FR2524712A1 - Circuit hyperfrequence a condensateur integre et application a un circuit d'alimentation - Google Patents

Circuit hyperfrequence a condensateur integre et application a un circuit d'alimentation Download PDF

Info

Publication number
FR2524712A1
FR2524712A1 FR8205551A FR8205551A FR2524712A1 FR 2524712 A1 FR2524712 A1 FR 2524712A1 FR 8205551 A FR8205551 A FR 8205551A FR 8205551 A FR8205551 A FR 8205551A FR 2524712 A1 FR2524712 A1 FR 2524712A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
face
semiconductor component
capacitive element
effect transistor
bare semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8205551A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2524712B1 (fr
Inventor
Bernard Cuvilliers
Philippe Jourdain
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Radiotechnique Compelec RTC SA
Original Assignee
Radiotechnique Compelec RTC SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Radiotechnique Compelec RTC SA filed Critical Radiotechnique Compelec RTC SA
Priority to FR8205551A priority Critical patent/FR2524712B1/fr
Priority to US06/477,280 priority patent/US4617586A/en
Priority to GB08308495A priority patent/GB2118371B/en
Priority to NL8301073A priority patent/NL8301073A/nl
Priority to DE19833311302 priority patent/DE3311302A1/de
Priority to JP58054064A priority patent/JPS58182308A/ja
Publication of FR2524712A1 publication Critical patent/FR2524712A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2524712B1 publication Critical patent/FR2524712B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/642—Capacitive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19102—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device
    • H01L2924/19103—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device interposed between the semiconductor or solid-state device and the die mounting substrate, i.e. chip-on-passive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Microwave Amplifiers (AREA)

Abstract

CIRCUIT HYPERFREQUENCE. CIRCUIT HYPERFREQUENCE 11 COMPORTANT AU MOINS UN COMPOSANT SEMICONDUCTEUR NU 12 DISPOSE DU COTE D'UNE PREMIERE FACE 13 D'UN SUBSTRAT ISOLANT 14. AU MOINS UNE 19A, 19B DES BORNES DE SORTIE 17, 18A, 18B, 19A, 19B DU SEMICONDUCTEUR NU 12 EST DESTINEE A ETRE RELIEE ELECTRIQUEMENT A UN PLAN DE MASSE 16 PAR L'INTERMEDIAIRE D'UN ELEMENT CAPACITIF 20 ET DE TROUS METALLISES 21, 22. SELON L'INVENTION, LE COMPOSANT 12 EST FIXE SUR UNE PLAQUETTE 24 D'UN MATERIAU DIELECTRIQUE, COMPORTANT DES PILIERS CONDUCTEURS 27, 28A, 28B, 29A, 29B SUR LESQUELS SONT SOUDEES LESDITES BORNES DE SORTIE, LES PILIERS CORRESPONDANT AUX BORNES 19A, 19B ETANT PROLONGES PAR DES NAPPES METALLISEES 30A, 30B QUI CONSTITUENT UNE PREMIERE ARMATURE DE L'ELEMENT CAPACITIF 20, TANDIS QU'UNE PLAGE CONDUCTRICE 31 REALISE ENTRE LA PLAQUETTE 24 ET LE SUBSTRAT 14 FORME UNE DEUXIEME ARMATURE DUDIT ELEMENT CAPACITIF. APPLICATION NOTAMMENT AUX ALIMENTATIONS POUR TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCE.

Description

"CIRCUIT HYPERFREQUENCE A CONDENSATEUR INTEGRE ET APPLICATION
A UN CIRCUIT D'ALIMENTATION "
La présente invention concerne un circuit hyper-
fréquence comportant au moins un composant semiconducteur nu placé du côté d'une première face d'un substrat isolant, une deuxième face de ce substrat, opposée à la première, étant au moins partiellement métallisée pour constituer un plan de masse, le composant semiconducteur nu présentant des électrodes munies, chacune, d'au moins une borne de sortie, une des électrodes, dite première électrode, étant destinée
a être reliée électriquement au plan de masse par l'intermé-
diaire d'un élément capacitif, la connexion électrique au plan de masse étant en partie réalisée par au moins un trou métallisé traversant le substrat isolant Elle concerne également une application d'un circuit hyperfréquence selon l'invention à une alimentation d'un transistor à effet de
champ.
L'invention trouve une utilisation particulière-
ment avantageuse dans le domaine des circuits fonctionnant dans la gamme des hyperfréquences et, notamment, les circuits
comportant des transistors à effet de champ.
Dans les circuits actuellement connus, du type de celui décrit dans le préambule, on dispose généralement le composant semiconducteur nu directement sur la plage
conductrice réalisée sur la première face du substrat isolant.
Les bornes de sortie des électrodes du composant semiconduc-
teur nu sont ensuite cablées par des fils aux autres compo-
sants du circuit; c'est le cas, en particulier, de la liai-
son électrique entre la première électrode et l'élément
capacitif Or, le cablage par fils est une opération délica-
te, longue lorsque les bornes de sortie sont nombreuses, et
donc coûteuse D'autre part, cette technologie connue n'as-
sure pas toujours une bonne reproductibilité des connexions
électriques.
Le but de la présente invention est de remédier à cet inconvénient en supprimant le cablage par fils au
niveau des bornes de sortie du composant semiconducteur nu.
En effet, selon la présente invention, un circuit
hyperfréquence comportant au moins un composant semiconduc-
teur nu placé du côté d'une première face d'un substrat isolant, une deuxième face de ce substrat, opposée à la
première, étant au moins partiellement métallisée pour cons-
tituer un plan de masse, le composant semiconducteur nu présentant des électrodes munies, chacune, d'au moins une borne de sortie, une des électrodes, dite première électrode, étant destinée à être reliée électriquement au plan de masse par l'intermédiaire d'un élément capacitif, la connexion électrique au plan de masse étant en partie réalisée par au moins un trou métallisé traversant le substrat isolant,
est notamment remarquable en ce que le composant semiconduc-
teur nu est fixé sur un intermédiaire de cablage constitué par une plaquette d'un matériau diélectrique comportant, sur une première face, des piliers conducteurs sur lesquels sont directement soudées les bornes de sortie des électrodes du composant semiconducteur nu, chaque pilier correspondant à chacune des bornes de sortie de la première électrode étant prolongé par une nappe métallisée déposée sur la première face de la plaquette et constituant une première armature de l'élément capacitif, tandis qu'une deuxième face de la plaquette, opposée à la première, est fixée sur au moins une plage conductrice réalisée sur la première face du substrat isolant de façon à être adjacente à au moins un trou métallisé, ladite plage conductrice constituant une
deuxième armature de l'élément capacitif.
Ainsi, la fixation directe du composant semiconducteur
nu par soudure des bornes de sortie aux piliers de l'inter-
médiaire de cablage permet d'éviter le cablage par fils.
D'autre part, l'invention offre la possibilité d'une mani-
pulation plus aisée du composant semiconducteur nu dans la mesure o celui-ci se trouve placé sur un intermédiaire de
cablage dont les dimensions peuvent être notablement supé-
rieures à celles du composant lui-même; ce qui permet, en
particulier, d'effectuer plus facilement des tests du compo-
sant avant fixation de l'intermédiaire de cablage sur le substrat isolant Enfin, l'invention présente également l'avantage d'intégrer complètement l'élément capacitif, la plaquette de l'intermédiaire de cablage servant en même
temps de diélectrique audit élément capacitif.
Dans un exemple d'utilisation avantageuse de l'in-
vention, le composant semiconducteur nu est un transistor à effet de champ et ladite première électrode est la source du transistor à effet de champ La suppression de fils de cablage entre la source et le plan de masse permet en effet d'éliminer l'impédance toujours néfaste introduite par lesdits fils Dans un certain nombre d'applications, on peut avoir intérêt à ce que l'élément capacitif ait une
capacité élevée; il est alors prévu que le matériau diélec-
trique constituant la plaquette de l'intermédiaire de cablage présente une constante diélectrique comprise entre 600 et
2000.
Dans le but de diminuer la capacité de connexion,
on envisage qu'une épargne est aménagée dans la plage con-
ductrice, en regard du composant semiconducteur nu.
Lorsque le composant semiconducteur nu est un tran-
sistor à effet de champ, la possibilité de connecter la source au plan de masse par un élément capacitif de capacité
élevée permet de prévoir une application d'un circuit hyper-
fréquence selon l'invention à une alimentation de transistor
à effet de champ, remarquable en ce que la source du transis-
tor à effet de champ est mise à la masse, pour les hyperfré-
quences, par ledit élément capacitif, tandis qu'une résis- tance de polarisation de valeur fixe, placée en parallèle sur
l'élément capacitif, et coopérant avec un circuit stabilisa-
teur définit un point de fonctionnement, en courant et en
tension, indépendant du transistor à effet de champ.
La description qui va suivre en regard des dessins
annexés, donnés à titre d'exemples non limitatifs, fera bien comprendre en quoi consiste l'invention et comment elle
peut être réalisée.
La figure 1 est une vue en coupe d'un circuit hyper-
fréquence conforme à l'invention.
La figure 2 est une vue de dessus de l'intermédiaire
de cablage d'un circuit selon l'invention.
La figure 3 montre en coupe un exemple de réalisation de la nappe métallisée et des piliers métalliques déposés sur la première face de la plaquette de l'intermédiaire de cablage.
La figure 4 donne le schéma d'une alimentation utili-
sant un-circuit hyperfréquence selon l'invention appliqué à
un transistor à effet de champ.
La figure 1 représente, en coupe, un circuit hyper-
fréquence 11, comportant un composant semiconducteur nu 12 qui, dans le mode de réalisation de la figure 1, est un
transistor à effet de champ réalisé, par exemple, en arsé-
niure de gallium Ce transistor 12 est placé du côté d'une première face 13 d'un substrat isolant 14 d'alumine, par exemple Une deuxième face 15 de ce substrat, opposée à la première face 13, est au moins partiellement métallisée pour constituer un plan de masse 16 Le transistor à effet de champ 12 présente des électrodes appelées drain, grille et source, munies de bornes de sortie 17, 18 a, 18 b, 19 a, 19 b Dans l'exemple de la figure 1, la borne 17 correspond au drain du transistor, les bornes 18 a, 18 b à la grille et les
bornes 19 a, 19 b à la source Une des électrodes du transis-
tor, la source dans le cas de la figure 1, est destinée à
être reliée électriquement au plan de masse 16 par l'inter-
médiaire d'un élément capacitif 20, la connexion au plan de masse 16 étant en partie réalisée par deux trous métallisés 21, 22 traversant le substrat isolant 14 Comme on peut le voir à la figure 1, le transistor à effet de champ 12 est
fixé sur un intermédiaire de cablage constitué par une pla-
quette 24 d'un matériau diélectrique, comportant, sur une première face 25, des piliers conducteurs 27, 28 a, 28 b, 29 a, 29 b sur lesquels sont directement soudées les bornes de sortie 17, 18 a, 18 b, 19 a, 19 b des électrodes du transistor à effet de champ Chaque pilier 29 a, 29 b correspondant à chacune des bornes de sortie 19 a et 19 b de la source est prolongée par une nappe métallisée 30 a, 30 b, déposée sur la première face 25 de la plaquette 24 et constituant une première armature de l'élément capacitif 20, tandis qu'une deuxième face 26 de la plaquette, opposée à la première face 25 est fixée sur une plage conductrice 31 réalisée sur la première face 13 dw substrat isolant 14 De façon à assurer la continuité électrique avec le plan de masse 16, la plage
conductrice 31 est adjacente aux trous métallisés 21 et 22.
Comme on peut l'observer à la figure 1, la plage conductrice
31 constitue une deuxième armature de l'élément capacitif 20.
Afin de diminuer la capacité de connexion une épargne 32 a été aménagée dans la plage conductrice 31, en regard du
composant semiconducteur nu 12.
La figure 2 est une vue de dessus de la plaquette 24 qui montre une disposition particulière des piliers conducteurs 27, 28 a, 28 b, 29 a, 29 b ainsi que des nappes métallisées 30 a et 30 b Comme le montre la figure 2, le pilier 27 est prolongé par une piste métallique 37, tandis que les piliers 28 a, 28 b sont reliés par une autre piste métallique 38 Ces pistes 37, 38 permettent de connecter respectivement le drain et la grille du transistor à effet de champ 12 à d'autres composants par l'intermédiaire des
fils 47 et 48.
La figure 3 est une vue partielle en coupe de l'in-
termédiaire de cablage 23, montrant un exemple de réalisation des nappes métallisées 30 a et 30 b et des piliers conducteurs 29 a et 29 b qui, pour la clarté du dessin, sont les seuls représentés Sur la plaquette 24, sont d'abord réalisées, par photogravure, les nappes 30 a, 30 b, ainsi que les pistes 47, 48, après dépôt d'une première couche 41 a, 41 b obtenue par pulvérisation cathodique de nickel, de chrome et d'or, puis formation d'une deuxième couche 42 a, 42 b d'or déposé par voie
électrolytique Au cours d'une deuxième opération de photo-
gravure, les piliers 29 a, 29 b sont obtenus après dépôts galvaniques successifs d'excroissances 43 a, 43 b de cuivre et
de couches de soudure étain-plomb 44 a, 44 b.
La figure 4 donne sous forme de schéma un exemple d'application du circuit hyperfréquence 11 selon l'invention, a une alimentation du transistor à effet de champ 12 Dans cette application, la source S du transistor est mise à la masse 16, pour les hyperfréquences, par l'élément capacitif 20 qui doit, alors, présenter une capacité élevée C'est pourquoi il y a avantage à ce que le matériau diélectrique
constituant la plaquette de l'intermédiaire de cablage pré-
sente une constante diélectrique importante, comprise entre 600 et 2000 Parmi les matériaux susceptibles d'être utilisés figurent le verre, la céramique, le titamate de baryum Une résistance de polarisation R 5 peut ainsi être placée en parallèle sur l'élément capacitif 20 de façon à définir un
point de fonctionnementen coopération avec le circuit sta-
bilisateur 50, en courant et en tension, indépendant du
transistor à effet de champ.
En effet, par la présence du transistor bipolaire T, le circuit stabilisateur 50 maintient sensiblement constant
le courant de drain ID du transistor à effet de champ 12.
La résistance de polarisation R 5, elle-même traversée par un courant quasiment égal à ID' porte ainsi la source S à un potentiel sensiblement constant Le potentiel de drain étant fixe, la différence de potentiel V entre le drain et la source est donc également pratiquement constante Ainsi, le point de fonctionnement en courant ID et en tension VDS du transistor à effet de champ est fixé indépendamment des dispersions existant entre des transistors de même espèce et notamment les dispersions, parfois importantes, de la différence de potentiel V entre la grille G et la source S. A titre d'exemple de réalisation, les valeurs numériques des principaux paramètres du circuit de la figure 4 sont les suivantes V 8 Volts R 3 = 180 Ohms Rl = 2700 Ohms R 4 = 2200 Ohms R 2 = 6200 Ohms R 5 = 330 Ohms L'invention ne saurait être limitée au seul
exemple donné aux figures 1, 2 mettant en oeuvre un transis-
tor à effet de champ comme composant semiconducteur nu Il est bien entendu qu'elle peut être également réalisée à l'aide d'autres composants tels que des transistors bipolaires
ou des diodes.

Claims (3)

REVENDICATIONS:
1 Circuit hyperfréquence ( 11) comportant au moins
un composant semiconducteur nu ( 12) placé du côté d'une pre-
mière face ( 13) d'un substrat isolant ( 14), une deuxième face ( 15) de ce substrat, opposée à la première, étant au moins partiellement métallisée pour constituer un plan de masse ( 16), le composant semiconducteur nu ( 12) présentant des électrodes munies, chacune, d'au moins une borne de sortie ( 17, 18 a, 18 b, 19 a, 19 b), une des électrodes, dite première électrode, étant destinée à être reliée électriquement au plan de masse ( 16) par l'intermédiaire d'un élément capacitif ( 20), la connexion électrique au plan de masse ( 16) étant en partie réalisée par au moins un trou métallisé ( 21,22) traversant le substrat isolant ( 14), caractérisé en ce que
le composant semiconducteur nu ( 12) est fixé sur un intermé-
diaire ( 23) de cablage constitué par une plaquette ( 24) d'un matériau diélectrique comportant, sur une première face ( 25), des piliers conducteurs ( 27, 28 a, 28 b, 29 a, 29 b) sur lesquels sont directement soudées les bornes de sortie des électrodes du composant semiconducteur nu, chaque pilier ( 29 a, 29 b) correspondant à chacune des bornes ( 19 a, 19 b) de sortie de la première électrode étant prolongé par une nappe métallisée ( 30 a, 30 b) déposée sur la première face ( 25) de la plaquette
( 24) et constituant une première armature de l'élément capa-
citif ( 20), tandis qu'une deuxième face ( 26) de la plaquette ( 24), opposée à la première, est fixée sur au moins une plage
conductrice ( 31) réalisée sur la première face ( 13) du subs-
trat isolant ( 14) de façon à être adjacente à au moins un
trou métallisé ( 21,22), ladite plage conductrice ( 31) cons-
tituant une deuxième armature de l'élément capacitif ( 20).
2 Circuit hyperfréquence ( 11) selon la revendica-
tion 1, caractérisé en ce que le composant semiconducteur nu ( 12) est un transistor à effet de champ et en ce que ladite première électrode est la source du transistor à effet
de champ.
Circuit hyperfréquence ( 11) selon l'une quelconque 3.
des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que, le matériau
diélectrique constituant la plaquette ( 14) de l'intermédiaire ( 23) de cablage présente une constante diélectrique comprise
entre 600 et 2000.
4 Circuit hyperfréquence ( 11) selon l'une des revendi- cations 1 à 3, caractérisé en ce qu'une épargne ( 32) est
aménagée dans la plage conductrice ( 31), en regard du compo-
sant semiconducteur nu ( 12).
Application d'un circuit hyperfréquence ( 11) selon
l'ensemble des revendications 2 et 3, à une alimentation du
transistor à effet de champ, caractérisée en ce que la source (S) du transistor à effet de champ est mise à la masse ( 16), pour les hyperfréquences, par ledit élément capacitif ( 20), tandis qu'une résistance (R 5) de polarisation de valeur fixe,
placée en parallèle sur l'élément capacitif ( 20), et coopé-
rant avec un circuit stabilisateur ( 50), définit un point de fonctionnement, en courant (ID) et en tension (V Ds),
indépendant du transistor à effet de champ.
FR8205551A 1982-03-31 1982-03-31 Circuit hyperfrequence a condensateur integre et application a un circuit d'alimentation Expired FR2524712B1 (fr)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8205551A FR2524712B1 (fr) 1982-03-31 1982-03-31 Circuit hyperfrequence a condensateur integre et application a un circuit d'alimentation
US06/477,280 US4617586A (en) 1982-03-31 1983-03-21 High-frequency circuit comprising an integrated capacitor
GB08308495A GB2118371B (en) 1982-03-31 1983-03-28 High-frequency circuit comprising an integrated capacitor
NL8301073A NL8301073A (nl) 1982-03-31 1983-03-28 Hoogfrequentschakeling met geintegreerde kondensator.
DE19833311302 DE3311302A1 (de) 1982-03-31 1983-03-28 Hf-schaltungsanordnung mit integriertem kondensator
JP58054064A JPS58182308A (ja) 1982-03-31 1983-03-31 高周波回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8205551A FR2524712B1 (fr) 1982-03-31 1982-03-31 Circuit hyperfrequence a condensateur integre et application a un circuit d'alimentation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2524712A1 true FR2524712A1 (fr) 1983-10-07
FR2524712B1 FR2524712B1 (fr) 1985-06-07

Family

ID=9272608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8205551A Expired FR2524712B1 (fr) 1982-03-31 1982-03-31 Circuit hyperfrequence a condensateur integre et application a un circuit d'alimentation

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4617586A (fr)
JP (1) JPS58182308A (fr)
DE (1) DE3311302A1 (fr)
FR (1) FR2524712B1 (fr)
GB (1) GB2118371B (fr)
NL (1) NL8301073A (fr)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2519508A1 (fr) * 1981-12-31 1983-07-08 Thomson Csf Dispositif de refroidissement pour carte de circuit imprime et procede de fabrication d'un tel dispositif
JPS61203695A (ja) * 1985-03-06 1986-09-09 シャープ株式会社 片面配線基板の部品実装方式
FR2587844B1 (fr) * 1985-09-20 1987-11-20 Thomson Csf Circuit hyperfrequence a faibles capacites parasites
US4890157A (en) * 1986-01-31 1989-12-26 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit product having a polyimide film interconnection structure
US4768004A (en) * 1986-10-09 1988-08-30 Sanders Associates, Inc. Electrical circuit interconnect system
US4906957A (en) * 1986-10-09 1990-03-06 Sanders Associates, Inc. Electrical circuit interconnect system
US4922324A (en) * 1987-01-20 1990-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated circuit device
US4901136A (en) * 1987-07-14 1990-02-13 General Electric Company Multi-chip interconnection package
FR2621174B1 (fr) * 1987-09-25 1991-06-14 Thomson Hybrides Microondes Capacite integree dans un circuit hyperfrequence
US5210599A (en) * 1988-09-30 1993-05-11 Fujitsu Limited Semiconductor device having a built-in capacitor and manufacturing method thereof
US5134247A (en) * 1989-02-21 1992-07-28 Cray Research Inc. Reduced capacitance chip carrier
US4967258A (en) * 1989-03-02 1990-10-30 Ball Corporation Structure for use in self-biasing and source bypassing a packaged, field-effect transistor and method for making same
US4951014A (en) * 1989-05-26 1990-08-21 Raytheon Company High power microwave circuit packages
JPH0383381A (ja) * 1989-08-28 1991-04-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置
US5049979A (en) * 1990-06-18 1991-09-17 Microelectronics And Computer Technology Corporation Combined flat capacitor and tab integrated circuit chip and method
US5404265A (en) * 1992-08-28 1995-04-04 Fujitsu Limited Interconnect capacitors
US5307237A (en) * 1992-08-31 1994-04-26 Hewlett-Packard Company Integrated circuit packaging with improved heat transfer and reduced signal degradation
US5493259A (en) * 1992-10-13 1996-02-20 The Whitaker Corporation High voltage, low pass filtering connector with multiple ground planes
US5510758A (en) * 1993-04-07 1996-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer microstrip wiring board with a semiconductor device mounted thereon via bumps
US5698469A (en) * 1994-09-26 1997-12-16 Endgate Corporation Method of making a hybrid circuit with a chip having active devices with extra-chip interconnections
US6265937B1 (en) 1994-09-26 2001-07-24 Endgate Corporation Push-pull amplifier with dual coplanar transmission line
US5942957A (en) * 1994-09-26 1999-08-24 Endgate Corporation Flip-mounted impedance
US5528203A (en) * 1994-09-26 1996-06-18 Endgate Corporation Coplanar waveguide-mounted flip chip
US5623231A (en) * 1994-09-26 1997-04-22 Endgate Corporation Push-pull power amplifier
DE19601650A1 (de) * 1996-01-18 1997-07-24 Telefunken Microelectron Anordnung zum Schutz elektrischer und elektronischer Bauelemente vor elektrostatischen Entladungen
US5736913A (en) * 1996-02-14 1998-04-07 Anadigics, Inc. Method and apparatus for providing grounding to microwave circuit by low impedance means
US5981988A (en) * 1996-04-26 1999-11-09 The Regents Of The University Of California Three-dimensional charge coupled device
US6072211A (en) * 1998-08-03 2000-06-06 Motorola, Inc. Semiconductor package
US6794743B1 (en) * 1999-08-06 2004-09-21 Texas Instruments Incorporated Structure and method of high performance two layer ball grid array substrate
GB2356737A (en) 1999-11-26 2001-05-30 Nokia Mobile Phones Ltd Ground Plane for a Semiconductor Chip
JP3585796B2 (ja) * 1999-12-17 2004-11-04 新光電気工業株式会社 多層配線基板の製造方法、及び半導体装置
DE10158185B4 (de) * 2000-12-20 2005-08-11 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleitermodul mit hoher Isolationsfestigkeit
US7733106B2 (en) * 2005-09-19 2010-06-08 Formfactor, Inc. Apparatus and method of testing singulated dies
EP2722981A1 (fr) 2012-10-16 2014-04-23 Nxp B.V. Circuits amplificateurs
EP2722880B1 (fr) 2012-10-16 2018-02-28 Ampleon Netherlands B.V. Circuit amplificateur en boîtier

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3591839A (en) * 1969-08-27 1971-07-06 Siliconix Inc Micro-electronic circuit with novel hermetic sealing structure and method of manufacture
US4183041A (en) * 1978-06-26 1980-01-08 Rca Corporation Self biasing of a field effect transistor mounted in a flip-chip carrier
US4376287A (en) * 1980-10-29 1983-03-08 Rca Corporation Microwave power circuit with an active device mounted on a heat dissipating substrate
US4396936A (en) * 1980-12-29 1983-08-02 Honeywell Information Systems, Inc. Integrated circuit chip package with improved cooling means
US4451845A (en) * 1981-12-22 1984-05-29 Avx Corporation Lead frame device including ceramic encapsulated capacitor and IC chip
DE3231118C1 (de) * 1982-08-20 1983-11-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Kombinierte Schaltungsanordnung mit Varistor und Verfahren zu ihrer Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
GB8308495D0 (en) 1983-05-05
JPS58182308A (ja) 1983-10-25
US4617586A (en) 1986-10-14
GB2118371A (en) 1983-10-26
DE3311302A1 (de) 1983-10-06
GB2118371B (en) 1985-05-22
FR2524712B1 (fr) 1985-06-07
NL8301073A (nl) 1983-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2524712A1 (fr) Circuit hyperfrequence a condensateur integre et application a un circuit d'alimentation
US4559579A (en) Device for the protection of an electronic component and/or circuit against the disturbances (voltages) generated by an external electromagnetic field
US4376287A (en) Microwave power circuit with an active device mounted on a heat dissipating substrate
JP3490513B2 (ja) 薄膜型キャパシタとその製造方法
EP0154583B1 (fr) Dispositif de commutation et de limitation à ligne à fente, fonctionnant en hyperfréquences
US4949163A (en) Semiconductor integrated circuit device particularly for high speed logic operations
FR2550009A1 (fr) Boitier de composant electronique muni d'un condensateur
FR2521780A1 (fr) Dispositif a circuit integre presentant un moyen d'amortissement interne des signaux transitoires vis-a-vis de plusieurs sources d'alimentation electrique
FR2529013A1 (fr) Circuit a haute frequence et dispositif semi-conducteur pour equiper un tel circuit
FR2724054A1 (fr) Structure de montage de boitier semiconducteur
FR2607643A1 (fr) Commutateur a semiconducteurs a micro-ondes
FR2665309A1 (fr) Appareil de commande a semi-conducteurs.
FR2515897A1 (fr) Amplificateur radiofrequence a transistors a effet de champ
FR2535110A1 (fr) Procede d'encapsulation d'un composant semi-conducteur dans un circuit electronique realise sur substrat et application aux circuits integres rapides
FR2587844A1 (fr) Circuit hyperfrequence a faibles capacites parasites
EP0581712A2 (fr) Configuration de conducteurs décalés sur substrats céramiques multicouches pour éviter des craquelures entre lignes conductrices et traversées
FR2513476A1 (fr) Plaquette a circuit a plusieurs couches et son procede de fabrication
FR2625373A1 (fr) Ligne de propagation hyperfrequence en microruban
FR2564244A1 (fr) Structure de montage pour circuits integres rapides
EP0368741A1 (fr) Support de circuit intégré et son procédé de fabrication, circuit intégré adapté au support et boîtiers en résultant
FR2763746A1 (fr) Procede et dispositif pour connecter deux elements millimetriques
EP0109895B1 (fr) Charge hyperfréquence coaxiale, isolateur du type triplaque comportant une telle charge, et utilisation d'un tel isolateur
US4384215A (en) Capacitor element
EP0545748B1 (fr) Dispositif d'amenée de tension sur un porte-substrat
US3611060A (en) Three terminal active glass memory element

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse