JPS58182308A - 高周波回路 - Google Patents

高周波回路

Info

Publication number
JPS58182308A
JPS58182308A JP58054064A JP5406483A JPS58182308A JP S58182308 A JPS58182308 A JP S58182308A JP 58054064 A JP58054064 A JP 58054064A JP 5406483 A JP5406483 A JP 5406483A JP S58182308 A JPS58182308 A JP S58182308A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
high frequency
insulating substrate
circuit
field effect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58054064A
Other languages
English (en)
Inventor
ベルナ−ル・キユビリエ−ル
フイリツプ・ジユルダン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of JPS58182308A publication Critical patent/JPS58182308A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/642—Capacitive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19102—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device
    • H01L2924/19103—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device interposed between the semiconductor or solid-state device and the die mounting substrate, i.e. chip-on-passive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔従来技術〕 本発明は、絶縁基板の第１表面の側に配置された少くと
も１つの半導体回路素子を有する高周波回路であって、
前記の第１表面とは反対側に位置する前記の絶縁基板の
第２表向が少くとも部分的に金属化されて接地面が形成
されており、前記の半導体回路素子にはｗｔａｉが設け
られており、これら電極の各々には少くともｌ　１１６
１の出力端子が設けられており、前記の電極のうち第１
戒極と称する１つの電極は容置性素子を経て接地面に磁
気的に一続されるものであり、接地面との磁気的な一続
が絶縁基板を貫通する金４化孔によって達成されるよう
にした高周波回路に関するものである。
本発明は、高周波の周波数レンジで作動する回路、符に
罐界効釆トランジスタを有する回路の分野に用いるのに
適している。
上述した種類の既知の回路においては、半導体回路素子
は一般に、絶縁基板の第１表面上に形成された導電面と
に直接配置されている。この場合、半導体回路素子の電
極の出力端子は４標（ワイヤ）を経てｆｉ＆周波回路の
他の回路素子に接続されている。この場合は特に第１電
極と容置性素子との闇を電気接続する場合である。導線
により配線をする作業は極めて注意深く行なう必要があ
り、特に多数の出力端子が仔在する場合には時間を浪費
し、従って−ａｖＩｔが嵩む作業である。−万、この既
知の技術によると、ＭＥ電気接続良好な再現性が必ずし
も得られない。
ＣＭ明の目的〕 本発明の目的は、半導体回路素子の出力端子のレベルで
の導８配線を用いるのをできるだけ城くす籐ことにより
前述した欠点を無くすことにある。
〔発明の構成〕
本発明は、絶縁基板の第１表面の側に配置された少くと
も１つの半導体回路素子を有する高周波回路であって、
前記の第１表面とは反対側に位置する前記の絶縁基板の
第２表面が少くとも部分的に金属化されて接地面が形成
されており、前記の半導体回路素子には４極が設けられ
ており、これら電極の各々には少くとも１個の出力端子
が設けられており、前記の電極のうち第１ＩＩＥ極と称
する１つのｌＩ＆ｇは容量性素子を経て接地面に電気的
に接続されるものであり、接地面とのＩＩＥ気的な接続
が絶縁基板を貫通する金属化孔によって達成されるよう
にした高周波回路において、前記の半導体−ｍ素子が、
誘電体材料のプレートを有する中間接続素子丘に固着さ
れ、前記のプレートはその第１表面上に導電材料の突起
部を有しており、これら突起部土に半導体回路素子の電
極の出力端子が直接はんだ付されており、前記の第１Ｉ
ＩＥ極の出力端子に接続された各突起部を、前記の誘電
体材料のプレートの前記の第１表向上に形成され容ｉｌ
ｉ性素子の＃！ｌプレートを５＃収する導電向に導電的
に接続し、前記の＃ｓ＠体材料のプレートの前記の第１
表面とは反対側に位置するこの誘電体材料のプレートの
第２表面は、絶縁基板の第１表面上に形成された少くと
も１つの導電向に固着し、この絶縁基板の第１表面上に
形成された導電面を少くとも１つの金属化孔に接触させ
るとともにこの導電面を以って容置性素子の第２プレー
トを＃収したことを特徴とする。
本発明によれば、出力端子を中間接続素子の突起部には
んだ付して半導体回路素子を直接固着することにより、
導線配線による相互接続を無くず。
一方、本発明によれば、半導体回路素子をこれ自体の寸
法よりも１ｌｌＪ　［ｉｌＥり大さくしうる中間接続素
子とに配置しつる為、半導体回路素子の取扱いが簡単と
なり、従って、中間ｍｄ素子を絶縁基板トに固着する前
に半導体回路素子を６！！ＩＪに模査しつる。また本発
明によれば、容置性素子を児全に東檀化することができ
、この場合中間接続素子が同時に容置性素子に対する誘
眠体として作用する。
本発明の好適例では、前記の半導体回路素子、を電界効
果トランジスタとし、前記の第１＠極を電界効果トラン
ジスタのソース領域に接触させる。
実際に、ソース領域と接地面との間の接続に導線を用い
なくなると、これらの導線によって導入される不所望な
インピーダンスが除去されうる０多くの分野においては
、容置性素子が大きなキャパ・υシタミスを有するよう
にするのが重要である。従って、中間配４１ＩＩＩＩｇ
）ｌＩＩＩＥ体材料の一電定数（率）＆！＋６００〜５
ｏｏｏの範囲とするのが好ましい。
導体のキャパシタンスを減少させる為には、絶縁基板の
ＩＩ！ＩＩ！−上に形成した導電面に、牛導体回ｉｌ！
！素子に対向して孔をあける。
半導体回路素子を電界効果トランジスタとした場合に、
ソース領域を、大きなキャパシタンスの存置性素子を経
て接地面にａ続しうるようにする為には、電界効果シラ
ンジスタのソース領域を高周波に対し前記の中間接続素
子を経て接地面に容量的に接続し、容量性素子に対し並
列に配置した固定値の抵抗によりソース領域を低魔波に
対し接地面に接続し、安定化回路により、動作点が電界
効果トランジスタに依存しないように電界効果トランジ
スタの電流および電圧を調整しうるようにする。
ａｌｌｆｌにつき本発明をｇ明する。
第１ｔＩ！Ｊは本発明の高膚波回ＬＩ８１１を示す断面
図であり、この高膚波回路は、この１１１１Ｉ１図の例
では例えば砒化ガリウムより収る電界効果トランジスタ
とした半導体回路素子１８が設けられている。
このトランジスタ１２は、例えば酸化アルミニウムより
収る絶縁基板１４の＠１表面１８の側に配置する。第１
表面１８とは反対側のこの基板の第２表面１５は、接地
面１６を形成する為に少くとも部分的に金属化する。電
界効果トランジスタ１２にはドレイン領域、ゲートおよ
びソース領域と接触する電極を設け、これらの電極には
出力端子１７．１８ａ、１８ｂ、１９ａ、１９ｂ’Ｅ−
設ける。＠１図に示す例では、端子１７をトランジスタ
のドレイン領域に接触させ、端子１８ａおよび１８ｂを
ゲートに接触させ、端子１９５Ｌおよび１９ｂをソース
領域に接触させる。トランジスタの電極の１つ、第１図
の場合ソース領域の電極は容量性素子２０を経て接地面
１６に電気的に接続する為のものであり、接地面１６へ
の接続は部分的に絶縁基板１県を貫通する８つの金属化
孔５１１ｓＩｓＩを経て行なわれる。第１図に示すよう
に、４界効果トランジスタ１２は、一方の表面２５に導
電性の突起部であるいわゆる１バンプ′！７゜１８ａ＊
ｌ’８ｂｐ１９ａｓｇ９ｂが設ｉｔらｔｌ誘電体材料の
プレートｓ−より収る中間素子１８上に固着する。すな
オ〕ちこれらのバンプに電界効果トランジスタの電極の
出力端子１７ｔ１８ａ。
１８ｂ、１９ａおよび１９ｂを直接はんだ付けする。ソ
ース領域の出力端子１９ａおよび１９ｂの各々に対応す
る各パン１２９ａおよび５Ｉｏｂは、誘電体プレート２
鳴の第１表面２５上に堆積され容置性素子２ｏの第１電
極板（プレート）を構成する金属化面ａＯａおよび８０
ｂにそれぞれ導電的に接続し、Ｉｔ！１表面２５とは反
対側のこの誘電体プレートのｌｌｆｌ表Ｉ［１１６は、
−絶縁基板ｌ会の第１表１１１８上に形成した導ＩＩＩ
ｆｉ８１に固着する。
導ｌＥ面８１は金属化孔２，１および２２に隣接させ接
地面１６との電気的な連続性が得られるようにする。ｌ
ｌ１１ｖ！Ｊから明らかなように、導電面８１は存置性
素子！Ｏの第８電極板（プレート）を構成する。導体の
キャパシタンスを減少させる為に、導電面８１には半導
体回路素子１２に対向して孔８！を形成する。
第８図は誘電体プレート８４の平面図であり、この第２
図には導電性のバンプ２フ、ｇｓａ。
２８ｂ、２９ｔＬ、２９ｂと金属化面８０ａ、ＩｊＯｂ
との配置を示しである。第２図に示すように、バンプ２
７は金属化トラック８７に接続されており、バンプ２８
ａ、２８ｂは池の金属化トラック８８に接続されている
。電界効果トランジスタ１２のドレイン領域およびゲー
トはこれらのトラック８フおよび８８をそれぞれ経て且
つ４襟４７および４８をそれぞれ経て池の回路素子に接
続することができるＯ 第８［ｉ！Ｉは中間素子２８の一部を示す断［ｉｆｆで
あり、この第８１１１１には金属化ｍ５ｏａおよびａｏ
ｂと導電性のバンプｉ１９＆および８９ｂとの一例を示
してあり、図面を簡単とする為にこれらの素子のみが示
されているものである。誘電体プレート２４の上にはま
ず最初に、ニッケル、クロムおよび金の陰極スパッタリ
ングにより第１の層４１ａ。
４１ｂを堆積し、次に金より成る第３の層４２ａ・・。
会ｓｂを電解堆積した後に、写真食刻により金属化１ｉ
１７８０ａおよびａｏｂとトラック８７および８Ｂとを
形成する。第２の写真食刻工程中では、鋼の突起ｇ１５
４８＆、４８ｂと沃化錫はんだ層４４ａ。
４慟すを順次に電着してバンプ２９ａおよび２９ｂを形
成する。
＠ミーは電界効果トランジスタ１２を調整する本発明に
よる高１波回路１１の一回路構成図を示す。本例では、
トランジスタのソース領域Ｓを容量性素子２０を経て高
周波に対する接地面１６に接続する。従ってこの容量性
素子のキャパシタンスは高くする必要がある。この理由
で、中間配線盤）Ｓ電体材料ハロ　００−＄１０−（１
０）高イｔｓｌＫ定数を有するようにするのが好ましい
。使用しうるａＩＥ体材料の中には、ガラス、セラミッ
ク材料およびチタン酸バリウムがある。この場合、容量
性素子ｓＯに対し並列にバイアス抵抗Ｒ５を配置し、安
定化回路５０と共働して４流および電圧に対する動作点
を電界効果トランジスタに依存せずに決定しうるように
する。
安定化回路５０は、バイポーラトランジスタＴ１ノ存在
ニヨリ、電界効果トランジスタｉｇをｉｈる電流ＩＤを
実際にほぼ一定に保持する。ドレイン領域の電位は固定
で島る為、ドレイン領域とソース領域との間の電位差ｖ
Ｄｓもほぼ一定である。
従って、電界効果トランジスタの電流よりおよび゛電圧
ｖＤｓに対する動作点は同じ種類のトランジスタ間に存
在するばらつき、特にゲー）Ｇおよびソース領域Ｓ間の
電位差ｖＧＳのばらつき（このばらつきはしばしば大き
くなる］に依存せずにａｍされる。第４図の回路の主な
パラメータの数直例は以下の通りである。
Ｖ＝Ｓポル）　　　　　　Ｒ＝１８００Ｒ，１＝ｌ＋７
００Ｑ　　、　　Ｒ，４＝１８００Ｑ町ｇｚａａｏｏｑ
　　、　　Ｒ５＝δ８ｏΩ本発明は第１および８図に示
す電界効果トランジスタの例にのみ限定されず、バイポ
ーラトランジスタ或いはダイオードのような池の回路素
子によっても実現しうろこと勿論である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による高周波回路の一例を示す断ＥＩ
図、 第Ｓ図は、本発明による回路の中間素子を示す平面図、 第１１１ｉ１ｒは、中間素子のＩＪ！１表面上に堆積し
た金属化面および金属バンプの一例を示す断面図、第４
図は、電界効果トランジスタを用いた本発明による高周
波回路の一回路構成例を示す回路図である。 １１・・・高周波回路 １８・・・半導体回路素子（電界効果トランジスタ）１
４・・・絶縁基板　　　　１６・・・ｌ地面ｌフ、１８
ａ、１８ｂｓ１９ａ、１９１−・出力端子１０・・・容
量性素子　　　１１，１１１・・・金属化孔１８−・中
間素子　　　　２番・・・誘電体プレート８フ、１１１
１＆、１８ｂ、１９Ｌ、１９ｂ・・・バンプｓｏａ、ｉ
ｏｂ・・・金属化向　８１・・・導電面ａｖ、ａｓ・・
・金属化トラック　４８ａ、４８ｋ）・・・綱突起部４
４＆、４４ｂ・・妖化錫はんだ層　４？＃４８・・・導
線、５０・・・安定化回路 特許出願人　　エヌ・ペー・フィリップス・フルーイラ
ンペン７アプリケン ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ２ ＦＩＧ、３ ＦｆＧ、４

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　絶縁基板の第１表面の側に配ｄされた少くとも１つ
    の半導体回路素子を有する高周波回路であって、ｉｌＪ
    記の第１表面とは反対−に位置する前記の絶縁基板のＪ
    ！２表面が少くとも部分的に金属化されて接地面が形成
    されており、前記の牛導体回し！８素子にはｔ１１極が
    設けられており、これら電極の各々には少くとも１個の
    出力端子が設けられており、前記のｆＩｔｍのうち第１
    ４１１１極と称する１つのｄＬ樋はｆｇ−往素子を経て
    接地面に電気的に接続されるものであり、接地面との一
    気的な接続が絶縁基板を貫通する金属化孔によって達成
    されるようにした高ｌ１１１ｆ１回路において、前記の
    半導体−Ｗ！ＩＩ素子が、＃ｓ１１体材料のプレートを
    有する中間接続素子上に固着され、前記のプレートはそ
    の第１ｆ１面七に４選材料の突起部をゼしており、これ
    ら突起部とに半導体回路素子の１極の出力端子が直接は
    んだ付されており、前記のＭｌｌ接極出力端子に！！ｉ
    ！続された各突起部を、前記の誘電体材料のプレートの
    前記の第１表面上に形成され容瀘性素子の第１プレート
    を構成する導電面に４戒的に接続し、前記のｌＩＩ成体
    材料のプレートの前記の第１表面とは反対側に位置する
    この誘電体材料のプレートの第２表面は、絶縁基板の第
    １表面上に形成された少くとも１つの導電面に固着し。 この絶縁基板の第１表面りに形成された導電面を少くと
    も１つの金属化孔に接触させるとともにこの導電面を以
    って容盪性素子の第２プレーＹを構成したこと−を待機
    とする高周波回路。 龜　特許請求の範囲ｌ記載の高周波回路において、前記
    の半導体回路素子を磁界効果トランジスタとし、前記の
    第１１１Ｅ極を電界効果トランジスタのソース領域に接
    触させたことを待鹸とする高周波回路。 ＆　特許請求の範囲ｌまたは２に記載の高周波回路にお
    いて、中間配線盤のプレートを構成する誘電体材料の誘
    電宗教を６００〜２０００の範囲としたことを特徴とす
    る高周波回路。 也　特許請求の範囲１〜３のいずれか１つに記載の高周
    波回路において、絶縁基板の第１表面上に形成した導Ｉ
    ＩＥ面に、半導体回路素子に対向して孔をあけたことを
    特徴とする高周波回路。 翫　特許請求の範囲２紀載の部間波回路において、電界
    効果トランジスタのソース領域を高周波に対し接地面に
    容瀘的に接続し、谷磁性素子に対し並列に配置した固定
    値の抵抗によりソース領域を低周波に対し接地面に接続
    し、安定化回路により、動作点が電界効果トランジスタ
    に依存しないように電界効果トランジスタのｖＩＩｋｔ
    ＩＬおよび重圧をｄｌｉ整しうるようにしたことをＩ＃
    象とする高１波回路。
JP58054064A 1982-03-31 1983-03-31 高周波回路 Pending JPS58182308A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8205551A FR2524712B1 (fr) 1982-03-31 1982-03-31 Circuit hyperfrequence a condensateur integre et application a un circuit d'alimentation
FR8205551 1982-03-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58182308A true JPS58182308A (ja) 1983-10-25

Family

ID=9272608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58054064A Pending JPS58182308A (ja) 1982-03-31 1983-03-31 高周波回路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4617586A (ja)
JP (1) JPS58182308A (ja)
DE (1) DE3311302A1 (ja)
FR (1) FR2524712B1 (ja)
GB (1) GB2118371B (ja)
NL (1) NL8301073A (ja)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2519508A1 (fr) * 1981-12-31 1983-07-08 Thomson Csf Dispositif de refroidissement pour carte de circuit imprime et procede de fabrication d'un tel dispositif
JPS61203695A (ja) * 1985-03-06 1986-09-09 シャープ株式会社 片面配線基板の部品実装方式
FR2587844B1 (fr) * 1985-09-20 1987-11-20 Thomson Csf Circuit hyperfrequence a faibles capacites parasites
US4890157A (en) * 1986-01-31 1989-12-26 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit product having a polyimide film interconnection structure
US4768004A (en) * 1986-10-09 1988-08-30 Sanders Associates, Inc. Electrical circuit interconnect system
US4906957A (en) * 1986-10-09 1990-03-06 Sanders Associates, Inc. Electrical circuit interconnect system
US4922324A (en) * 1987-01-20 1990-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device
US4901136A (en) * 1987-07-14 1990-02-13 General Electric Company Multi-chip interconnection package
FR2621174B1 (fr) * 1987-09-25 1991-06-14 Thomson Hybrides Microondes Capacite integree dans un circuit hyperfrequence
US5210599A (en) * 1988-09-30 1993-05-11 Fujitsu Limited Semiconductor device having a built-in capacitor and manufacturing method thereof
US5134247A (en) * 1989-02-21 1992-07-28 Cray Research Inc. Reduced capacitance chip carrier
US4967258A (en) * 1989-03-02 1990-10-30 Ball Corporation Structure for use in self-biasing and source bypassing a packaged, field-effect transistor and method for making same
US4951014A (en) * 1989-05-26 1990-08-21 Raytheon Company High power microwave circuit packages
JPH0383381A (ja) * 1989-08-28 1991-04-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置
US5049979A (en) * 1990-06-18 1991-09-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Combined flat capacitor and tab integrated circuit chip and method
US5404265A (en) * 1992-08-28 1995-04-04 Fujitsu Limited Interconnect capacitors
US5307237A (en) * 1992-08-31 1994-04-26 Hewlett-Packard Company Integrated circuit packaging with improved heat transfer and reduced signal degradation
US5493259A (en) * 1992-10-13 1996-02-20 The Whitaker Corporation High voltage, low pass filtering connector with multiple ground planes
US5510758A (en) * 1993-04-07 1996-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer microstrip wiring board with a semiconductor device mounted thereon via bumps
US5942957A (en) * 1994-09-26 1999-08-24 Endgate Corporation Flip-mounted impedance
US5623231A (en) * 1994-09-26 1997-04-22 Endgate Corporation Push-pull power amplifier
US5698469A (en) * 1994-09-26 1997-12-16 Endgate Corporation Method of making a hybrid circuit with a chip having active devices with extra-chip interconnections
US6265937B1 (en) 1994-09-26 2001-07-24 Endgate Corporation Push-pull amplifier with dual coplanar transmission line
US5528203A (en) * 1994-09-26 1996-06-18 Endgate Corporation Coplanar waveguide-mounted flip chip
DE19601650A1 (de) * 1996-01-18 1997-07-24 Telefunken Microelectron Anordnung zum Schutz elektrischer und elektronischer Bauelemente vor elektrostatischen Entladungen
US5736913A (en) * 1996-02-14 1998-04-07 Anadigics, Inc. Method and apparatus for providing grounding to microwave circuit by low impedance means
US5981988A (en) * 1996-04-26 1999-11-09 The Regents Of The University Of California Three-dimensional charge coupled device
US6072211A (en) * 1998-08-03 2000-06-06 Motorola, Inc. Semiconductor package
US6794743B1 (en) * 1999-08-06 2004-09-21 Texas Instruments Incorporated Structure and method of high performance two layer ball grid array substrate
GB2356737A (en) 1999-11-26 2001-05-30 Nokia Mobile Phones Ltd Ground Plane for a Semiconductor Chip
JP3585796B2 (ja) * 1999-12-17 2004-11-04 新光電気工業株式会社 多層配線基板の製造方法、及び半導体装置
DE10158185B4 (de) * 2000-12-20 2005-08-11 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul mit hoher Isolationsfestigkeit
US7733106B2 (en) * 2005-09-19 2010-06-08 Formfactor, Inc. Apparatus and method of testing singulated dies
EP2722981A1 (en) 2012-10-16 2014-04-23 Nxp B.V. Amplifier circuits
EP2722880B1 (en) 2012-10-16 2018-02-28 Ampleon Netherlands B.V. Packaged RF amplifier circuit

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3591839A (en) * 1969-08-27 1971-07-06 Siliconix Inc Micro-electronic circuit with novel hermetic sealing structure and method of manufacture
US4183041A (en) * 1978-06-26 1980-01-08 Rca Corporation Self biasing of a field effect transistor mounted in a flip-chip carrier
US4376287A (en) * 1980-10-29 1983-03-08 Rca Corporation Microwave power circuit with an active device mounted on a heat dissipating substrate
US4396936A (en) * 1980-12-29 1983-08-02 Honeywell Information Systems, Inc. Integrated circuit chip package with improved cooling means
US4451845A (en) * 1981-12-22 1984-05-29 Avx Corporation Lead frame device including ceramic encapsulated capacitor and IC chip
DE3231118C1 (de) * 1982-08-20 1983-11-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Kombinierte Schaltungsanordnung mit Varistor und Verfahren zu ihrer Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
NL8301073A (nl) 1983-10-17
GB8308495D0 (en) 1983-05-05
DE3311302A1 (de) 1983-10-06
FR2524712B1 (fr) 1985-06-07
US4617586A (en) 1986-10-14
GB2118371A (en) 1983-10-26
GB2118371B (en) 1985-05-22
FR2524712A1 (fr) 1983-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58182308A (ja) 高周波回路
US4376287A (en) Microwave power circuit with an active device mounted on a heat dissipating substrate
US4547961A (en) Method of manufacture of miniaturized transformer
US6373348B1 (en) High speed differential attenuator using a low temperature co-fired ceramic substrate
JPS6352781B2 (ja)
GB2123209A (en) High-frequency circuit
US4594557A (en) Traveling wave video detector
EP0117434A1 (en) Hybrid microwave subsystem
US5751555A (en) Electronic component having reduced capacitance
US6674632B2 (en) Mobile telephone device with passive integrated module
JPS6139551A (ja) 電位分配デバイス及び該デバイスを包含した電子的構成要素用ケ−ス
EP0174457A1 (en) Transistor devices for microwave oscillator elements
JPH0416012A (ja) ノイズ・フイルタ
KR20000048663A (ko) 칩 형태의 패시브 네트워크
JP2880023B2 (ja) 高周波トランジスタ回路
JPH0653414A (ja) マイクロ波集積回路
JPS6362339A (ja) 半導体装置
JPS62142395A (ja) 多機能回路基板
JPS6133623Y2 (ja)
JPS6035247Y2 (ja) 半導体装置
JPH06267745A (ja) 高周波半導体集積回路装置
JPS605055B2 (ja) 半導体装置
JPS63274202A (ja) 電界効果型トランジスタ
JPS6043022B2 (ja) マイクロ波装置モジュ−ル
JPS58147783A (ja) 液晶表示装置