JPS5816888A - 半導体レーザ記録フイルム - Google Patents
半導体レーザ記録フイルムInfo
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- JPS5816888A JPS5816888A JP56113749A JP11374981A JPS5816888A JP S5816888 A JPS5816888 A JP S5816888A JP 56113749 A JP56113749 A JP 56113749A JP 11374981 A JP11374981 A JP 11374981A JP S5816888 A JPS5816888 A JP S5816888A
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- laser
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
詳しくは、レーザ光の吸収能を有し、かっレーザ光を照
射された部位がレーザ光の吸収能を失う新規なレーザ記
録フイルムに関する。
射された部位がレーザ光の吸収能を失う新規なレーザ記
録フイルムに関する。
近年、画像、音響を始めとする情報の記録および再生を
高速度にまた高密度に、しかも簡便に行うことがますま
す強く要望されており、各種の方法が提案されまた一部
実用化されている。
高速度にまた高密度に、しかも簡便に行うことがますま
す強く要望されており、各種の方法が提案されまた一部
実用化されている。
その中で、レーザによってフィルムに記録する方式はレ
ンズによって絞り込んだレーザ光の焦点を基板上の記録
層に当てて記録する、いわゆるヒートモード記録方式で
あり、従来の感熱記録方式のように発熱体を感熱記録層
に直接接触さずずに記録できるため、発熱体の熱容量や
熱の拡散などの問題が起らず、高速度および高密度の記
録が可能となる。レーザによるヒートモード記録方式は
レーザ光を照射した部位の記録層にレーザ光の熱的作用
に基づく物理的または化学的変化を起させることにより
、照射されたスポットと照射されていない領域との間に
光学的な濃度差を生じさせる記録方式である。この記録
方式に使用する記録フィルムとしては、従来、ポリエス
テルなどの基板上にモリブデン、インジウム、ビスマス
、テルルなどの金属を真空蒸着やスパッタリングなどの
方法により薄膜状に結着させた記録フィルムが知られて
おり、これにレーザ光を照射して部分的に金属を蒸発さ
せて記録することができ、ビデオディスクのマスターデ
ィスクの作成用に一部実用化されている。しかしながら
、この記録フィルムは使用する金属のレーザ光反射率が
高く、したがって、レーザ光の吸収効率が低いため、記
録に要するレーザ光も大きな出力が要求され、レーザ発
生装置が大型となるので、必ずしも経済的に有利な記録
フィルムではない。この記録フィルムに対し、熱を吸収
するカーボンフリックなどの微粒子およびニトロセルロ
ースなどの自己酸化結合物質を結合する被覆物質とを包
含した記録フィルムが提案されている（特開昭４８−４
３６３２号）。この記録フィルムはレーザ光を照射して
カーボンブラックなどの微粒子を他の記録テープに移着
させることによりネガ、ポジの記録が可能となるもので
あるが、この記録方式はカーボンブラックなどの微粒子
をレーザ光により記録フィルム上から逃散せしめるとい
う物質移動を必須とする。そのため、微粒子の粒状性に
基づき高密度の記録が得られにくく、光学的に高い濃度
差を得るにはやはり大きな出力のレーザ光を要すること
になり、前述の金属薄膜を用いた記録フィルムの問題点
を解決するには到っていない。さらに、より低い出力の
レーザ光で記録が可能な記録フィルムとして、記録に用
いるレーザ光の波長領域で強い吸収特性を有し、かつ光
を吸収して発熱するメチレンブルー、ブリリアントグリ
ーンなどの色素とニトロセルロースなどの低温度で気化
する有機物質とを結合した記録材料を塗布した記録フィ
ルムが提案されている（特開昭５５−８７５９５号）。
ンズによって絞り込んだレーザ光の焦点を基板上の記録
層に当てて記録する、いわゆるヒートモード記録方式で
あり、従来の感熱記録方式のように発熱体を感熱記録層
に直接接触さずずに記録できるため、発熱体の熱容量や
熱の拡散などの問題が起らず、高速度および高密度の記
録が可能となる。レーザによるヒートモード記録方式は
レーザ光を照射した部位の記録層にレーザ光の熱的作用
に基づく物理的または化学的変化を起させることにより
、照射されたスポットと照射されていない領域との間に
光学的な濃度差を生じさせる記録方式である。この記録
方式に使用する記録フィルムとしては、従来、ポリエス
テルなどの基板上にモリブデン、インジウム、ビスマス
、テルルなどの金属を真空蒸着やスパッタリングなどの
方法により薄膜状に結着させた記録フィルムが知られて
おり、これにレーザ光を照射して部分的に金属を蒸発さ
せて記録することができ、ビデオディスクのマスターデ
ィスクの作成用に一部実用化されている。しかしながら
、この記録フィルムは使用する金属のレーザ光反射率が
高く、したがって、レーザ光の吸収効率が低いため、記
録に要するレーザ光も大きな出力が要求され、レーザ発
生装置が大型となるので、必ずしも経済的に有利な記録
フィルムではない。この記録フィルムに対し、熱を吸収
するカーボンフリックなどの微粒子およびニトロセルロ
ースなどの自己酸化結合物質を結合する被覆物質とを包
含した記録フィルムが提案されている（特開昭４８−４
３６３２号）。この記録フィルムはレーザ光を照射して
カーボンブラックなどの微粒子を他の記録テープに移着
させることによりネガ、ポジの記録が可能となるもので
あるが、この記録方式はカーボンブラックなどの微粒子
をレーザ光により記録フィルム上から逃散せしめるとい
う物質移動を必須とする。そのため、微粒子の粒状性に
基づき高密度の記録が得られにくく、光学的に高い濃度
差を得るにはやはり大きな出力のレーザ光を要すること
になり、前述の金属薄膜を用いた記録フィルムの問題点
を解決するには到っていない。さらに、より低い出力の
レーザ光で記録が可能な記録フィルムとして、記録に用
いるレーザ光の波長領域で強い吸収特性を有し、かつ光
を吸収して発熱するメチレンブルー、ブリリアントグリ
ーンなどの色素とニトロセルロースなどの低温度で気化
する有機物質とを結合した記録材料を塗布した記録フィ
ルムが提案されている（特開昭５５−８７５９５号）。
この記録フィルムはレーザ光を照ｒ＋、ｉ ｌ、てニト
ロセルロースなどの気化性有機物質を気化させ、同時に
色素を分解させてしすうことにより記録が可能となるも
のであるが、この記録方式もニトロセルロースなどの気
化性の有機物質を気化させるという物質移動を必須とす
る方式である。そのため、記録に用いるレーザ光の低出
力化を十分に達しているとはいいがたいばかりでなく、
レーザ光の照射されたスポットの周辺に盛り゛上りを併
うため記録フィルムの読取の際のノイズの原因になり易
く、また使用するレーザ光の波長領域が可視光領域に限
られてしまい、半導体レーザのような近赤外域の光を用
いることができない欠点がある。
ロセルロースなどの気化性有機物質を気化させ、同時に
色素を分解させてしすうことにより記録が可能となるも
のであるが、この記録方式もニトロセルロースなどの気
化性の有機物質を気化させるという物質移動を必須とす
る方式である。そのため、記録に用いるレーザ光の低出
力化を十分に達しているとはいいがたいばかりでなく、
レーザ光の照射されたスポットの周辺に盛り゛上りを併
うため記録フィルムの読取の際のノイズの原因になり易
く、また使用するレーザ光の波長領域が可視光領域に限
られてしまい、半導体レーザのような近赤外域の光を用
いることができない欠点がある。
このような状況に鑑み、本発明者らは低出力の３−
レーザ光で光学的に高い濃度差を得ることができろ記録
フィルムとして、上述のような熱を吸収する微粒子や有
機物質の物質移動を利用した記録方式に対して、レーザ
光の熱的作用による化学的変化を利用する方式について
研究を行った。その結果種々の光吸収剤の中にはそれ単
独ではレーザ光に対して化学的に安定でありながら、ニ
トロセルロースと共存さぜた状態でレーザ光を受けると
、その熱的作用により極めて容易に化学的分解を起し、
その光吸収能を喪失する化合物が存在することを見出し
た。ついで、これを用いて記録フィルムを作成し、レー
ザ光を照射したところ、従来の記録方式と較べ、低出力
のレーザ光により光学的に高い濃度差を得ることができ
るばかりでなく、レーザ光の照射されたスポットの周辺
の盛り上りを極めて小さくすることが可能となることを
見出し本発明に到った。
フィルムとして、上述のような熱を吸収する微粒子や有
機物質の物質移動を利用した記録方式に対して、レーザ
光の熱的作用による化学的変化を利用する方式について
研究を行った。その結果種々の光吸収剤の中にはそれ単
独ではレーザ光に対して化学的に安定でありながら、ニ
トロセルロースと共存さぜた状態でレーザ光を受けると
、その熱的作用により極めて容易に化学的分解を起し、
その光吸収能を喪失する化合物が存在することを見出し
た。ついで、これを用いて記録フィルムを作成し、レー
ザ光を照射したところ、従来の記録方式と較べ、低出力
のレーザ光により光学的に高い濃度差を得ることができ
るばかりでなく、レーザ光の照射されたスポットの周辺
の盛り上りを極めて小さくすることが可能となることを
見出し本発明に到った。
本発明の記録フィルムは、光吸収剤の選択により半導体
レーザのような近赤外域の光を用いて記録することがで
きるばかりか、銀塩写真のような４− 現象処理が全く不要で、かつ記録に用いるレーザ光をそ
のまま出力を低下させて読取光とｌ−で用いることので
きる実時間レーザ記録が可能である。
レーザのような近赤外域の光を用いて記録することがで
きるばかりか、銀塩写真のような４− 現象処理が全く不要で、かつ記録に用いるレーザ光をそ
のまま出力を低下させて読取光とｌ−で用いることので
きる実時間レーザ記録が可能である。
すなわち、本発明は基板上に、■記録に用いるレーザ光
の波長領域で、強い吸収能を有しかつニトロセルロース
の共存下で分解してその吸収能を失う光吸収剤と、■ニ
トロセルロースを含有する記録媒体を塗布したことを特
徴とするレーザ記録フィルムを提供するものである。
の波長領域で、強い吸収能を有しかつニトロセルロース
の共存下で分解してその吸収能を失う光吸収剤と、■ニ
トロセルロースを含有する記録媒体を塗布したことを特
徴とするレーザ記録フィルムを提供するものである。
本発明に用いる光吸収剤は、記録に用いるレーザ光の波
長領域で強い吸収能を有し、かつニトロセルロースの共
存下に、熱的作用により容易に分解してその吸収能を失
う物質である。本発明者らの研究により種々の金属錯体
やアミニウム塩類がこの性質を有することが判った。こ
れらの金属錯体やアミニウム塩類は単独で加熱またはレ
ーザ光を受けた場合は化学的に安定であるにもかかわら
ずニトロセルロースと共存した状態で加熱またはレーザ
光を受けた場合、それ自体の分解温度と較べ１家るかに
低温度で容易に化学的分解を起し、吸収能を失う性質を
有するものである。その化学的分解の機構は必ずしも明
確ではないが、ニトロセルロースが加熱されて出現する
強力な酸化作用により金属錯体やアミニウム塩類の化学
的分解が促進され、吸収能を失わしめるものと推定され
る。すなわち、本発明に用いる光吸収剤はレーザ光を吸
するとともにその酸化作用により化学的分解を起し、吸
収能を喪失する性質を兼ね備えた吸収剤である。このよ
うな吸収剤として大別して６種すなわち、芳香族ジアミ
ン系金属錯体、脂肪族ジアミン系金属錯体、芳香族ジチ
オール系金属錯体、脂肪族ジチオール系金属錯体、メル
カプトフェノール系金属錯体およびアリールアミニウム
塩類があげられる。（１）芳香族ジアミン系金属錯体と
しては一般式（１） （式中、Ｘは水素、アルキル基、置換アルキル基、ハロ
ゲン基、ニトロ基を、ｎは１〜４の整数値を、Ｍはニッ
ケル、コバルト、パラジウム、白金を示す）で表わされ
る化合物であり、そのうち特にビス（４−クロロ−０−
フェニレンジアミノ）ニッケル（吸収極太波長’ｍａｘ
８００””、モル比吸光係数ε６６６００）およびビ
ス（４−メチル−〇−フェニレンジアミノ）ニッケル（
λｒＴｌａＸ７９５ＩＴｎ１ε５５１００）が合成が容
易でニトロセルロースとの相溶性にすぐれているため好
ましい。
長領域で強い吸収能を有し、かつニトロセルロースの共
存下に、熱的作用により容易に分解してその吸収能を失
う物質である。本発明者らの研究により種々の金属錯体
やアミニウム塩類がこの性質を有することが判った。こ
れらの金属錯体やアミニウム塩類は単独で加熱またはレ
ーザ光を受けた場合は化学的に安定であるにもかかわら
ずニトロセルロースと共存した状態で加熱またはレーザ
光を受けた場合、それ自体の分解温度と較べ１家るかに
低温度で容易に化学的分解を起し、吸収能を失う性質を
有するものである。その化学的分解の機構は必ずしも明
確ではないが、ニトロセルロースが加熱されて出現する
強力な酸化作用により金属錯体やアミニウム塩類の化学
的分解が促進され、吸収能を失わしめるものと推定され
る。すなわち、本発明に用いる光吸収剤はレーザ光を吸
するとともにその酸化作用により化学的分解を起し、吸
収能を喪失する性質を兼ね備えた吸収剤である。このよ
うな吸収剤として大別して６種すなわち、芳香族ジアミ
ン系金属錯体、脂肪族ジアミン系金属錯体、芳香族ジチ
オール系金属錯体、脂肪族ジチオール系金属錯体、メル
カプトフェノール系金属錯体およびアリールアミニウム
塩類があげられる。（１）芳香族ジアミン系金属錯体と
しては一般式（１） （式中、Ｘは水素、アルキル基、置換アルキル基、ハロ
ゲン基、ニトロ基を、ｎは１〜４の整数値を、Ｍはニッ
ケル、コバルト、パラジウム、白金を示す）で表わされ
る化合物であり、そのうち特にビス（４−クロロ−０−
フェニレンジアミノ）ニッケル（吸収極太波長’ｍａｘ
８００””、モル比吸光係数ε６６６００）およびビ
ス（４−メチル−〇−フェニレンジアミノ）ニッケル（
λｒＴｌａＸ７９５ＩＴｎ１ε５５１００）が合成が容
易でニトロセルロースとの相溶性にすぐれているため好
ましい。
また（２）脂肪族ジアミン系金属錯体としては、一般式
（ＩＩ） （式中、Ｙは水素、アルキル基、フェニル基、シアノ基
を、Ｍはニッケル、コバルト、パラジウム、白金を示す
）で表わされる化合物であり、そのうち特にビス（ジイ
ミノサクシノニトリロ）ニッケル（λ＋ｍｘ ７００
ｎｍ １ ε２３５００ ）およびビス（ジイミノ
サクシノニトリロ）パラジウム（２曲、７０５、ε８３
００ ）が合成が容易でニトロセルロースとの相溶性に
すぐれているため好ましい。
（ＩＩ） （式中、Ｙは水素、アルキル基、フェニル基、シアノ基
を、Ｍはニッケル、コバルト、パラジウム、白金を示す
）で表わされる化合物であり、そのうち特にビス（ジイ
ミノサクシノニトリロ）ニッケル（λ＋ｍｘ ７００
ｎｍ １ ε２３５００ ）およびビス（ジイミノ
サクシノニトリロ）パラジウム（２曲、７０５、ε８３
００ ）が合成が容易でニトロセルロースとの相溶性に
すぐれているため好ましい。
また（３）芳香族ジチオール系金属錯体としては、一般
式（Ｉ） （式中、Ｚは水素、アルキル基、ハロゲン基を、ｎは１
〜４の整数値を、Ｍはニッケル、コバルト、パラジウム
、白金を、ｍは−１または−２の整数を、Ａはｍが−１
のとき１価のカチオンでありまたｍが−２のとき２価の
カチオンを示す）で表わされる化合物であり、そのうち
特にビス（１−メチル−３，４−ジチオフェルレート）
ニッケル（ＩＩ）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（λ
ｍａｘ８９０曲λε１６２７０ ）およびビス（１，２
，３，４−テトラクロｏ −５，６−シチオフエル−ト
）ニッケル（ＩＴ） テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
（λｍａＸ８８５ ｎｍ１ε１５７００ ）が合成が容
易でニトロセルロースとの相溶性にすぐれているため好
ましい。
式（Ｉ） （式中、Ｚは水素、アルキル基、ハロゲン基を、ｎは１
〜４の整数値を、Ｍはニッケル、コバルト、パラジウム
、白金を、ｍは−１または−２の整数を、Ａはｍが−１
のとき１価のカチオンでありまたｍが−２のとき２価の
カチオンを示す）で表わされる化合物であり、そのうち
特にビス（１−メチル−３，４−ジチオフェルレート）
ニッケル（ＩＩ）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（λ
ｍａｘ８９０曲λε１６２７０ ）およびビス（１，２
，３，４−テトラクロｏ −５，６−シチオフエル−ト
）ニッケル（ＩＴ） テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
（λｍａＸ８８５ ｎｍ１ε１５７００ ）が合成が容
易でニトロセルロースとの相溶性にすぐれているため好
ましい。
また（４）脂肪族ジチオール系金属錯体としては、−（
式中、Ｅは水素、アルキル基、フェニル基を、ｐは２ま
たは乙の整数値を、Ｍはｐが２のときニッケル、コバル
ト、パラジウム、白金を、ｐが３のときバナジウム、ク
ロム、モリブデンを示す）で表わされる化合物であり、
そのうち特にビス〔シス−１，２−ビス（ｐ−メ゛トキ
シフェニル）エチレン−１，２−ジチオレート〕ニッケ
ル（λｍａＸ９２０ｎｍ１ ε３５０００ ）およびビ
ス（シス−１，２−ビスフェニルエチレン−）、２−ジ
チオレート）白金（λｒ１１ａＸ８００、ε５１６００
）およびトリス（シ成が容易でニトロセルロースとの相
溶性にすぐれているため好ましい。
式中、Ｅは水素、アルキル基、フェニル基を、ｐは２ま
たは乙の整数値を、Ｍはｐが２のときニッケル、コバル
ト、パラジウム、白金を、ｐが３のときバナジウム、ク
ロム、モリブデンを示す）で表わされる化合物であり、
そのうち特にビス〔シス−１，２−ビス（ｐ−メ゛トキ
シフェニル）エチレン−１，２−ジチオレート〕ニッケ
ル（λｍａＸ９２０ｎｍ１ ε３５０００ ）およびビ
ス（シス−１，２−ビスフェニルエチレン−）、２−ジ
チオレート）白金（λｒ１１ａＸ８００、ε５１６００
）およびトリス（シ成が容易でニトロセルロースとの相
溶性にすぐれているため好ましい。
また（５）メルカプトフェノール系金属錯体としては一
般式（２）または（Ｖｌ） （式中、０は水素、アルキル基、ハロゲン基を、Ｍはニ
ッケル、コバルト、パラジウム、白金を、ｍは−１また
は−２の整数を、Ａはｍが−１のとき一価のカチオンで
あり、またｍが−２のとき２価のカチオンを示す）で表
わされる化合物でありそのうち特にビス（１−メルカプ
ト−２−ナフトＬ／−））ニッケル（ＩＩ）テトラ−ｎ
−ブチルアンモニウム（λｒ１１ａＸ１１００．ｎｍ、
ε１２２９０ ）およびビス（１−メルカプト−２−フ
エル−ト）ニッケル（Ｉｔ）テトラ−ｎ−ブチルアンモ
ニウム（λ□、 １０２５ｎｍ、 ε１２７００）が合
成が容易でニトロセルロースとの相溶性にすぐれている
ため好ましい。
般式（２）または（Ｖｌ） （式中、０は水素、アルキル基、ハロゲン基を、Ｍはニ
ッケル、コバルト、パラジウム、白金を、ｍは−１また
は−２の整数を、Ａはｍが−１のとき一価のカチオンで
あり、またｍが−２のとき２価のカチオンを示す）で表
わされる化合物でありそのうち特にビス（１−メルカプ
ト−２−ナフトＬ／−））ニッケル（ＩＩ）テトラ−ｎ
−ブチルアンモニウム（λｒ１１ａＸ１１００．ｎｍ、
ε１２２９０ ）およびビス（１−メルカプト−２−フ
エル−ト）ニッケル（Ｉｔ）テトラ−ｎ−ブチルアンモ
ニウム（λ□、 １０２５ｎｍ、 ε１２７００）が合
成が容易でニトロセルロースとの相溶性にすぐれている
ため好ましい。
さらに（６）了り−ルアミニラム塩類としては一般式％
式％ （式中、Ｒ１およびＲ２は同じかまたは異なるアルキル
基を、Ｒ３は水素、アルギル、フェニル、ベンジル基を
、ｍは＋１または＋２の整数を、■、はｍが＋１のとき
１価のアニオンであり、また０１が、＋２のとき２価の
アニオンを示す）で表わされる化合物であり、４，４′
−ビス（ｐ−ジメチルアミノフェニル）アミニウムアイ
オダイド（λｒＴＩＩＸ７４０にε１２８８０、λｍａ
Ｘ１０００にε３２８９０ ）、４．４’−ビス（ｐ−
ジエチルアミノフェニル）アミニウムフルオロボレート
（λ龍ｘ７３０にε１Ｂ８００、λ龍Ｘ９９゛５にε３
８６９０）およびビス（ｐ−ジエチル１１− アミノフェニル）（Ｎ、Ｎ−ビス（ｐ−ジエチ、ノー。
式％ （式中、Ｒ１およびＲ２は同じかまたは異なるアルキル
基を、Ｒ３は水素、アルギル、フェニル、ベンジル基を
、ｍは＋１または＋２の整数を、■、はｍが＋１のとき
１価のアニオンであり、また０１が、＋２のとき２価の
アニオンを示す）で表わされる化合物であり、４，４′
−ビス（ｐ−ジメチルアミノフェニル）アミニウムアイ
オダイド（λｒＴＩＩＸ７４０にε１２８８０、λｍａ
Ｘ１０００にε３２８９０ ）、４．４’−ビス（ｐ−
ジエチルアミノフェニル）アミニウムフルオロボレート
（λ龍ｘ７３０にε１Ｂ８００、λ龍Ｘ９９゛５にε３
８６９０）およびビス（ｐ−ジエチル１１− アミノフェニル）（Ｎ、Ｎ−ビス（ｐ−ジエチ、ノー。
アミノフェニル） −４７−アミノビフェニル〕アミニ
ウムヘキサフルオロアンチモネ−）（λｆｆａＸ６００
にε２６００、λ１１１ａｘ１０５５にε２４３００
）が合成が容易でニトロセルロースとの相溶性にすぐれ
ているため好ましい。上記したこれらの光吸収剤はニト
ロセルロースの共存下で熱的作用により分解して光吸収
能を失なう、たとえば加熱すると２００°Ｃ以下で光吸
収剤が分解を起し吸収能を失い、また加熱する代りに光
吸収剤の有する極大吸収波長に近い波長のレーザ光を照
射することにより吸収能を喪失する。
ウムヘキサフルオロアンチモネ−）（λｆｆａＸ６００
にε２６００、λ１１１ａｘ１０５５にε２４３００
）が合成が容易でニトロセルロースとの相溶性にすぐれ
ているため好ましい。上記したこれらの光吸収剤はニト
ロセルロースの共存下で熱的作用により分解して光吸収
能を失なう、たとえば加熱すると２００°Ｃ以下で光吸
収剤が分解を起し吸収能を失い、また加熱する代りに光
吸収剤の有する極大吸収波長に近い波長のレーザ光を照
射することにより吸収能を喪失する。
本発明のレーザ記録フィルムは、上記の光吸収剤および
ニトロセル１コースならびに必要に応じその他の媒体を
適当な溶剤に混合溶解させて調製したような、光吸収剤
およびニトロセルロース以外有する記録媒体をレーザ光
を透過し耐熱性を有したポリエチレンテレフタレート、
ポリカーボネートなどのプラスチックフィルムやガラス
などの透明な基板上に塗布して得られる。レーザ光で記
録１２− された情報の読取に際し、読取用のレーザ光の透過光量
を検出する場合と異なり、読取用のレーザ光の反射光量
で読取る場合は基板上に金属蒸着を行ったのち金属蒸着
層の上に、上記の光吸収剤とニトロセルロースとを含有
する記録媒体を塗布して本発明のレーザ記録フィルムを
得ることができる。また、基板上に塗布する記録媒体に
おいて、光吸収剤のニトロセルロースに対する添加割合
は１〜５０重量％であるが、通常、３〜３０重量が好ま
しい。添加割合が大きいと塗膜と基板との密着性が悪化
し、添加割合が小さいと光学的濃度差が十分に得にく（
なる。また、記録媒体には形成される塗膜と基板との密
着性および塗膜の経済的な安定性を改善するために適宜
、ポリアクリル酸メチル、ポリメタアクリル酸メチルな
どのアクリル樹脂、セルロースアセテートなどのニトロ
セルロース以外のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニル−ポリ酢酸ビニル共重合体などのビニル
系樹脂などの有機高分子化合物を加えてもよい。また光
吸収剤とニトロセルロースを溶解せしめる溶剤としては
アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、エ
タノール、イソプロノくメールなどのアルコール系溶剤
、メチルセロソルブ、エチルセロソルブなどのセロソル
ブ系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテ−） す
どのクリコールエーテルエステル系溶剤、ジクロルメタ
ン、クロロホルムなどの塩素系炭化水素溶剤などのうち
いずれか１種以上の溶剤を用いることが可能である。
ニトロセル１コースならびに必要に応じその他の媒体を
適当な溶剤に混合溶解させて調製したような、光吸収剤
およびニトロセルロース以外有する記録媒体をレーザ光
を透過し耐熱性を有したポリエチレンテレフタレート、
ポリカーボネートなどのプラスチックフィルムやガラス
などの透明な基板上に塗布して得られる。レーザ光で記
録１２− された情報の読取に際し、読取用のレーザ光の透過光量
を検出する場合と異なり、読取用のレーザ光の反射光量
で読取る場合は基板上に金属蒸着を行ったのち金属蒸着
層の上に、上記の光吸収剤とニトロセルロースとを含有
する記録媒体を塗布して本発明のレーザ記録フィルムを
得ることができる。また、基板上に塗布する記録媒体に
おいて、光吸収剤のニトロセルロースに対する添加割合
は１〜５０重量％であるが、通常、３〜３０重量が好ま
しい。添加割合が大きいと塗膜と基板との密着性が悪化
し、添加割合が小さいと光学的濃度差が十分に得にく（
なる。また、記録媒体には形成される塗膜と基板との密
着性および塗膜の経済的な安定性を改善するために適宜
、ポリアクリル酸メチル、ポリメタアクリル酸メチルな
どのアクリル樹脂、セルロースアセテートなどのニトロ
セルロース以外のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニル−ポリ酢酸ビニル共重合体などのビニル
系樹脂などの有機高分子化合物を加えてもよい。また光
吸収剤とニトロセルロースを溶解せしめる溶剤としては
アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、エ
タノール、イソプロノくメールなどのアルコール系溶剤
、メチルセロソルブ、エチルセロソルブなどのセロソル
ブ系溶剤、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテルアセテ−） す
どのクリコールエーテルエステル系溶剤、ジクロルメタ
ン、クロロホルムなどの塩素系炭化水素溶剤などのうち
いずれか１種以上の溶剤を用いることが可能である。
本発明のレーザ記録フィルムにレーザ光を照射してレー
ザ記録を行うためには、含有する光吸収剤の吸収波長領
域に波長を有するレーザ光を各種の半導体レーザ、ヘリ
ウムネオンレーザなどから選択して使用する、かつ使用
するレーザなレンズによって通常２μ以下のスポットビ
ームに集光して記録フィルムに照射すれば、高密度で低
エネルギーのレーザ光による光学的に高い濃度差を有す
る実時間レーザ記録が可能となる。すなわち、本発明の
レーザ記録フィルムは、低出力のレーザ光により極めて
高密度で光学的に高い濃度差が得られること、光吸収剤
の選択により近赤外領域のレーザ光も使用できること、
記録に用いたレーザ光をそのまま出力を低下させて読取
光として用いることが可能なこと、現象定着などの後処
理を必要としない実時間記録であること、さらに室内光
に感光することがないため暗室操作が不要であることな
どの利点を有しており、マイクロ画像、ＣＯＭ、マイク
ロファクシミリ、写真植字用原板、光学式ビデオディス
ク、光学式オーディオディスクなどに広く応用すること
が可能である。
ザ記録を行うためには、含有する光吸収剤の吸収波長領
域に波長を有するレーザ光を各種の半導体レーザ、ヘリ
ウムネオンレーザなどから選択して使用する、かつ使用
するレーザなレンズによって通常２μ以下のスポットビ
ームに集光して記録フィルムに照射すれば、高密度で低
エネルギーのレーザ光による光学的に高い濃度差を有す
る実時間レーザ記録が可能となる。すなわち、本発明の
レーザ記録フィルムは、低出力のレーザ光により極めて
高密度で光学的に高い濃度差が得られること、光吸収剤
の選択により近赤外領域のレーザ光も使用できること、
記録に用いたレーザ光をそのまま出力を低下させて読取
光として用いることが可能なこと、現象定着などの後処
理を必要としない実時間記録であること、さらに室内光
に感光することがないため暗室操作が不要であることな
どの利点を有しており、マイクロ画像、ＣＯＭ、マイク
ロファクシミリ、写真植字用原板、光学式ビデオディス
ク、光学式オーディオディスクなどに広く応用すること
が可能である。
以下、本発明を実施例をもって説明する。
実施例中の部はすべて重量部を表わす。
実施例１
エチルセロソルブアセテート２００部にニトロセルロー
ス（旭化成製Ｔ、ＩＧ １／２）１０部、ビス（４−メ
ｆルーＯ−フェニレンジアミン）ニッケル２部を加えて
攪きまぜ、溶解させた組成物をスピンナーを用いてポリ
エチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、所定の条
件で乾燥して約０５１５− μｍの赤紫色の塗膜面を形成させた。次いで塗膜面へ集
束した半導体レーザ光線（ＧａＡＩＡＳ系レーザ、７８
０ ｎｍ、光出力ｓｍｗ）を直線状に掃引照射した。比
較試験としてビス（４−メチル−〇−フェニレンジアミ
ン）ニッケルの代りにカーボンブラック２部を用いて同
様に行った記録フィルムについてもレーザ光を直線状に
掃引照射した。両者のレーザ照射部を電子顕微鏡で観察
した結果、カーボンブラックを用いた場合レーザ光の軌
跡がわずかに確認できる程度に対し、ビス（４−メチル
−〇−フェニレンージアミン）ニッケル１部いた場合の
直線は極めて鮮明で、照射部近傍の盛り上りはほとんど
みられず、光学顕微鏡による観察では未照射部分が赤紫
色を呈しているのに対して照射部は黄色に変色している
ことが判った。また本記録フィルムをミクロ融点測定器
（東京百本製作新製）の加熱板の上にのせて加熱すると
、約１６０６０に到達したところで赤紫色から黄色に変
色した。次いで、加熱前後の記録フィルムの近赤外部の
光線透過率を測定（島津製作所製マルチパ１６− 一パス自記分光光度計）した結果７８０ｎｍの透過率は
照射前を１として照射後に３となった。
ス（旭化成製Ｔ、ＩＧ １／２）１０部、ビス（４−メ
ｆルーＯ−フェニレンジアミン）ニッケル２部を加えて
攪きまぜ、溶解させた組成物をスピンナーを用いてポリ
エチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、所定の条
件で乾燥して約０５１５− μｍの赤紫色の塗膜面を形成させた。次いで塗膜面へ集
束した半導体レーザ光線（ＧａＡＩＡＳ系レーザ、７８
０ ｎｍ、光出力ｓｍｗ）を直線状に掃引照射した。比
較試験としてビス（４−メチル−〇−フェニレンジアミ
ン）ニッケルの代りにカーボンブラック２部を用いて同
様に行った記録フィルムについてもレーザ光を直線状に
掃引照射した。両者のレーザ照射部を電子顕微鏡で観察
した結果、カーボンブラックを用いた場合レーザ光の軌
跡がわずかに確認できる程度に対し、ビス（４−メチル
−〇−フェニレンージアミン）ニッケル１部いた場合の
直線は極めて鮮明で、照射部近傍の盛り上りはほとんど
みられず、光学顕微鏡による観察では未照射部分が赤紫
色を呈しているのに対して照射部は黄色に変色している
ことが判った。また本記録フィルムをミクロ融点測定器
（東京百本製作新製）の加熱板の上にのせて加熱すると
、約１６０６０に到達したところで赤紫色から黄色に変
色した。次いで、加熱前後の記録フィルムの近赤外部の
光線透過率を測定（島津製作所製マルチパ１６− 一パス自記分光光度計）した結果７８０ｎｍの透過率は
照射前を１として照射後に３となった。
実施例２
実施例１のエチルセロソルブアセテート２００部の代り
にメチルエールケ） ７１５０部を、ビス（４−メチル
−〇−フェニレンジアミン）ニッケル２部の代りにビス
（イミノサクシノニトリロ）ニッケル１部を用いる以外
実施例１と同様に行って緑色の記録フィルムを得た。こ
のフィルムをミクロ融点測定器の加熱板の上にのせ加熱
すると約１５０°Ｃに到達したところで緑色から黄色に
変色した。次いで加熱前後の記録フィルムの近赤外部の
光線透過率を測定した結果、７００ ｎｍの透過率は照
射前を１として照射後に４となった。
にメチルエールケ） ７１５０部を、ビス（４−メチル
−〇−フェニレンジアミン）ニッケル２部の代りにビス
（イミノサクシノニトリロ）ニッケル１部を用いる以外
実施例１と同様に行って緑色の記録フィルムを得た。こ
のフィルムをミクロ融点測定器の加熱板の上にのせ加熱
すると約１５０°Ｃに到達したところで緑色から黄色に
変色した。次いで加熱前後の記録フィルムの近赤外部の
光線透過率を測定した結果、７００ ｎｍの透過率は照
射前を１として照射後に４となった。
実施例３
エチルセロソルブアセテート２００部にニトロるメタク
リル酸樹脂７部、ビス（１−メチル−６，４−ジチオフ
ェルレート）ニッケル（ＴＩ）テトラーｎ−ブチルアン
モニウム２部を加えて攪きまぜ、以下実施例１と同様に
行って緑色の記録フィルムを得た。次いで塗膜面へ集束
した半導体レーザ光線（Ｇａｈ、ｓ系レーザ、９０５
ｎｍ、、光出力５ｍｗ）を直線状に掃引照射し、電子顕
微鏡で観察した結果、極めて鮮明な直線が描かれ、照射
部近傍の盛り上りはみとめられず、光学顕微鏡による観
察では、照射部分は黄緑色に変色していることが判った
。また本記録フィルムをミクロ融点測定器の加熱板の上
にのせて加熱すると約１７０°Ｃに到達したところで緑
色から黄緑色に変色し、約１８０°０で黄色となること
が判った。次いで加熱前後の記録フ・イルムの近赤外部
の光線透過率を測定した結果、９０５ｎｍの透過率は照
射前を１として照射後２となった。
リル酸樹脂７部、ビス（１−メチル−６，４−ジチオフ
ェルレート）ニッケル（ＴＩ）テトラーｎ−ブチルアン
モニウム２部を加えて攪きまぜ、以下実施例１と同様に
行って緑色の記録フィルムを得た。次いで塗膜面へ集束
した半導体レーザ光線（Ｇａｈ、ｓ系レーザ、９０５
ｎｍ、、光出力５ｍｗ）を直線状に掃引照射し、電子顕
微鏡で観察した結果、極めて鮮明な直線が描かれ、照射
部近傍の盛り上りはみとめられず、光学顕微鏡による観
察では、照射部分は黄緑色に変色していることが判った
。また本記録フィルムをミクロ融点測定器の加熱板の上
にのせて加熱すると約１７０°Ｃに到達したところで緑
色から黄緑色に変色し、約１８０°０で黄色となること
が判った。次いで加熱前後の記録フ・イルムの近赤外部
の光線透過率を測定した結果、９０５ｎｍの透過率は照
射前を１として照射後２となった。
実施例４
実施例乙のビス（１−メチル−６，４−ジチオフェルレ
ート）ニッケル（Ｉｌ）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウ
ム２部の代りにビス〔シス−１，２−ビス（ｐ−メトキ
シフェニル）エチレン−１，２−シーｙ−オレート〕ニ
ッケル２部を用いろ以外実施例６と同様に行って緑色の
記録フィルムを得た。また半導体レーザ光線（ＧａＡＳ
系レーザ、９０５ｎｍ１光出力５ ｍＷ ）の軌跡は鮮
明であり、ミクロ融点測定器による加熱により約１６０
００で黄色に変色し加熱前後の９０５ｎｍの光線透過率
は照射前を１として照射後ろとなった。
ート）ニッケル（Ｉｌ）テトラ−ｎ−ブチルアンモニウ
ム２部の代りにビス〔シス−１，２−ビス（ｐ−メトキ
シフェニル）エチレン−１，２−シーｙ−オレート〕ニ
ッケル２部を用いろ以外実施例６と同様に行って緑色の
記録フィルムを得た。また半導体レーザ光線（ＧａＡＳ
系レーザ、９０５ｎｍ１光出力５ ｍＷ ）の軌跡は鮮
明であり、ミクロ融点測定器による加熱により約１６０
００で黄色に変色し加熱前後の９０５ｎｍの光線透過率
は照射前を１として照射後ろとなった。
実施例５
実施例１のビス（４−メチル−〇−フェニレンジアミン
）ニッケル２部の代りにビス（１−メルカプトレート−
２−ナンドレート）ニッケル（ＩＩ）テトラ−ｎ−ブチ
ルアンモニウム２部を用いる以外実施例１と同様に行っ
て暗褐色の記録フィルムを得た。次いで塗膜面へ集束し
たＹＡＧレーザ光線００で黄色に変色し、加熱前後の１
１０６０ｎの光線透過率は照射前を１として照射後ろと
なった。
）ニッケル２部の代りにビス（１−メルカプトレート−
２−ナンドレート）ニッケル（ＩＩ）テトラ−ｎ−ブチ
ルアンモニウム２部を用いる以外実施例１と同様に行っ
て暗褐色の記録フィルムを得た。次いで塗膜面へ集束し
たＹＡＧレーザ光線００で黄色に変色し、加熱前後の１
１０６０ｎの光線透過率は照射前を１として照射後ろと
なった。
実施例６
実施例１のビス（４−メチル−〇−フェニレン１９−
ジアミン）ニッケル２部の代りに４，４′−ビス（ｐ−
ジメチルアミノフェニル）アミニウムアイオダイド２部
を用いる以外実施例１と同様に行って濃青色の記録フィ
ルムを得た。
ジメチルアミノフェニル）アミニウムアイオダイド２部
を用いる以外実施例１と同様に行って濃青色の記録フィ
ルムを得た。
次いで塗膜面へ集束した半導体レーザ光線（ＧａＡ１！
、ＡＳ系レーザ、７８０ｎｍ、光出力５ｍｗ）の軌跡は
鮮明であり、ミクロ融点測定器による加熱により約１５
０°Ｃで黄色に変色し、加熱前後の７８０ｎｍの光線透
過率は照射前１どして照射後４となった。、 特許出願人 三井東圧化学株式会社 ２０−
、ＡＳ系レーザ、７８０ｎｍ、光出力５ｍｗ）の軌跡は
鮮明であり、ミクロ融点測定器による加熱により約１５
０°Ｃで黄色に変色し、加熱前後の７８０ｎｍの光線透
過率は照射前１どして照射後４となった。、 特許出願人 三井東圧化学株式会社 ２０−
Claims (1)
- １）基板上に、■記録に用いるレーザ光の波長領域で、
強い吸収能を有しかつニトロセルロースの共存下で分解
してその吸収能を失う光吸収剤と、■ニトロセルロース
とを含有する記録媒体を塗布したことを特徴とするレー
ザ記録フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113749A JPS5816888A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 半導体レーザ記録フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113749A JPS5816888A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 半導体レーザ記録フイルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5816888A true JPS5816888A (ja) | 1983-01-31 |
| JPH0132794B2 JPH0132794B2 (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=14620143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56113749A Granted JPS5816888A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 半導体レーザ記録フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816888A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59177746A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-08 | Pioneer Electronic Corp | デイスクの製造方法 |
| JPS6021294A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-02 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 感熱記録材料 |
| JPS6036190A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-25 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS61139203U (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-29 | ||
| JPS61139202U (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-29 | ||
| JPS61284487A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-15 | Daicel Chem Ind Ltd | レ−ザ−記録用フイルム |
| US4707430A (en) * | 1983-10-13 | 1987-11-17 | Hiroshi Ozawa | Optical recording medium |
| EP0287377A2 (en) * | 1987-04-14 | 1988-10-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Azamethine compounds, process for preparing the same and a medium for recording optical information using such compounds |
| JPH0336094A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-02-15 | Eastman Kodak Co | レーザー誘導染料熱転写に用いる染料供与素子用赤外線吸収キノイド染料 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5135144A (en) * | 1974-09-19 | 1976-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Yuwakashiki |
| JPS5163622A (ja) * | 1974-08-28 | 1976-06-02 | Philips Nv | |
| JPS5639580A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-15 | Nec Corp | Real-time acoustic-wave holography |
-
1981
- 1981-07-22 JP JP56113749A patent/JPS5816888A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5163622A (ja) * | 1974-08-28 | 1976-06-02 | Philips Nv | |
| JPS5135144A (en) * | 1974-09-19 | 1976-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Yuwakashiki |
| JPS5639580A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-15 | Nec Corp | Real-time acoustic-wave holography |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59177746A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-08 | Pioneer Electronic Corp | デイスクの製造方法 |
| JPS6021294A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-02 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 感熱記録材料 |
| JPH0469077B2 (ja) * | 1983-07-18 | 1992-11-05 | Mitsui Toatsu Chemicals | |
| JPS6036190A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-25 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPH0441066B2 (ja) * | 1983-08-09 | 1992-07-07 | Tdk Electronics Co Ltd | |
| US4707430A (en) * | 1983-10-13 | 1987-11-17 | Hiroshi Ozawa | Optical recording medium |
| JPS61139203U (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-29 | ||
| JPH0316642Y2 (ja) * | 1985-02-18 | 1991-04-10 | ||
| JPS61139202U (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-29 | ||
| JPS61284487A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-15 | Daicel Chem Ind Ltd | レ−ザ−記録用フイルム |
| JPH0519474B2 (ja) * | 1985-06-12 | 1993-03-16 | Daicel Chem | |
| EP0287377A2 (en) * | 1987-04-14 | 1988-10-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Azamethine compounds, process for preparing the same and a medium for recording optical information using such compounds |
| JPH0336094A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-02-15 | Eastman Kodak Co | レーザー誘導染料熱転写に用いる染料供与素子用赤外線吸収キノイド染料 |
| JPH0541438B2 (ja) * | 1989-06-20 | 1993-06-23 | Eastman Kodak Co |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0132794B2 (ja) | 1989-07-10 |
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