の晴度
に希釈したもの25m17tメツキ浴中に攪拌下のもと
で添加して均一に分散させた。
に希釈したもの25m17tメツキ浴中に攪拌下のもと
で添加して均一に分散させた。
このメッキ浴を用いて、温変り0℃、電流密度2A /
th”のメッキ条件で2時間メッキした。
th”のメッキ条件で2時間メッキした。
この試料全実施例1と同一条件で100日間陰極として
使用した。この測定の間、陰極′電位は−1,04〜−
1,07Vvs、 Hg/IrgOで、tlぼ一定の値
を示し、剥1iatの問題もなく蜜漬P1−も良好であ
っfc。
使用した。この測定の間、陰極′電位は−1,04〜−
1,07Vvs、 Hg/IrgOで、tlぼ一定の値
を示し、剥1iatの問題もなく蜜漬P1−も良好であ
っfc。
なお、基材とし”C)11いたニッケルのエキスバンド
メタルの陰極筒1位tコ、−1,37Vvs、 Hg7
4(g。
メタルの陰極筒1位tコ、−1,37Vvs、 Hg7
4(g。
であった。
以上のように、本発明の実施例2は極めて低い水素過電
圧をに曲間維持しており、優れた耐食性。
圧をに曲間維持しており、優れた耐食性。
耐久性を示す’rl+、極ケ与えることがわかる。
実施例3
電極基材として実施例2で用いたニッケル製のエキスバ
ンドメタル(半インナザイズ、14c1nX14m角)
を用い、通常の前処理の後に以下に示すメッキ浴、メッ
キ条件を用いてフッ素樹脂の分散メッキ全行った。即ち
、可溶性含硫黄化合物を含むニッケルメッキ浴としては
、塩化ニッケルα5M/!、、チオ尿←CL3M/l、
塩化アンモニウム1.OM/lよりなるメッキ浴を建浴
し、分散させるフッ素樹脂としては実施例1で用いたポ
リ4フフ化エチレンのディスパージョン液(ダイキーA
C( /工業社製、ポリフロンディスパージョンD−1゜ポリ
フロン平均粒径約03μ、ポリフロン粒子含有量60%
) f 2 me / lメッキ浴中に攪拌下のもとで
添加して均一に分散させた。このメッギ浴ケ用いて温用
−60℃、屯帷密1赳−I A / clrn’のメッ
キ条件で6時間メツキレし この試料ケ陰極として陽イオン交換膜全使用し陽徐とし
てTi上にRuO2−Ti O,被膜?有するDSAタ
イプのエキスバンドメタルを用いて、下記のψ件で食塩
水ケミ解した。なお、比較のため陰極としてニッケル製
エキスバンドメタル(、tllいて同一の条件で電解全
行った。
ンドメタル(半インナザイズ、14c1nX14m角)
を用い、通常の前処理の後に以下に示すメッキ浴、メッ
キ条件を用いてフッ素樹脂の分散メッキ全行った。即ち
、可溶性含硫黄化合物を含むニッケルメッキ浴としては
、塩化ニッケルα5M/!、、チオ尿←CL3M/l、
塩化アンモニウム1.OM/lよりなるメッキ浴を建浴
し、分散させるフッ素樹脂としては実施例1で用いたポ
リ4フフ化エチレンのディスパージョン液(ダイキーA
C( /工業社製、ポリフロンディスパージョンD−1゜ポリ
フロン平均粒径約03μ、ポリフロン粒子含有量60%
) f 2 me / lメッキ浴中に攪拌下のもとで
添加して均一に分散させた。このメッギ浴ケ用いて温用
−60℃、屯帷密1赳−I A / clrn’のメッ
キ条件で6時間メツキレし この試料ケ陰極として陽イオン交換膜全使用し陽徐とし
てTi上にRuO2−Ti O,被膜?有するDSAタ
イプのエキスバンドメタルを用いて、下記のψ件で食塩
水ケミ解した。なお、比較のため陰極としてニッケル製
エキスバンドメタル(、tllいて同一の条件で電解全
行った。
電解条件
陽極室Naclim度 210±5ぢ
陰極室Na0)1 麟朋32〜33 wt%浴温度
90℃ 陽・陰極間距離 約2tan − 表2にノん材として用いたニッケル製陰極の場合と、本
発明の陰陰り6ついで、dO電初ルjの陰極電位値と半
年間経過後の陰極電位値、さらには浴電圧の値紫示す。
90℃ 陽・陰極間距離 約2tan − 表2にノん材として用いたニッケル製陰極の場合と、本
発明の陰陰り6ついで、dO電初ルjの陰極電位値と半
年間経過後の陰極電位値、さらには浴電圧の値紫示す。
表2 実施例3.比較ニッケル極
以上のように、本発明の実施例3は優れた耐久性、耐食
性ケ示し、かつニッケル極に比較して500mV−55
0…v 4’+i、低い水素過電圧全長期間維持し、さ
らに浴出、用については、水素過電圧の低下分以上に入
111に低1・−シ、400mV〜450mV程低い(
lI!lがflられてJ?す、エネルギー効率の極めて
高い優れた゛成極であることがわかる。
性ケ示し、かつニッケル極に比較して500mV−55
0…v 4’+i、低い水素過電圧全長期間維持し、さ
らに浴出、用については、水素過電圧の低下分以上に入
111に低1・−シ、400mV〜450mV程低い(
lI!lがflられてJ?す、エネルギー効率の極めて
高い優れた゛成極であることがわかる。
Claims (4)
- (1)金属からなる基体表面に、可溶性含硫黄化合物を
含むニッケルメッキ浴中に、7ツ堂樹脂を分散させたメ
ッキ浴を用い分散メッキ?はどこしてなる電解用電極。 - (2) フッ素樹脂の分散接置が1.1〜50%のニ
ッケルメッキ浴を用いて分散メッキをほどこしてなる特
許請求の範囲第il+項記載の電解用電極。 - (3) 可溶性含硫黄化合物を含むニッケルメッキ浴
が、(イ)ニッケル塩及び(ロ)チオ尿素、チオシアン
酸塩及び硫黄の酸化数が5以下のオキソ酸塩からなる群
から選ばれた少なくとも一棟の硫黄含有化合物?含むニ
ッケルメッキ浴よりなる特許請求の範州第(1)項又は
(2)項記載の電解用電極。 - (4)可溶性含硫黄化合物を含むニッケルメッキ、
浴が、(イ)ニッケル塩、(ロ)チオ尿素、チオンアン
酸塩及び硫黄の酸化数が5以下のオキソ酸塩からなる群
から選ばれた少なくとも一欅の硫黄含有化合物及び(ハ
)アンモニウムイオンを含むニッケルメッキ浴よるなる
特許請求の範囲第(1)から(3)項までのいずれかの
項に記載の電解用電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57096975A JPS58213887A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 電解用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57096975A JPS58213887A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 電解用電極 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58213887A true JPS58213887A (ja) | 1983-12-12 |
JPS6261676B2 JPS6261676B2 (ja) | 1987-12-22 |
Family
ID=14179212
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57096975A Granted JPS58213887A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 電解用電極 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58213887A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60121291A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | Tsurumi Soda Kk | アルカリ電解用陰極の製法 |
JPS6141785A (ja) * | 1984-08-03 | 1986-02-28 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 活性陰極の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH059467U (ja) * | 1991-07-16 | 1993-02-09 | 弘江 竹島 | 携帯用ごみ取りシート |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP57096975A patent/JPS58213887A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60121291A (ja) * | 1983-12-05 | 1985-06-28 | Tsurumi Soda Kk | アルカリ電解用陰極の製法 |
JPH052743B2 (ja) * | 1983-12-05 | 1993-01-13 | Tsurumi Soda Kk | |
JPS6141785A (ja) * | 1984-08-03 | 1986-02-28 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | 活性陰極の製造方法 |
JPH0245719B2 (ja) * | 1984-08-03 | 1990-10-11 | Toa Gosei Chem Ind |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6261676B2 (ja) | 1987-12-22 |
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