JPS58180027A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に高集積度
の半導体集積回路の微細パターンのフォトエツチング工
程に関するものである。
の半導体集積回路の微細パターンのフォトエツチング工
程に関するものである。
従米の７オトリソプロセスによるノ臂ターン形成および
検査法は次の通シである。ｔず、シリコン基板表面に成
長したＰＳＧ（リンシリケートガラス）１９［などにポ
ジ型ホトレジスト展を塗布する。
検査法は次の通シである。ｔず、シリコン基板表面に成
長したＰＳＧ（リンシリケートガラス）１９［などにポ
ジ型ホトレジスト展を塗布する。
次に、ベークしてホトレジスト膜を乾燥させた後、露光
・現像し、このホトレノスト膜に開口部を形成する０次
に、現像によって軟化したホトレジスト膜を再びベーク
して乾燥させた後、開口部のたとえばＰＳＧ膜をフッ化
水素酸（ＨＦ ）液などの化学薬品によシエッチングし
、顕微鏡などによシ検査を行う、そして、この検査にお
いてシリコンの地肌が確認されなければ（エツチング終
了が確認されなければ）、ホトレジスト膜を再度ベーク
して乾燥させた後、再度一定時間エツチングを行い、そ
の上で乾燥させて再度顕微鏡での検査を行う、そして、
この検査においてシリコンの地肌り葦りエツチング終了
が確認されなければ、エツチング終了が確認されるまで
前記の工程をぐシ返す。
・現像し、このホトレノスト膜に開口部を形成する０次
に、現像によって軟化したホトレジスト膜を再びベーク
して乾燥させた後、開口部のたとえばＰＳＧ膜をフッ化
水素酸（ＨＦ ）液などの化学薬品によシエッチングし
、顕微鏡などによシ検査を行う、そして、この検査にお
いてシリコンの地肌が確認されなければ（エツチング終
了が確認されなければ）、ホトレジスト膜を再度ベーク
して乾燥させた後、再度一定時間エツチングを行い、そ
の上で乾燥させて再度顕微鏡での検査を行う、そして、
この検査においてシリコンの地肌り葦りエツチング終了
が確認されなければ、エツチング終了が確認されるまで
前記の工程をぐシ返す。
ところで、高密度化に伴い、ＰＳＧ膜に形成する開口部
の大きさが、３Ｘ３βｍ以下というように微小化してく
ると、開口部周囲のＰＳＧ膜およびホトレジスト膜の壁
により迩ぎられて開口部の底まで光が差し込まないので
、顕微鏡による目視Ｃはエツチング終了点の確認が困難
となる。
の大きさが、３Ｘ３βｍ以下というように微小化してく
ると、開口部周囲のＰＳＧ膜およびホトレジスト膜の壁
により迩ぎられて開口部の底まで光が差し込まないので
、顕微鏡による目視Ｃはエツチング終了点の確認が困難
となる。
そこで、このような場合、時間管理によるエツチングを
行うことになるが、誤差を加えたエツチング時間とする
から、終了迄の所要時間が長くかかる欠点がある。ｔた
、オーバーエッチになって横方向へのエツチング量が大
きくなシ、設計値よシも開口部が大きくなることがある
。
行うことになるが、誤差を加えたエツチング時間とする
から、終了迄の所要時間が長くかかる欠点がある。ｔた
、オーバーエッチになって横方向へのエツチング量が大
きくなシ、設計値よシも開口部が大きくなることがある
。
この発明は上記の点ＫｆＩｉみなされたもので、開口部
が微小化しても、その開口部のエツチングが終了したか
否かの確認を容易に行うことができ、その結果としてエ
ツチング時間の短縮を図ることができるとともに、オー
バーエッチにより開口部が大きくなることを防止できる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
が微小化しても、その開口部のエツチングが終了したか
否かの確認を容易に行うことができ、その結果としてエ
ツチング時間の短縮を図ることができるとともに、オー
バーエッチにより開口部が大きくなることを防止できる
半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
以下この発明の実施例を第１図および第２図を参照して
説明する。
説明する。
第１図囚において、１１はシリコン基板、１２はその表
面に形成された例えばＰＳＧ膜である。
面に形成された例えばＰＳＧ膜である。
このＰＳＧ膜１２にコンタクトホール（開口部）を形成
する場合、まず第１図（８）に示すように、？ゾ型ホト
レゾス）＠１３ｔ−ＰＳＧ膜１２上に塗布する。そして
、このホトレジスト膜１３をベークして乾燥させた後、
マスクを通して露光し現像する。
する場合、まず第１図（８）に示すように、？ゾ型ホト
レゾス）＠１３ｔ−ＰＳＧ膜１２上に塗布する。そして
、このホトレジスト膜１３をベークして乾燥させた後、
マスクを通して露光し現像する。
第２図は、前記露光時に使用されるマスク１４を示す、
この図に示すように、この場合に使用されるマスク１４
は、コンタクトホールに対応する本ノリーン１５の外に
１周辺部に、１×１μｍ。
この図に示すように、この場合に使用されるマスク１４
は、コンタクトホールに対応する本ノリーン１５の外に
１周辺部に、１×１μｍ。
２Ｘ２μｍ 、３Ｘ３μｍ 、４Ｘ４μｍ 、５８５μ
ｍの大小異なるモニタパターン１６を異にする。
ｍの大小異なるモニタパターン１６を異にする。
したがって、このマスク１４を用いてホトレジスト膜１
３を露光し現像すると、ホトレゾスト膜１３には１本ノ
母ターフ１５に対応する開口部の外に、第１図＜Ｃ）に
示すように、モニタ／ずターン１６に対応する開口部１
７が形成される。
３を露光し現像すると、ホトレゾスト膜１３には１本ノ
母ターフ１５に対応する開口部の外に、第１図＜Ｃ）に
示すように、モニタ／ずターン１６に対応する開口部１
７が形成される。
次に、現像によって軟化したホトレジスト膜１３を再び
ベークして乾燥させた後、そのホトレジスト１ｉ１３’
ｉマスクとしてＰＳＧｇ１２をフッ化水このエツチング
を行うと、ＰＳＧ膜１２には、コンタクトホール開口部
（マスク１４の本）譬ターン１５によるホトレノストＭ
１３上の開口部に対応する）が形成されると同時に、第
１図のに示すようにモニタパターン開口部１Ｂ（マスク
１４Ｃ）モニタ／童ターン１６によるホトレジスト膜１
３上の開口部１７に対応する）が形成される。
ベークして乾燥させた後、そのホトレジスト１ｉ１３’
ｉマスクとしてＰＳＧｇ１２をフッ化水このエツチング
を行うと、ＰＳＧ膜１２には、コンタクトホール開口部
（マスク１４の本）譬ターン１５によるホトレノストＭ
１３上の開口部に対応する）が形成されると同時に、第
１図のに示すようにモニタパターン開口部１Ｂ（マスク
１４Ｃ）モニタ／童ターン１６によるホトレジスト膜１
３上の開口部１７に対応する）が形成される。
しかる後、水洗いと乾燥を行った上で、顕微鏡などによ
シ検査を行う、この時、いま、コンタクトホール開口部
が３Ｘ３μｍ以下程度の微小なものであると、その開口
部の底まで光が差し込まないため、エツチングが終了し
たか否かの確認が困難である。しかし、この実施例では
、コンタクトホール開口部の外に、４Ｘ４μｍ％５Ｘ５
血の大きさの開口部を含むモニタパターン開口部１８が
同時に形成されてｈる。４×４μｍ、５Ｘ５μｍのモニ
タパターン開口部１８は、その開口部の底まで光が差し
込むため、そのエツチング状況を顕微鏡などにより容易
に確認できる。そこで、この場合は、４Ｘ４μｍ、５Ｘ
５ μｍのモニタパターン開口部１８のエツチング状況
から、３×３μｍ以下のコンタクトホール開口部のエツ
チングが終了したか否かを確認する。そして、コンタク
トホール開口部のエツチングが終了していなければ、ホ
トレジスト膜１３を再度ベークして乾燥させた後に、上
記確認よシ得られる時間再度エツチングし、その上で上
ａｂと同様にしてコンタクトホール開口部のエツチング
終了を確認する。
シ検査を行う、この時、いま、コンタクトホール開口部
が３Ｘ３μｍ以下程度の微小なものであると、その開口
部の底まで光が差し込まないため、エツチングが終了し
たか否かの確認が困難である。しかし、この実施例では
、コンタクトホール開口部の外に、４Ｘ４μｍ％５Ｘ５
血の大きさの開口部を含むモニタパターン開口部１８が
同時に形成されてｈる。４×４μｍ、５Ｘ５μｍのモニ
タパターン開口部１８は、その開口部の底まで光が差し
込むため、そのエツチング状況を顕微鏡などにより容易
に確認できる。そこで、この場合は、４Ｘ４μｍ、５Ｘ
５ μｍのモニタパターン開口部１８のエツチング状況
から、３×３μｍ以下のコンタクトホール開口部のエツ
チングが終了したか否かを確認する。そして、コンタク
トホール開口部のエツチングが終了していなければ、ホ
トレジスト膜１３を再度ベークして乾燥させた後に、上
記確認よシ得られる時間再度エツチングし、その上で上
ａｂと同様にしてコンタクトホール開口部のエツチング
終了を確認する。
そして、コンタクトホール開口部のエツチングを終了し
たら、最後に第１図（ト）に示すように、過水硫酸また
はグラズマ灰化装置などによりホトレジスト膜１３を除
去する。
たら、最後に第１図（ト）に示すように、過水硫酸また
はグラズマ灰化装置などによりホトレジスト膜１３を除
去する。
以上の実施例から明らかなように、この発明の方法は、
開口の対象とする本パターンの外に、それよ多大きいモ
ニタパターンを含むマスクを準備り、 本１”ターフと
同時にモニタパターンのエラチンクラ行イ、モニタノ母
ターン（モニタノ４１１− ン開ロ部）により本ノ臂タ
ーン（たとえばコンタクトホール開口部）のエツチング
状況１刊定するものでろる。したがって、コンタクトホ
ール開口部が３×３μｍ以下というように微小化しても
、それより大きいモニタパターン開口部のエツチング状
況から、コンタクトホール開口部のエツチングが終了し
たか否かを確認で惠、その結果としてエツチング時間の
短縮を図ることができるとともに、オー ハエッチによ
り開口部が犬亀くなることを防止できる。
開口の対象とする本パターンの外に、それよ多大きいモ
ニタパターンを含むマスクを準備り、 本１”ターフと
同時にモニタパターンのエラチンクラ行イ、モニタノ母
ターン（モニタノ４１１− ン開ロ部）により本ノ臂タ
ーン（たとえばコンタクトホール開口部）のエツチング
状況１刊定するものでろる。したがって、コンタクトホ
ール開口部が３×３μｍ以下というように微小化しても
、それより大きいモニタパターン開口部のエツチング状
況から、コンタクトホール開口部のエツチングが終了し
たか否かを確認で惠、その結果としてエツチング時間の
短縮を図ることができるとともに、オー ハエッチによ
り開口部が犬亀くなることを防止できる。
なお、上記実施例では、４Ｘ４μｍ、５Ｘ５μｍのモニ
タパターン１６の外［、ＩＸ１μｍ、２×２μｍ 、
３ Ｘ ３μｍのモニタパターン１６もマスク１４上に
形成しである。したがって、このマスク１４を用いてホ
トレジスト膜１３を露光した後現像すれば、ＩＸＩμｍ
、２Ｘ２μｍ、３Ｘ３μｍの開口部１７がホトレジスト
膜１３に形成されるようになる。それゆえ、その開口部
１７ｔｌ−用いて１μｍ、２μｍ 、 ３μｍレベルの
ホトレジスト膜１３の開口状態をチェックすることがで
きる。
タパターン１６の外［、ＩＸ１μｍ、２×２μｍ 、
３ Ｘ ３μｍのモニタパターン１６もマスク１４上に
形成しである。したがって、このマスク１４を用いてホ
トレジスト膜１３を露光した後現像すれば、ＩＸＩμｍ
、２Ｘ２μｍ、３Ｘ３μｍの開口部１７がホトレジスト
膜１３に形成されるようになる。それゆえ、その開口部
１７ｔｌ−用いて１μｍ、２μｍ 、 ３μｍレベルの
ホトレジスト膜１３の開口状態をチェックすることがで
きる。
さらに、ホトレゾスト膜１３をマスクとしてＰＳＧ膜１
２をエツチングすれば、ＰＳＧ膜１２には、■×１μｍ
、２Ｘ２ μｍ、３ｘ３μｍのモニタパターン開口８１
Ｂが形成される。したがって、光学装置の改良によシ、
これらのモニタノ９ターン開口部１８のエツチング状況
を調べることがのエツチング状況によシ、それよシ小さ
いコンタクホール開口部のエツチング状態を確認するこ
とができる。
２をエツチングすれば、ＰＳＧ膜１２には、■×１μｍ
、２Ｘ２ μｍ、３ｘ３μｍのモニタパターン開口８１
Ｂが形成される。したがって、光学装置の改良によシ、
これらのモニタノ９ターン開口部１８のエツチング状況
を調べることがのエツチング状況によシ、それよシ小さ
いコンタクホール開口部のエツチング状態を確認するこ
とができる。
さらに、マスク１４上に複数のモニタパターン１６を形
成する際、そのモニタパターン１６をたとえば０．５μ
ｍ間隔で形成すれば次のような効果を得ることができる
。すなわち、マスク１４上に０．５μｍ間隔でモニタパ
ターン１６を形成しり場合は、そのマスク１４を用いて
ホトレジスト膜１３を露光した後現像すると、ホトレジ
スト膜１３に０６５μｍ幅の極細レノストが形成される
。したがって、この極細レジストの潰れ具合をチェック
できる。
成する際、そのモニタパターン１６をたとえば０．５μ
ｍ間隔で形成すれば次のような効果を得ることができる
。すなわち、マスク１４上に０．５μｍ間隔でモニタパ
ターン１６を形成しり場合は、そのマスク１４を用いて
ホトレジスト膜１３を露光した後現像すると、ホトレジ
スト膜１３に０６５μｍ幅の極細レノストが形成される
。したがって、この極細レジストの潰れ具合をチェック
できる。
第１図はこの発明の半導体装置の製造方法の実施例を説
明するため；の断面図、８２図は実施例で用いられるマ
スクを示す平面図である。 １１・・・シリコン基板％１２・・・ＰＳＧ膜、１３・
・・ｒｒ＝ジ型ホトレノスト換、１４・・・マスク、１
５・・・本ツヤターン、１６・・・モニタパターン、１
７・・・開口部、１８・・・モニタノ量ターン開口部。 特許出願人 沖１気工業株式会社 第１図 手続補正書 昭和５７年９月−３日 特許庁長官着杉和大 殿 １、事件の表示 昭和６γ年 譬 許 願第 ６２ｉ３γ２、発＠Ｏ名称 牛導体義置Ｏ刺造方法 ３、補正をする者 事件との関係 轡 許 出願人（０１１１）沖
電気工ｌＩｉ株式金社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
）６、補正の対象 明細書ｖ＊ｖｓｏ詳細な説−の― 嶌 ７、補正の内容 捌−ト→→ｉ→ ｌ）＠願書８買３行「タホール」を「クトホール」と訂
正する。
明するため；の断面図、８２図は実施例で用いられるマ
スクを示す平面図である。 １１・・・シリコン基板％１２・・・ＰＳＧ膜、１３・
・・ｒｒ＝ジ型ホトレノスト換、１４・・・マスク、１
５・・・本ツヤターン、１６・・・モニタパターン、１
７・・・開口部、１８・・・モニタノ量ターン開口部。 特許出願人 沖１気工業株式会社 第１図 手続補正書 昭和５７年９月−３日 特許庁長官着杉和大 殿 １、事件の表示 昭和６γ年 譬 許 願第 ６２ｉ３γ２、発＠Ｏ名称 牛導体義置Ｏ刺造方法 ３、補正をする者 事件との関係 轡 許 出願人（０１１１）沖
電気工ｌＩｉ株式金社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（自発
）６、補正の対象 明細書ｖ＊ｖｓｏ詳細な説−の― 嶌 ７、補正の内容 捌−ト→→ｉ→ ｌ）＠願書８買３行「タホール」を「クトホール」と訂
正する。
Claims (1)
- 微細パターンを有する半導体装置の製造方法において、
開口の対象とする本／４ターンの外に、それよシ大きい
モニタパターンを含むマスクを準備し、本パターンと同
時にモニタパターンのエツチングを行い、モニタパター
ンによシ本パターンのエツチング状況を判定することを
！！＃徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6253782A JPS58180027A (ja) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6253782A JPS58180027A (ja) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58180027A true JPS58180027A (ja) | 1983-10-21 |
Family
ID=13203056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6253782A Pending JPS58180027A (ja) | 1982-04-16 | 1982-04-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58180027A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4652333A (en) * | 1985-06-19 | 1987-03-24 | Honeywell Inc. | Etch process monitors for buried heterostructures |
| US4863548A (en) * | 1987-03-21 | 1989-09-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Test pattern for use monitoring variations of critical dimensions of patterns during fabrication of semiconductor devices |
| US5637186A (en) * | 1995-11-22 | 1997-06-10 | United Microelectronics Corporation | Method and monitor testsite pattern for measuring critical dimension openings |
| US5792673A (en) * | 1995-01-31 | 1998-08-11 | Yamaha Corporation | Monitoring of eching |
-
1982
- 1982-04-16 JP JP6253782A patent/JPS58180027A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4652333A (en) * | 1985-06-19 | 1987-03-24 | Honeywell Inc. | Etch process monitors for buried heterostructures |
| US4863548A (en) * | 1987-03-21 | 1989-09-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Test pattern for use monitoring variations of critical dimensions of patterns during fabrication of semiconductor devices |
| US5792673A (en) * | 1995-01-31 | 1998-08-11 | Yamaha Corporation | Monitoring of eching |
| US5637186A (en) * | 1995-11-22 | 1997-06-10 | United Microelectronics Corporation | Method and monitor testsite pattern for measuring critical dimension openings |
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