JPS58207870A - 倍電圧整流チヨツパ回路 - Google Patents
倍電圧整流チヨツパ回路Info
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- JPS58207870A JPS58207870A JP9019282A JP9019282A JPS58207870A JP S58207870 A JPS58207870 A JP S58207870A JP 9019282 A JP9019282 A JP 9019282A JP 9019282 A JP9019282 A JP 9019282A JP S58207870 A JPS58207870 A JP S58207870A
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- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
- H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/06—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
- H02M7/10—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode arranged for operation in series, e.g. for multiplication of voltage
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、倍電圧整流回路に関し、特に、全沢倍１、圧
整流回路とリンキングチ三ンバを時分割で切替えるよう
にした倍を圧整流チョッパ回路ＶＣ関するものてりる。
整流回路とリンキングチ三ンバを時分割で切替えるよう
にした倍を圧整流チョッパ回路ＶＣ関するものてりる。
従来、倍電圧整流回路としては第１図に示すような回路
が実用化されているが、コノテン′！Ｆ４．５は交流電
源１のそれぞれ←）、←）のブイクルにそれぞれダイオ
ード２．３により半波（流さｎて光電されるために、コ
ンデンｔ４．５のリンプル奄流電圧が大キく、コンデン
サ４．５を小形化することが出来ない欠点があった。
が実用化されているが、コノテン′！Ｆ４．５は交流電
源１のそれぞれ←）、←）のブイクルにそれぞれダイオ
ード２．３により半波（流さｎて光電されるために、コ
ンデンｔ４．５のリンプル奄流電圧が大キく、コンデン
サ４．５を小形化することが出来ない欠点があった。
第２図は従来の別の昇圧形チヨツパを示す（のてあす、
１１は交流％源 １２〜１５はブリッジ？、瓜の整流乏
°イオード、１６は牛４体２インチ、１７ Ｌ’：Ｌ、
ｆ’イオード、１８はコンデンサ、１９を；１°ン憂
？炎二パ、；、１ある。
１１は交流％源 １２〜１５はブリッジ？、瓜の整流乏
°イオード、１６は牛４体２インチ、１７ Ｌ’：Ｌ、
ｆ’イオード、１８はコンデンサ、１９を；１°ン憂
？炎二パ、；、１ある。
鵬２図において、生得２体スイッチ１６が゛′オン′す
ると、交流ｔ６ζ１１が（±のプーイリスクにおいては
、ダ−１ｙｒ ！’１２、インダクタン′ス１９、半
導体スイッチ１６、タイオード１５の回１路で−流が流
れ、インダクター・ス１９の１トに時間とともに次の式
（１）で上マキ−Ｌ −、−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−、（’、ン昇
して行く。上式において、Ｌにインダクタンス１９の１
直、υは交流覧嫁１１がダイオード１２１５により整流
された電圧１区、’Ｉｃ時間である。
ると、交流ｔ６ζ１１が（±のプーイリスクにおいては
、ダ−１ｙｒ ！’１２、インダクタン′ス１９、半
導体スイッチ１６、タイオード１５の回１路で−流が流
れ、インダクター・ス１９の１トに時間とともに次の式
（１）で上マキ−Ｌ −、−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−、（’、ン昇
して行く。上式において、Ｌにインダクタンス１９の１
直、υは交流覧嫁１１がダイオード１２１５により整流
された電圧１区、’Ｉｃ時間である。
ここで、インダクタンス１９の整流が工のときに半導体
スイッチ１６が５オフ”すると、インダクタンス１９に
蓄稿妬れたエイ・ルギ１ＡＬ Ｉ はダイオード１３
〜１２．１５〜１４、インダクタンス１９、ダイオード
１７、コンデンｖ１８の回路で、消費され、コンデンサ
１８の光ｔ、を流に変換される。
スイッチ１６が５オフ”すると、インダクタンス１９に
蓄稿妬れたエイ・ルギ１ＡＬ Ｉ はダイオード１３
〜１２．１５〜１４、インダクタンス１９、ダイオード
１７、コンデンｖ１８の回路で、消費され、コンデンサ
１８の光ｔ、を流に変換される。
交流１嫁１１が（ハ）のブイクルにおいてに、前記のダ
イオード１２．１５のかわりにダイオード１３．１．４
が動作する以外は全く同様である。
イオード１２．１５のかわりにダイオード１３．１．４
が動作する以外は全く同様である。
このように、半導体スイッチ１６の６オン°゛、１オフ
”によりコンデンサ１８は児寛され、負荷電力＝供給ｔ
カとなってバランスするまで、電圧か上昇するいわゆる
昇圧形チョッパとして１１作し７、ｔ＝荷電、力と供給
を刀によっては倍（圧な−かＬ回路と市１便力動きをす
る。
”によりコンデンサ１８は児寛され、負荷電力＝供給ｔ
カとなってバランスするまで、電圧か上昇するいわゆる
昇圧形チョッパとして１１作し７、ｔ＝荷電、力と供給
を刀によっては倍（圧な−かＬ回路と市１便力動きをす
る。
ここで、牛４％スインテ１６の°°オン”、１オフ”の
周期をＴ１半導体スイッチ１６の６オン″期間をτとす
ると、半導体スイッチ１６が゛オフ”した瞬時のインダ
クタンス１９の整流４１１次の式（２）に示すｉ ＝
”；！ ｔ 、−−−−−−−−−、、−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−＋２１如
くなる。ここで、Ｌを一定、τを一定とすると、インダ
クタンス１９の電流〈はＥに比例する。従って、コンデ
ンサ１８のリップル電流は、交流１１’、１１の全波整
流波形状の電流が流れるから、第１図の回路よりリップ
ル電流が改善される。良に、リンプル電流を減らすため
には、交流を源１１の全波整流を圧の谷間の低い電圧期
間において、τ、／’ｊ’ｉ大キク、同上のピークの電
圧に近い点においてはＴ２今を小さくすることにより解
決される。即ち、イン、 Ｆ ダクタンス１９の電流ｉが””７τ＝一定となるように
半導体スイッチ１６の”オン″、′オフ”を制σすれば
よい。
周期をＴ１半導体スイッチ１６の６オン″期間をτとす
ると、半導体スイッチ１６が゛オフ”した瞬時のインダ
クタンス１９の整流４１１次の式（２）に示すｉ ＝
”；！ ｔ 、−−−−−−−−−、、−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−＋２１如
くなる。ここで、Ｌを一定、τを一定とすると、インダ
クタンス１９の電流〈はＥに比例する。従って、コンデ
ンサ１８のリップル電流は、交流１１’、１１の全波整
流波形状の電流が流れるから、第１図の回路よりリップ
ル電流が改善される。良に、リンプル電流を減らすため
には、交流を源１１の全波整流を圧の谷間の低い電圧期
間において、τ、／’ｊ’ｉ大キク、同上のピークの電
圧に近い点においてはＴ２今を小さくすることにより解
決される。即ち、イン、 Ｆ ダクタンス１９の電流ｉが””７τ＝一定となるように
半導体スイッチ１６の”オン″、′オフ”を制σすれば
よい。
しかしながら、父流寛碗１１の全波整流電圧はθカ、ら
ピーク１直まて変わるために、τ、／１゛の可変幅は０
〜ビーク１匣の幅即ち極めて大幅に制御しなければなら
ない。
ピーク１直まて変わるために、τ、／１゛の可変幅は０
〜ビーク１匣の幅即ち極めて大幅に制御しなければなら
ない。
今、１／Ｔ ＝ ２０ＫＨｚ とし、又流電源１１の整
流電圧のピーク値を１４１■とし、谷間の電圧５■にお
１．７μ８となる、 このように、整流電圧のピークにおいては半導体スイッ
チの１オン”時間τは極めて小さく、半・導体スイッチ
１６のスイッチング損失が大きくなシ、効率が悪くなる
欠点があった。
流電圧のピーク値を１４１■とし、谷間の電圧５■にお
１．７μ８となる、 このように、整流電圧のピークにおいては半導体スイッ
チの１オン”時間τは極めて小さく、半・導体スイッチ
１６のスイッチング損失が大きくなシ、効率が悪くなる
欠点があった。
本発明は従来の孜術に内在する上記欠点を解消する為に
なされたものてわり、従って本発明の目的は、％に２個
の半導体スイッチによりｔ源を圧に応じて交互にあるい
は同時に１オン”、”オフ”させ、全波倍電圧整流と昇
圧形チヨツパの動作を切替、整流整流を平滑して、リッ
プル電流ｔＥＥを極めて小さくするようにし、従って２
１Ｌ；のコンデンサを極めて小形に形成できると共に、
効率のよい新規な倍℃圧篭綜を提供することにある。
なされたものてわり、従って本発明の目的は、％に２個
の半導体スイッチによりｔ源を圧に応じて交互にあるい
は同時に１オン”、”オフ”させ、全波倍電圧整流と昇
圧形チヨツパの動作を切替、整流整流を平滑して、リッ
プル電流ｔＥＥを極めて小さくするようにし、従って２
１Ｌ；のコンデンサを極めて小形に形成できると共に、
効率のよい新規な倍℃圧篭綜を提供することにある。
本発明の上記目的は、交流を源に接続されたブリッジ整
流回路の←）、（ハ）側端子もしくはいづれか一方の端
子にインダクタンスを接続し１．該インダクタンスをツ
して前記ブリッジ整流回路の←Ｌ Ｈ側端子に並列に２
領置列に接続された第１及び第２の半導体スイッチを接
続し、更に前記インダクタンスを通して＠配（ト）、Ｈ
側端子に並列に第１のダイオードと箭１及び第２のコン
デンサ又はパンテリの直列回路と第２のダイオードとの
直列回路を接続し、前記半導体スイッチのｍ列回路の中
点と、前記コンデンサ又はパンテリの直列回路の中点と
を接続して成る倍電圧整流回路と、前記交流を源の電圧
が←）、（ハ）の毎サイクルにおいて基本の電圧もしく
は前記第１及び第２のコンデンサ又はバッテリの充電電
圧より低い期間においては前記第１及び襖２の半導体ス
イッチを同時に１オン”、６オフ゛させ、前配交流′を
源の電圧が前記基準電圧もしくは前記光％電圧より高い
期間においては前記第１及び第２の半導体スイッチを交
互に６オン゛、゛オフ′させるドライブ回路とを有する
ことを特徴とした倍電圧整流チョツノく回路、によって
達成される。
流回路の←）、（ハ）側端子もしくはいづれか一方の端
子にインダクタンスを接続し１．該インダクタンスをツ
して前記ブリッジ整流回路の←Ｌ Ｈ側端子に並列に２
領置列に接続された第１及び第２の半導体スイッチを接
続し、更に前記インダクタンスを通して＠配（ト）、Ｈ
側端子に並列に第１のダイオードと箭１及び第２のコン
デンサ又はパンテリの直列回路と第２のダイオードとの
直列回路を接続し、前記半導体スイッチのｍ列回路の中
点と、前記コンデンサ又はパンテリの直列回路の中点と
を接続して成る倍電圧整流回路と、前記交流を源の電圧
が←）、（ハ）の毎サイクルにおいて基本の電圧もしく
は前記第１及び第２のコンデンサ又はバッテリの充電電
圧より低い期間においては前記第１及び襖２の半導体ス
イッチを同時に１オン”、６オフ゛させ、前配交流′を
源の電圧が前記基準電圧もしくは前記光％電圧より高い
期間においては前記第１及び第２の半導体スイッチを交
互に６オン゛、゛オフ′させるドライブ回路とを有する
ことを特徴とした倍電圧整流チョツノく回路、によって
達成される。
次に本発明をその艮好な一実施例について図面′（ｉｌ
−参照しながら具体的に説明しよう。
−参照しながら具体的に説明しよう。
第３図は本発明の一実施例を示す回路本成図である。図
に２いて、参照番号１１は交流電源、１２〜１式ブリッ
ジ構成された整流ダイオード、１６．２０は半導体スイ
ッチ、１７．２１は整流ダイオード、１８、Ｚはコンチ
ンｆ、１９はインダクタンスをそれぞれ示す。２３は、
交流電源１１のタイオード１２〜１５による全波整流電
圧が内蔵された基準電圧、もしくはコンデンサ１８．２
２の電圧と比較して低い場合には端子２４．２５にそれ
ぞれ７１″ご１″の出力を出し、高い場合には端子２４
．２５にはそれぞれ１″、０７の出力を出すようにした
ドライブ回路であり、端子Ｕは半導体スイッチ１６ヲ”
オン″、”オフ”するように接続され、端子２５は半導
体スイッチ１７を°°万）′、“オフ′するように接続
されていＺ、。
に２いて、参照番号１１は交流電源、１２〜１式ブリッ
ジ構成された整流ダイオード、１６．２０は半導体スイ
ッチ、１７．２１は整流ダイオード、１８、Ｚはコンチ
ンｆ、１９はインダクタンスをそれぞれ示す。２３は、
交流電源１１のタイオード１２〜１５による全波整流電
圧が内蔵された基準電圧、もしくはコンデンサ１８．２
２の電圧と比較して低い場合には端子２４．２５にそれ
ぞれ７１″ご１″の出力を出し、高い場合には端子２４
．２５にはそれぞれ１″、０７の出力を出すようにした
ドライブ回路であり、端子Ｕは半導体スイッチ１６ヲ”
オン″、”オフ”するように接続され、端子２５は半導
体スイッチ１７を°°万）′、“オフ′するように接続
されていＺ、。
今、第４（２）のように、交流電源１１の全汲恢流°魁
圧波形Ａが基準電圧もしくはコンデンサ１８．２２の電
圧Ｂよシ低い期間においては、第３図のドライブ回路２
３の出゛力端子２４．２５の出力波形はそれぞれＣ，Ｄ
のようになる。このと＠第３図の回路で功１作を説明す
ると、交流電源１１の千）のサイクルにおいては、交流
電源１１、ダイオード１２、インダクタンス１９、半導
体スイッチ１６．１７、ダイオード１５の回路で電流が
流れ、次に半導体スイッチ１６．１７が１オフ”するま
での間、インダクタンス１９に％ＬＪ２のエネルギが蓄
積される。ここでＬはインダクタンス１９のＬＳ Ｉは
半導体スイッチ１６ 、１７が６オフ”する瞬間のイン
ダクタンスの電流である。
圧波形Ａが基準電圧もしくはコンデンサ１８．２２の電
圧Ｂよシ低い期間においては、第３図のドライブ回路２
３の出゛力端子２４．２５の出力波形はそれぞれＣ，Ｄ
のようになる。このと＠第３図の回路で功１作を説明す
ると、交流電源１１の千）のサイクルにおいては、交流
電源１１、ダイオード１２、インダクタンス１９、半導
体スイッチ１６．１７、ダイオード１５の回路で電流が
流れ、次に半導体スイッチ１６．１７が１オフ”するま
での間、インダクタンス１９に％ＬＪ２のエネルギが蓄
積される。ここでＬはインダクタンス１９のＬＳ Ｉは
半導体スイッチ１６ 、１７が６オフ”する瞬間のイン
ダクタンスの電流である。
半導体スイッチ１６．１７が６オフ”すると、インダク
タンス１９に蓄積された１ＡＬＩのエネルギはダイオー
ド１３〜１２．１５〜１４、インダクタンス１９、ダイ
オード１７、コンデ／す１８、コンデンサ２２、ダイオ
ード２１の閉回路で消費され、コンテンツ１８．２２の
充ｔ′ａ流に変快さねる。
タンス１９に蓄積された１ＡＬＩのエネルギはダイオー
ド１３〜１２．１５〜１４、インダクタンス１９、ダイ
オード１７、コンデ／す１８、コンデンサ２２、ダイオ
ード２１の閉回路で消費され、コンテンツ１８．２２の
充ｔ′ａ流に変快さねる。
交流（源１１の電圧が（ハ）のサイクルにおいては、又
流電源１１、ダイオード１４、インダクタンス１９、半
導体スイッチ１６．１７、タイオード１３０回路で電流
が流１シ、半導体スイッチ１６．１７の６オフ”により
前記と同様の動作をする。
流電源１１、ダイオード１４、インダクタンス１９、半
導体スイッチ１６．１７、タイオード１３０回路で電流
が流１シ、半導体スイッチ１６．１７の６オフ”により
前記と同様の動作をする。
、このようＶ’ｃｓ電ｉｔ圧が基準電圧もしくはコンデ
ンサ１８．２２の光′亀菟圧より低い電圧においても牛
導坏スイッチの７オン”、１オフ”によるインダクタン
スの電圧変換動作昇圧形チョツノくの動作が行われ、コ
ンデンサ１８．２２には充電がなされる。
ンサ１８．２２の光′亀菟圧より低い電圧においても牛
導坏スイッチの７オン”、１オフ”によるインダクタン
スの電圧変換動作昇圧形チョツノくの動作が行われ、コ
ンデンサ１８．２２には充電がなされる。
次に、第４図において、交流を諒１１の電圧Ａが基準電
圧もしくはコンデ／す１８．２２の′電圧Ｂよシ濁い期
間においては、交流電源１１の（イ）のサイクルに２い
ては、今生導体スイッチ１６が１オン”、１７が”オフ
１とすると、交流’４源１１％ ダイオード１２、イン
ダクタンス１９、半導体スイッチ１６、コンデンサ２２
、ダイオード２１、ダイオード１５の回６でコンデンサ
２２が充電され、次に半導体７１インチ１６が１オフ″
シた直間インダクタンス１９に蓄積さｔｂていた肩ＬＩ
”のエネルギはダイオード〕３〜１２．１５〜１４、イ
ンダクタンス１９、ダイオード１７、コンデンサ１８．
２２、ダイオード２１の回路で消費され、コンデンサ１
８．２２の光％％ｍとして変換される。
圧もしくはコンデ／す１８．２２の′電圧Ｂよシ濁い期
間においては、交流電源１１の（イ）のサイクルに２い
ては、今生導体スイッチ１６が１オン”、１７が”オフ
１とすると、交流’４源１１％ ダイオード１２、イン
ダクタンス１９、半導体スイッチ１６、コンデンサ２２
、ダイオード２１、ダイオード１５の回６でコンデンサ
２２が充電され、次に半導体７１インチ１６が１オフ″
シた直間インダクタンス１９に蓄積さｔｂていた肩ＬＩ
”のエネルギはダイオード〕３〜１２．１５〜１４、イ
ンダクタンス１９、ダイオード１７、コンデンサ１８．
２２、ダイオード２１の回路で消費され、コンデンサ１
８．２２の光％％ｍとして変換される。
また、交流電源１１の電圧がＨのサイクルにおいても、
ダイ万一ド１３．１４が前記ダイオード１２．１５にか
わって動作する以ＩＳは全く同僚である。
ダイ万一ド１３．１４が前記ダイオード１２．１５にか
わって動作する以ＩＳは全く同僚である。
このように、半導体スイッチの”オン″ごオフ”によシ
コンデンサ１８．２２は、交流を源Ｌ１の電圧の波高１
区近くまで充電され、その和（ｄ波高値の２倍即ち倍電
圧整流となる。
コンデンサ１８．２２は、交流を源Ｌ１の電圧の波高１
区近くまで充電され、その和（ｄ波高値の２倍即ち倍電
圧整流となる。
本発明はり、上の如く弗酸され、作用するものてめシ、
本発明によれは、以下に示す特長、効果が発生する。
本発明によれは、以下に示す特長、効果が発生する。
■、交流電源１１の電圧が基準電圧もしくはコンデンサ
１８．２２の電圧より低い電圧においてもコン゛テンサ
１８．２２の充電が行われる外圧形テヨンノくとして動
作する。
１８．２２の電圧より低い電圧においてもコン゛テンサ
１８．２２の充電が行われる外圧形テヨンノくとして動
作する。
αハ基邂電圧を全波整流電圧の波高値に対して低くとに
！、例えは、７０％にとるか、あ１．るいは全負荷時の
コンデンサ１８．２２の電圧が電圧降下にょ９必ず全波
Ｖ流電圧のピーク値よシ低下し、実験的には７０〜８（
’１％となるために、ｍｌ；己した従来の第２図のτ／
Ｔの可変幅がその分小さくてすみ、半導体スイッチ１６
．１７のスイッチング損失による効率の低下か少ない。
！、例えは、７０％にとるか、あ１．るいは全負荷時の
コンデンサ１８．２２の電圧が電圧降下にょ９必ず全波
Ｖ流電圧のピーク値よシ低下し、実験的には７０〜８（
’１％となるために、ｍｌ；己した従来の第２図のτ／
Ｔの可変幅がその分小さくてすみ、半導体スイッチ１６
．１７のスイッチング損失による効率の低下か少ない。
（５）、従来の第１図の回路では不可能な全＠整流を行
っているために、リップル電流が小さく、コンデンサ１
８．２２を極め°Ｃ小さくすることが出来る。
っているために、リップル電流が小さく、コンデンサ１
８．２２を極め°Ｃ小さくすることが出来る。
尚、交流ｔ ！１１への輻射ノイズを低減するためと、
交流電源の高周波インピーダンスを低減するために、ブ
リッジ整流構成のダイオード１２〜１５の（ホ）（ハ）
側に並列にコンデンサを挿入すると実用的である。
、、、、。
交流電源の高周波インピーダンスを低減するために、ブ
リッジ整流構成のダイオード１２〜１５の（ホ）（ハ）
側に並列にコンデンサを挿入すると実用的である。
、、、、。
また、半導体スイッチとしては、トランジスタＦＥＴ、
ＧＴＯ，ＳＣＲ，ＳＩＴ等が使用出来る。
ＧＴＯ，ＳＣＲ，ＳＩＴ等が使用出来る。
更にまた、コンデンサ１８．２０の代シにバッテリを利
用することが出来る。
用することが出来る。
以上本発明をその良好な一実施例について説明したが、
それは単なる例示的なものであり、ここで説明された実
施例によってのみ本願発明が限定されるものてないこと
は勿論である。
それは単なる例示的なものであり、ここで説明された実
施例によってのみ本願発明が限定されるものてないこと
は勿論である。
第１図は従来の倍電圧整流電源回路の構成図、第２図は
従来の昇圧形チョッパ回路の構成図、第３図は本発明に
よる倍電圧整流チョッパ回路の一実施例を示す回路構成
図、第４図は第３図の回路の全波整流波形とドライブ回
路の出力波形を示す図である。 １．１１．、、交流電源、２．３．１２〜１５．１７．
２１．、。 ダイオード、４．５０．１８．２２．、、コンデンサ、
１６．２０、 、、半導体スイッチ、１９．、、インダ
クタンス、２３．、。 ドライブ回路、２４．２５．、、ドライブ回路の出力端
子、Ａｏｌ、第３図の交西電源１１のダイオード１２〜
１５による全波整流電圧波形、Ｂ、、、 ドライブ回
路２３の内蔵 ゛された基準電圧もしくはコンデン
サ１８、四の電圧波形 Ｃ，Ｄ、、、ドライブ回路２３
の出力端子２４．２５の出力ｔ８Ｅ波形 代 理 人 弁理士 熊 谷雄太部第２図
従来の昇圧形チョッパ回路の構成図、第３図は本発明に
よる倍電圧整流チョッパ回路の一実施例を示す回路構成
図、第４図は第３図の回路の全波整流波形とドライブ回
路の出力波形を示す図である。 １．１１．、、交流電源、２．３．１２〜１５．１７．
２１．、。 ダイオード、４．５０．１８．２２．、、コンデンサ、
１６．２０、 、、半導体スイッチ、１９．、、インダ
クタンス、２３．、。 ドライブ回路、２４．２５．、、ドライブ回路の出力端
子、Ａｏｌ、第３図の交西電源１１のダイオード１２〜
１５による全波整流電圧波形、Ｂ、、、 ドライブ回
路２３の内蔵 ゛された基準電圧もしくはコンデン
サ１８、四の電圧波形 Ｃ，Ｄ、、、ドライブ回路２３
の出力端子２４．２５の出力ｔ８Ｅ波形 代 理 人 弁理士 熊 谷雄太部第２図
Claims (1)
- 交流電源に接続されたブリッジ整流回路の（ト）、Ｈ（
Ｉｌ＋端子もしくはいづれか一方の端子にインダクタン
スを接続し、該インダクタンスを通して前記ブリッジ整
流回路の（イ）、（ハ）側端子に並列に２領置列に接続
きれた第１及び第２の半導体スイッチを接続し、更に前
記インダクタンスを通して前記（イ）、（ハ）側端子に
並列に第１のダイオードと第１及び第２のコンデンサ又
はバッテリの直列回路と第２のダイオードとの直列回路
を接続し、前記半導体スイッチの直列回路の中点と、前
記コンデンサ又はバッテリの直列回路の中点とを接続し
て成る倍電圧整流回路と、約記交流電源の電圧が（ト）
、（ハ）の毎サイクルにおいて基単の電圧もしくは前記
第１及び第２のコンデンサ又はバッテリの冗％電圧よシ
低い期間においては前記第１及び第２の半導体スイッチ
を同時に１オン”、′オフ”させ、前記交流を源の電圧
カニ前記基単電圧もしくは前ヒ光ｔ、覧圧より高い期間
においては前記第１及び第２の半導体スイッチを交互に
′オン２、”オフ”させるドライブ回路と含有すること
を特徴とした倍（圧整流チョッパ回路、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9019282A JPS58207870A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 倍電圧整流チヨツパ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9019282A JPS58207870A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 倍電圧整流チヨツパ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207870A true JPS58207870A (ja) | 1983-12-03 |
Family
ID=13991612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9019282A Pending JPS58207870A (ja) | 1982-05-26 | 1982-05-26 | 倍電圧整流チヨツパ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207870A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1982
- 1982-05-26 JP JP9019282A patent/JPS58207870A/ja active Pending
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