JPS5817105A - 電離放射線感応性材料 - Google Patents
電離放射線感応性材料Info
- Publication number
- JPS5817105A JPS5817105A JP11615681A JP11615681A JPS5817105A JP S5817105 A JPS5817105 A JP S5817105A JP 11615681 A JP11615681 A JP 11615681A JP 11615681 A JP11615681 A JP 11615681A JP S5817105 A JPS5817105 A JP S5817105A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- constituent
- copolymer
- general formula
- ionizing radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、遠紫外線、電子線等の電離放射−に感応する
ネガ臘レジストとして好適な材料に従来、半導体集積回
路等の製造においては、基板の上にホトレジストを塗布
し、ホトマスクを通して光を照射し、現偉するととによ
り微細パタンを形成し、次いでパタン部以外の基板をウ
ェットエツチングするという工種がとられている。しか
しこのような光による上記の一連の1糧では、光の回折
現象等のために解像度に限界があり、またウェットエツ
チングではサイドエッチ(バタン部の下にエッチャント
がまわシ込みエツチングされてしまう現象)やエッチャ
ントの不純物の影響のために微細バタンのエツチングが
十分圧できなかつ喪。このため近年、光に代わシ波長の
短い遠紫外線、電子線等の高エネルギーの電離放射線を
用いて高精度のパタンを形成する技術が開発され、また
ウェットエツチングに代わってガスプラズマ、反応性ス
バツタリング、イオンミリング等を用いたドライエツチ
ングによシ微細パタンのエツチングを行なう技術が開発
されている。
ネガ臘レジストとして好適な材料に従来、半導体集積回
路等の製造においては、基板の上にホトレジストを塗布
し、ホトマスクを通して光を照射し、現偉するととによ
り微細パタンを形成し、次いでパタン部以外の基板をウ
ェットエツチングするという工種がとられている。しか
しこのような光による上記の一連の1糧では、光の回折
現象等のために解像度に限界があり、またウェットエツ
チングではサイドエッチ(バタン部の下にエッチャント
がまわシ込みエツチングされてしまう現象)やエッチャ
ントの不純物の影響のために微細バタンのエツチングが
十分圧できなかつ喪。このため近年、光に代わシ波長の
短い遠紫外線、電子線等の高エネルギーの電離放射線を
用いて高精度のパタンを形成する技術が開発され、また
ウェットエツチングに代わってガスプラズマ、反応性ス
バツタリング、イオンミリング等を用いたドライエツチ
ングによシ微細パタンのエツチングを行なう技術が開発
されている。
電離放射線を用いてパタンを形成し、ドライエツチング
を行なう場合に使用するレジストは、電離放射線に対し
て高感度に感応し、微細パタンを高精度に形成すること
ができ、かつドライエツチングに対して高い耐性を有す
ることが必要である。このような現状において電離放射
線に感応するレジスト材料として、九とえばポリスチレ
ンが知られているが、電離放射線に対する感度が低いと
いう欠点を有している。
を行なう場合に使用するレジストは、電離放射線に対し
て高感度に感応し、微細パタンを高精度に形成すること
ができ、かつドライエツチングに対して高い耐性を有す
ることが必要である。このような現状において電離放射
線に感応するレジスト材料として、九とえばポリスチレ
ンが知られているが、電離放射線に対する感度が低いと
いう欠点を有している。
本発明者らは、電離放射線に対する感度が高く、微細パ
タ/を高精度に形成させることができ、かつドライエツ
チングに対して高い耐性を有する電離放射線感応性材料
について鋭意研究の結果、本発明を完成した。゛ すなわち1本発明の要旨は、下記の一般式(1)R’、
R“は互いに同一または異なって、水素、アルキル基
またはアルコキシ基を示す)で表わされる構成成分を有
する重合体または共重合体からなる電離放射線感応性材
料にある。
タ/を高精度に形成させることができ、かつドライエツ
チングに対して高い耐性を有する電離放射線感応性材料
について鋭意研究の結果、本発明を完成した。゛ すなわち1本発明の要旨は、下記の一般式(1)R’、
R“は互いに同一または異なって、水素、アルキル基
またはアルコキシ基を示す)で表わされる構成成分を有
する重合体または共重合体からなる電離放射線感応性材
料にある。
本発明によれば、電離放射線照射によって現像液に不溶
となシ、高感度で微細バタンを高検fK形成することが
でき、ドライエツチングに対して高耐性を有する、ネガ
型のレジスト材料として好適な電離放射線感応性材料を
提供することができる。
となシ、高感度で微細バタンを高検fK形成することが
でき、ドライエツチングに対して高耐性を有する、ネガ
型のレジスト材料として好適な電離放射線感応性材料を
提供することができる。
次に本発明の詳細な説明する。
一般式(1)で表わされる構成成分を有する重合体また
は共重合体とは、一般式(1)の構成成分のみ、ま九は
7般式(1)の構成成分および他の構成成分からなる重
合体を示すものである。一般式(1)で表わされる構成
成分の含有量は、好ましくは3〜60モル%、41に好
ましくは5〜40モル%で69.3モル%未満の場合は
電離放射線に対する感度が低下し、0モル%を越えると
重合体または共重合体の安定性が低下する。一般式(り
で表わされる構成成分と共に共重合体を形成する他の構
成成分としては、たとえばスチレン単位、0−メチルス
チレン単位、m−メチルスチレン単位、p−メチルスチ
レン単位、p−エチルスチレン単位、p−メトキシスチ
レン単位などの下記一般式(1) (但し、R1,R2,R3,R4,R1は一般式(1)
と同様)で表わされる構成成分、アクリル酸エチル単位
、アクリル酸ブチル単位、アクリル酸グリシジル単位、
α−ビニールナフタレン単位、β−ビニルナフfレン単
位、2−ビニルピリジン単位、4−ビニルピリジン単位
、無水マレイン酸単位。
は共重合体とは、一般式(1)の構成成分のみ、ま九は
7般式(1)の構成成分および他の構成成分からなる重
合体を示すものである。一般式(1)で表わされる構成
成分の含有量は、好ましくは3〜60モル%、41に好
ましくは5〜40モル%で69.3モル%未満の場合は
電離放射線に対する感度が低下し、0モル%を越えると
重合体または共重合体の安定性が低下する。一般式(り
で表わされる構成成分と共に共重合体を形成する他の構
成成分としては、たとえばスチレン単位、0−メチルス
チレン単位、m−メチルスチレン単位、p−メチルスチ
レン単位、p−エチルスチレン単位、p−メトキシスチ
レン単位などの下記一般式(1) (但し、R1,R2,R3,R4,R1は一般式(1)
と同様)で表わされる構成成分、アクリル酸エチル単位
、アクリル酸ブチル単位、アクリル酸グリシジル単位、
α−ビニールナフタレン単位、β−ビニルナフfレン単
位、2−ビニルピリジン単位、4−ビニルピリジン単位
、無水マレイン酸単位。
酢酸ビニル単位、などの不飽和エチレン化合物単位など
の構成成分を挙げることができるが、電離放射線に対す
る感度およびドライエツチングに対する耐性をよシ高め
るためには、上記一般式(1)で表わされる構成成分が
望ましく、一般式(1)で表わされる構成成分および一
般式(1)で表わされる構成成分の合計が9モル%以上
、特に9〜100モル%、なかで4100−T−ル%で
あることが好ましい。恥モル%未満のときは、レジスト
として使用する場合に、電離放射線に対する感度および
ドライエツチングに対する耐性が低下する。
の構成成分を挙げることができるが、電離放射線に対す
る感度およびドライエツチングに対する耐性をよシ高め
るためには、上記一般式(1)で表わされる構成成分が
望ましく、一般式(1)で表わされる構成成分および一
般式(1)で表わされる構成成分の合計が9モル%以上
、特に9〜100モル%、なかで4100−T−ル%で
あることが好ましい。恥モル%未満のときは、レジスト
として使用する場合に、電離放射線に対する感度および
ドライエツチングに対する耐性が低下する。
また一般式(りおよび一般式Q[)Kおける好ましいR
1,1m、 Hm、 R4,R@ は水素、メチル基、
エチル基ま九社メトキシ基であシ、411にR’、R”
。
1,1m、 Hm、 R4,R@ は水素、メチル基、
エチル基ま九社メトキシ基であシ、411にR’、R”
。
Rm、 R4,1B のうちの1つがメチル基でアシ
他が水素の場合、または全てが水素の場合が好ましい。
他が水素の場合、または全てが水素の場合が好ましい。
一般式(1)で表わされる構成成分を有する重合体また
は共重合体の分子量について、特に制限は無いが、電離
放射線に対して高感度という性能を維持するためには分
子量が高い方が好ましく、レジストとしての塗膜形成の
ための職扱面からは分子量が低い方が好ましい。二つの
相反する要求を満たす数平均分子量の範囲は、3万〜1
50万、よに好ましくは5万〜100万である。
は共重合体の分子量について、特に制限は無いが、電離
放射線に対して高感度という性能を維持するためには分
子量が高い方が好ましく、レジストとしての塗膜形成の
ための職扱面からは分子量が低い方が好ましい。二つの
相反する要求を満たす数平均分子量の範囲は、3万〜1
50万、よに好ましくは5万〜100万である。
一般式(1)で表わされる構成成分を有する重合体また
は共重合体は、例えば下記の方法m 、 (2)で得る
ことができる。
は共重合体は、例えば下記の方法m 、 (2)で得る
ことができる。
(菫) 次の一般式(至)
3
(fflL、R’、 R”、 R”、 R’、 R“
は(1)式と同様)で表わされる単量体を重合tえは共
重合し。
は(1)式と同様)で表わされる単量体を重合tえは共
重合し。
次いで得られた重合体または共重合体を九とえはジャー
ナル・オプ・アメリカン・ケミカル・ソサエティー。
ナル・オプ・アメリカン・ケミカル・ソサエティー。
…、 2940 (1951)に記載されているように
、溶媒の存在下、塩化スル7リル、ヨウ素、臭素等のハ
ロゲンラジカル発生能のある化金物および過酸化ベンゾ
イル、過酸化ラウリル等のラジカル発生剤を用いてラジ
カル的にハロゲン化する方法。
、溶媒の存在下、塩化スル7リル、ヨウ素、臭素等のハ
ロゲンラジカル発生能のある化金物および過酸化ベンゾ
イル、過酸化ラウリル等のラジカル発生剤を用いてラジ
カル的にハロゲン化する方法。
(2)上記(1)で得られ九一般式(2)で表わされる
単量体の重合体または共重合体を、九とえばジャーナル
・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエティー。
単量体の重合体または共重合体を、九とえばジャーナル
・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエティー。
μm 、 2189 (1952)に記載されているよ
うに、溶媒の存在下、N−ブロモコハク酸イミド中N−
ブロモアセトアミド等のN−ハロゲン化合物でラジカル
的にハロゲン化する方法。
うに、溶媒の存在下、N−ブロモコハク酸イミド中N−
ブロモアセトアミド等のN−ハロゲン化合物でラジカル
的にハロゲン化する方法。
上記方法(1) 、 (2) において一般式(2)で
表わされる単量体としては、たとえばスチレン、0−メ
チルスチレン、m−メチルスチレン、p−エチルスチレ
ン、p−エチルスチレン、p−メトキシスチレン等を挙
げることができ、これらの単量体を2種以上併用しても
よい。また一般式(2)で表わされる単量体と共重合す
る他の単量体としては、九とえばアクリル酸エチル、ア
クリル酸ブチル、アクリル酸グリシジル等のアクリル酸
エステル、α−ビニルナフタレン、β−ビニルナフタレ
ン、2−ビニルピリジン、4−ビニルピリジン等の一般
式(2)で表わされる単量体以外の芳香族ビニル化合物
、無水マレイン酸、酢酸ビニル等を挙けることができる
。一般式(2)で表わされる単量体の重合体または共重
合体は一般式値)で表わされる構成成分が恥モル%以上
、1111に90〜100モル%になるように重合また
は共重合するのが好ましい。
表わされる単量体としては、たとえばスチレン、0−メ
チルスチレン、m−メチルスチレン、p−エチルスチレ
ン、p−エチルスチレン、p−メトキシスチレン等を挙
げることができ、これらの単量体を2種以上併用しても
よい。また一般式(2)で表わされる単量体と共重合す
る他の単量体としては、九とえばアクリル酸エチル、ア
クリル酸ブチル、アクリル酸グリシジル等のアクリル酸
エステル、α−ビニルナフタレン、β−ビニルナフタレ
ン、2−ビニルピリジン、4−ビニルピリジン等の一般
式(2)で表わされる単量体以外の芳香族ビニル化合物
、無水マレイン酸、酢酸ビニル等を挙けることができる
。一般式(2)で表わされる単量体の重合体または共重
合体は一般式値)で表わされる構成成分が恥モル%以上
、1111に90〜100モル%になるように重合また
は共重合するのが好ましい。
上記方法(1)および(2)において、一般式(2)で
表わされる単量体の重合体または共重合体をラジカル的
にハロゲン化するときの溶媒としては、ハロゲンラジカ
ルとの相互作用のないものが好ましく12g塩化炭素、
四臭化炭素環のハロゲン化炭化水素が特に好適に用いら
れる。
表わされる単量体の重合体または共重合体をラジカル的
にハロゲン化するときの溶媒としては、ハロゲンラジカ
ルとの相互作用のないものが好ましく12g塩化炭素、
四臭化炭素環のハロゲン化炭化水素が特に好適に用いら
れる。
上記方法(1)および(2)におけるハロゲン化の一度
は、通常上記方法(1)においてはハロゲンラジカル発
生能のある化合物の使用量、上記方法(21においては
N−ハロゲン化合物の使用量によってコントロールする
。
は、通常上記方法(1)においてはハロゲンラジカル発
生能のある化合物の使用量、上記方法(21においては
N−ハロゲン化合物の使用量によってコントロールする
。
を九一般的な反応条件としては1反応溶液中の一般式(
至)で表わされる単量体の重合体または共重合体の濃度
3〜20重量%、ラジカル発生剤を使用する場合は一般
式(2)で表わされる重合体または共重合体100重量
部に対して0.01〜5重量部、反応温度60〜200
Cを挙げることができる。
至)で表わされる単量体の重合体または共重合体の濃度
3〜20重量%、ラジカル発生剤を使用する場合は一般
式(2)で表わされる重合体または共重合体100重量
部に対して0.01〜5重量部、反応温度60〜200
Cを挙げることができる。
一般式(1)で表わされる構成成分を有する重合体1+
は共重合体を安定化させるえめ、安定剤:たとえば、ヒ
ドロキノン、メトキシフェノール、p−t−ブチルカテ
コール、2.2′−メチレンビス(6−t−ブチル−4
−エチルフェノール)等のヒドロキシ芳香族化合物;ベ
ンゾキノ/、9−)ルキノ/、p−キシロキノン等のキ
ノンall;フェニル−α−ナフチルア之ン、p、p’
−シフ止エルフェニレンジアミン等のアミン類;ジラク
リルチオジグロビオナート、4,4−チオビス(6−t
−ブチル−3−メチルフェノール)、2.2’−チオビ
ス(4−メチル−6−を−ブチルフェノール)、2−(
3,5−ジーを一ブチルー4−ヒドロキシアニリノ)−
4,6−ビス(N−オクチルチオ)−1−)リアジン等
の硫黄化合物等を0.5〜5重量%糧度添加することが
できる。
は共重合体を安定化させるえめ、安定剤:たとえば、ヒ
ドロキノン、メトキシフェノール、p−t−ブチルカテ
コール、2.2′−メチレンビス(6−t−ブチル−4
−エチルフェノール)等のヒドロキシ芳香族化合物;ベ
ンゾキノ/、9−)ルキノ/、p−キシロキノン等のキ
ノンall;フェニル−α−ナフチルア之ン、p、p’
−シフ止エルフェニレンジアミン等のアミン類;ジラク
リルチオジグロビオナート、4,4−チオビス(6−t
−ブチル−3−メチルフェノール)、2.2’−チオビ
ス(4−メチル−6−を−ブチルフェノール)、2−(
3,5−ジーを一ブチルー4−ヒドロキシアニリノ)−
4,6−ビス(N−オクチルチオ)−1−)リアジン等
の硫黄化合物等を0.5〜5重量%糧度添加することが
できる。
本発明による電離放射線感応性材料は、一般にキシレン
、エチルベンゼン、トルエン等の石油留分に溶かした形
で取扱われる。この場合の電離放射線感応性材料の湊度
は一概に規定できないが、塗布した場合の膜厚に対応し
て決められ、一般には5〜30重量%の溶液として用い
られる。
、エチルベンゼン、トルエン等の石油留分に溶かした形
で取扱われる。この場合の電離放射線感応性材料の湊度
は一概に規定できないが、塗布した場合の膜厚に対応し
て決められ、一般には5〜30重量%の溶液として用い
られる。
以下に実施例を挙げて、本発明を説明するが、要旨を越
えないかぎり、これらの実施例に制約されるものではな
い。
えないかぎり、これらの実施例に制約されるものではな
い。
実施例1
内容積2Jの四つ口丸底フラスコに磁気攪拌子を入れ、
系内を窒素に置きかえ、窒素気R下にシクロヘキサン4
81 N 、スチレン521を入れ、系内を均一溶液と
したのち、内温を60CK保った。ついで窒素気流下に
、n−ブチルリチウムの0.25モル/1シクロヘキを
ン溶液を1.42114加えて重合を開始させ九。反応
温度は70.5Cに上昇し、120分後に重合率は10
0%となった。反応溶液を2,2′−メチレンビス(6
−t−ブチル−4−エチルフェノール)を含むメタノー
ル中に入れ、−スチレン重合体を回収し、40Cで16
時間減圧乾燥しえ。
系内を窒素に置きかえ、窒素気R下にシクロヘキサン4
81 N 、スチレン521を入れ、系内を均一溶液と
したのち、内温を60CK保った。ついで窒素気流下に
、n−ブチルリチウムの0.25モル/1シクロヘキを
ン溶液を1.42114加えて重合を開始させ九。反応
温度は70.5Cに上昇し、120分後に重合率は10
0%となった。反応溶液を2,2′−メチレンビス(6
−t−ブチル−4−エチルフェノール)を含むメタノー
ル中に入れ、−スチレン重合体を回収し、40Cで16
時間減圧乾燥しえ。
このようにして得られたスチレン重合体10.4gをI
J丸底フラスコに入れ、系内な窒素に置換えたのち、四
塩化炭素2241と過酸化ベンゾイル9.711%F
、塩化スルフリル5.4jFを加え、系内を匍Cに保っ
て4時間反応しえ0反応生成物を2.2′−メチレンビ
ス(6−1−ブチル−4−エチルフェノール)を含むメ
タノール溶液中に投じて生成物を分離回収した。塩素含
量は11.8%であった。
J丸底フラスコに入れ、系内な窒素に置換えたのち、四
塩化炭素2241と過酸化ベンゾイル9.711%F
、塩化スルフリル5.4jFを加え、系内を匍Cに保っ
て4時間反応しえ0反応生成物を2.2′−メチレンビ
ス(6−1−ブチル−4−エチルフェノール)を含むメ
タノール溶液中に投じて生成物を分離回収した。塩素含
量は11.8%であった。
生成物を赤外分光々縦針〔日本分光工業■製40111
]にかけて分析し九ところ、二置換フェニルに由来す
る吸収は認められず、さらに核磁気共鳴装置〔日本電子
■製JNM−4H−100!l )を用いて分析したと
ころ、原料であるX f V 7重合体Kl!められる
。a=2.IT)9mのメチンの水素に由来するピー゛
りが小さくなっていることが判った。このことから、ス
テレフ11合体の主鎖が塩素化され、α−クロロ誠チレ
ン単位が於%の重合体であることが判つ九、iた数平均
分子量は6.5X10″であつ九。
]にかけて分析し九ところ、二置換フェニルに由来す
る吸収は認められず、さらに核磁気共鳴装置〔日本電子
■製JNM−4H−100!l )を用いて分析したと
ころ、原料であるX f V 7重合体Kl!められる
。a=2.IT)9mのメチンの水素に由来するピー゛
りが小さくなっていることが判った。このことから、ス
テレフ11合体の主鎖が塩素化され、α−クロロ誠チレ
ン単位が於%の重合体であることが判つ九、iた数平均
分子量は6.5X10″であつ九。
上記によ抄得られた重合体をキシレンで7.8重量%の
溶液とした。この溶液10.7μ琳の熱酸化層のついた
シリコンウェーノー−上に乗せ、200回転/分で2−
1つづい−て4,000回転/分で萄秒間、回転塗布さ
せた。80Cで恥分熱処理して、溶剤を飛散させたとこ
ろ、ウエーノ1−上に0.5μ鶴の塗膜が彰成されてい
え、キャノン■製露光機 PLA−521F を用い
て、マスクを通し遠紫外線を照射したのち、酢酸イソア
ミルで2分現偉しメチルインブチルケトンを用いて1分
間リンスした。この結果60絵の遠紫外線照射エネルギ
ーで2μ鶴の画像がマスクに忠実に解像できることがわ
かつ九。
溶液とした。この溶液10.7μ琳の熱酸化層のついた
シリコンウェーノー−上に乗せ、200回転/分で2−
1つづい−て4,000回転/分で萄秒間、回転塗布さ
せた。80Cで恥分熱処理して、溶剤を飛散させたとこ
ろ、ウエーノ1−上に0.5μ鶴の塗膜が彰成されてい
え、キャノン■製露光機 PLA−521F を用い
て、マスクを通し遠紫外線を照射したのち、酢酸イソア
ミルで2分現偉しメチルインブチルケトンを用いて1分
間リンスした。この結果60絵の遠紫外線照射エネルギ
ーで2μ鶴の画像がマスクに忠実に解像できることがわ
かつ九。
実施例2
実施例1に準じて、スチレン重合体を重合し、次いでα
−クロpスチレン単位が15%の塩素化生成物を得た。
−クロpスチレン単位が15%の塩素化生成物を得た。
このものの数平均分子量は4.5 X 108であつ九
。実施例1と同様にこのものの解像力を調べたところ2
j鵠を解像していえ。
。実施例1と同様にこのものの解像力を調べたところ2
j鵠を解像していえ。
実施例3
実施例IK準じて、スチレン重合体讐重合シ、次いでα
−クロロスチレン単位21%の塩素化生成物を得た。こ
のものの数平均分子量は4 X 101であつ光。次い
でこの溶液を用i実施例1と同様の操作によシ熱酸化層
のついたシリコンウェーハー上に0.5μ漢の塗膜を形
成し、塗膜の電子線照射によるゲル化点を調べた結果、
0.1μm/cdであう九。
−クロロスチレン単位21%の塩素化生成物を得た。こ
のものの数平均分子量は4 X 101であつ光。次い
でこの溶液を用i実施例1と同様の操作によシ熱酸化層
のついたシリコンウェーハー上に0.5μ漢の塗膜を形
成し、塗膜の電子線照射によるゲル化点を調べた結果、
0.1μm/cdであう九。
比較例1
実施例3で製造したスチレン重合体を樹脂澁度6.3%
のキシレン溶液とした。次いでこの溶液を−用い実施例
1と同様の操作によシ熱酸化層のついたシリコンウェー
ノー−上に0.5μ集の塗膜を形成し、塗膜の電子線照
射によるゲル化点を調べ九結果、4μ#/cdであつ九
。
のキシレン溶液とした。次いでこの溶液を−用い実施例
1と同様の操作によシ熱酸化層のついたシリコンウェー
ノー−上に0.5μ集の塗膜を形成し、塗膜の電子線照
射によるゲル化点を調べ九結果、4μ#/cdであつ九
。
実施例4
内容積2Jの四つ日丸底フラスコに磁気攪拌子を入れ、
系内憂窒素に置きかえ、窒素気流下にシクロヘキサンa
zoI1.p−メチルスチレン35.41を入れ、系内
を均一溶液としたのち、内温を50Cに保つ友。ついで
窒素気流下に、n−ブチルリチウムの0.50モル/J
シクロヘキサノン溶液を0.8011J加えて重合を
開始させた。120分後に重合率は91.5%に表つた
0反応溶液を2.6″−ジ−t−ブチル−p−クレゾー
ルを含むメタノール中に入れ、p−メチルスチレン重合
体を回収’L、、40Cで16時間、減圧乾燥した。こ
のようにして得られ九p−メチルスチレン重合体11.
8 jFをIJ丸底フラスコに入れ、系内を窒素に置換
えたのち四塩化炭素22411とラウリルペルオキシド
47.2IIg、塩化スルフリル4.7211を加え、
系内70CK保って90分反応した。生成物を、2.2
−メチレンビス(6−t−ブチル−4−lfkフェノー
ル)を含むメタノール溶液中に投じて生成物を分離回収
した。生成物を核磁気共鳴装置〔日本電子■製JNM−
4H−100111を用いて分析し九ところ、原料であ
るp−メチルスチレン重合体に認められるa=2−sp
pmのメチルの水素に由来するビークには変化がなかっ
たが、J=2.lppmのメチンの水素に由来するピー
クが小さくなっていることが判つ九。このことから、p
−メチルスチレン重合体の主鎖が優先的に塩素化されて
いることが判った、。塩素付加率は30.7%で数平均
分子量は5 X 10’であった。
系内憂窒素に置きかえ、窒素気流下にシクロヘキサンa
zoI1.p−メチルスチレン35.41を入れ、系内
を均一溶液としたのち、内温を50Cに保つ友。ついで
窒素気流下に、n−ブチルリチウムの0.50モル/J
シクロヘキサノン溶液を0.8011J加えて重合を
開始させた。120分後に重合率は91.5%に表つた
0反応溶液を2.6″−ジ−t−ブチル−p−クレゾー
ルを含むメタノール中に入れ、p−メチルスチレン重合
体を回収’L、、40Cで16時間、減圧乾燥した。こ
のようにして得られ九p−メチルスチレン重合体11.
8 jFをIJ丸底フラスコに入れ、系内を窒素に置換
えたのち四塩化炭素22411とラウリルペルオキシド
47.2IIg、塩化スルフリル4.7211を加え、
系内70CK保って90分反応した。生成物を、2.2
−メチレンビス(6−t−ブチル−4−lfkフェノー
ル)を含むメタノール溶液中に投じて生成物を分離回収
した。生成物を核磁気共鳴装置〔日本電子■製JNM−
4H−100111を用いて分析し九ところ、原料であ
るp−メチルスチレン重合体に認められるa=2−sp
pmのメチルの水素に由来するビークには変化がなかっ
たが、J=2.lppmのメチンの水素に由来するピー
クが小さくなっていることが判つ九。このことから、p
−メチルスチレン重合体の主鎖が優先的に塩素化されて
いることが判った、。塩素付加率は30.7%で数平均
分子量は5 X 10’であった。
上記により得られた重合体をキシレンで6.5重量%の
溶液とした。この溶液を0.7μ鵠の熱酸化層のついた
シリコンウェーノ1−上に乗せ、魚回転/分で2秒、つ
づいて4,000回転/分で30秒間、回転塗布させた
。8oCで(資)分熱処理して溶剤を飛散させたところ
、ウェーノー−上に0.5μ鶴の塗膜が形成されていた
。キャノン■製露光機PLA−521F を用いて、マ
スクを通して遠紫外線を照射したのち、酢酸イソアミル
で2分現像し、メチルイソブチルケトンを用いて1分間
り/スした。この結果653麿の照射エネルギーで2μ
鶴の画像がマスクに忠実に解像できることがわかった。
溶液とした。この溶液を0.7μ鵠の熱酸化層のついた
シリコンウェーノ1−上に乗せ、魚回転/分で2秒、つ
づいて4,000回転/分で30秒間、回転塗布させた
。8oCで(資)分熱処理して溶剤を飛散させたところ
、ウェーノー−上に0.5μ鶴の塗膜が形成されていた
。キャノン■製露光機PLA−521F を用いて、マ
スクを通して遠紫外線を照射したのち、酢酸イソアミル
で2分現像し、メチルイソブチルケトンを用いて1分間
り/スした。この結果653麿の照射エネルギーで2μ
鶴の画像がマスクに忠実に解像できることがわかった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 R4,R@は互いに同一または異なって、水素、アルキ
ル基tiはアルコキシ基を示す)で表わされる構成成分
を有する重合体または共重合体からなる電離放射線感応
性材料。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11615681A JPS5817105A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電離放射線感応性材料 |
US06/735,715 US4623609A (en) | 1981-07-24 | 1985-05-20 | Process for forming patterns using ionizing radiation sensitive resist |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11615681A JPS5817105A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電離放射線感応性材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5817105A true JPS5817105A (ja) | 1983-02-01 |
Family
ID=14680153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11615681A Pending JPS5817105A (ja) | 1981-07-24 | 1981-07-24 | 電離放射線感応性材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5817105A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58187923A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 放射線感応性レジスト材を用いる微細加工法 |
JPS6060641A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | X線レジスト |
US5166023A (en) * | 1989-05-30 | 1992-11-24 | Fuji Xerox Corporation, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and related method |
US5332643A (en) * | 1988-09-26 | 1994-07-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of wet honing a support for an electrophotographic photoreceptor |
JPH091472A (ja) * | 1995-06-15 | 1997-01-07 | Maeda Kinzoku Kogyo Kk | ボルト・ナット締付機 |
-
1981
- 1981-07-24 JP JP11615681A patent/JPS5817105A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58187923A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 放射線感応性レジスト材を用いる微細加工法 |
JPS6360894B2 (ja) * | 1982-04-28 | 1988-11-25 | ||
JPS6060641A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | X線レジスト |
JPH0542658B2 (ja) * | 1983-09-14 | 1993-06-29 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | |
US5332643A (en) * | 1988-09-26 | 1994-07-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Method of wet honing a support for an electrophotographic photoreceptor |
US5166023A (en) * | 1989-05-30 | 1992-11-24 | Fuji Xerox Corporation, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor and related method |
JPH091472A (ja) * | 1995-06-15 | 1997-01-07 | Maeda Kinzoku Kogyo Kk | ボルト・ナット締付機 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4405708A (en) | Method of applying a resist pattern on a substrate, and resist material mixture | |
US4286049A (en) | Method of forming a negative resist pattern | |
JPS5817105A (ja) | 電離放射線感応性材料 | |
EP0093202B1 (en) | Poly(halostyrene) for negative resists | |
GB2318579A (en) | Glutarimide acrylic copolymers for photoresists | |
US4623609A (en) | Process for forming patterns using ionizing radiation sensitive resist | |
JPH0317651A (ja) | 製品の製造方法 | |
JPS63216044A (ja) | パタ−ン形成材料 | |
EP0110576B1 (en) | Ionizing radiation-sensitive material and its use for preparing a pattern | |
US4397939A (en) | Method of using a positive electron beam resist medium | |
JPS63271253A (ja) | 高解像度ポジ型放射線感応性レジスト | |
US4504631A (en) | Photoresist material | |
Kim et al. | Environmentally Friendly Negative Resists Based on Acid‐Catalyzed Acetalization for 193‐nm Lithography | |
US4678850A (en) | Halogenated polystyrenes for electron beam, X-ray and photo resists | |
JPS62223750A (ja) | 放射線感応ポジ型レジストおよび該レジスト組成物 | |
JPS58216243A (ja) | 電離放射線感応性材料 | |
JPS5857734B2 (ja) | 皮膜形成方法法 | |
JPS59192245A (ja) | レジスト材料 | |
JPS59116744A (ja) | 感電離放射線樹脂組成物 | |
JPS58187923A (ja) | 放射線感応性レジスト材を用いる微細加工法 | |
JPH0377985B2 (ja) | ||
JPS62215628A (ja) | 二酸化硫黄と核置換トリアルキルシリルスチレンとの共重合体及びその製造方法 | |
JPH0146863B2 (ja) | ||
Schlegel et al. | Investigations concerning dissolution and swelling of polymethacrylonitrile in organic liquids | |
JPS6060641A (ja) | X線レジスト |