JPS58182837A - 樹脂封止半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止半導体装置の製造方法Info
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- JPS58182837A JPS58182837A JP6540282A JP6540282A JPS58182837A JP S58182837 A JPS58182837 A JP S58182837A JP 6540282 A JP6540282 A JP 6540282A JP 6540282 A JP6540282 A JP 6540282A JP S58182837 A JPS58182837 A JP S58182837A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子を樹脂で封止した樹脂封止半導体
装置の製造方法、特に、厚さが均一で薄い樹脂封止半導
体装置を得るに好適な樹脂封止半導体装置の製造方法に
関する。
装置の製造方法、特に、厚さが均一で薄い樹脂封止半導
体装置を得るに好適な樹脂封止半導体装置の製造方法に
関する。
近年、薄型、小型の電卓あるいは電子時計等に用いるた
め、半導体装置の厚さを薄くする要求が高くなっている
。半導体装置の厚さは、半導体素子の封止方法で左右さ
れ、現在、最も厚さを薄くできる封止方法として、ボッ
ティング法と呼ばれる樹脂封止法が知られている。
め、半導体装置の厚さを薄くする要求が高くなっている
。半導体装置の厚さは、半導体素子の封止方法で左右さ
れ、現在、最も厚さを薄くできる封止方法として、ボッ
ティング法と呼ばれる樹脂封止法が知られている。
以下、このボッティング法を用いた、従来技術による樹
脂封止半導体装置の製造方法を第1図について説明する
。
脂封止半導体装置の製造方法を第1図について説明する
。
第1図において、1は配線リード、2は基板、3は半導
体素子、4はボンディングワイヤ、5は液状熱硬化性樹
脂、6はダ、ム、7はボンディングワイヤと配線リード
との接合部、8はボンディングワイヤと半導体素子との
接合部、9はシリンジである。
体素子、4はボンディングワイヤ、5は液状熱硬化性樹
脂、6はダ、ム、7はボンディングワイヤと配線リード
との接合部、8はボンディングワイヤと半導体素子との
接合部、9はシリンジである。
従来技術による樹脂封止半導体素子の製造方法は、第1
図に示すように、配線リード1がプリントされ、半導体
素子3が接着剤等で固定され、両者がボンディングワイ
ヤ4を介して接合部7及び8で接続されている基板2上
に、液状熱硬化性樹脂5をシリンジ9で適垣滴下し封止
するものである。基板2上にはダム6が設けられており
、ダム6は、シリンジ9で滴下された液状熱硬化性樹脂
5が基板2上に必要以上に拡がらないようにしている。
図に示すように、配線リード1がプリントされ、半導体
素子3が接着剤等で固定され、両者がボンディングワイ
ヤ4を介して接合部7及び8で接続されている基板2上
に、液状熱硬化性樹脂5をシリンジ9で適垣滴下し封止
するものである。基板2上にはダム6が設けられており
、ダム6は、シリンジ9で滴下された液状熱硬化性樹脂
5が基板2上に必要以上に拡がらないようにしている。
液状熱硬化性樹脂5を適散滴下された基板2は、その後
、真空中で液状熱硬化性樹脂5の脱泡が行なわれ、さら
に加熱されて液状熱硬化性樹脂5を硬化させることによ
り、樹脂封止半導体装置として完成される。
、真空中で液状熱硬化性樹脂5の脱泡が行なわれ、さら
に加熱されて液状熱硬化性樹脂5を硬化させることによ
り、樹脂封止半導体装置として完成される。
0?J述のようなボッティング法による樹脂封止半導体
装置の製造方法は、液状熱硬化性樹脂5の滴下量や拡が
り方が樹脂5の粘度に大きく依存するため、樹脂封止環
tを高精度に制御することが困難であり、樹1jil?
封止厚がばらつくことによる製品の製造歩留りが悪いと
いう欠点があった。すなわち、樹脂封止環が薄いものは
、ボンディングワイヤが透けて見えたり、外部に露出し
て外観不良となり、これを防ぐため、液状熱硬化性樹脂
5の滴下量を多くすると、規格以上の樹脂封止環に4〔
るものが多くなってしまう。
装置の製造方法は、液状熱硬化性樹脂5の滴下量や拡が
り方が樹脂5の粘度に大きく依存するため、樹脂封止環
tを高精度に制御することが困難であり、樹1jil?
封止厚がばらつくことによる製品の製造歩留りが悪いと
いう欠点があった。すなわち、樹脂封止環が薄いものは
、ボンディングワイヤが透けて見えたり、外部に露出し
て外観不良となり、これを防ぐため、液状熱硬化性樹脂
5の滴下量を多くすると、規格以上の樹脂封止環に4〔
るものが多くなってしまう。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除去し、厚さが
薄くかつ均一な樹脂対tl−,半導体装置の製造方法を
提供することにある。
薄くかつ均一な樹脂対tl−,半導体装置の製造方法を
提供することにある。
この目的を達成するため、本発明は、少tCくともボン
ディングワイヤと半導体素子との接合部を液状熱硬化性
樹脂で被覆硬化させた後、液状熱硬化性樹脂の硬化物の
上面に、ベースト状の硬化性樹脂をスクリーン印刷によ
の塗布し硬化させることにより、厚さの均一な半導体装
置を製造することができるようにした点を特徴とする。
ディングワイヤと半導体素子との接合部を液状熱硬化性
樹脂で被覆硬化させた後、液状熱硬化性樹脂の硬化物の
上面に、ベースト状の硬化性樹脂をスクリーン印刷によ
の塗布し硬化させることにより、厚さの均一な半導体装
置を製造することができるようにした点を特徴とする。
本発明者等は、ボッティング法において、滴下樹脂量が
不足したため、ボンディングワイヤが夕1部に露出した
樹脂封止半導体装置について、樹脂封止半導体装置に対
する最も重要な品質試験である耐湿試験(65℃、95
チ”H%2000時間)を行なった。その結果、ボンデ
ィングワイヤと半導体素子及び配線リードとの接合部分
が完全に樹脂によって覆われていれば、ボンディングワ
イヤの一部が露出していても、半導体装置の耐湿性が低
下しないことを見いだした。また、ボンディングワイヤ
及び基板上の配線リードの材料が、それぞれ金(Au)
である場合、ボンディングワイヤと半導体素子どの接合
部のみが、樹脂によって完全に覆われていれは、半導体
装置の耐湿性が低下しないこともわかった。このことよ
り、接合部における湿度障害は、接合部を構成する異種
金属間に生じる電池作用により起ると考えられ、従って
、アルミニウムによる電極を有する半導体素子とボンデ
ィングワイヤとの接合部における耐湿性を完全にすれは
、半導体装置の耐湿性を完全なものとすることができる
。
不足したため、ボンディングワイヤが夕1部に露出した
樹脂封止半導体装置について、樹脂封止半導体装置に対
する最も重要な品質試験である耐湿試験(65℃、95
チ”H%2000時間)を行なった。その結果、ボンデ
ィングワイヤと半導体素子及び配線リードとの接合部分
が完全に樹脂によって覆われていれば、ボンディングワ
イヤの一部が露出していても、半導体装置の耐湿性が低
下しないことを見いだした。また、ボンディングワイヤ
及び基板上の配線リードの材料が、それぞれ金(Au)
である場合、ボンディングワイヤと半導体素子どの接合
部のみが、樹脂によって完全に覆われていれは、半導体
装置の耐湿性が低下しないこともわかった。このことよ
り、接合部における湿度障害は、接合部を構成する異種
金属間に生じる電池作用により起ると考えられ、従って
、アルミニウムによる電極を有する半導体素子とボンデ
ィングワイヤとの接合部における耐湿性を完全にすれは
、半導体装置の耐湿性を完全なものとすることができる
。
本発明は、前述したような事実に基いてなされたもので
、ボンディングワイヤと半導体素子の接合部またはボン
ディングワイヤと半導体素子および配線リードとの接合
部を液状熱硬化性樹脂により被覆し、該樹脂を硬化させ
た後、さらにペースト状の熱硬化性樹脂または光硬化性
樹脂をスクリーン印刷によって塗布、硬化させることに
より、露出したボンディングワイヤを隠ペイするととも
に、樹脂封止半導体装1猷の厚さを均一にするものであ
る。
、ボンディングワイヤと半導体素子の接合部またはボン
ディングワイヤと半導体素子および配線リードとの接合
部を液状熱硬化性樹脂により被覆し、該樹脂を硬化させ
た後、さらにペースト状の熱硬化性樹脂または光硬化性
樹脂をスクリーン印刷によって塗布、硬化させることに
より、露出したボンディングワイヤを隠ペイするととも
に、樹脂封止半導体装1猷の厚さを均一にするものであ
る。
本発明による樹脂封止半導体装置の製造方法によれば、
最初の液状熱硬化性樹脂の粘度がばらつき、ボンディン
グワイヤと半導体素子および配線リードとの接合部を被
覆するための液状熱硬化性樹脂の滴下針がばらついても
、次のペースト状樹脂のスクリーン印刷によって全体の
樹脂封止環を−Sにすることができるので、厚さがばら
つくことによる樹脂封止半導体装置の製造上の歩留りを
向上させることができる。そして、ボンディングワイヤ
と半導体素子および配線リードとの接合部は、液状熱硬
化性樹脂によって被覆され補強されることになり、また
、ポンプイングリオドと配線リードとの接合部が液状熱
硬化性樹脂により被覆されなかった場合も、該接合部は
、ボンディングワイヤと半導体素子との接合部より接合
面積が大きく丈夫であるので、スクリーン印刷時にこれ
らの接合部が切断されるおそれはなく、さらに前述した
ように耐湿性の低下もない。
最初の液状熱硬化性樹脂の粘度がばらつき、ボンディン
グワイヤと半導体素子および配線リードとの接合部を被
覆するための液状熱硬化性樹脂の滴下針がばらついても
、次のペースト状樹脂のスクリーン印刷によって全体の
樹脂封止環を−Sにすることができるので、厚さがばら
つくことによる樹脂封止半導体装置の製造上の歩留りを
向上させることができる。そして、ボンディングワイヤ
と半導体素子および配線リードとの接合部は、液状熱硬
化性樹脂によって被覆され補強されることになり、また
、ポンプイングリオドと配線リードとの接合部が液状熱
硬化性樹脂により被覆されなかった場合も、該接合部は
、ボンディングワイヤと半導体素子との接合部より接合
面積が大きく丈夫であるので、スクリーン印刷時にこれ
らの接合部が切断されるおそれはなく、さらに前述した
ように耐湿性の低下もない。
以下、本発明による樹脂封止半導体装置の製造方法の一
実施例を図面について説明する。
実施例を図面について説明する。
第2図(A) 、 (B) 、 (C)及び(D)は本
発明による樹脂封止半導体装置の製造方法の説明図、第
3図(A)及び(B)は第2図におけるボンディングワ
イヤの接合部の拡大図である。第2図及び第3図におい
て、10はマスク、11はメタルスクリーン、12は印
刷ロール、13はペースト状の熱硬化性樹脂であり、第
1図に対応する部分には同一符号をつけてしする。
発明による樹脂封止半導体装置の製造方法の説明図、第
3図(A)及び(B)は第2図におけるボンディングワ
イヤの接合部の拡大図である。第2図及び第3図におい
て、10はマスク、11はメタルスクリーン、12は印
刷ロール、13はペースト状の熱硬化性樹脂であり、第
1図に対応する部分には同一符号をつけてしする。
第2図(A)において基板2上に配線リード1b−11
ノントされ、半導体素子3が接着剤により固定されてw
tF&される。配線リード1と半導体素子3とは、接合
部7及び8を介してボンディングワイヤ4で接続される
。さらに、基板2には、ボンディングワイヤ4と配線リ
ード1の接合部7の外側に、プラスチックで成形された
枠を接着剤で固定しり夕゛ムロが設けられている。この
ような樹脂封止前の半導体装置の構造は、第1図に示す
従来技術の場合と同じである0なお、第2図(A)〜(
D)は、このような半導体装置の断面図であるので、ボ
ンディングワイヤ4は2本しか示されていないが、一般
にこの種の半導体装置は、西宮、10数本から数10本
のボンディングワイヤ4とそれに対応した基板上の配線
リード1を有する。本発明の実施例においては、それぞ
れ42本を有し、ボンディングワイヤ4のループ高さh
の最大値が0.45 rrrmOものを用いた。
ノントされ、半導体素子3が接着剤により固定されてw
tF&される。配線リード1と半導体素子3とは、接合
部7及び8を介してボンディングワイヤ4で接続される
。さらに、基板2には、ボンディングワイヤ4と配線リ
ード1の接合部7の外側に、プラスチックで成形された
枠を接着剤で固定しり夕゛ムロが設けられている。この
ような樹脂封止前の半導体装置の構造は、第1図に示す
従来技術の場合と同じである0なお、第2図(A)〜(
D)は、このような半導体装置の断面図であるので、ボ
ンディングワイヤ4は2本しか示されていないが、一般
にこの種の半導体装置は、西宮、10数本から数10本
のボンディングワイヤ4とそれに対応した基板上の配線
リード1を有する。本発明の実施例においては、それぞ
れ42本を有し、ボンディングワイヤ4のループ高さh
の最大値が0.45 rrrmOものを用いた。
第2図体)に示す樹脂封止前の半導体装置を用意し1第
2図(B)に示すように、溶融石英ガラスを75重量%
含むエポキシ系の液状熱硬化性樹脂5(25℃における
粘度:500ボイス)を半導体素子3上に滴下する。こ
の液状熱硬化性樹脂5の滴下は、第1図に示す従来技術
の場合と同様に、シリンジ式のディスペンサによって行
ない、その滴下量は、シリンジのピストンを押す圧力と
時間とにより制御した。液状熱硬化性樹脂5の滴下量は
・前述したように、ボンディングワイヤ4と配線リード
1及び半導体素子との接合部7,8の補強と耐湿性確保
の点から、第3図(A)に示すように、ボンディングワ
イヤ4と半導体素子3との接合部8および配線リード1
との接合部7を液状熱硬化性樹脂5が完全に覆う状態に
なる置(本実施例では30#+7)を最小量とする必要
がある。この場合、配線り一ド1及びボンディングワイ
ヤ4が金(Au)等の同一の金属である場合、第3図(
A)に点線で示すように、ボンディングワイヤ4と配線
リード1との接合部7が液状熱硬化性樹脂5で償われな
くても、耐湿性の点で何ら問題を生じることはないが、
強度その他の点でこの接合部7も液状熱硬化性樹脂5で
完全に覆われることが望ましい。さらに、液状熱硬化性
樹脂50滴下量は、できるだけ樹脂封止厚を薄くする観
点から、第3図(B)に示すようにボンディングワイヤ
4の最高N5(h−0,45■)を液状熱硬化性樹脂5
が遣う状態になる歯(本実施例では50m9)を最大量
とすることが望ましい。
2図(B)に示すように、溶融石英ガラスを75重量%
含むエポキシ系の液状熱硬化性樹脂5(25℃における
粘度:500ボイス)を半導体素子3上に滴下する。こ
の液状熱硬化性樹脂5の滴下は、第1図に示す従来技術
の場合と同様に、シリンジ式のディスペンサによって行
ない、その滴下量は、シリンジのピストンを押す圧力と
時間とにより制御した。液状熱硬化性樹脂5の滴下量は
・前述したように、ボンディングワイヤ4と配線リード
1及び半導体素子との接合部7,8の補強と耐湿性確保
の点から、第3図(A)に示すように、ボンディングワ
イヤ4と半導体素子3との接合部8および配線リード1
との接合部7を液状熱硬化性樹脂5が完全に覆う状態に
なる置(本実施例では30#+7)を最小量とする必要
がある。この場合、配線り一ド1及びボンディングワイ
ヤ4が金(Au)等の同一の金属である場合、第3図(
A)に点線で示すように、ボンディングワイヤ4と配線
リード1との接合部7が液状熱硬化性樹脂5で償われな
くても、耐湿性の点で何ら問題を生じることはないが、
強度その他の点でこの接合部7も液状熱硬化性樹脂5で
完全に覆われることが望ましい。さらに、液状熱硬化性
樹脂50滴下量は、できるだけ樹脂封止厚を薄くする観
点から、第3図(B)に示すようにボンディングワイヤ
4の最高N5(h−0,45■)を液状熱硬化性樹脂5
が遣う状態になる歯(本実施例では50m9)を最大量
とすることが望ましい。
本実施例に用いた液状熱硬化性樹脂50滴十猷のばらつ
きは、設定した滴下量に対し±20’Jであったので、
本実施例においては、液状熱硬化性樹脂5の滴下量の設
定を40〜として、樹脂5の滴下を行なった。
きは、設定した滴下量に対し±20’Jであったので、
本実施例においては、液状熱硬化性樹脂5の滴下量の設
定を40〜として、樹脂5の滴下を行なった。
液状熱硬化性樹脂5としては、エポキシ系樹脂のほかに
、シリコン系、エポキシ拳シリコン系。
、シリコン系、エポキシ拳シリコン系。
ポリエステル系、アルキッド系、フェノール系の熱硬化
性樹脂などがあるが、電気的特性、半導体素子との接着
性の点からエポキシ糸が好ましい。
性樹脂などがあるが、電気的特性、半導体素子との接着
性の点からエポキシ糸が好ましい。
ざらに、これらの樹脂に溶融石英などの充填剤を111
’lえて硬化性樹脂の熱膨張係数を低下させると、温度
変化による樹脂と半導体素子との界面におけるはく離や
ボンディングワイヤの切断を防止することができる。
’lえて硬化性樹脂の熱膨張係数を低下させると、温度
変化による樹脂と半導体素子との界面におけるはく離や
ボンディングワイヤの切断を防止することができる。
次に、液状熱硬化性樹脂5内に残る気泡を取り除くため
、樹脂5を滴下した後の半導体装置は3〜10祁11y
の真空下で70C〜100℃で1時間脱泡され、その後
、150℃で5時間加熱し液状熱硬化性樹脂5が完全に
硬化される。前記液状熱硬化性樹脂5の脱泡は、ボンデ
ィングワイヤ4と半導体素子3との間の接合部80部分
に気泡が残ると、半導体素子3のアルミニウムの配線が
高湿度下で腐食断線するので、これを防止するために行
なわれる。
、樹脂5を滴下した後の半導体装置は3〜10祁11y
の真空下で70C〜100℃で1時間脱泡され、その後
、150℃で5時間加熱し液状熱硬化性樹脂5が完全に
硬化される。前記液状熱硬化性樹脂5の脱泡は、ボンデ
ィングワイヤ4と半導体素子3との間の接合部80部分
に気泡が残ると、半導体素子3のアルミニウムの配線が
高湿度下で腐食断線するので、これを防止するために行
なわれる。
次に、第2図(C)に示すように、基板2上にマスク1
0 (厚す: 0.5++++n)とメタルスクリー
ン11を設置し、印刷ロール12によって、25℃にお
ける粘度工300ボイズのシリコン系のペースト状熱硬
化性樹脂13を、硬化後の液状熱硬化性樹脂5の上に押
しつけて塗布する。ペースト状熱硬化性樹脂13の塗布
後、マスク10とスクリーン11を外し、ペースト状熱
硬化性樹脂13を加熱硬化させると、第2図(D)に示
すような樹脂封止部が0.5 mlの厚さの薄い均一な
樹脂封止半導体装置を得ることができる。
0 (厚す: 0.5++++n)とメタルスクリー
ン11を設置し、印刷ロール12によって、25℃にお
ける粘度工300ボイズのシリコン系のペースト状熱硬
化性樹脂13を、硬化後の液状熱硬化性樹脂5の上に押
しつけて塗布する。ペースト状熱硬化性樹脂13の塗布
後、マスク10とスクリーン11を外し、ペースト状熱
硬化性樹脂13を加熱硬化させると、第2図(D)に示
すような樹脂封止部が0.5 mlの厚さの薄い均一な
樹脂封止半導体装置を得ることができる。
この実施例において、ペースト状熱硬化性樹脂13は、
これに限定される必要はなく、例えは光硬化性の樹脂で
あってもよい。
これに限定される必要はなく、例えは光硬化性の樹脂で
あってもよい。
上記のスクリーン印刷用として用いることができる熱硬
化性樹脂としては、シリコン樹脂。エポキシ樹脂、ポリ
ブタジェン樹脂、ウレタン樹脂。
化性樹脂としては、シリコン樹脂。エポキシ樹脂、ポリ
ブタジェン樹脂、ウレタン樹脂。
ポリイミド樹脂などがあり、また、光硬化性樹脂として
は、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート
、ウレタンアクリレート、1.2−ポリブタジェンアク
リレートなどのベースレジンにペンゾインヤベンジル光
増感剤を加えた成分を主成分とするものがある。
は、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート
、ウレタンアクリレート、1.2−ポリブタジェンアク
リレートなどのベースレジンにペンゾインヤベンジル光
増感剤を加えた成分を主成分とするものがある。
さらに、以上の樹脂にα−アルミナ粉末などの充填剤、
2酸化ケイ素微粉末などの揺変剤を加えることにより、
印刷性が向上する。
2酸化ケイ素微粉末などの揺変剤を加えることにより、
印刷性が向上する。
以上のように、この実施例では、ボンディングワイヤと
半導体素子との微細な接合部については、液状の熱硬化
性樹脂で封止し、該接合部の封止時の損傷を防止してお
り、この場合の滴下量としては精@な制御を必要としな
いし、また、スクリーン印刷による樹脂の封正により、
樹脂封止部が精度よく得られることになる。したがって
、均一な厚さの薄型樹脂封止半導体装置を高歩留りで製
造することができ、半導体装置の低コスト化に大きく寄
与するものである。
半導体素子との微細な接合部については、液状の熱硬化
性樹脂で封止し、該接合部の封止時の損傷を防止してお
り、この場合の滴下量としては精@な制御を必要としな
いし、また、スクリーン印刷による樹脂の封正により、
樹脂封止部が精度よく得られることになる。したがって
、均一な厚さの薄型樹脂封止半導体装置を高歩留りで製
造することができ、半導体装置の低コスト化に大きく寄
与するものである。
以上説明したように、本発明によれは、少なくともボン
ディングワイヤと半導体素子との接合部を液状熱硬化性
樹脂で被覆硬化させた後、該液状熱硬化性樹脂の硬化物
の上面に、ペースト状の硬化性樹脂をスクリーン印刷す
ることにより塗布し硬化させることにより、厚さが均一
で樹脂封止部の薄い半導体装置を製造でき、上記従来技
術の欠点を除いて優れた機能の樹脂封止半導体装情の製
造方法を提供することができる。
ディングワイヤと半導体素子との接合部を液状熱硬化性
樹脂で被覆硬化させた後、該液状熱硬化性樹脂の硬化物
の上面に、ペースト状の硬化性樹脂をスクリーン印刷す
ることにより塗布し硬化させることにより、厚さが均一
で樹脂封止部の薄い半導体装置を製造でき、上記従来技
術の欠点を除いて優れた機能の樹脂封止半導体装情の製
造方法を提供することができる。
第1図は従来技術による樹脂封止半導体装tαの製造方
法の説明図、第2図(A) 、 (B) 、 (C)及
び(功は本発明による1脂封止半導体装置の製造方法の
説明図、第3図(A)及び(B)は第2図におけるボン
ディングワイヤの接合部の拡大図である。 1・・・・・・配線リード、2・・・・・・基板、3・
・・・・・半導体素子、4・・・・・・ボンディングワ
イヤ、5・・・・・・液状熱硬化性樹脂、6・・・・・
・ダム、7.8・・・・・・接合部、9・・・・・・シ
リンジ、10・・・・・・マスク、11・・・・・・メ
タルスクリーン、12・・・・・・印刷ロール、13・
・・・・・ペースト状の熱硬化性樹脂。 代 理 人 弁理士 武 順次部(外1名)第1図 第2図 第3図 (A) (B)
法の説明図、第2図(A) 、 (B) 、 (C)及
び(功は本発明による1脂封止半導体装置の製造方法の
説明図、第3図(A)及び(B)は第2図におけるボン
ディングワイヤの接合部の拡大図である。 1・・・・・・配線リード、2・・・・・・基板、3・
・・・・・半導体素子、4・・・・・・ボンディングワ
イヤ、5・・・・・・液状熱硬化性樹脂、6・・・・・
・ダム、7.8・・・・・・接合部、9・・・・・・シ
リンジ、10・・・・・・マスク、11・・・・・・メ
タルスクリーン、12・・・・・・印刷ロール、13・
・・・・・ペースト状の熱硬化性樹脂。 代 理 人 弁理士 武 順次部(外1名)第1図 第2図 第3図 (A) (B)
Claims (1)
- 配線リードがプリントされている基板と、半導体素子と
、該半導体素子と前記配線リードとを接続するボンディ
ングワイヤと、封止用樹脂とから成る樹脂封止半導体装
置を製造する方法において、前記配線リードと前記半導
体素子とを前記ボンディングワイヤで接続した後、液状
熱硬化性樹脂により、少なくとも前記ボンディングワイ
ヤと前記半導体素子との接合部を被覆、硬化させ、その
後、ペースト状の硬化性樹脂をスクリーン印刷により前
記液状熱硬化性樹脂の硬化物の上面に塗布し硬化させる
ことを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6540282A JPS58182837A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6540282A JPS58182837A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58182837A true JPS58182837A (ja) | 1983-10-25 |
Family
ID=13285979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6540282A Pending JPS58182837A (ja) | 1982-04-21 | 1982-04-21 | 樹脂封止半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58182837A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4853761A (en) * | 1986-03-14 | 1989-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
JPH06169033A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nec Corp | 半導体チップの実装方法 |
JPH0964077A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Nippon Retsuku Kk | 電子部品の製造方法 |
EP0892427A2 (en) * | 1997-07-18 | 1999-01-20 | Toray Engineering Co., Ltd. | Method of sealing electronic parts with a resin |
WO2003054957A3 (de) * | 2001-12-20 | 2003-09-25 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches bauteil und verfahren zu seiner herstellung |
JP2013069576A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Panasonic Corp | 発光モジュール及び照明装置 |
JP2015138968A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 環旭電子股▲分▼有限公司 | 選択的電子部品実装モジュールの製造方法 |
-
1982
- 1982-04-21 JP JP6540282A patent/JPS58182837A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4853761A (en) * | 1986-03-14 | 1989-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
JPH06169033A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nec Corp | 半導体チップの実装方法 |
JPH0964077A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Nippon Retsuku Kk | 電子部品の製造方法 |
JP2934174B2 (ja) * | 1995-08-29 | 1999-08-16 | 日本レック株式会社 | 電子部品の製造方法 |
EP0892427A2 (en) * | 1997-07-18 | 1999-01-20 | Toray Engineering Co., Ltd. | Method of sealing electronic parts with a resin |
EP0892427A3 (en) * | 1997-07-18 | 2000-06-28 | Toray Engineering Co., Ltd. | Method of sealing electronic parts with a resin |
KR100388365B1 (ko) * | 1997-07-18 | 2003-10-17 | 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 | 전자부품을수지로밀봉하기위한방법 |
WO2003054957A3 (de) * | 2001-12-20 | 2003-09-25 | Infineon Technologies Ag | Elektronisches bauteil und verfahren zu seiner herstellung |
US6998296B2 (en) | 2001-12-20 | 2006-02-14 | Infineon Technologies Ag | Electronic component and method for its production |
JP2013069576A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Panasonic Corp | 発光モジュール及び照明装置 |
JP2015138968A (ja) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | 環旭電子股▲分▼有限公司 | 選択的電子部品実装モジュールの製造方法 |
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