JPS58192389A - 連続組立発光ダイオ−ド - Google Patents
連続組立発光ダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS58192389A JPS58192389A JP57076333A JP7633382A JPS58192389A JP S58192389 A JPS58192389 A JP S58192389A JP 57076333 A JP57076333 A JP 57076333A JP 7633382 A JP7633382 A JP 7633382A JP S58192389 A JPS58192389 A JP S58192389A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- electrode
- chip
- screening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- POIUWJQBRNEFGX-XAMSXPGMSA-N cathelicidin Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](CCC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)N[C@@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)N[C@@H](CCCNC(N)=N)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)O)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CO)C(O)=O)NC(=O)[C@H](CC=1C=CC=CC=1)NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)CNC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@@H](N)CC(C)C)C1=CC=CC=C1 POIUWJQBRNEFGX-XAMSXPGMSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は連続組立発光ダイオードに関する。
発光ダイオードは、従来、2本の端子を有する単体の素
子として組立てられるのか一般であった。
子として組立てられるのか一般であった。
このため、組立作業の自動化、スクリーニングなどが難
しかった。
しかった。
第1QCは、従来例に係る発光ダイオードの縦断面図で
ある。
ある。
この図は樹脂モールド型発光ダイオード40を示す。こ
の発光ダイオードは、2本の端子41.42を用い、一
方の端子の上に発光ダイオードチップ43をダイボンデ
ィングし、さらに他の端子とチップ43の電極とをワイ
ヤボンディング44シて接続している。そして、透明の
樹脂によってモールドしたものである。モールド45は
端子41.42を固定し、また光を集光する作用がある
。
の発光ダイオードは、2本の端子41.42を用い、一
方の端子の上に発光ダイオードチップ43をダイボンデ
ィングし、さらに他の端子とチップ43の電極とをワイ
ヤボンディング44シて接続している。そして、透明の
樹脂によってモールドしたものである。モールド45は
端子41.42を固定し、また光を集光する作用がある
。
このような発光ダイオードは、組立を自動化する事が難
しい。多数の素子材料を連続的に、或は同時に組立てて
ゆくのに適していないからである。
しい。多数の素子材料を連続的に、或は同時に組立てて
ゆくのに適していないからである。
第11TI!Jは、従来例に係る他の発光ダイオードの
縦断分解図である。
縦断分解図である。
これは金属ケース人発光ダイオード46を示す。
縦方向の端子47を取付けたヘッダ48の上に、発光ダ
イオードチップ49をボンディングし、残りの端子とチ
ップ49とをワイヤボンディング50シ、さらにガラス
窓付金属キャップ51をヘッダ48に融着しである。
イオードチップ49をボンディングし、残りの端子とチ
ップ49とをワイヤボンディング50シ、さらにガラス
窓付金属キャップ51をヘッダ48に融着しである。
このような発光ダイオードも組立の自動化に適しておら
ず、スクリーニングも煩労になる。
ず、スクリーニングも煩労になる。
スクリーニングというのは、製品を通電状態のまま数日
〜数週間試験し、不良品があれば、これを除く工程をい
う。一般に、製品は、その寿命の続く間、故障する確率
は常に一定であるわけてはない。製造されて数日〜数週
間の内に故障するものが多く、これを初期不良と呼ぶ。
〜数週間試験し、不良品があれば、これを除く工程をい
う。一般に、製品は、その寿命の続く間、故障する確率
は常に一定であるわけてはない。製造されて数日〜数週
間の内に故障するものが多く、これを初期不良と呼ぶ。
この時間を経ると、故障率は減少し、安定した状態とな
る。そして、老化して寿命が尽きる頃、再び故障率が高
くなる。
る。そして、老化して寿命が尽きる頃、再び故障率が高
くなる。
このような確率的法則があるので、予め工場内で、通電
状態に数日〜数週間試験し、初期不良の現われたものを
チェックし、これを廃棄する。これがスクリーニングで
ある。
状態に数日〜数週間試験し、初期不良の現われたものを
チェックし、これを廃棄する。これがスクリーニングで
ある。
第10図、第11図のような発光ダイオードは、各素子
が分離しており、スクリーニングのため、各素子ごとに
通電しなければならず、専用の治具や試験器具を多数必
要とし、手数もかかり、煩労である。またスクリーニン
グのために比較的広い空間を必要とする。
が分離しており、スクリーニングのため、各素子ごとに
通電しなければならず、専用の治具や試験器具を多数必
要とし、手数もかかり、煩労である。またスクリーニン
グのために比較的広い空間を必要とする。
本発明は、これらの欠点を克服し、組立作業の自動化、
スクリーニングに最適な連続組立発光ダイオードを与え
る事を目的とする。
スクリーニングに最適な連続組立発光ダイオードを与え
る事を目的とする。
以下、実施例を示す図面によって、本発明の構成、作用
及び効果を説明する。
及び効果を説明する。
第1図は、セラミック厚膜基板の上に、発光ダイオード
集合を製作するための、導体パターンを印刷したものの
平面図である。
集合を製作するための、導体パターンを印刷したものの
平面図である。
本発明は、金属製のハーメチックヘッダ・キャップ構造
や樹脂モールド構造をとらず、セラミック厚膜印刷基板
1の上に、電極パターン2を厚膜印刷する。
や樹脂モールド構造をとらず、セラミック厚膜印刷基板
1の上に、電極パターン2を厚膜印刷する。
電極パターン2は、同じ形状が、左右前後に繰返した周
期的パターンである、左右前後の1周期が、ひとつの単
位発光ダイオード3に対応する。
期的パターンである、左右前後の1周期が、ひとつの単
位発光ダイオード3に対応する。
この例では、5行6列の行列状に、30個の単位発光ダ
イオード3のパターンが図示されている。
イオード3のパターンが図示されている。
−□931.わ。ff1J O行、11状、。、光ヶ、
イオー、 −を製造することができ、これら一群の
発光ダイオードは一挙にあるいは連続的に製造される。
イオー、 −を製造することができ、これら一群の
発光ダイオードは一挙にあるいは連続的に製造される。
電極パターンの印刷は、通常の厚膜印刷技術により簡単
に行うことができる。たとえば銀パラジウムよりなる導
体ペーストを用い、所望のパターンに対応する部分を切
抜いた薄い金属製スクリーンを基板に当て、上から導体
ペーストをローラで塗布する。これを乾燥、焼成して、
電極パターンができる。
に行うことができる。たとえば銀パラジウムよりなる導
体ペーストを用い、所望のパターンに対応する部分を切
抜いた薄い金属製スクリーンを基板に当て、上から導体
ペーストをローラで塗布する。これを乾燥、焼成して、
電極パターンができる。
アノード電極4、カソード電極5が、単位発光ダイオー
ド3の端部に並んでいる。中央には、チップをボンディ
ングするためのチップ座6がある。
ド3の端部に並んでいる。中央には、チップをボンディ
ングするためのチップ座6がある。
カソード電極5、チップ座6と、隣接単位発光ダイオー
ドのアノード電極4が連絡パターン部7によって結合さ
れている。
ドのアノード電極4が連絡パターン部7によって結合さ
れている。
単位発光ダイオード3,3を分ける境界線8は破線で示
しである。
しである。
境界線8に対応して、厚膜印刷基板1の裏面には、分割
用溝9を刻んである。
用溝9を刻んである。
同一単位発光ダイオード内のカソード電極5とアノード
電極4が分離しているのは当然であるが、隣接素子間の
カソード電極5とアノード電極4が連続している、とい
うのは重要である。
電極4が分離しているのは当然であるが、隣接素子間の
カソード電極5とアノード電極4が連続している、とい
うのは重要である。
このようなmxn個のパターンの、チップ座6へ、発光
ダイードチップ10を連続的にボンディンクシテユく。
ダイードチップ10を連続的にボンディンクシテユく。
左右前後へのピッチは定まっているので、ボンディング
工程は自動化する事ができる。
工程は自動化する事ができる。
さらに、アノード電極4につながる連絡7X6ター77
と、発光ダイオードチップ10のP型置極部とをワイヤ
ボンディング11する。ワイヤボンディングも自動化工
程のひとつである。
と、発光ダイオードチップ10のP型置極部とをワイヤ
ボンディング11する。ワイヤボンディングも自動化工
程のひとつである。
このようにしたものの1行分だけを示すのが第2図であ
る。
る。
この例では、厚膜印刷基板1の両側に、アノード側附加
領域12、及びカソード側附加領域13が設けられ、こ
こにスクリーニング用電極14 、15か余分に印刷さ
れている。
領域12、及びカソード側附加領域13が設けられ、こ
こにスクリーニング用電極14 、15か余分に印刷さ
れている。
スクリーニング用電極14 、15は隣接発光ダイオー
ドのアノード、カソードに連続している。
ドのアノード、カソードに連続している。
第2図のように、チップ座6に発光ダイオードチップ1
0をボンディングし、チップ10のP型置極部とアノー
ド部とをワイヤボンディングすると、各行(この例では
6個)の発光ダイオードは、直列接続されることになる
。発光ダイオード群の直列体の両端か、スクリーニング
用電極14 、15である。
0をボンディングし、チップ10のP型置極部とアノー
ド部とをワイヤボンディングすると、各行(この例では
6個)の発光ダイオードは、直列接続されることになる
。発光ダイオード群の直列体の両端か、スクリーニング
用電極14 、15である。
第3図は単位発光ダイオード3の拡大平面図である。
アノード電極4につながる連絡パターン部7の一部は、
絶縁ガラスパターン16によって覆われている。ガラス
パターンの厚膜印刷は、最初に行っておく。
絶縁ガラスパターン16によって覆われている。ガラス
パターンの厚膜印刷は、最初に行っておく。
第4図は金属キャップを取付けた単位発光ダイオードの
拡大平面図、第5図は第4図中のV−■断面図である。
拡大平面図、第5図は第4図中のV−■断面図である。
金属キャップ17は皿型断面で、中央にガラス窓18を
備える。発光ダイオードチップ10から生ずる光は、ガ
ラス窓18から外部へ放射される。
備える。発光ダイオードチップ10から生ずる光は、ガ
ラス窓18から外部へ放射される。
このため、ガラス窓18は、チップ10の直上にくるよ
う、金属キャップ17は、厚膜印刷基板1ヘノ1ンダ付
け、又は導電性接着剤で固着される。この例では、カソ
ード電極5と、金属キャップ17は電気的に接続されて
いる。
う、金属キャップ17は、厚膜印刷基板1ヘノ1ンダ付
け、又は導電性接着剤で固着される。この例では、カソ
ード電極5と、金属キャップ17は電気的に接続されて
いる。
金属キャップの取付けは、第1図のような行列状態のま
まで行う。これも自動化工程で行うとよい。
まで行う。これも自動化工程で行うとよい。
このようにしてm X n個の発光ダイオードが一挙に
製造できる。
製造できる。
このままの状態で、或は第2図に示すように、行ごとに
割って、スクリーニングする。発光ダイオードは直列に
つながっているから、両端のスクリーニング用電極14
、15間に適当な電源を接続すると、全発光ダイオー
ドに、一定電流を通電する事ができる。
割って、スクリーニングする。発光ダイオードは直列に
つながっているから、両端のスクリーニング用電極14
、15間に適当な電源を接続すると、全発光ダイオー
ドに、一定電流を通電する事ができる。
通電状態で数日〜数週間保ち、電流、電圧、輝度特性な
どを試験する。初期不良の現われたものは除く。この後
境界線8に沿って、単位発光ダイオードに分割する。
どを試験する。初期不良の現われたものは除く。この後
境界線8に沿って、単位発光ダイオードに分割する。
厚膜印刷基板1の裏に分割用溝9を設けておくと、簡単
にこれらを分割する事ができる。 −分割し
た単位発光ダイオードは第4図〜第6図に示すように、
薄い矩形状である。電極4,5がそのままになっている
が、この素子状態のまま、ハイブリッドICなどの機能
素子として厚膜印刷回路基板へ取付けることができる。
にこれらを分割する事ができる。 −分割し
た単位発光ダイオードは第4図〜第6図に示すように、
薄い矩形状である。電極4,5がそのままになっている
が、この素子状態のまま、ハイブリッドICなどの機能
素子として厚膜印刷回路基板へ取付けることができる。
つまりチップ部品として使用されつる。
裏面は、例えば第7図に示すように、裏アノード電極1
9、裏カソード電極20を、表のアノード電極4、カソ
ード電極5に対応するよう設けても良い。さらに、裏面
の大部分を覆うようにシールド用導体パターン21を、
裏カソード電極20に連続して印刷すると良い。
9、裏カソード電極20を、表のアノード電極4、カソ
ード電極5に対応するよう設けても良い。さらに、裏面
の大部分を覆うようにシールド用導体パターン21を、
裏カソード電極20に連続して印刷すると良い。
このようにすると、金属キャップ17、シールド用導体
パターン21により、発光ダイオードの周囲が金属で覆
われる事になり、他の素子や機能部品へ電磁誘電などの
影響を及ぼす事が少い。
パターン21により、発光ダイオードの周囲が金属で覆
われる事になり、他の素子や機能部品へ電磁誘電などの
影響を及ぼす事が少い。
表面の電極はスルーホール22によってつながっている
。
。
単にチップ部品としてではなく、プリント基板などに実
装したい場合は、第8図、第9図に示すように、電極4
,5から、リード23を延長させてもよい。
装したい場合は、第8図、第9図に示すように、電極4
,5から、リード23を延長させてもよい。
この実施例では、裏面にシールド用導体パターン21を
印刷しているが、これは省くこともできる。
印刷しているが、これは省くこともできる。
さらに、窓つきの金属キャップ17を使っているが、こ
れはシールド効果を必要としない場合、プラスチックキ
ャップとする事もできる。
れはシールド効果を必要としない場合、プラスチックキ
ャップとする事もできる。
また透明のプラスチックでモールドしても良い。
効果を述べる。
(1)厚膜印刷基板上に、多数の単位発光ダイオードを
組立てる事としたので、自動組立をする事ができ、極め
て能率的である。
組立てる事としたので、自動組立をする事ができ、極め
て能率的である。
(2)隣接する単位発光ダイオードのカソード、アノー
ド電極が連続するような電極パターン2を印刷し、発光
ダイオードが組立てられた時、これら発光ダイオードが
直列に接続されるから、このままの状態で、複数個の発
光ダイオードに通電できる。スクリーニング工程を簡便
にすることができる。
ド電極が連続するような電極パターン2を印刷し、発光
ダイオードが組立てられた時、これら発光ダイオードが
直列に接続されるから、このままの状態で、複数個の発
光ダイオードに通電できる。スクリーニング工程を簡便
にすることができる。
この発明の発光ダイオードの用途は、
fa) 光データリンク、光ワイヤレスリモコン(テ
レビ等の)などの光送信部 (bl パネル表示などの表示部 (C+ 光利用の近接スイッチ などである。
レビ等の)などの光送信部 (bl パネル表示などの表示部 (C+ 光利用の近接スイッチ などである。
第1図はセラミック厚膜印刷基板の上に、発光ダイオー
ド集合を製作するための導体パターンを印刷したものの
平面図。 第2図は導体パターンの上に発光ダイオードチップをボ
ンドしワイヤボンディングした発光ダイオード集合の1
行分のみの斜視図。 第3図は単位発光ダイオードの拡大平面図。 第4図は第3図の状態へ金属キャップを取付けた単位発
光ダイオードの拡大平面図。 第5図は第4図中のv−■断面図。 第6図は単位発光ダイオードの正面図。 第7図は単位発光ダイオードの底面図。 第8図はリードを取付けた単位発光ダイオードの平面図
。 第9図はリードを取付けた単位発光ダイオードの縦断面
図。 オードの縦断面図。 第11図は従来例に係る金属ケース人発光ダイオードの
分解正面図。 1・・・・・・厚膜印刷基板 2・・・・・・電極パターン 3・・・・・・単位発光ダイオード 4・・・・・・アノード電極 5・・・・・・カソード電極 6・・・・・・チップ座 7・・・・・・連絡パターン部 8・・・・・・境界線 9・・・・・・分割用溝 10・・・・・・発光ダイオードチップ11・・・・・
・ワイヤボンディング 12 、13・・・・・・附加領域 14 、15・・・・・・スクリーニング用電極16・
・・・・・絶縁ガラスパターン −
17・・・・・・金属キャップ 18・・・・・・ガラス窓 21・・・・・・シールド用導体パターン23・・・・
・・リード 発 明 者 坂 本 福 馬
戸 1) 敏 宏 西沢秀明 特許出願人 住友電気工業株式会社 3 −45( 手続補正書(自発)(1) 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 (
2)2発明の名称 連続組立発光ダイオード3、補正を
する者 (3
)事件との関係 特許出願人 居 所大阪市東区北浜5丁目15番地 名 称 (213)住友電気工業株式会社代表者社長
亀 井 正 夫 (4゜4、代
理 人 537 住 所 大阪市東成区中道3丁目15番16号452− 明細書第5頁第16行目 「厚膜印刷基板」とあるのを「厚膜印刷JJ(板」と訂
正する。 同書第7頁第18行目〜19行目 「厚膜印刷基板1ヘハンダ付け、」とあるのを「厚膜印
刷基板1へ一般接着剤、」と訂正する。 同書筒7亘゛第19行目〜20行目 「この例では、カソード電極5と、」とあるのを「この
例で導電性接着剤で固着した場合、カソード電極5と、
Jと訂正する。 同書第8頁第12行目と第13行目の間に[また行列状
のパターンを全て直列につなぐスクリーニング用パター
ンを加えておく事によって行列状の全発光ダイ万一ドに
、。 −挙に通電する事ができる。」を挿入する。 「特許請求の範囲」については別f(のとおシ1゜特許
請求の範囲 カソード電極、アノード電極及びチップ座よ)なる単位
発光ダイオードパターンが行列状に或は−列状に繰返す
電極パターンを印刷したセラミック厚膜印刷基板と、チ
ップ座の上に固着被覆されカソード電FM、!ニアノー
ド電極に接続された発光ダイオードチップとよシ成シ、
隣接する単位発光ダイオードのカソード電極とアノード
電極とが連続している事を特徴とする連続組立発光ダイ
オード。 453−
ド集合を製作するための導体パターンを印刷したものの
平面図。 第2図は導体パターンの上に発光ダイオードチップをボ
ンドしワイヤボンディングした発光ダイオード集合の1
行分のみの斜視図。 第3図は単位発光ダイオードの拡大平面図。 第4図は第3図の状態へ金属キャップを取付けた単位発
光ダイオードの拡大平面図。 第5図は第4図中のv−■断面図。 第6図は単位発光ダイオードの正面図。 第7図は単位発光ダイオードの底面図。 第8図はリードを取付けた単位発光ダイオードの平面図
。 第9図はリードを取付けた単位発光ダイオードの縦断面
図。 オードの縦断面図。 第11図は従来例に係る金属ケース人発光ダイオードの
分解正面図。 1・・・・・・厚膜印刷基板 2・・・・・・電極パターン 3・・・・・・単位発光ダイオード 4・・・・・・アノード電極 5・・・・・・カソード電極 6・・・・・・チップ座 7・・・・・・連絡パターン部 8・・・・・・境界線 9・・・・・・分割用溝 10・・・・・・発光ダイオードチップ11・・・・・
・ワイヤボンディング 12 、13・・・・・・附加領域 14 、15・・・・・・スクリーニング用電極16・
・・・・・絶縁ガラスパターン −
17・・・・・・金属キャップ 18・・・・・・ガラス窓 21・・・・・・シールド用導体パターン23・・・・
・・リード 発 明 者 坂 本 福 馬
戸 1) 敏 宏 西沢秀明 特許出願人 住友電気工業株式会社 3 −45( 手続補正書(自発)(1) 特許庁長官 島 1)春 樹 殿 (
2)2発明の名称 連続組立発光ダイオード3、補正を
する者 (3
)事件との関係 特許出願人 居 所大阪市東区北浜5丁目15番地 名 称 (213)住友電気工業株式会社代表者社長
亀 井 正 夫 (4゜4、代
理 人 537 住 所 大阪市東成区中道3丁目15番16号452− 明細書第5頁第16行目 「厚膜印刷基板」とあるのを「厚膜印刷JJ(板」と訂
正する。 同書第7頁第18行目〜19行目 「厚膜印刷基板1ヘハンダ付け、」とあるのを「厚膜印
刷基板1へ一般接着剤、」と訂正する。 同書筒7亘゛第19行目〜20行目 「この例では、カソード電極5と、」とあるのを「この
例で導電性接着剤で固着した場合、カソード電極5と、
Jと訂正する。 同書第8頁第12行目と第13行目の間に[また行列状
のパターンを全て直列につなぐスクリーニング用パター
ンを加えておく事によって行列状の全発光ダイ万一ドに
、。 −挙に通電する事ができる。」を挿入する。 「特許請求の範囲」については別f(のとおシ1゜特許
請求の範囲 カソード電極、アノード電極及びチップ座よ)なる単位
発光ダイオードパターンが行列状に或は−列状に繰返す
電極パターンを印刷したセラミック厚膜印刷基板と、チ
ップ座の上に固着被覆されカソード電FM、!ニアノー
ド電極に接続された発光ダイオードチップとよシ成シ、
隣接する単位発光ダイオードのカソード電極とアノード
電極とが連続している事を特徴とする連続組立発光ダイ
オード。 453−
Claims (1)
- カソード電極、アノード電極及びチップ座よりなる単位
発光ダイオードパターンが行列状に繰返す電極パターン
を印刷したセラミック厚膜印刷基板と、チップ座の上に
固着被覆されカソード電極とアノード電極に接続された
発光ダイオードチップとより成り、隣接する単位発光ダ
イオードのカソード電極とアノード電極とが連続してい
る事を特徴とする連続組立発光ダイオード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57076333A JPS58192389A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 連続組立発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57076333A JPS58192389A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 連続組立発光ダイオ−ド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58192389A true JPS58192389A (ja) | 1983-11-09 |
Family
ID=13602427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57076333A Pending JPS58192389A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 連続組立発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58192389A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015520515A (ja) * | 2012-06-05 | 2015-07-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 複数のオプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法、リードフレーム複合体およびオプトエレクトロニクス半導体素子 |
-
1982
- 1982-05-06 JP JP57076333A patent/JPS58192389A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015520515A (ja) * | 2012-06-05 | 2015-07-16 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 複数のオプトエレクトロニクス半導体素子の製造方法、リードフレーム複合体およびオプトエレクトロニクス半導体素子 |
US20150200138A1 (en) * | 2012-06-05 | 2015-07-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor components, leadframe assembly and optoelectronic semiconductor component |
US9741616B2 (en) | 2012-06-05 | 2017-08-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor components, leadframe assembly and optoelectronic semiconductor component |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4742432A (en) | Matrix of light-emitting elements and method of manufacturing same | |
US3938177A (en) | Narrow lead contact for automatic face down bonding of electronic chips | |
KR100652916B1 (ko) | 수광 또는 발광용 패널 및 그 제조 방법 | |
EP0024423B1 (en) | Flat panel display device and flexible circuit intended to receive and establish contact with a multiplicity of solid state devices such as light emitting diodes | |
KR100619618B1 (ko) | 광 소자 및 그 제조 방법 | |
EP0653586B1 (en) | Multiple light emitting diode module | |
US20060093308A1 (en) | Light emitting module | |
EP0535614A2 (en) | Solar battery module | |
CN106783817B (zh) | Led封装组件、led模组及其制造方法 | |
US8089140B2 (en) | Lead frame assembly, lead frame and insulating housing combination, and led module having the same | |
EP2500944A2 (en) | Semiconductor light emitting diode chip, method of manufacturing thereof and method for quality control thereof | |
KR20120008458A (ko) | 발광 디바이스의 제조 방법 | |
JPS58194383A (ja) | 連続組立発光ダイオ−ド | |
CN114280841A (zh) | 一种发光基板及显示装置 | |
JPS61156780A (ja) | 発光素子整列組立体の製造方法 | |
US7982317B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor device module, and method for manufacturing the semiconductor device module | |
CN111162157A (zh) | 一种led显示模组 | |
JPS58192389A (ja) | 連続組立発光ダイオ−ド | |
JPS599982A (ja) | 連続組立発光ダイオ−ド | |
JPH06310763A (ja) | 発光ダイオードランプ | |
JPH05235413A (ja) | 発光体 | |
JPH10288966A (ja) | Led表示器及びその製造方法 | |
CN114582248A (zh) | 一种发光显示装置及其制造方法 | |
JPH0559705U (ja) | 車輌用灯具 | |
JPS6230507B2 (ja) |