JPS58196238A

JPS58196238A - 無電解メツキ方法

Info

Publication number: JPS58196238A
Application number: JP7923282A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Ishibashi; 正石橋
Original assignee: Toyo Ink SC Holdings Co Ltd; Toyo Ink Mfg Co Ltd
Current assignee: Artience Co Ltd
Priority date: 1982-05-13
Filing date: 1982-05-13
Publication date: 1983-11-15
Also published as: JPH036225B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、紫外線もしくは電子線等の活性光線を照射す
ることにより、グラスチック製基材に接触させたラジカ
ル重合性化合物をグラフトさせて表面改質を行なった該
基材上に無電解メッキする方法に関するものである。

本発明は、無電解メッキを簡略化することにより、無電
解メッキの効率化および物理的、化学的性能の改善にあ
る。従来のプラスチック等の高分子化合物への無電解メ
ッキは■脱脂、■エツチング（クロム酸混液に浸漬）、
■水洗（十分に）、■中和、■水洗、■感受性化、■水
洗、■活性化、■水洗、■化学メッキ、０水洗するとい
う長い工程がとられ、かつ、その条件が複雑であり、制
御が困難であるという問題点があった。特に工程■では
、被メッキ物に適合したエツチングを施し、被メツキ物
表面に化学的結合力を有するように活性化をはかりつつ
、表面の凹凸とその形状で付着力を増すようにし、更に
メッキ時の被メッキ物の水濡れ性を改良することである
。しかし、このエツチングはプラスチックメッキの場合
、最っとも律速となり、かつ下地を凹凸にするためメッ
キ膜の粗さを目立たせることになる。一般にグラスチッ
クでは親水性に乏しく、また金属イオンが析出して金属
膜となった時の該金属膜との付着力が得にくいので、プ
ラス、チックの種類によって強酸または強アルカリから
選ばれた液をエツチング剤として、この液中に７０〜９
５℃位の高温下で処理し、粗面化することによって接着
力の増加をはかっている。エツチング条件は比較的過酷
な条件を必要としない場合でも数分以上はかかり槽が長
くなる。時間短縮のために条件を厳しくすれば表面粗さ
が大になり、用途が限られてくる。

本発明者は以上の問題点を解決するために種々検討を重
ねた結果、従来法とは異なる次の発明をした。すなわち
、本発明は、紫外線もしくは電子線等の活性光線を照射
することにより、プラスチック製基材に接触させたラジ
カル重合性化合物をグラフト結合させて表面、改質を行
なった該基材上に無電解メッキする方法である。

プラスチック製基材の表面改質の方法としては、コロナ
放電処理、酸化処理、火炎処理、活性光線グラフト結合
、被膜塗布等の種々の表面処理方法が試みられている。

コロナ放電処理、酸化処理、火炎処理の諸方法は、基材
の化学的性質、機械的性質等を損う欠点を有している。

更に、コロナ放電処理では処理効果自身が小さい上、そ
の均一性と持続性が乏しいという難点がある。一方、被
膜塗布では高分子基材との接着性に問題があるばかりで
なく、ツーラスチック基材と塗布層との性質が異なると
いう２層構造性のために、処理された基材が固有の機械
的性質および化学的性質をかなり失なってしまうという
欠点を有している。なお、活性光線グラフト結合自身は
従来より知られているが、この方法では処理された基材
の性質が失なわれることも一般に少なく、良好な方法で
ある。

本発明はグラフト結合による表面改質を行なうことによ
り、表面の物性が一都電わるが、基材の化学的性質およ
び機械的性質を保持しつつ、表面は平滑であるという特
徴を有する。また、エッチノブのような律速にはならず
効率的ＩＣＩＩｆ＆電解メッキを行うことができるもの
である。

本発明に係わるプラスチック製基材としては、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体
、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、エポ
キシ樹脂等のフィルム、シート、板、その他成形品であ
り、２種以上の７ラスチツクを用いた基材でもよい。さ
らに、ガラス繊維、炭素繊維等により強化された、寸法
安定化した基材でもよい。本発明においては、表面改質
のため活性エネルギー線照射を行なうため、基材の形状
はフィルム、シート、板状のも、のが好ましい。本発明
で得られた、メッキされたテープ、シー、ト、ディスク
等は生産性、品質均一性の点で優位性を有するものであ
る。

本発明に係わるプラスチック製基材としては活性光線に
よりラジカル重合性化合物がグラフト結合し易く、かつ
、活性光線照射により劣化を受は難いグラスチックであ
ることが好ましく、また、電子線照射により劣化し易い
場合には、紫外線照射を用いることが望ましい。

本発明に用いられるラジカル重合性化合物としては、α
、β−エチレン性不飽和カルボン酸モジ〈ハα、β−エ
チレン性不飽和カルボン酸エステルを主とする単量体で
あり、α、β−エチレン性不飽和カルボン酸としてはア
クリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、フマル酸、マレ
イン酸、無水マレイン酸等である。また、α、β−エチ
レン性不飽和カルボン酸エステルとしては、アクリル酸
メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタ
クリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチ
ル、フマル酸；舶しジメチル、マレイン酸モノ録、マレイン酸ジメチル等で
ある。ラジカル重合性化合物としては、α、β−エチレ
ン性不飽和カルボン酸もしくはα、β−エチレン性不飽
和カルボン酸エステル以外吟他のラジカル重合性化合物
を用いることが出来るが、その量は５０重量％未満であ
る。金属との接着性の面から望ましくは、アクリル酸、
メタクリル酸、無水マレイン酸のようなカルボン酸が良
い。

表面改質において、必要に応じて用いられるラジカル重
合開始剤臀公知のものが用いられる。

例えば、ベンゾインエーテル類、アゾビスイソブチルニ
トリル類等の如く単独で使用できるもの、ベンゾフェノ
ン、アセトフェノン等の如く細分子の活性水素を引き抜
くことにより使用できるもの等があるが、電子線の場合
は必ずしも使用する必要がなく、紫外線の場合、ラジカ
ル重合性物質の種類と基材の種類との組み合せにより使
用しなくとも良い。

本発明に用いられるラジカル重合性化合物単独で基材に
接触させることも可能であるが、基材表面に薄く塗布す
る（では溶剤を用いることが好ましい。溶剤としては、
基材表面を溶解変形させないものであシ、公知のものが
単独あるいは混合して用いられる。溶液の濃度は００１
〜１００重量％の範囲であり、望ましくは０．１〜１０
重量％である。水、水と有機溶剤の混合物、水溶性溶剤
等は作業の安全性、経済性、後処理の面から有効である
。表面処理後、未反応物の除去が必要であり、水溶館弓
シカ〜重合性化合物、溶剤を用いた場合、水洗が可能で
あり、このような化合物を選択することができる。

本発明（Ｃおいて、ラジカル重合性化合物を基材表面に
接触させるには、塗布等のあらゆる手段が使用できるが
、塗布する場合、ロールコータ−１７０〜コーター、ス
プレー等公知の手段が用いられる。塗布の場合、接触さ
せる皮膜厚は１〜５０μである。この塗膜上に約１０μ
厚程度の保護層を設けることが望ましく、保護層として
はポリプロピレン、ポリエステル等が好ましい。保護層
で覆うことにより、ラジカル重合性化合物の揮散やはじ
き等がなくなるという利点がある。４朱浅層−・し貝？
１ｌＩｌ訃、〜力・′叶ｈヒｔすｉｓ４倉す３、本発明
に用いる紫外線の照射の１例を挙げると、２瞑の紫外線
ランプ５本を用い、基材表面とランプとの距離を１２ｃ
ｒｎの場合、ラインスピードとして０．２〜２０ｍ／分
が望ましい。２０　ｍ　７分を超えると、十分な改質が
得られず０．２　ｍ未満では基材の劣化を起こし、本来
の基材の性質を損う。電子線の照射の１例を挙げると、
０．１〜１００Ｍｒａｄ　　の照射量が良好であるが、
基材嫁の種ｌ　Ｖｃより適宜選択することが望ましい。ポリエ
ステル製基材の場合は１〜５ＱＭｒａｄが良好であり、
１Ｍｒａｄ未満では十分な改質が得られｆ　、５０　Ｍ
　ｒ　ａ　ｄを超えるとラインスピートカ遅くなり、結
局、基材の劣化を起こす。

なお、活性光線として、場合によってはＸ線、α線等を
利用することも可能である。

本発明では、基材に対し■１旨、■ラジカル重合性化合
物を接触させ、さらに保護フィルムで覆い、保護フィル
ムもしくは基材側から紫外線もしくは電子線等の活性光
線の照射、■感受性化、■水洗、■活性化、■水洗、■
化学メッキ、■水洗という工程で行い、■以降は従来と
同じ方法である。この工程で■はエツチングでないため
、表面の平滑性、基材の性質を保持しつつ、表面の改質
が起る。本発明の最大の特徴はエツチング操作をなくし
、基材の性質を保持しつつ、さらに表面凹凸を発生しな
い状態で無電解化学メッキでき−るというところにある
。また、基材の種類により、感受性化の操作を省略する
ことも可能である。

本発明によって得られるメッキ膜は均一でピンホールが
少なく、かつ付着力が大きいので、たとえば磁性金属（
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅおよびこれらを主成分とする合金およ
び化合物）をメッキすることにより、磁気テープ、磁気
シート、磁気ディスクなどに有効である。また、銅など
をメッキし、後で必要なパターンにエツチングすればプ
リント回路に出来る。また、同様にパターンにして、プ
リント回路の焼付は用光学マスクにも出来る。本発明に
よれば、表面改質した部分のみしかメッキされないので
、両面メッキの有害な場合にはきわめて有効であり、磁
気記録体およびプリント回路などではきわめて有利であ
る。一方、従来のエツチング方法では片面のみ前処理す
ることは非常に困難であり、著しく利点がある。特に良
好な面は、エツチングしないためメッキ膜に凹凸がなく
、光沢が良好で、平滑性を求める磁気記録体ではきわめ
て有利でいため基板表面抵抗の低下がなく、電流漏洩の
トラブルが少ない。なお、基材の両面を１回の処理で行
なうことも出来る。

さらに、本発明によりプラスチック袈基材に無電解メッ
キを行なった後、通常の電解メッキを行なうことも出来
る。

次に実施例を挙げて、さらに本発明の説明を行なう。

実施例１２軸延伸したポリエチレンテレフタレートフィルム基材
（厚み７０μ）を幅１４０ＷｒＭ１長さゼン■製）を使
用してセンシタイジング２分間行なう。水洗後、レッド
シューマー（日本カニゼン昧製）を使用して、アクチペ
ーションヲ５０℃、３分間行う。水洗後、ブルーシュー
マー（日本力×３ゼン■製）を使用して無電解化学メッ
キを６０℃、１分間行ない、水洗する。十分風乾した後
、メッキ膜の機械的性質を調べるため、綿布で１００回
こすった後の状態を観察したが良好であった。また、接
着性はセロファンテープ剥離を行なったが、剥れなかっ
た。

実施例１の０．１重量％のアクリル酸のアセトン溶液を
用いないで、電子線照射を行ない、メッキし、同様の操
作を行なう。メッキ膜は綿布で１回こすってはがれ、膜
の機械的強度及び接着性共に悪い結果であった。

実施例２ポリイミドフィルム基材（ＫＡＰＴＯＮＨタイプ東し■
製）を幅１４０ｆｉ、長さ１４０ｍ１Ｃ切断様であった
。また、３３０℃のオープン中に２０分間処理を行なっ
たが、フィルムの収縮した部分は見られたが、メッキ膜
との剥離は認められなかった。また、ＪＩＳＣ６４８１
のはんだ耐熱性（２６０℃、６０秒）の結果も良好であ
った。

実施例３こ実施例２においてアクリル酸に代え島メタク（リル酸を
用いて同様の操作を行ない、試験したところ、同様結果
が得られ、良好であった。

実施例４紫外線照射条件は２　ＫＷの紫外線ランプ７本をフィル
ムの移動方向と垂直方向に並列に並べ、フィルムの移動
速度を１０ｍ／分にし、フィルムと紫外線ランプとの距
離を１２ｃ１ｎとする。ポリプロピレンフィルム（７０
μ）の上に５μの厚さて、０，１重量％のアクリル酸の
アセトン溶液を塗布し、約１０μのポリプロピレンフィ
ルムで覆う。この試料を上記の条件にて照射を行なう。

水洗後、実施例１と同様の操作を行ない、試験したとこ
ろ、機械的性質、接着性共に良好な結果を示した。

実施例５実施例２の０．１重量％のアクリル酸溶液の代わりに０
．０５５重量％アクリル酸溶液を用いて、同様の操作を
行ない、試験したところ、実施例２と同様の結果であり
、濃度の影響はほとんど認められなかった。

比較例２実施例２の０．１重量％のアクリル酸のアセトン溶液を
用いないで、電子線照射を行ない、メッキして同様の操
作を行なった。機械的強度、接着性共に悪い結果であっ
た。

実施例６実施例１のポリエチレンテレフタレートフィルム基材に
代えてポリプロピレンフィルム基材（７０μ）および電
子線照射２Ｑ　Ｍ　ｒ　ａ　ｄを用いて、同様の操作を
行ない、試験したところ、機械的強度、接着性共に良好
であった。

特許出願人東洋インキ製造株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

プラスチック製基材に接触させたラジカル重合性化合物
を活性光線の照射によりグラフト結合させて表面改質を
行なった該基材上に無電解メッキすることを特徴とする
無電解メッキ方法。