JPS58171255A - 両面鏡面研摩装置 - Google Patents

両面鏡面研摩装置

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Publication number
JPS58171255A
JPS58171255A JP57050819A JP5081982A JPS58171255A JP S58171255 A JPS58171255 A JP S58171255A JP 57050819 A JP57050819 A JP 57050819A JP 5081982 A JP5081982 A JP 5081982A JP S58171255 A JPS58171255 A JP S58171255A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
carrier
wafers
take
disk
Prior art date
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Pending
Application number
JP57050819A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinzaburo Iwabuchi
岩「淵」 真三郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Priority to US06/479,471 priority patent/US4502252A/en
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Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34Accessories
    • B24B37/345Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は両面鏡面研摩装置に関する。
〔発明の技術的背景〕
集積回路装置の集積度が高まるにつれて、集積回路装置
が形成されるウェハの平坦度は、極めて高いものである
ことが要求されている。
而して、従来のウェハの鏡面研摩装置は、ウェハ固定円
板にウェハを固着し、これを回転するパフ円盤に圧接し
てウェハの鏡面研摩を行っている。しかしながら、この
ような手段によるものでは、ワックス等によってウェハ
の表面に波が発生し、高い平坦度が得られない。このた
め、ウェハの両面を同時に鏡面研摩する両面研摩装置が
使用されている。両面研摩装置は、ウェハなキャリアの
穴の中に載置して自由状態にしたまま下回転円盤(パッ
ドが貼付けられている。)と上回転円盤(・母ッドが貼
付けられている。)の間に挾んで研摩を施すものである
。従って両回転円盤の平坦度が十分に高い場合には(例
えば平坦度が100μm以下)、ウェハの平坦度を容易
に高めることができる。
〔背景技術の問題点〕
上述の両面鏡面研摩装置には、次のような欠点がある。
■ 研摩が終了するとウェハは下田盤と上円盤の双方に
吸着された状態になっているので、これらの円盤からウ
ェハを自動操作によって除去するのはほぼ不可能である
■ キャリアに載置されたウェハは、通常キャリアの肉
厚にほぼ等しい肉厚を有しておシ、かつ、これに同意円
状に載置されているので、自動操作によってウェハを除
去することが難しい。
■ 鏡面研摩されたウェハの表面は、活性化されている
のでウェハの取扱いを素手で行うことができず、作業性
が低い。
〔発明の目的〕
本発明は、両面鏡面研摩されたウェハを素手で取扱わず
に1かつ空気に接触する時間を短くしてカセットに自動
収納し、作業性を向上させることができる両面鏡面研摩
装置を提供することをその目的とするものである。
〔発明の概要〕 本発明は、研摩終了後にウェハな下田盤にのみ被着した
状態にし、ウェハを収容したキャリアを下田盤から除去
できるようにし、しかも下田盤に被着したウェハを収納
ステージに摺接移動させるようにして、両面鏡面研摩さ
れたウェハを素手で取扱わずに、かつ、空気に接触する
時間を短くし、カセットへの自動収納を達成した両面鏡
面研摩装置である。
〔発明の実施例〕
本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例の断面図である。
図中1は、回転軸である。回転軸の先端部には、上円盤
駆動軸2が突出している。上円盤駆動軸2には、後述す
る下田盤3と衝合、離間するように上円盤4が該軸2を
軸心に貫挿されるようになっている。上円盤4の下田盤
3との衝合面には、人造皮革などから々る研摩部材5が
貼着されている。上円盤4には、開口部を研摩部材50
表面に形成した洗浄液流出孔6が多数本影形成されてお
シ、図示しない洗浄液源に接続されている。上円盤4上
には、これを下田盤3と密着させるだめのエアシリンダ
7が取付けられている。上円盤駆動軸2の局面には、こ
れと上円盤4とを確実に接続するための〜−溝(図示せ
ず)が形成されている。回転軸1の上部局面には、太陽
ギヤ8が形成されている。回転軸1の下部には、これを
軸心に下田盤3が同心円状に貫挿されている。下田盤3
の上面には、上円盤4と同様に研摩部材5が貼着されて
いる。下田盤3が貫挿された回転軸1は、筐体9内に収
容されている。太陽ギヤ8に対向する筐体9の内壁面に
は、インターナルギヤ10が形成されている。下田盤3
上には、ウェハ11の両面が露出するようにして、これ
を嵌合する嵌合孔12を複数個円蜜状基体に穿設したキ
ャリア。
13が、その周側面を太陽ギヤ8とインターナルギヤ1
0に歯合するようにして出入自在に載置されている。筐
体9の内部には、このキャリア13を回転軸1から離間
するように突上げる5− 押上げリング15が上下動自在に設けられている。押上
げリング15には、昇降シリンダ16が接続されておシ
、キャリア引上機構を構成しほぼ同じ設置高さでウェハ
取出台2oが設けられている。ウェハ取出台20の上方
には、キャリア13の直径よりも大きな収容腕21を有
する取出スィーパ−22が、下田盤3上からウェハ取出
台20上へ向けて前後進するようになっている。収容腕
21内にはウェハ11が収容され、ウェハ11の局面が
収容腕21の内壁面に当接するようになっている。ウェ
ハ取出台2゜の近傍には、処理後のウェハ11を所定間
隔で多段に収容するキャリアカセット23が昇降自在に
設けられている。キャリアカセット23の下方には、こ
れが浸漬される純水槽(図示せず)が設けられている。
ウェハ取出台20上には、取出スィーパ−22によって
下田盤3からウェハ取出台20上に移されたウェハ11
を収容す6一 る収容腕24を有する収納スイー/母−25が、キャリ
アカセット23に向けて前後進自在に設けられている。
なお、26は、収納スイーノ臂−25の駆動軸である。
而して、このように構成された両面鏡面研摩装置工30
−によれば、次のようにしてウェハ11の両面鏡面研摩
を行い、それをキャリアカセット23に収容する。
先ず、例えば、3個のウェハ嵌合孔12を有するエポキ
シ樹脂製のキャリア13の嵌合孔12にウェハ11を嵌
合し、これをその周面が太陽ギヤ8及びインターナルギ
ヤ10に歯合するようにして上円盤3上に載置する。キ
ャリア13上に研摩剤の入ったスラリーを供給し、キャ
リア13を上下両面から挾みつけるようにして上円盤4
と上円盤3を衝合させる。上円盤4と上円盤3は、夫々
太陽ギヤ8とインターナルギヤ10に歯合させ、一体に
なった状態でこれらを回転させる。キャリア13は、上
円盤4と上円盤3の研摩部材5でウェハ11の両面を研
摩させ、自転しながら回転軸1の回わりを公転する。こ
の状態で例えば研摩剤を11j/m i nで供給し、
研摩温度を35〜406Cに設定して一定の加圧力を保
って約30分間研摩処理を施す。
研摩処理を施した後、上円盤4を上円盤3から約2〜3
wn離間せしめ、洗浄水流出孔からキャリア13に嵌合
されたウェハ11に洗浄水を噴出する。この洗浄によっ
て、ウェハ11とキャリア13の密着状態を解除する。
次いで、洗浄水及び研摩剤の供給を停止した状態で昇降
シリンダ16により押上げリング15を拝上させ、キャ
リア13を上円盤3から離間させ、ウェハ11だけを上
円盤3上に残存させる。なお、この時、上円盤4は、所
定の位置まで引上げた状態になっている。
次に、インターナルギヤ1oの形成された筐体9を上円
盤3の表面から約30鵡降下させる。
この状態で図示しない駆動機構によって取出スィーパ−
22を前進させ、第2図に示す如く、収容腕21内に3
個の両面鏡面研摩させたウェハ11を収容し、次いで、
同駆動機構によって後退させてウェハ11をウェハ取出
台20上に移す。なお、この時、ウェハ取出台20は、
その表面が上円盤3の表面とほぼ同じ高さになるように
設定されている。次いで、取出スイーノ?−22は、こ
れとウェハ取出台20上の収容スイーノ母−25との間
にウェハ11を挾持するように二次移動する。
このようにして、3枚のウェハ11がウェハ取出台20
上で一列に整列されると、次に、収容スイーi4−25
がキャリアカセット23に向けて移動し、1枚づつウェ
ハ11をキャリアカセット23内に収容させ、これに同
期してキャリアカセット23が降下する。
同様の操作の繰シ返しにより、上円盤3上の全てのウェ
ハ11がキャリアカセット23に収容させる。キャリア
カセット23に全てのウェハ11が収容されたところで
警報等を発し、キャリアカセット23をその下方に設け
られた純水槽に浸漬すると共に、新しく空のキャリアカ
9− セット23を所定位置に設定し、全操作を停止する。以
下、同様の操作によって、多数枚のウェハ11に両面鏡
面研摩を施し、これを自動操作によって極めて速やかに
キャリアカセット23に収容することができる。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発明に係る両面鏡面研摩装置によ
れば、両面鏡面研摩されたウェハを素手で取扱わずに、
かつ、空気に接触する時間を短くしてカセットに自動収
納し、作業性を向上させることができる等顕著な効果を
奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例の断面図、第2図は、同実
施例の要部の平面図である。 1・・・回転軸、2・・・上円盤駆動軸、3・・・上円
盤、4・・・上円盤、5・・・研摩部材、6・・・洗浄
液流出孔、2・・・エアシリンダ、8・・・太陽ギヤ、
9・・・筐体、10・・・インターナルギヤ、1ノ・・
・ウェハ、12・・・嵌合孔、13・・・キャリア、1
5・・・押上げリン10− グ、16・・・昇降シリンダ、20・・・ウェノ飄取出
台、21・・・収容腕、22・・・取出スィーパ−12
3・・・キャリアカセット、24・・・収容腕、25・
・・収納スィーパ−126・・・駆動軸、と・・・両面
鏡面研摩装置。 出願人代理人  弁理士 鈴 江 武 彦11− 第1図 星

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 回転軸に沿って同心円状に互に衝合離間自在に設けられ
    た上円盤と下円盤と、該両日盤の衝合面に形成された研
    摩部材と、該研摩部材に形成された洗浄液流出孔と、前
    記両日盤間に出入自在に設置され、かつ、ウェハ嵌合孔
    を有するキャリアと、前記両日盤の近傍に設けられたキ
    ャリア引上機構と、前記ウェハに当接する押出面を有し
    て前記下円盤の近傍のウェハ取出合に向って前後進自在
    に設けられた取出スイー・クーと、前記ウェハに当接す
    る押出面を有して前記ウェハ取出合の近傍のキャリアカ
    セットに向って前後進自在に設けられた収納スィーパ−
    とを具備することを特徴とする両面鏡面研摩装置。
JP57050819A 1982-03-29 1982-03-29 両面鏡面研摩装置 Pending JPS58171255A (ja)

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JP57050819A JPS58171255A (ja) 1982-03-29 1982-03-29 両面鏡面研摩装置
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5036625A (en) * 1988-12-07 1991-08-06 Anatoly Gosis Lapping plate for a lapping and polishing machine
US5065550A (en) * 1989-12-26 1991-11-19 Carrier Corporation Lapping of involute spiral scroll element
US5123218A (en) * 1990-02-02 1992-06-23 Speedfam Corporation Circumferential pattern finishing method
US5187901A (en) * 1990-02-02 1993-02-23 Speedfam Corporation Circumferential pattern finishing machine
JPH0770504B2 (ja) * 1990-12-26 1995-07-31 信越半導体株式会社 ウエーハのハンドリング方法及び装置
US5538460A (en) * 1992-01-16 1996-07-23 System Seiko Co., Ltd. Apparatus for grinding hard disk substrates
US5329732A (en) 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
JP2655975B2 (ja) * 1992-09-18 1997-09-24 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ研磨装置
US5398459A (en) * 1992-11-27 1995-03-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and apparatus for polishing a workpiece
US5554064A (en) * 1993-08-06 1996-09-10 Intel Corporation Orbital motion chemical-mechanical polishing apparatus and method of fabrication
US5885138A (en) * 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
US5804507A (en) * 1995-10-27 1998-09-08 Applied Materials, Inc. Radially oscillating carousel processing system for chemical mechanical polishing
US7097544B1 (en) * 1995-10-27 2006-08-29 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US5762543A (en) * 1995-11-30 1998-06-09 Speedfam Corporation Polishing apparatus with improved product unloading
US5658190A (en) * 1995-12-15 1997-08-19 Micron Technology, Inc. Apparatus for separating wafers from polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US6045437A (en) * 1996-03-01 2000-04-04 Tan Thap, Inc. Method and apparatus for polishing a hard disk substrate
US5674116A (en) * 1996-10-09 1997-10-07 Cmi International Inc. Disc with coolant passages for an abrasive machining assembly
US6425812B1 (en) 1997-04-08 2002-07-30 Lam Research Corporation Polishing head for chemical mechanical polishing using linear planarization technology
US6244946B1 (en) 1997-04-08 2001-06-12 Lam Research Corporation Polishing head with removable subcarrier
US5957763A (en) * 1997-09-19 1999-09-28 Speedfam Corporation Polishing apparatus with support columns supporting multiple platform members
US6336845B1 (en) 1997-11-12 2002-01-08 Lam Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
JPH11320388A (ja) * 1998-05-12 1999-11-24 Speedfam-Ipec Co Ltd 平面研磨装置及びワークの取出方法
JP2000006009A (ja) * 1998-06-25 2000-01-11 Speedfam Co Ltd 研磨装置
DE69933754T2 (de) * 1998-08-20 2007-02-08 Hamai Co. Ltd. Planetengetriebesystem für doppelseitige läppmaschine
JP4256977B2 (ja) * 1999-04-13 2009-04-22 不二越機械工業株式会社 両面研磨装置システム
US6196907B1 (en) * 1999-10-01 2001-03-06 U.S. Dynamics Corporation Slurry delivery system for a metal polisher
US6431959B1 (en) 1999-12-20 2002-08-13 Lam Research Corporation System and method of defect optimization for chemical mechanical planarization of polysilicon
US6666756B1 (en) 2000-03-31 2003-12-23 Lam Research Corporation Wafer carrier head assembly
US6942545B2 (en) * 2001-04-20 2005-09-13 Oriol, Inc. Apparatus and method for sequentially polishing and loading/unloading semiconductor wafers
DE20112495U1 (de) * 2001-07-28 2002-04-11 Lühmann, Dieter, 21279 Wenzendorf Von Hand betätigbares Werkzeug
US7145556B2 (en) * 2001-10-29 2006-12-05 Anoto Ab Method and device for decoding a position-coding pattern
JP4163485B2 (ja) * 2002-10-25 2008-10-08 不二越機械工業株式会社 両面研磨装置およびこれを用いた研磨加工方法
US6932684B1 (en) 2004-03-08 2005-08-23 Roy H. Hunt Reciprocal blade lapping machine
JP2009126750A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 多結晶透明セラミックス基板の製造方法およびスピネル基板の製造方法
DE102011082777A1 (de) * 2011-09-15 2012-02-09 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
CN109968176A (zh) * 2019-03-18 2019-07-05 湖南经纬辉开科技有限公司 一种3d玻璃保护片扫光加工治具组件及加工方法
US11705354B2 (en) 2020-07-10 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Substrate handling systems

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1465117A (en) * 1919-10-14 1923-08-14 American Optical Corp Grinder
US3443342A (en) * 1966-03-21 1969-05-13 Crane Packing Co Lapping machine with automatic loading and unloading means
US3568371A (en) * 1969-03-12 1971-03-09 Spitfire Tool & Machine Co Inc Lapping and polishing machine
US3691694A (en) * 1970-11-02 1972-09-19 Ibm Wafer polishing machine
US3668813A (en) * 1971-03-23 1972-06-13 R A Stokvis & Fils Lapping machine
CH556217A (de) * 1972-08-28 1974-11-29 Sim Sa Ets Planschleifmaschine.
US3970471A (en) * 1975-04-23 1976-07-20 Western Electric Co., Inc. Methods and apparatus for treating wafer-like articles

Also Published As

Publication number Publication date
US4502252A (en) 1985-03-05

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