JPS58196818A - 濾過膜及びその製法 - Google Patents
濾過膜及びその製法Info
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- JPS58196818A JPS58196818A JP58074844A JP7484483A JPS58196818A JP S58196818 A JPS58196818 A JP S58196818A JP 58074844 A JP58074844 A JP 58074844A JP 7484483 A JP7484483 A JP 7484483A JP S58196818 A JPS58196818 A JP S58196818A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は焼結乃至フリットし＋、Ｗ機物財物材料成され
ており、一過層として小さい細孔の層を少くとも１つ表
面に有しているＰ過膜及びその製法に係る。
ており、一過層として小さい細孔の層を少くとも１つ表
面に有しているＰ過膜及びその製法に係る。
この檀の襖で今日良く知られているものは、多くの場合
、表面が、肉眼では見えないものの、細かい凹凸やいび
つさを有しており、そのため以Ｆの欠点汐１生じる。
、表面が、肉眼では見えないものの、細かい凹凸やいび
つさを有しており、そのため以Ｆの欠点汐１生じる。
−１ぼ優Ｐ通の場合、喚と濾過ケーキとの界面が不規則
な形状を有しているために、フィルタ表面を洗浄して目
詰まりし次沈澱物を除去することがより困−である。
な形状を有しているために、フィルタ表面を洗浄して目
詰まりし次沈澱物を除去することがより困−である。
一タンジエンシャル・Ｐ通の場合、細孔の入口で阻止さ
れた粒子を運び去ることによりケーキのＪし成會回Ｍ＆
する役目を果たすメンジエンシャル・フロー丁なわち一
過襖面に沿った流れが、−表面の凹部に位ｖＩｔする細
孔の入口で阻止された粒子を處し去ることができない。
れた粒子を運び去ることによりケーキのＪし成會回Ｍ＆
する役目を果たすメンジエンシャル・フロー丁なわち一
過襖面に沿った流れが、−表面の凹部に位ｖＩｔする細
孔の入口で阻止された粒子を處し去ることができない。
父、膜表面に沿う１回に運ばれる粒子が表面の凸部にぶ
つかってそこに留まる恵めこれら凸部の一ヒ眞に粒子が
堆積し、や７がてケーキが形成されることになる。
つかってそこに留まる恵めこれら凸部の一ヒ眞に粒子が
堆積し、や７がてケーキが形成されることになる。
従って、膜表面に凹凸が存在するとフィル！全体の透過
性が低ドし、且つ目詰まりした沈澱物の除去をしばしば
行う必要が生じる。このことは使用Ｅ厄介な問題である
。
性が低ドし、且つ目詰まりした沈澱物の除去をしばしば
行う必要が生じる。このことは使用Ｅ厄介な問題である
。
本発明はこれらの欠点を除去すべくなされ次ものであり
、その目的とするところは、目ｌＴｉ１ｔりし銀いＬに
、例えば逆方向の圧力などを加えるだけＣ面一に素速く
目詰まりを除去することができ、［↓つ極めて鳩温の又
は腐食性の液体又は気体でさえ一過又は限外−過し得る
Ｐ過膜及びその製法を提供することにある。
、その目的とするところは、目ｌＴｉ１ｔりし銀いＬに
、例えば逆方向の圧力などを加えるだけＣ面一に素速く
目詰まりを除去することができ、［↓つ極めて鳩温の又
は腐食性の液体又は気体でさえ一過又は限外−過し得る
Ｐ過膜及びその製法を提供することにある。
本発明の対象である１戸２１４膜は、焼結乃至スリット
し九無磯乃至鉱物性材料からなり互に結合され九粒子で
構成されている層で一過層として機能する層を少くとも
１つ有している。この一過膜の特ｆＩＩｔは、７濾過層
の表面のある領域において、平均粒子サイズの少くとも
５倍に等しい範囲内の平均粗さが該領域の平均粒子サイ
ズの０２０倍より小さいことにある。
し九無磯乃至鉱物性材料からなり互に結合され九粒子で
構成されている層で一過層として機能する層を少くとも
１つ有している。この一過膜の特ｆＩＩｔは、７濾過層
の表面のある領域において、平均粒子サイズの少くとも
５倍に等しい範囲内の平均粗さが該領域の平均粒子サイ
ズの０２０倍より小さいことにある。
好壕しくは、前記平均粗さは平均粒子サイズの０．１０
倍より小さい。
倍より小さい。
本発明の好ましい一寮施具体例によれば、前記表ＵＩＪ
１戸遇層の粒子のうちの少くとも９０重Ｊ１％の粒子が
平均粒子サイズの２倍未満大きさを有しており、且つこ
れら粒子のうちの少くとも９ｏ ！ｌｉ１％の粒子が平
均粒子サイズの會より大きい大きさを有している。
１戸遇層の粒子のうちの少くとも９０重Ｊ１％の粒子が
平均粒子サイズの２倍未満大きさを有しており、且つこ
れら粒子のうちの少くとも９ｏ ！ｌｉ１％の粒子が平
均粒子サイズの會より大きい大きさを有している。
一過層の多孔度乃至多孔率は好ましく＃ｉ３０乃至４０
体槓％である。
体槓％である。
ｄ ｔＰｉ ｉｔ！４７＠はより大きい細孔を有する支
持層上に１・１層さ扛侍る。該支持層は細孔サイズの異
なる多数乃至ｍ数の一層から成っていてよい。
持層上に１・１層さ扛侍る。該支持層は細孔サイズの異
なる多数乃至ｍ数の一層から成っていてよい。
こ扛らの層及び一層はいずれも互に固着された粒子で形
成されており、これら層及び副層自体も４（］！Ｌに固
層乃至接台されている。
成されており、これら層及び副層自体も４（］！Ｌに固
層乃至接台されている。
１戸遇層及び支持層は、金Ｉｔｓ酸化物、炭化ケイ素。
−化ケイ素、シリコン・アルミニウムΦオキシニトライ
ド（５１ｉｄ、ＯＮ ） 、ホウ化物、及びガラスから
なるグループから選択された少くとも１種類の材料で＃
ＩＩ成され得るが、同じ性質を有することが好筐しく、
史に例えば、同種乃至同一の材料を含むか、例えば、同
種乃至同−の材料で形成されることが好ましい。
ド（５１ｉｄ、ＯＮ ） 、ホウ化物、及びガラスから
なるグループから選択された少くとも１種類の材料で＃
ＩＩ成され得るが、同じ性質を有することが好筐しく、
史に例えば、同種乃至同一の材料を含むか、例えば、同
種乃至同−の材料で形成されることが好ましい。
圀えば純度が少くとも９９．９ＸＫ尋しいアルミナケ材
料とすることも可能である。
料とすることも可能である。
更ｅこ、本発明Ｗ′ｉｔｐ通襖の製法、特に表面の戸遇
層が支持層上に固着されている濾過膜の製法ｔ−提供す
ることを目的とする。
層が支持層上に固着されている濾過膜の製法ｔ−提供す
ることを目的とする。
本発明の製法によ扛ば、−溝層を構成することになる無
機乃至鉱物性材料の黴鵬子と界ｒＭｆ８性剤とを混合し
て極めて十分に解−された微粒子の懸濁液を作Ｍするこ
とによシスリップを作製し、次に醸スリップを支持層に
接触させ、遇−スリップを除去し、このようにして支持
層上に付層形成された薄い層を乾燥する。その後、該薄
層及び支持層を十分な高編で焼成し、無機材料の粒子を
７リツト乃至ｇｖＩＷｌする。尚、所望ならば、スリッ
プを支持層に接触させ次鏝、該支持層によってスリップ
ｔｆＦ”遇してもよい。好ましくは、解膠の妨害になら
ない有Ｗ増粘剤をスリップに添加する。
機乃至鉱物性材料の黴鵬子と界ｒＭｆ８性剤とを混合し
て極めて十分に解−された微粒子の懸濁液を作Ｍするこ
とによシスリップを作製し、次に醸スリップを支持層に
接触させ、遇−スリップを除去し、このようにして支持
層上に付層形成された薄い層を乾燥する。その後、該薄
層及び支持層を十分な高編で焼成し、無機材料の粒子を
７リツト乃至ｇｖＩＷｌする。尚、所望ならば、スリッ
プを支持層に接触させ次鏝、該支持層によってスリップ
ｔｆＦ”遇してもよい。好ましくは、解膠の妨害になら
ない有Ｗ増粘剤をスリップに添加する。
また、支持層と接−させる前にスリップを長時間ＭＩ枠
処理してもよい。この−砕石場の主な目的は多くの粒子
から成る縦結物を層砕乃至粉砕して粒子全懸濁液中に十
分に分敢させることにある。
処理してもよい。この−砕石場の主な目的は多くの粒子
から成る縦結物を層砕乃至粉砕して粒子全懸濁液中に十
分に分敢させることにある。
表向のｆ均徂さは表面のある領域を構成している粒子の
平均粒子サイズの少なくとも５倍に等しい長さにわたっ
て測定乃至求めらｎるべきである。
平均粒子サイズの少なくとも５倍に等しい長さにわたっ
て測定乃至求めらｎるべきである。
こｎより小さい長さでは粒子の数が少なすぎるため測定
さｎた徂さ丁なわち平均粗さが統計的に有効ではないと
思われるからである。
さｎた徂さ丁なわち平均粗さが統計的に有効ではないと
思われるからである。
逆に余シ大き丁ぎる長さＫＩＩＩＩして粗さを測定乃至
求めても表面が本発明にいう好ましい滑らかな表面であ
るかどうかの判別には意味がない。このＪ＃酋は、測定
さ扛た粗さに、教子相互間の位置が不規則であるために
生じる一過にとって有害な局部的凹部やざらつきのみな
らず、−過に有害な影豐を与えない表面のゆるやかな起
伏までも含まれＣしまりからである。
求めても表面が本発明にいう好ましい滑らかな表面であ
るかどうかの判別には意味がない。このＪ＃酋は、測定
さ扛た粗さに、教子相互間の位置が不規則であるために
生じる一過にとって有害な局部的凹部やざらつきのみな
らず、−過に有害な影豐を与えない表面のゆるやかな起
伏までも含まれＣしまりからである。
以ヒの理由から粗さを正確に測定するためには平Ｓ粒子
サイズの５乃至１５倍の測定距離が好ましい。
サイズの５乃至１５倍の測定距離が好ましい。
杢明細曹において、粒子サイズ乃至粒径とは、当該粒子
と同一のｖＩｊｔｔ−有していて液体中に配置すると６
粒子と同一の速さで沈降する球体の平均Ｉ！ｉ径のこと
である。これは、沈鐸法、即ち其体例の中で雌及されて
いる粒子の特性を示す念めに使用される方法、により粒
子の大きさを測定する公知の装置で使用されている定義
である。
と同一のｖＩｊｔｔ−有していて液体中に配置すると６
粒子と同一の速さで沈降する球体の平均Ｉ！ｉ径のこと
である。これは、沈鐸法、即ち其体例の中で雌及されて
いる粒子の特性を示す念めに使用される方法、により粒
子の大きさを測定する公知の装置で使用されている定義
である。
以ｔ＆粒子の果汁体を構成する粒子の平均粒子サイズ丁
なわち平均粒径ｔＤｉ・で表わ丁が、こｎは＃集合体を
構成する粒子のうちの５０重量％の粒子の粒子サイズが
ＤＩＧより大きく、残りの５０重ｔＮ粒子の粒子サイズ
が）・より小さいことを意味するっ ｐ遇−表面の平均粗さは次のように定縞される。
なわち平均粒径ｔＤｉ・で表わ丁が、こｎは＃集合体を
構成する粒子のうちの５０重量％の粒子の粒子サイズが
ＤＩＧより大きく、残りの５０重ｔＮ粒子の粒子サイズ
が）・より小さいことを意味するっ ｐ遇−表面の平均粗さは次のように定縞される。
腺の一過されるべき流体側の平均表面に平行な軸をＯｘ
、こｎと１１交する軸を０１とし、−平均表面の上Ｆカ
同の表面の鍋さｔ ｙ ＝ ｆ （ｘ）で表わすとする
と、長さＬの間の表面の平均＾さはＣ表わされ、該表面
の平均粗さは で定義される。
、こｎと１１交する軸を０１とし、−平均表面の上Ｆカ
同の表面の鍋さｔ ｙ ＝ ｆ （ｘ）で表わすとする
と、長さＬの間の表面の平均＾さはＣ表わされ、該表面
の平均粗さは で定義される。
表面粗さ測定装置１を使用して粗さを測定する場オは短
距離の範囲内での高さ変化に対応する高周波ノみｔ−観
醐丁べく、ピックアップによる検出信号全ｐ波する。こ
のカットオフのノくラメーメは積分が行なわれる表面に
旧ったンクロン単位での長さに対急［る、カットオフ１
１区王なわらカットオフ・パラメータの値が小さい場合
、即ち平均粒径の５匿より大きく約１５倍より小さい場
合は各クレーンｊなわら粒子間の高さの変化又は複数の
クレーンから成るグループ間の尚さの変化のみが測定さ
扛る。カットオフ値が大きい場合は各グループ間の高さ
変化と表面の起伏乃至うねりに相当する＾さ変化とが同
時に＃１足されてしまう。
距離の範囲内での高さ変化に対応する高周波ノみｔ−観
醐丁べく、ピックアップによる検出信号全ｐ波する。こ
のカットオフのノくラメーメは積分が行なわれる表面に
旧ったンクロン単位での長さに対急［る、カットオフ１
１区王なわらカットオフ・パラメータの値が小さい場合
、即ち平均粒径の５匿より大きく約１５倍より小さい場
合は各クレーンｊなわら粒子間の高さの変化又は複数の
クレーンから成るグループ間の尚さの変化のみが測定さ
扛る。カットオフ値が大きい場合は各グループ間の高さ
変化と表面の起伏乃至うねりに相当する＾さ変化とが同
時に＃１足されてしまう。
カットオフ値が平均粒径の５倍より大きい場合に軸足さ
れた本発明によるＦｍｌ［Ｏ−溝層の表面の平均粗さＲ
ａは例えば Ｒａ ＜ ０．２０ ＠Ｄｓ ｅ であり、好ましくは Ｒａ （０，１０＠ＤＢ＠ である。
れた本発明によるＦｍｌ［Ｏ−溝層の表面の平均粗さＲ
ａは例えば Ｒａ ＜ ０．２０ ＠Ｄｓ ｅ であり、好ましくは Ｒａ （０，１０＠ＤＢ＠ である。
支持層からはっきり区別されている場合のＦ通常では、
細孔サイズ乃至直径が０．０１乃至２ｏ＜クロンの間の
値であってよく、平均粒子サイズすなわち平均ａ径が０
．０２乃至５０建クロンである。
細孔サイズ乃至直径が０．０１乃至２ｏ＜クロンの間の
値であってよく、平均粒子サイズすなわち平均ａ径が０
．０２乃至５０建クロンである。
支持層では、細孔サイズ乃至負極が２乃至５０ミクロン
であってよく、平均粒径が５乃至２００ミクロンのｌｉ
Ｊである。
であってよく、平均粒径が５乃至２００ミクロンのｌｉ
Ｊである。
以Ｆ、非限定具体例として本発明によるＰ通常とその製
法ｔ−説明し、これらの濾過−表面の粗さｔ比較する。
法ｔ−説明し、これらの濾過−表面の粗さｔ比較する。
本発明の一具体例では、濾過膜が、
−厚さ１．５乃至２■、細孔サイズ乃至平均孔匝１０乃
至２０ンクロンの第１一層と、厚さが２０ｔクロンに近
く細孔の平均孔径が１乃至３建クロンの第２副層とを有
する支持層と、−厚さが１０乃至２０ｉクロンで細孔の
平均ＪＩＪが０．２〜Ｑ、８建クロンの濾過層と、ρ・
ら構成されている。尚、前記支持層は例えば内径７乃至
１５−のチューブの形をしていてもよい、。
至２０ンクロンの第１一層と、厚さが２０ｔクロンに近
く細孔の平均孔径が１乃至３建クロンの第２副層とを有
する支持層と、−厚さが１０乃至２０ｉクロンで細孔の
平均ＪＩＪが０．２〜Ｑ、８建クロンの濾過層と、ρ・
ら構成されている。尚、前記支持層は例えば内径７乃至
１５−のチューブの形をしていてもよい、。
各層の多孔度は３０乃至４０体積％であるのが好ましい
。
。
このｌ濾過膜は前述したように焼結乃至７リツトした無
情乃至鉱物性材料で製造されるのが望ましいが、有機ｔ
１＆剤で凝結した炭素粒子を焼成することによって得ら
れた炭素を材料としてもよい。
情乃至鉱物性材料で製造されるのが望ましいが、有機ｔ
１＆剤で凝結した炭素粒子を焼成することによって得ら
れた炭素を材料としてもよい。
通常−過膜はチューブを一束にまとめた形に形成ざ１１
ており、破も小さい細孔の濾過層が各チューブの内面に
配置されている。尚、この２通−は平面形状を有してい
てもよい。
ており、破も小さい細孔の濾過層が各チューブの内面に
配置されている。尚、この２通−は平面形状を有してい
てもよい。
金ＪＩｇ１１２化物粒子で濾過膜を製造する場合は、金
属酸化物粒子が十分に分散して極めて曳好な解膠状態に
あるスリップを作製する。スリップ中の粒子の粒径乃至
粒子サイズの分布は極めて密である。
属酸化物粒子が十分に分散して極めて曳好な解膠状態に
あるスリップを作製する。スリップ中の粒子の粒径乃至
粒子サイズの分布は極めて密である。
沈降により測定され九粒子の平均粒子サイズがＩ）ｍｓ
で表わされるとすれば、粒子のうちの少くと４に９０重
１１Ｎの粒子は２ Ｄ、・より小さい大きさすなわち粒
子サイズを有しており、粒子のうちの少くとも９０重蓋
％の粒子が＋Ｄ１．より大きい大きさを有する。このよ
うなスリップを作ＩＩ！するためには、界面宿性剤、又
は極めて十分な！ｓ１状趨、即ちａ１１４液中の各粒子
が互に分−していて多数の粒子から成る塊が全くもしく
は殆んど存在していないような粒子の分散状態をもたら
す添加剤を使用してよい。この懸濁液は、粒子の急速な
沈降を回避丁べく十分な粘性を有していなけ扛ばならな
い。
で表わされるとすれば、粒子のうちの少くと４に９０重
１１Ｎの粒子は２ Ｄ、・より小さい大きさすなわち粒
子サイズを有しており、粒子のうちの少くとも９０重蓋
％の粒子が＋Ｄ１．より大きい大きさを有する。このよ
うなスリップを作ＩＩ！するためには、界面宿性剤、又
は極めて十分な！ｓ１状趨、即ちａ１１４液中の各粒子
が互に分−していて多数の粒子から成る塊が全くもしく
は殆んど存在していないような粒子の分散状態をもたら
す添加剤を使用してよい。この懸濁液は、粒子の急速な
沈降を回避丁べく十分な粘性を有していなけ扛ばならな
い。
そのためにはスリップの解−にとって不利でないような
増粘剤を株加する。実際−スリップは密に１なり合つ九
粒子より成る禰密沈降物、即ちかなり大きな体Ｓ（少く
とも４０Ｘ）を占めるフラクションが粒子で構成され、
残りの体積がこれら粒子間の液体で構成されるような沈
降物、を形成−ｆべく沈降しなければならない。従って
増粘剤としては界面活性剤と結合して少くと４４０％が
粒子で占められるような禰密沈障物を生じせしめる吻綴
金選択する。このような結果をもたらさないＪＩＩ粘剤
は使用すべきではない。
増粘剤を株加する。実際−スリップは密に１なり合つ九
粒子より成る禰密沈降物、即ちかなり大きな体Ｓ（少く
とも４０Ｘ）を占めるフラクションが粒子で構成され、
残りの体積がこれら粒子間の液体で構成されるような沈
降物、を形成−ｆべく沈降しなければならない。従って
増粘剤としては界面活性剤と結合して少くと４４０％が
粒子で占められるような禰密沈障物を生じせしめる吻綴
金選択する。このような結果をもたらさないＪＩＩ粘剤
は使用すべきではない。
次Ｖここのようにして調整さｎたスリップをなめらかな
表ｒｋＪを有する層を支持するための支持層としての膜
の表面と接触させ＃膜表面上に該スリップのフィルムを
均等に形成する。
表ｒｋＪを有する層を支持するための支持層としての膜
の表面と接触させ＃膜表面上に該スリップのフィルムを
均等に形成する。
このようにして支持層としての一表面に付着せしめらｔ
′ＬｆＣ！！＋２子をフリット乃至焼結すべく、乾燥し
、焼成する。その結果粒子が互に固層乃虫ｓｍせしめら
ｎ、これら粒子によって形成されている盾もこの層を支
持している層の上に固着乃至浴着される。
′ＬｆＣ！！＋２子をフリット乃至焼結すべく、乾燥し
、焼成する。その結果粒子が互に固層乃虫ｓｍせしめら
ｎ、これら粒子によって形成されている盾もこの層を支
持している層の上に固着乃至浴着される。
支持層としてのｌｉＩ［表向を解−スリップに接触させ
るだけの方法以外にもスリップの液体がこの支持層とな
る−を透過するよう鹸膜で該スリップをＰ遇する方法に
より表面のなめら、かな層を支持層となる膜表面に付着
させることが可能である。この場合ａｍ液中の粒子は膜
の最初の多孔性層部分を通過しないで′ｔｉＩｉる。
るだけの方法以外にもスリップの液体がこの支持層とな
る−を透過するよう鹸膜で該スリップをＰ遇する方法に
より表面のなめら、かな層を支持層となる膜表面に付着
させることが可能である。この場合ａｍ液中の粒子は膜
の最初の多孔性層部分を通過しないで′ｔｉＩｉる。
以Ｆ本発明によるＰ過膜の製法の実施例を幾つか挙げて
ｉＩｊ！明する。
ｉＩｊ！明する。
！１１ユ
フランス特許出願公告＠２４８３６３６号の方法により
管状二層膜を作製する。先ず厚み１．５■、平＊ｍ孔径
ＸＳ＜クロンの支持層と該支持チューブの内向に配置さ
ｎる厚み２０乃至３ｏンクロン、半均細孔径Ｘ＜クロン
の層とから成る管を作製する。
管状二層膜を作製する。先ず厚み１．５■、平＊ｍ孔径
ＸＳ＜クロンの支持層と該支持チューブの内向に配置さ
ｎる厚み２０乃至３ｏンクロン、半均細孔径Ｘ＜クロン
の層とから成る管を作製する。
次にこの第２層上に平均細孔径がｏ、ｚａｔクロンで平
均粗さの小さい第３層を付着形成すべく以トの手順で処
４を行う。
均粗さの小さい第３層を付着形成すべく以トの手順で処
４を行う。
先ず次の組成を有するスリップを作製する。
−平均直径すなわち平均粒子サイズが０．５５ンクロン
（スリップを摩砕乃至粉砕し友後の測定甑）であるアル
ミナ粒子２８重量％ −５ポアズの粘性率を得るべくポリエチレングリコール
（ユニオン・カーバイドのカーボワックス４１３００）
が添加された水：９１．８４重量％−小リプラスチック
（ＰＯＬＹＰＬＡＳＴＩＣ）社製界面活性剤ダーバンＣ
（ＤＡＲＶＡＮ Ｃ） ： ０．１８重ｉ％ 仄に該スリップを容積２１ｓリツトルのボールオルで２
４時間着砕乃至粉砕する。該きルには、直ｔ４！ｌ Ｏ
ｓｍのアルミナ製のボール２５４と７リツトルの前記ス
リップとを充填する。この処理の王な目的は粒子の塊す
なわち凝集体を粉砕して粒子を十分に分散させることで
ある。
（スリップを摩砕乃至粉砕し友後の測定甑）であるアル
ミナ粒子２８重量％ −５ポアズの粘性率を得るべくポリエチレングリコール
（ユニオン・カーバイドのカーボワックス４１３００）
が添加された水：９１．８４重量％−小リプラスチック
（ＰＯＬＹＰＬＡＳＴＩＣ）社製界面活性剤ダーバンＣ
（ＤＡＲＶＡＮ Ｃ） ： ０．１８重ｉ％ 仄に該スリップを容積２１ｓリツトルのボールオルで２
４時間着砕乃至粉砕する。該きルには、直ｔ４！ｌ Ｏ
ｓｍのアルミナ製のボール２５４と７リツトルの前記ス
リップとを充填する。この処理の王な目的は粒子の塊す
なわち凝集体を粉砕して粒子を十分に分散させることで
ある。
このようにして処理されたスリップを次に前記チューブ
に充填し、その後重力によってチューブからスリップを
除去する。その結果チューブの内表向上にスリップの４
膜が残る。これを乾燥させた鏝１３００℃で酸化性雰囲
気で焼成すると厚さ２０〜３０ミクロンの層が形成され
る。この層は細孔の平均１１ｉ径が０．２６ｔクロンで
あり、′ｓ、面の平均粗さが小さい（別表参照）。
に充填し、その後重力によってチューブからスリップを
除去する。その結果チューブの内表向上にスリップの４
膜が残る。これを乾燥させた鏝１３００℃で酸化性雰囲
気で焼成すると厚さ２０〜３０ミクロンの層が形成され
る。この層は細孔の平均１１ｉ径が０．２６ｔクロンで
あり、′ｓ、面の平均粗さが小さい（別表参照）。
崖！ｈユ
実施例１の中、スリップをｔ’ｐｍする際、ポリエチレ
ングリコール（カーボワックス４０００）Ｋ代工てエチ
ルヒドロキシエチルセルローズ（ｎ＊ｒｍｏｏｏｌ １
）を便用し界面活性剤を加えずに繭重と同じ方法で＃
通したｌｆＩ来本完本発明的には不向きな表面の祖いＶ
＆が得られた（別表参照）。
ングリコール（カーボワックス４０００）Ｋ代工てエチ
ルヒドロキシエチルセルローズ（ｎ＊ｒｍｏｏｏｌ １
）を便用し界面活性剤を加えずに繭重と同じ方法で＃
通したｌｆＩ来本完本発明的には不向きな表面の祖いＶ
＆が得られた（別表参照）。
実施例２
フランス待針出願公告第２４６８６３６号の方法により
支持チューブのみを形成して管状単層膜全製造する。１
享さ２■、細孔の平均直径１５ζクロンの支持チューブ
が得られ念ら、以下の手順に従い核チューブの内面上に
細孔の平均直径１．９ミクロンで表面の平均粗さの小さ
い層を付着形成する、 −先ず、実施例１と同一の組成を有するスリップを作製
する。但しアル（す粒子は摩砕乃至粉砕後の平均粒子サ
イズ乃至平均粒径が１．２ミクロンとなるものを使用す
る。次に該スリップを１！施列ｌと同様に粉砕する。
支持チューブのみを形成して管状単層膜全製造する。１
享さ２■、細孔の平均直径１５ζクロンの支持チューブ
が得られ念ら、以下の手順に従い核チューブの内面上に
細孔の平均直径１．９ミクロンで表面の平均粗さの小さ
い層を付着形成する、 −先ず、実施例１と同一の組成を有するスリップを作製
する。但しアル（す粒子は摩砕乃至粉砕後の平均粒子サ
イズ乃至平均粒径が１．２ミクロンとなるものを使用す
る。次に該スリップを１！施列ｌと同様に粉砕する。
−ｉｔ＋ ｃ支持チューブにスリップを充填し、その後
直力によって除去する。該チューブの内表面ヒ？（残っ
たスリップの４膜層を乾燥させ、酸化性疼［小気ＩＰで
約１５００℃で焼成すると厚さ２０〜ｊＯミクロンの層
が形成される。この層は細孔の平均直径が１，８ミクロ
ンであり、平均粗さが小さい（別表＃照）。
直力によって除去する。該チューブの内表面ヒ？（残っ
たスリップの４膜層を乾燥させ、酸化性疼［小気ＩＰで
約１５００℃で焼成すると厚さ２０〜ｊＯミクロンの層
が形成される。この層は細孔の平均直径が１，８ミクロ
ンであり、平均粗さが小さい（別表＃照）。
現！湾ノ
実施例２の中、スリップを作製する際、ポリエチレング
リコールに代えてエチルヒドロキシエチルセル日−ズ紮
使用し界面活性剤を加えずに前記と同じ方法で製造した
結果所望の目的には不向きな表面の粗い膜が得られた（
別表参照）。
リコールに代えてエチルヒドロキシエチルセル日−ズ紮
使用し界面活性剤を加えずに前記と同じ方法で製造した
結果所望の目的には不向きな表面の粗い膜が得られた（
別表参照）。
実施例３及び比較 ３
′４４ｍ朔２と同様に製造。但し出発物質としては粒子
の平均粒子サイズが１６６ξクロンのアルミナを使用。
の平均粒子サイズが１６６ξクロンのアルミナを使用。
酸化焼成は１５５０℃で実施。
細孔の平均直径は界面活性剤を使用し九場会で２ミク日
ン、便用しない場合（比較例３）は１．８ｉクロン（別
表鐘照）。
ン、便用しない場合（比較例３）は１．８ｉクロン（別
表鐘照）。
次の別表には東ｊＩＩＩＡ内ｌ乃主３及び比較例１乃至
３に使って製造されたアルｉす製のγ濾過−に関し、ア
ルミナ板子の平均粒子サイズ（大きさ） Ｄｗ・、気孔
の平均孔径表面に沿って高さの積分を行う場、（の長さ
すなわちカットオフ値、表面の滑らかさ［なわち平均粗
さＲ・、比Ｒａ／Ｄｗ＊、比μひｒ！、Ｉ）ｓ。
３に使って製造されたアルｉす製のγ濾過−に関し、ア
ルミナ板子の平均粒子サイズ（大きさ） Ｄｗ・、気孔
の平均孔径表面に沿って高さの積分を行う場、（の長さ
すなわちカットオフ値、表面の滑らかさ［なわち平均粗
さＲ・、比Ｒａ／Ｄｗ＊、比μひｒ！、Ｉ）ｓ。
なめらかか粗いかの表面の特性が示されている。
尚、表面の平均粗さの媚定には東京精密株式会社製のレ
ジスタ付表面粗さ画定装置サーフコムー１ （８ｕｒｆ
ｏｏｍ−１）を使用した。
ジスタ付表面粗さ画定装置サーフコムー１ （８ｕｒｆ
ｏｏｍ−１）を使用した。
＊ｍ１Ｑｌ ｔ１５５ ０．２６ ｇ
０．０５ ０．０９ １４．５ ナメ’夷九−
２１，２０１，８Ｂ ０．１４ ０．１２ ６
．７ なめ爽ｍ列３ １．ｔ＋ ２．０
８ ０．２４ ０．１５ ５ なめ
チ髪りλ＝６≦υ１１ノ
０．０５ ０．０９ １４．５ ナメ’夷九−
２１，２０１，８Ｂ ０．１４ ０．１２ ６
．７ なめ爽ｍ列３ １．ｔ＋ ２．０
８ ０．２４ ０．１５ ５ なめ
チ髪りλ＝６≦υ１１ノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋ｔｌ Ｐｉ４層として機能する少なくとも一つの層
を有しており、該層が互に固着された粒子で形成されて
おり、濾過層の表面のある領域において、平均粒子サイ
ズの少くとも５倍に等しい長さＫわ／こる平均粗さが該
領域の平均粒子サイズの０．２０［ｈより小さい、焼結
無機物よりなる一過膜。 １２１ 萌紀平均粗さが前記平均粒子サイズの０．１
０倍より小さい特許請求の範囲第１項に記載の一過膜。 （３）濾過層を形成している粒子のうちの少くとも９０
電ｍＸの粒子が前記平均粒子サイズの２倍未満の大きさ
を有してお軒荊 期粒子のうちの少くとも９０菖量％の粒子が前記″Ｖ−
拘粒子粒子サイズより大きい大暑さを有している待ｆｆ
ｄ求の範囲第り項又は第２項に記載の２遍ｇ。 １４１ ＠も小さい細孔をもつ層の多孔度が３０乃至
４０体！ＩＩＮである特許請求の範囲第１項乃至第３項
のいすｎかに記載の一過膜。 （５）濾過層よりも粗い細孔を有する多孔性支持ｌ―ｔ
−有しており、これら支持層及び濾過層が互に固層され
ている％ｆＦ晴求の範囲第１項乃至第４項のいずれかに
記載の一過膜。 （６） 支持層が細孔の大きさの異なる複数のａｔｏ
ｍから成っている特Ｗｌｆｔ＃求の＠囲第５項にに２棋
の一過膜。 ＋７１ 金Ｊ１１１ＩＩ！化物、Ｒ化ケイ素、＊化り
イ嵩、シリコン・アルミニウム・オキシニトライド（ｓ
ｓ貞）。 ホウ化物及びガラスを含むグループから選択されたｌ種
類の虜結魚機物質からなる特許請求の軛−ｊｌｌ槍乃虫
爾６積に１賊の一過績。 ＋ｌｌｌ 少くとも９９．９％の純度を有するアルイ
ナｈ−らなる％許縛求の範囲第７項に１絨の２通膜。 ・明 特許請求の範囲第す項に記載の一過膜の製法Ｃあ
って、金ＪＩ１１酸化物、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シ
リコン・アルｉニウム・オキシニトライド（ＳＩＡＪ〜
Ｎ）、ホウ化物、及びガラスから成るグループより選択
された少くとも１檀拳の物質から成る無機物の微粒子の
他、極めて十分に解膠した微粒子懸濁液を得るべく界面
活性剤をも含むスリップ全咋褒し、該スリップを支持層
面上に配置し、遺制スリップを除去し、形成された薄層
を乾燥さ−Ｃ１次いで支持層と該形成薄層とを無機物の
粒子を焼ｌａするに十分な温度で焼成することからなる
１戸遍編の製法。 ｕｌ 支持層にスリップを接触させたｖｋ該ススリッ
プ該支持層を介してＰ遇する特許請求の範囲第９項に記
載の製法。 Ｕυ スリップの５ＩＩｉＩ１１を妨害しない有機増粘
剤が該スリップに加えられる特許請求の範囲第９項又は
第１０塊に記載の製法。 １ 支持層と＋＆触させる前にスリップを長時間７１１
砕する特許請求の範囲第９項乃至第１１項のいずｎかに
記載の製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8207298 | 1982-04-28 | ||
| FR8207298A FR2525912A1 (fr) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | Membrane de filtration, et procede de preparation d'une telle membrane |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58196818A true JPS58196818A (ja) | 1983-11-16 |
| JPS6256772B2 JPS6256772B2 (ja) | 1987-11-27 |
Family
ID=9273483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58074844A Granted JPS58196818A (ja) | 1982-04-28 | 1983-04-27 | 濾過膜及びその製法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4698157A (ja) |
| EP (1) | EP0092840B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58196818A (ja) |
| CA (1) | CA1202248A (ja) |
| DE (1) | DE3372182D1 (ja) |
| FR (1) | FR2525912A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118405A (ja) * | 1984-06-04 | 1986-01-27 | ミリポア コーポレイション | 流体成分の拡散制御装置 |
| JPS61192280A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-26 | Takeshi Kobayashi | 連続型微生物培養装置 |
| JPS637814A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-13 | Ibiden Co Ltd | セラミツクフイルタ− |
| JPH01262902A (ja) * | 1988-03-17 | 1989-10-19 | Ceramiques Technique:Soc | 濾過膜及びその製造方法 |
| JPH01299607A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-04 | Ngk Insulators Ltd | 無機多孔質膜 |
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| JP2020526381A (ja) * | 2017-07-06 | 2020-08-31 | インテグリス・インコーポレーテッド | 炭化ケイ素フィルター膜および使用方法 |
Families Citing this family (41)
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|---|---|---|---|---|
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| NL8303079A (nl) * | 1983-09-05 | 1985-04-01 | Stichting Energie | Werkwijze voor de bereiding van scheurvrije semi-permeabele anorganische membranen. |
| DE3467715D1 (en) * | 1983-09-06 | 1988-01-07 | Ceramiques Tech Soc D | Process for producing microfiltration, ultrafiltration or reverse osmosis elements |
| FR2582956B1 (fr) * | 1985-06-10 | 1987-07-31 | Lorraine Carbone | Support de membrane minerale pour techniques separatives et procedes de fabrication de ce support |
| US4863656A (en) * | 1985-10-11 | 1989-09-05 | Valmet Oy | Microporous plate and method for manufacturing the same and suction drier apparatus |
| FR2600550B1 (fr) * | 1986-05-30 | 1990-10-19 | Meridional Oenologie Centre | Procedes de fabrication de membrane minces composees d'un reseau mineral d'oxydes de titane et de silicium et poudre composee de grains submicroniques en oxydes mixtes de titane et de silicium |
| FR2600266B1 (fr) * | 1986-06-19 | 1990-08-24 | Lorraine Carbone | Procede de fabrication d'une membrane minerale poreuse sur un support mineral |
| FR2604920B1 (fr) * | 1986-10-10 | 1988-12-02 | Ceraver | Membrane de filtration ceramique et procede de fabrication |
| FR2614214B1 (fr) * | 1987-04-23 | 1993-02-12 | Commissariat Energie Atomique | Membrane semi-permeable organominerale et son procede de fabrication. |
| US5225276A (en) * | 1987-09-26 | 1993-07-06 | Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo | Filter aid for analytical use and method for preparing the same |
| NL8702759A (nl) * | 1987-11-19 | 1989-06-16 | Hoogovens Groep Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een micro-permeabel membraan en inrichting voor het aanbrengen van deze membraan op een drager. |
| US4983423A (en) * | 1988-05-24 | 1991-01-08 | Ceramem Corporation | Method of forming a porous inorganic membrane on a porous support using a reactive inorganic binder |
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