JPS58182819A - 加熱基台 - Google Patents

加熱基台

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JPS58182819A
JPS58182819A JP6581482A JP6581482A JPS58182819A JP S58182819 A JPS58182819 A JP S58182819A JP 6581482 A JP6581482 A JP 6581482A JP 6581482 A JP6581482 A JP 6581482A JP S58182819 A JPS58182819 A JP S58182819A
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JP
Japan
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workpiece
processed
base
supporting surface
heating base
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Pending
Application number
JP6581482A
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English (en)
Inventor
Shigeo Kotani
小谷　滋夫
Hiroyasu Kubota
裕康 久保田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、加熱基台に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来、シリコンウェハ等の被処理体に気相成長処理を施
す場合、例えば、第１図に示す如く、シリコン等からな
る基体ｌに球面状の四部２を形成し、この四部２＃こ半
導体ウェハ等の被処理体３を載置し、と析ε脈定の二炉
−内に設置−しｔこれを所定の炉内に設置することによ
り行っている。しかしながら、このような加熱基台蔓を
用いるものでは、被処理体Ｓの径が大きくなるとこれに
合わせて凹部２の径を大きくすると、気相成長処理の際
のスリップの発生率が高くなる欠点がある。また、第２
図に示す如く、四部２の開口部に被処理体３の周縁部を
支持する平坦な支持縁部２＆を形成した力日熱基台克も
開発されている。この加熱基台Ｊは、第１図に示す加熱
基台ｆに比べてスリップの発車を抑えることができるが
、依然被処理体３の径が大きくなると、十分にスリップ
の発生を抑えることができなかった。
〔発明の目的〕
本発明は、被処理体にスリップが発生するのを阻止して
、所望の気相成長処理を容易に施すことができる加熱基
台を提供することをその目的とするものである。
〔発明の概要〕
本発明は、被処理体の下面の縁部に接触する支持面を有
し、かつ、この下面と平行面をなす床面を有する陥没部
内に被処理体を収容した状態で所望の気相成長処理が可
能でスリップの発生を防止した加熱基台である。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例について第３図を参照して説明
する。
この加熱基台ＩＯは、基体１１の所定領域に半導体ウェ
ハ等からなる被処理体ＩＪの下面の縁部を支持する支持
面１３１を有する段部１３と、この段部１３に囲まれた
領域に被処理体１２の下面とほぼ平行面をなすように形
成された床面１４とを有し、その開口径２が被処理体１
２の径よりも僅に大きい陥没部１５を設けたものである
。基体１１として（ま、カーボン材料等からなる素材の
表面にｃ、ｖ、ｎ、（ｃｈ＠ＭｔｃｈｘＶａｐｏｒ　Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　）法等により炭化ケイ素を１００
μｍ程度形成したものを使用するのが望ましい。炭化ケ
イ素を表面に形成するのは、後述する気相成長処理の際
の温度が１０００〜１２５０℃と高温に達した場合にカ
ーボン材料からなる素材から、不純物が放出されるのを
防止するためである。陥没部１１の径ｚを被処理体１ｊ
の径よりも僅に大きくしたのは、１ｌｔｈ没部１５内へ
の被処理体１２の出入操作を容易にするためと、気相成
長処理の際の温度によって膨張した被処理体１ｊと基体
１１とが接触して、被処理体１１に熱歪が生じるのを防
止するためである。支持面ＪＪａの幅りは、被処理体Ｉ
Ｉの直径の約５％の幅の縁部が支持面ＪＪａで支持され
るいに設定するのが望ましい。基体１１の表面かへ・支
持面１１ｍまでの陥没部１５の深さＸ、は、被処理体２
３１の肉厚にほぼ等しく設定するのが望ましい。支持面
１３番から床面１４までの陥没部１５の深さＸ、は、被
処理体１２の大Ｉ！Ｉ８に応じて適宜設定するのが望ま
しい。例えば、被処理体１ｊであるウェハの径が１００
Ｕφの場合には、５０〜１００μｍ　に設定するのが望
ましい。この陥没部Ｊ５の深さＸｔ　　を深くしすぎる
と、基体１１から被処理体１１に伝導する熱量が不十分
になり、被処理体１ｊの温度を所定温度に設定でない。
また、この陥没部１５の深さＸ、が浅すぎると、加熱さ
れた被処理体１２全体の温度を均一に保持できず、熱歪
を発生したり或は欠陥を発生する原因となる。また、こ
の陥没部１５の深さＸＩは、気相成長処理の際の加熱温
度が、処理ガスとして８１ＨＣら　を使用した場合は１
１５０℃、５ＩＨＣｌ、　　を使用した場合は１１００
℃、ＳＩＨ，を使用した場合は１０００℃と異なるので
、処理ガスの種類に応じても適宜設定するのが望ましい
。
而して、このように構成された加熱基台員によれば、陥
没部１４内に被処理体ＪＪであるウェハを、その下面の
縁部が支持ｉｉｉ　Ｊ　３　番にて支持されるようにし
て収容し、これを所定の処理ガスが満された気相成長処
理炉内に設置して気相成長処理を施す。炉内の加熱処理
によって、まず、基体１１全体の温度が急上昇する。
この熱は、基体１１の段部から支持面ＪＪａを介して被
処理体１２の縁部に伝達される。被処理体１２の周縁部
では、急激（こ温度上昇が起き、被処理体ＩＪ全全体加
熱する熱が貯えられる。
貯えられた熱は、被処理体１ｓの周縁部からその肉厚全
体の領域から被処理体１１の中心に向って拡散する。こ
の被処理体ＸＩ内での熱拡散の際に、被処理体１２の表
面は、炉内雰囲気に接した状態であり、裏面は、陥没部
１５の下部の中空部に接した状態になっているので、基
体１）外からの熱の伝達はほとんど無視され、被処理体
１２全体の温度が極めて均一な状態で上昇する。その給
米、被処理体Ｉ２の縁部を除いた領域にスリップが発生
するのを阻止するととができる。しかも、被処理体Ｊｊ
の温度上昇に伴って発生した熱歪は、座処理体１ｊの周
縁部の領域に吸収されるので、更にスリップの発生を阻
止する作用を高めることができる。
因に、第３図に示す如く、基体ＩＩの表面から支持面ｌ
ｌｌ５までの深８Ｘｓを６５０μｍ、支持面１３鼻から
陥没部１ｊの床面１４までの深８Ｘ、を８θμｍ１床面
１４の大きさを９０ｓｉ＋φ、陥没部１ｊの開口部の大
きさをＩ　Ｏ２ｗφに設一定した加熱基台１０を用いて
、この陥没部１５− 内に被処理体１２であるウェハを収容し、気相成長処理
を施したところ支持面ｊＪｓに接触しなかった領域（被
処理体ＪＪの周縁部を除いた領域）では、ジルトルエツ
チング検査（こより、欠陥の有無を調べたところ、スリ
ップの発生（まほとんど見られなかった。これに比べて
球面状の陥没部を有する従来の加熱基台では、被処理体
のほぼ全域をこ亘って多数のスリップの発生が見られた
。また、実施例の力０熱差台１０によれば支持面１３急
に接触していない被処理体１２の領域にスリップが発生
するのをほぼ確実暑こ阻止できるので、被処理体１２の
径が１００ｍφ以上の大きな値になった場合に特に有効
Ｔ！壷る。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係る加熱基台１こよれば、
被処理体内にスリップが発生するのを阻して、所望の気
相成長処理を容易に施すことができる等顕著な効果を奏
するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は、従来の加熱基台の断面図、第３図
は、本発明の一実施例の断面図である。 土Ｊ・・・加熱基台、１１・・・基体、７ｊ・・・被処
理体、１Ｂ・・・段部、ＪＪａ・・・支持面、１４・・
・床面、１ｓ・・・陥没部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基体の所定領域に被処理体の径よりも僅かに大きい径で
    開口し、略ａｉｔｘの支持面を形成した段部を有すると
    共に、該段部に囲まれ、かつ、前記支持面から所定の深
    さのところに前記支持面と平行面をなす床面を有する陥
    没部を具備することを特徴とする加熱基台。
JP6581482A 1982-04-20 1982-04-20 加熱基台 Pending JPS58182819A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6581482A JPS58182819A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 加熱基台
EP83302235A EP0092435A1 (en) 1982-04-20 1983-04-20 A method of, and a susceptor for use in, vapour deposition of films

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6581482A JPS58182819A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 加熱基台

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JPS58182819A true JPS58182819A (ja) 1983-10-25

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ID=13297866

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6581482A Pending JPS58182819A (ja) 1982-04-20 1982-04-20 加熱基台

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JP (1) JPS58182819A (ja)

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EP0092435A1 (en) 1983-10-26

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