JPS58187023A - トランジスタモジユ−ル - Google Patents
トランジスタモジユ−ルInfo
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- JPS58187023A JPS58187023A JP57070971A JP7097182A JPS58187023A JP S58187023 A JPS58187023 A JP S58187023A JP 57070971 A JP57070971 A JP 57070971A JP 7097182 A JP7097182 A JP 7097182A JP S58187023 A JPS58187023 A JP S58187023A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- circuit
- terminals
- parallel
- transistor
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/66—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
- H03K17/661—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to both load terminals
- H03K17/662—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to both load terminals each output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１１発明の技術分野
本発明はトランジスタモジュールに関する。眸しくは、
配線接続用端子の簡易な接続変更により、内部に収容さ
れている回路の機能の変更が容易に可能なトランジスタ
モジュールに関する。更に詳しくは、かかる回路機能の
変更を可能にする配線接続用端子の配列に関する。
配線接続用端子の簡易な接続変更により、内部に収容さ
れている回路の機能の変更が容易に可能なトランジスタ
モジュールに関する。更に詳しくは、かかる回路機能の
変更を可能にする配線接続用端子の配列に関する。
（２）技術の背景
トランジスタモジ眞−ルとは、トランジスタ等の機器が
収容されている粕状檎造のノソツケージをいい、（イ）
トランジスタ等の機器を箇別（ディスクリート）取り付
は方式をもって取り付ける場合に比し、取り付はスペー
スを減少しうろこと、（ロ）機器の取り付は配線作業が
規格化されて容易になり、機器堆り付は工程の自動化を
可能にすること、（ハ）機器取り付は工程の工程管理上
、管理点数を減少しつること、に）機器の配線に・々−
配線の使用が可能になること等の第１」点を有する。
収容されている粕状檎造のノソツケージをいい、（イ）
トランジスタ等の機器を箇別（ディスクリート）取り付
は方式をもって取り付ける場合に比し、取り付はスペー
スを減少しうろこと、（ロ）機器の取り付は配線作業が
規格化されて容易になり、機器堆り付は工程の自動化を
可能にすること、（ハ）機器取り付は工程の工程管理上
、管理点数を減少しつること、に）機器の配線に・々−
配線の使用が可能になること等の第１」点を有する。
一方、直流電動機のチ璽ツバー制側等の直流電流制御や
α制碑付き整流用に使用される、第１図に示す如き回路
が知られている。トランジスタＴ１、Ｔ４を介して、所
望の制御された直流電流を一方向に供給することができ
、トランジスタＴ３、Ｔ２ヲ介して所望の制御された直
流電流を他方向に供給することが１きる。ダイオードは
いわゆるフライホイールダイオードであり、電源からの
エネルギー供給が遮断されている状態において、回路の
インダクタンス轡に蓄積されているエネルギーを放出さ
せるための回路を構成する機能を有する。
α制碑付き整流用に使用される、第１図に示す如き回路
が知られている。トランジスタＴ１、Ｔ４を介して、所
望の制御された直流電流を一方向に供給することができ
、トランジスタＴ３、Ｔ２ヲ介して所望の制御された直
流電流を他方向に供給することが１きる。ダイオードは
いわゆるフライホイールダイオードであり、電源からの
エネルギー供給が遮断されている状態において、回路の
インダクタンス轡に蓄積されているエネルギーを放出さ
せるための回路を構成する機能を有する。
（３ン 従来技術と問題点
上記の如き回路において、出力容量がトランジスタとダ
イオードとの容量によって規定されることは当然であり
、大きな出力容量を必要とするときは大きな容量のトラ
ンジスタとダイオードとを必要とすることは轟然１ある
。一方、トランジスタモー）ニールがその前提としてい
る大量生産方式の観点に立てば、出力容量の変更や回路
機ｎ目の些少な変更に対し、その都度内蔵機器を変更す
ることは着像し難い不利益〒ある。換言すれば、回路の
容量に対応して容量を異にする多種類の機器が内破され
ている多種類のトランジスタモジュールを用意し、回路
機能に対応して内蔵機器の押類と機能を異にする多種類
のトランジスタモジュールを用意することは、トランジ
スタモジュールの有する本質的利益の大きな部分を失う
ことを意味する。したがって、単一の構成を有するトラ
ンジスタモジュールを用意しておいて、これに接続替え
等簡易な方法を適用して回路の容量の変更や回路機能の
些少な変更に対応しうれば、トランジスタモジ凰−ルの
有する本質的利益を十分に活用しうるので、甚だ有利で
ある。
イオードとの容量によって規定されることは当然であり
、大きな出力容量を必要とするときは大きな容量のトラ
ンジスタとダイオードとを必要とすることは轟然１ある
。一方、トランジスタモー）ニールがその前提としてい
る大量生産方式の観点に立てば、出力容量の変更や回路
機ｎ目の些少な変更に対し、その都度内蔵機器を変更す
ることは着像し難い不利益〒ある。換言すれば、回路の
容量に対応して容量を異にする多種類の機器が内破され
ている多種類のトランジスタモジュールを用意し、回路
機能に対応して内蔵機器の押類と機能を異にする多種類
のトランジスタモジュールを用意することは、トランジ
スタモジュールの有する本質的利益の大きな部分を失う
ことを意味する。したがって、単一の構成を有するトラ
ンジスタモジュールを用意しておいて、これに接続替え
等簡易な方法を適用して回路の容量の変更や回路機能の
些少な変更に対応しうれば、トランジスタモジ凰−ルの
有する本質的利益を十分に活用しうるので、甚だ有利で
ある。
（４）発明の目的
本発明の目的は、この要請にこたえるもの１あり、簡易
な接続変更をもって回路出力の変更が可能なトランジス
タモジュールを提供することにある。
な接続変更をもって回路出力の変更が可能なトランジス
タモジュールを提供することにある。
（５）発明の構成
本発明の構成は、トランジスタ１箇とダイオード１箇と
が組み合わされており、そのトランジスタのコレクタと
そのダイオードのカソードとが接続されており、一方、
そのトランジスタのエミッタとそのダイオードのアノー
ドとが接続されている、トラン、ジスタとダイオードと
の並列回路を４回路収容しているトランジスタモジュー
ルにおいて、（イ）第１の並列回路１と第３の並列回路
３とはコレクタ側すなわち７ノード側が互に接続されて
端子０となされており、第２の並列回路２と第４の並列
回路４とはエミッタ側すなわちカソード側が互に接続さ
れて端子Ｅとなされており、第１の並列回路ｌのエミッ
タ側すなわちカソード側と第２の差動回路２のコレクタ
側すなわちアノ−１″倶１１とは接続されて端子ＯＥ１
となされており、第３の並列回路３のエミッタ側すなわ
ちカソード側と第４の並列回路４のコレクタ側すなわち
アノーｒ側とは接続されて端子０Σ３となされており、
第１、＄２、第３、第４の並列回路１，２．３．４を構
成するトランジスタのペースは、それぞれ、端子Ｂ１、
端子Ｂ２、端子Ｂ３、端子Ｂ４となされており、（ロ）
一方、上記の端子がトランジスタモジエール外に引き出
される配線接続端子は、端子Ｃが一方の端に設けられ、
これに隣接並置さｈて端子Ｂ１と端子Ｂ３とが対向して
設けられ、これに隣接並置されて端子ＯＲ１と端子０１
Ｃ３とが対向して設けられ、これに隣接並置されて端子
Ｂ２と端子Ｂ４とが対向して設けられ、更に、これに隣
接並置されて端子Ｅが設けられて他端をなしており、上
苔ピの互に対向している端子のうち、端子Ｂ１と端子Ｃ
Ｅ□と端子Ｂ２とが斤に隣接し、端子Ｂ、と端子ＯＦ３
と端子Ｂ４とが互に１ｌＩ１１接するように配置される
ことにある。
が組み合わされており、そのトランジスタのコレクタと
そのダイオードのカソードとが接続されており、一方、
そのトランジスタのエミッタとそのダイオードのアノー
ドとが接続されている、トラン、ジスタとダイオードと
の並列回路を４回路収容しているトランジスタモジュー
ルにおいて、（イ）第１の並列回路１と第３の並列回路
３とはコレクタ側すなわち７ノード側が互に接続されて
端子０となされており、第２の並列回路２と第４の並列
回路４とはエミッタ側すなわちカソード側が互に接続さ
れて端子Ｅとなされており、第１の並列回路ｌのエミッ
タ側すなわちカソード側と第２の差動回路２のコレクタ
側すなわちアノ−１″倶１１とは接続されて端子ＯＥ１
となされており、第３の並列回路３のエミッタ側すなわ
ちカソード側と第４の並列回路４のコレクタ側すなわち
アノーｒ側とは接続されて端子０Σ３となされており、
第１、＄２、第３、第４の並列回路１，２．３．４を構
成するトランジスタのペースは、それぞれ、端子Ｂ１、
端子Ｂ２、端子Ｂ３、端子Ｂ４となされており、（ロ）
一方、上記の端子がトランジスタモジエール外に引き出
される配線接続端子は、端子Ｃが一方の端に設けられ、
これに隣接並置さｈて端子Ｂ１と端子Ｂ３とが対向して
設けられ、これに隣接並置されて端子ＯＲ１と端子０１
Ｃ３とが対向して設けられ、これに隣接並置されて端子
Ｂ２と端子Ｂ４とが対向して設けられ、更に、これに隣
接並置されて端子Ｅが設けられて他端をなしており、上
苔ピの互に対向している端子のうち、端子Ｂ１と端子Ｃ
Ｅ□と端子Ｂ２とが斤に隣接し、端子Ｂ、と端子ＯＦ３
と端子Ｂ４とが互に１ｌＩ１１接するように配置される
ことにある。
そして、（イ）端子Ｃと端子丘との間に直流電圧を印加
し、端子ＯＢ、と端子ＯＦｓとの間に負荷電動機を接続
し、端子Ｂ、と端子Ｂ４とに一方向制御信号を印加し、
端子Ｂ、と端子Ｂ、とに他方自制ａ信号を印加すれば、
このトランジスタモジュール１箇をＪって第１図に示す
回路が構成され、（ロ）シ冒−トノ々−等をもって端子
Ｂ１と端子Ｂ３との間と、端子ｃＥ１と端子ＯＥ３との
間と、端子Ｂ２と端子Ｂ４との間とを接続すれば、第１
の並列回路ｌと第３の並列回路３とが並列接続され、第
２の並列回路２と第４の並列回路４とが並列接続される
ことになり、これら４箇の回路をもって第１の並列回路
ｌと第２の並列回路２との直列回路と等価の機能を有す
る回路を構成することができ、この直列回路を２箇使用
すれば、上記（イ）に述べたと同様の機能を有するが容
量が２倍の回路を容易に構成することがマきる。
し、端子ＯＢ、と端子ＯＦｓとの間に負荷電動機を接続
し、端子Ｂ、と端子Ｂ４とに一方向制御信号を印加し、
端子Ｂ、と端子Ｂ、とに他方自制ａ信号を印加すれば、
このトランジスタモジュール１箇をＪって第１図に示す
回路が構成され、（ロ）シ冒−トノ々−等をもって端子
Ｂ１と端子Ｂ３との間と、端子ｃＥ１と端子ＯＥ３との
間と、端子Ｂ２と端子Ｂ４との間とを接続すれば、第１
の並列回路ｌと第３の並列回路３とが並列接続され、第
２の並列回路２と第４の並列回路４とが並列接続される
ことになり、これら４箇の回路をもって第１の並列回路
ｌと第２の並列回路２との直列回路と等価の機能を有す
る回路を構成することができ、この直列回路を２箇使用
すれば、上記（イ）に述べたと同様の機能を有するが容
量が２倍の回路を容易に構成することがマきる。
（６）発明の実施例
以下、図面を参照しつつ、本発明の一笑姉例に保るトラ
ンジスタモジュールについて説明し、本発明の構成と特
有の効果とを更に明らかにする。
ンジスタモジュールについて説明し、本発明の構成と特
有の効果とを更に明らかにする。
第２図はその基本回路構成を示す。図において、１．２
．３．４は第１、第２、第３、第４の並列回路ｆあり、
ＣとＥとは、それぞれ、第１−第３並列回路１，３のコ
レクタ側端子と第２・第４並列回路２．４のエミッタ端
子マあり、ｃＥ１トｃＥ。
．３．４は第１、第２、第３、第４の並列回路ｆあり、
ＣとＥとは、それぞれ、第１−第３並列回路１，３のコ
レクタ側端子と第２・第４並列回路２．４のエミッタ端
子マあり、ｃＥ１トｃＥ。
とは、第１回路１のエミッタと第２回路２のコレクタと
の接続点の端子と第３回路３のエミッタと第４回路４の
コレクタとの接続点の端子であり、”Ｉ 、ＢＱ 、Ｂ
３ 、Ｂ４は、それぞれ、第１１第２、第３、＄４並列
回路１，２．３．４の４−ス端子である。
の接続点の端子と第３回路３のエミッタと第４回路４の
コレクタとの接続点の端子であり、”Ｉ 、ＢＱ 、Ｂ
３ 、Ｂ４は、それぞれ、第１１第２、第３、＄４並列
回路１，２．３．４の４−ス端子である。
第３図と第４図とは本発明の一実施例に係るトランジス
タモー）ニール５の平面図と正面図とｆあり、各端子の
配置を図示するもの１ある。
タモー）ニール５の平面図と正面図とｆあり、各端子の
配置を図示するもの１ある。
ここ１、端子Ｃと端子Ｅとの間に直流′電圧を印加し、
端子ＯＲ□と端子０Ｆ２３との間に直流電動機等の負荷
を接続し、端子Ｂ１、Ｂ２、Ｂ８、Ｂ４を介してトラン
ジスタを制御すれば、負荷直流電動機を直流チョツノ々
制御することができる。
端子ＯＲ□と端子０Ｆ２３との間に直流電動機等の負荷
を接続し、端子Ｂ１、Ｂ２、Ｂ８、Ｂ４を介してトラン
ジスタを制御すれば、負荷直流電動機を直流チョツノ々
制御することができる。
また、シ冒−トノ々−等をもって、互に対向する端子Ｂ
１とＢ８、ｃ′Ｌ１とＣＥ３、Ｂ２とＢ４とを接続すれ
ば、第１の並列回路ｌと第２の並列回路２とよりなる直
列回路と等価の回路となるから、このトランジスタモジ
ュールを２箇使用すれば、上記に述べたと同一の機能を
有するが電流容量は２倍である直流チーツノ９制御回路
をうろことが１きる。
１とＢ８、ｃ′Ｌ１とＣＥ３、Ｂ２とＢ４とを接続すれ
ば、第１の並列回路ｌと第２の並列回路２とよりなる直
列回路と等価の回路となるから、このトランジスタモジ
ュールを２箇使用すれば、上記に述べたと同一の機能を
有するが電流容量は２倍である直流チーツノ９制御回路
をうろことが１きる。
（７）発明の詳細
な説明せるとおり、本発明によれば、簡易な接続変更を
もって回路出力の変更が可能なトランジスタモジエール
を提供することができる。
もって回路出力の変更が可能なトランジスタモジエール
を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例に係るトランジスタモジニー
ルの回路と同一の回路の使用状態を示す回路図１ある。 第２図は本発明の一実施例に係るトランジスタモジュー
ルの基本回路構成を示す回路図１あり、第３図、第４図
は、本発明の一実施例に係るトランジスタモー）翼−ル
の平面図と正面図とである。 Ｔ１．Ｔ２・Ｔ３・Ｔ４°“トランジ１らＤｌ、 Ｄ鵞
＼Ｄ３・Ｂ４・・・ダイオード、Ｍ・・・直流電動機、
１，２．３．４・・・第１、第２、第３、第４の並列回
路、Ｃ・・・第１・第３の並列回路のコレクタ端子、Ｅ
・・・第２、第４の並列回路の工きツタ端子、ＣＥ、・
・・第１の並列回路のエミッタと第２の並列回路のコレ
クタとの端子、ＯＦ２・・・第３の並列回路のエミッタ
と第４の並列回路のコレクタとの端子、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ
３、Ｂ４・・、第１、第２、第３、第４の並列回路に含
まれるトランジスタのベース端子。 特許出願人 富士通ファナック株式会社代理人 弁理士
寒 川 誠 −
ルの回路と同一の回路の使用状態を示す回路図１ある。 第２図は本発明の一実施例に係るトランジスタモジュー
ルの基本回路構成を示す回路図１あり、第３図、第４図
は、本発明の一実施例に係るトランジスタモー）翼−ル
の平面図と正面図とである。 Ｔ１．Ｔ２・Ｔ３・Ｔ４°“トランジ１らＤｌ、 Ｄ鵞
＼Ｄ３・Ｂ４・・・ダイオード、Ｍ・・・直流電動機、
１，２．３．４・・・第１、第２、第３、第４の並列回
路、Ｃ・・・第１・第３の並列回路のコレクタ端子、Ｅ
・・・第２、第４の並列回路の工きツタ端子、ＣＥ、・
・・第１の並列回路のエミッタと第２の並列回路のコレ
クタとの端子、ＯＦ２・・・第３の並列回路のエミッタ
と第４の並列回路のコレクタとの端子、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ
３、Ｂ４・・、第１、第２、第３、第４の並列回路に含
まれるトランジスタのベース端子。 特許出願人 富士通ファナック株式会社代理人 弁理士
寒 川 誠 −
Claims (1)
- ｌのトランジスタと１のダイオ−Ｐとよりなり、該トラ
ンジスタのコレクタと該ダイオ−ｒのカソードとが接続
されており、該トランジスタのエンツタと該ダイオード
のアノ−Ｐとが接続されてなる、トランジスタとダイオ
ードとの並列回路を４組収容スるトランジスタモジュー
ルにおいて、（イ）第１の並列回路１と第３の並列回路
３とはコレクタ側が接続されて端子０を構成し、第２の
並列回路２と第４の並列回路４とはニオツタ側が接続さ
れて端子児を構成し、第１の並列回路ｌのエミッタ側と
第２の並列回路２のコレクタ側とは接続されて端子０１
１を構成し、第３の並列回路３のエミッタ側と第４の並
列回路４のコレクタ側とは接続されて端子０Ｆｉ３を構
成し、第１、！８２、第３、第４の並列回路ｌ、２．３
．４を構成するトランジスタのペースは、それぞれ、端
子３里、端子Ｂ１、端子Ｂ３、端子Ｂ４を構成しており
、（ロ）配線接続端子は、端子Ｃが一方の端に設けられ
、これに隣接して、端子Ｂ１と端子Ｂ３とが対向して設
けられ、これに隣接して、端子ＯＥ１と端子ＯＢ、とが
対向して設けられ、これに隣接して、端子Ｂ２と端子Ｂ
４とが対向して設けられ、更に、これに隣接して、端子
Ｅが設けられており、端子Ｂ８と端子ＯＥユと端子Ｂ、
とが互に隣接し、端子Ｂ、と端子ｃＥ３と端子Ｂ４とが
互に隣接していることを特徴とするトランジスタモジュ
ール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070971A JPS58187023A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | トランジスタモジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57070971A JPS58187023A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | トランジスタモジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58187023A true JPS58187023A (ja) | 1983-11-01 |
Family
ID=13446912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57070971A Pending JPS58187023A (ja) | 1982-04-27 | 1982-04-27 | トランジスタモジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58187023A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4965710A (en) * | 1989-11-16 | 1990-10-23 | International Rectifier Corporation | Insulated gate bipolar transistor power module |
| US5459655A (en) * | 1991-09-20 | 1995-10-17 | Hitachi, Ltd. | Neutral-point clamped inverter device using semiconductor modules |
| US5731970A (en) * | 1989-12-22 | 1998-03-24 | Hitachi, Ltd. | Power conversion device and semiconductor module suitable for use in the device |
-
1982
- 1982-04-27 JP JP57070971A patent/JPS58187023A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4965710A (en) * | 1989-11-16 | 1990-10-23 | International Rectifier Corporation | Insulated gate bipolar transistor power module |
| US5731970A (en) * | 1989-12-22 | 1998-03-24 | Hitachi, Ltd. | Power conversion device and semiconductor module suitable for use in the device |
| US5459655A (en) * | 1991-09-20 | 1995-10-17 | Hitachi, Ltd. | Neutral-point clamped inverter device using semiconductor modules |
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