JPS58212092A - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

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JPS58212092A
JPS58212092A JP9542582A JP9542582A JPS58212092A JP S58212092 A JPS58212092 A JP S58212092A JP 9542582 A JP9542582 A JP 9542582A JP 9542582 A JP9542582 A JP 9542582A JP S58212092 A JPS58212092 A JP S58212092A
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JP
Japan
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heating chamber
frequency
heated
heating
mode
Prior art date
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Application number
JP9542582A
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English (en)
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JPH0349195B2 (ja
Inventor
等隆 信江
楠木 慈
隆 柏本
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、1.S、M、(工業・科学・医事用)周波数
帯の1つである9 16 MHz帯を高周波加熱熱源の
発振周波数とした高周波加熱装置に関するものであり、
さらに詳細に言えば、高周波加熱される被加熱物を収容
する加熱室構成に改善を施こした高周波加熱装置に関す
る。
従来の高周波加熱装置の代表例である電子レンジはI、
S、M、周波数帯の1つである2460MHz帯を高周
波加熱熱源の発’4J+貸J閉波数・)1)にIII用
し−Cいるが、民生機罰として実用的な容V占をイj−
する/Jll熱室構成をとるとき以1・゛の特徴力玉あ
る。
JJII熱室の各・r法(幅・l°法、奥行・1゛法、
高さ1−1法)は、この加熱室励振波侵(約12crr
L)に比してF12〜3倍の、1−法侵を自するため、
この加熱室に?lu加熱物を収容した時に加熱室内に/
1;、する電界分檀iはj+li /Iな)し態をとる
ことになる。ここで4ミした電界分イ1】はすべてがす
べて被加熱物を効率よ〈高周l)ンJJII熱できる分
布ではなく、局所JJII熱という場合もある。このた
め、電子レンジは、加熱室内に4芝し、た′電界分布を
強制的に乱だすスタラーファンとか、11.)所加熱を
防11すべく被加熱物をI+′!1転させるなどの手段
が講ぜられており、付加r灼な機構カニ屹・I冴であっ
た。
本発明はこのような点に鑑み高周波ハ1熱熱1の定臥周
波数を実用的な加熱室各寸法と比肩するところの:[、
S、M、周波数帯の1つである916MHz帯に選定踵
加熱室の各寸法を適当に選択して加熱室内に生ずる電界
分布を限定選択した高周波加州(装置を提供するもので
ある。
第1の目的である、加熱室構成が二次元的に考えられ製
造管理が容易であるとともに実用的な/Ilt熱室底而
噴を面し使い勝手の便をはかることにン・1して加熱室
高さ方向に定在波をもたない。すなわち高さ方向に一様
な′電界分布であるT E、zo+ 七−ドが基本的に
生ずる加熱室構成としている。
第2の目的として、被加熱物の収容される(1’/ i
^に無関係に効率よく高周波加熱が行なえる様にT F
、 201モードの電界分布とは形態が異なる■シW分
4JであるところのTE111モードが生ずるべく加熱
室高さ方向寸法を規定している。
第3の目的として、被加熱物の大きさに応じて効率よく
高周波加熱を付なうべく、被加熱物に応じて、]二記2
つの電界分布を切換選択している。
以F本発明を図面を参照して説明する。、置1 第1図は、加熱室に生ずる電界分布と被加熱物の位置お
よび量をパラメータとし 加熱室特ゼ1を示す図である
(a) 、 (b)図において、1はT R2o+−r
ニード、2はTE+++モードを示し、3はT li:
 2(N モード励振時の加熱室励振アンテナ、4はT
E+++モード励振時の加熱室励振アンテナである。ま
た加熱室の幅・1°法Wを36m、高さ寸法Hを19(
ll’m、奥行寸θ、を37cInとした時の加熱室特
性を(C1図に示す。
101図はh1°l軸が加熱室共振周波数を示し、縦軸
が負4+1 jljを示す。△J帯域が915MHz帯
である。ここで負荷は水負荷を用いている。(&)図は
水負荷を加熱室底壁面の中央部に置いた時を示し、(b
)図は加陳(室実行方向に対する中央線」−に2ヶ並べ
た時を71′:、シている。
ここで特性を説明する^11に加熱室共振周波数につい
て説明する。
1、(本釣な解釈として、加熱室内に被加熱物がない場
合を考える。
加熱室が理想的な大面、、′体からなる空胴共振器とす
ると、加熱室共振周波数fは で与えられる。ここでVは光速、W、H,Dはそれぞれ
加熱室の幅寸法、高さ寸法、奥行寸法、m。
n、sはそれぞれ各加熱室の幅方向に生ずる定4波の数
、高さ方向に生ずる定在波の数、奥行方面に生ずる定在
波の数である。
第1図の加熱室寸法においては無負荷時の各モード共振
周波数はTE2o+が926.I MHz 、TK++
+が979.7M血である。
この加熱室共振周波数は加熱室内に誘電体である被加熱
物が存在することにより変化する。被加熱物が誘電体で
あることから、波長圧縮が生じるため、共振周波数は低
い方へ変化する。
この変化特性は水負荷量および負荷の置かれた位置をパ
ラメータにして示したものが(C)図である。
ところでこの加熱室共振周波数は被加熱物を効率よく高
周波加熱する上で重要なパラメータである。なぜなら、
加熱室が共振する時がその共振周波数の近傍の周波数帯
域において最も多くの高周波パワーが加熱室内に存在し
ているため、より早く被加熱物を高周波加熱することが
できるから、(C)図の特性を見ると、TE+++モー
ド励振においては負荷の置かれる位置に対する共振周波
数の変化特性はTg2o+モードに比べて小さい艮所が
ある1、一方、負荷量に対する共振周波数の変化をみる
と、TE2o+モード励振で負荷を加熱室底壁面の略中
火部に置いた時が非常に少ない変化である。この両者の
特長を統合したものが本発明である。すなわち、加熱室
底壁面の略中央部にのみ被加熱物が置かれる場合にはT
Ezo+モード励振をF−1加熱室底壁面内に広勧囲に
疲加熱物が置かれる場合には、その量によりT E 2
o+モード励振かTE+++モード励振かを選択するも
のである。
第2図は本発明一実施例を示す高周波加熱装置の構成図
である。
被加熱物(図示していない)を収容する加熱室6は、9
1 s MHz帯の周波数帯において高さ方向に定在波
をもたないTE2旧モードが生ずる様に構成された底壁
面を有し、被加熱物の高さが加熱室の高さ寸法の約半分
で水負荷量に換算して約1000CCの時に916 M
Hzにて加熱室がTKN+モード共振をする様に高さ方
向寸法が決められた構造からなっている。   ゛ 915 MHz帯の発振周波数を有する高周波加熱熱源
6にて発生した高周波パワーは、被加熱物に応じて切換
選択された加熱室励振アンテナ7または8から加熱室内
へ放射される。9は2つの■力振アンテナの選択切換を
する同軸切換スイッチである。図は、TE2o+モード
励振がなされる状態を示している。
なおこの同軸切換スイッチの制御信号は、ユーザーが手
動で入力す〜る方式でもよいし、被加熱物の大きさを自
動検出して制御信号を自動入力する方式でもよい。
以上本発明は、1.S、M、周波数帯の1つである91
sMHziを発振周波数に有する高周波加熱装置におい
て、前記周波数帯において加熱室高さ方向に定在波をも
たな’II T g 201モードが生ずる加熱室の高
さ方向寸法を酌ね周波数帯においてT E 111モー
ドが生ぜしめる寸法にて規定し、被加熱物に応じて、こ
れら2つのモードを選択切換した。1b周波加熱装置を
提供するものであり、(1)被加熱物に応じてまた被加
熱物の収容位置に応じて高効率な高周波加熱が1rなえ
る0(2)′電界分布が把握できるため、使い勝手が向
」−する。
(3)  TR2o+モードを基本としているため、加
熱室高さ方向の寸法管理が容易である。
(4)高さ寸法を適当に規定するだけで所望のTE++
+モードを生せしめることができる。 −′:9の効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は加熱室に生ずる電界分布と被加熱物の1、′l
置およびIN゛をパラメータとした加熱室特性を示す図
、第2図は本発明一実施例を示す高周波加熱シ冒iTの
+1/#成図である1゜ 6・・・・・・加熱室、6・・・・・・915MH2帯
を発振周波数に有する高周波加熱熱源、9・・・・・・
同軸切換スイッチ。′1・□ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2国

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、S、M、周波数帯の1つである9 15 MHz帯
    を発振周波数に有する高周波加熱熱源と、前記周波数帯
    において高さ方向に定在波を有さないTE2φ1モード
    を生ずる加熱室とを具備し、′前記加熱室の高さ方向寸
    法を前記周波数帯において1)i(記加熱室内にTK+
    ++  モードを生せしめる寸法とし、前記加熱室に収
    容する被加熱物に応じて1)1[記2つのモードを選択
    制御した高周波加熱装置。
JP9542582A 1982-06-03 1982-06-03 高周波加熱装置 Granted JPS58212092A (ja)

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JP9542582A JPS58212092A (ja) 1982-06-03 1982-06-03 高周波加熱装置

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JPS58212092A true JPS58212092A (ja) 1983-12-09
JPH0349195B2 JPH0349195B2 (ja) 1991-07-26

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