JPS58158937A - 表面の欠陥検査装置 - Google Patents

表面の欠陥検査装置

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JPS58158937A
JPS58158937A JP4080782A JP4080782A JPS58158937A JP S58158937 A JPS58158937 A JP S58158937A JP 4080782 A JP4080782 A JP 4080782A JP 4080782 A JP4080782 A JP 4080782A JP S58158937 A JPS58158937 A JP S58158937A
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JP
Japan
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light
mask
defect
scanning
condenser
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Pending
Application number
JP4080782A
Other languages
English (en)
Inventor
Masakuni Akiba
秋葉 政邦
Hiroyuki Shida
啓之 志田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS58158937A publication Critical patent/JPS58158937A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、表−の欠@検量Mll#C係り、脅に、ホト
リングラフィ用のガラスマスクの表面に付着管たに形成
した異物中傷等【欠陥として検出する場合に使用するの
に好適な表面の欠陥検査装置に関する。
一般に、シリコン牛導体装置の製造に不可欠なホトリソ
グラフィ(写真処[1)Kは半尋体基板牧面にmaした
永トレジス)(71元性耐蝕倒脂)Il′?を選択的に
感光させる王権が必要となる。この感光処理は、透明ガ
ラス板の一表面にクロム等からなる不透明elk所要の
パターンに形成してなるガラスマスク【使用し、ホトレ
ジストM【形成したウェハ状の半尋体基板の映画に密着
させた状態で露光して選択的に感光させることKより行
なわれる。そして、1枚のガラスマスクは数百枚のウェ
ハ罠対する感光処理に使用され、その間&Cはガラスマ
スクO表面VC異物や傷か付く仁とかめる。このような
14′4IJや傷かあると、ホトレジスト談が所管とす
るパターンと異なるパターンが感覚され、不良発注OI
g因となる。し友かつて、ガラスマスクは使用回数に応
じて時々、異物や傷等の欠陥の有無を検査される。
従来、この糧のガラスマスクの欠陥検量装置として、例
えば第1崗に示すようなものか提案されている。この装
置1は、XY方向に移動可能な載置台2の上方に受光器
3′に設け、載置台2上にガラスマスク11rその検査
対象面(以下表面という5)會上向きにして載置し、載
置台2を受光fit3かマスク表面に第1図に想嘗耐で
示す軌跡【相対的に描くようにXY肉方同に送り、同時
に1マスクlに表面と平行な欠陥検出用光14に一投射
し、この光蘇櫨か欠陥5によって乱反射された光を受光
器3で拾って検出するように、構成さnている。そして
、マスクl上における欠陥5の位Itは載置台2のXY
両両方への送り量と検出時期との関係によりXYI!1
11に求めるようになっている。
しかしながら、別記のようなガラスマスクの欠陥検査装
置にあっては、マスク載置台QXY内方向に、移動して
欠陥検出点(受光器)かXY内方同に相対的に走査する
ようになっているため、検査時間が極めて長くかかると
いう欠点が控る。
本発明は前記欠点會解消するた約になされたもので、検
査時間′に短期化することかできる表面の欠陥検査ta
r提供することt目的とする屯のである。
この目的′に達成するため、本発明による表面の欠陥検
査iM−筐は、機構音物の表面上方に集光手段會横断架
設し、この横断方向と交差する方向に蕾檜食物を相対的
に送るとともに、検査用投光を前記横断方向に走査する
ことKより、機械的な送9を一方向のみとして高速化す
ることt−〜徴とするもの′Cある。
以下、本発明7図面に示す実施例にしたがってさらに奴
明する。
第2図は本発明による表面の欠陥検査[1の一実施飼會
示す斜視図であり、ガラスマスクlのパターンが形成さ
n友@e面に何着箇たは形成し友典物や傷等の欠陥5を
検査する場合につき示している。このガラスマスクの欠
陥検査装置ILは固定テーブルll]備えており、この
テーブル11上[にマスクm11台12が一方向(以下
X方向という。)に往復摺動自在に設けられている。テ
ーブル11には送りねじ軸13がX方向に延在するよう
に配され回転自在に支承されており、このねじ軸13は
パルスモータ14等により回転駆動さnるようになって
いる。送りねじ軸13には載置台12の一部が螺合して
おり、載置台12はモー414の(ロ)転によりX方向
に所費量送られる5載重合12の上方に/fi多数本の
元ファイバを一体に束ねてなる集光手段としての集光体
15か載置台のX方向移動から独立するように、すなわ
ち相対的に移動し祷るように配設されている。集光体1
5rfM長す集光面1r庸し、この集光面は各党ファイ
バの先端面を揃えてIi鹸状に螢列されることにより形
成され、載置台12の上方においてX方向と直角に交差
する方向(以下Y方向とかう。)[1在し、かつ載m萱
12の上面に対向するように配設されている。集光体1
5の集光面の真下にはスリット部材16か配t&芒れ、
この部材のスリットはその真下で乱反射した光だfft
−集光面に入射させるようになっている3元ファイバ群
の後端を一束に結束してなる集光体M端部にはディテク
タ(受光器)17が接続され、”ディテクタは集′光体
15からの元r受けて電気的信号に変換するようになっ
ている。
前記集光体15のX方向の片−空間には投光手段として
の投光装置18が設備され、この装置はレーザー光−発
生619と、往復回動してレーザー元#ts状に走査さ
せるガルバーイラ−20と、扇状[走査するレーザー光
束會平行に7F!査さゼるスキャナーレンズ21と、こ
の平行走査光束が前記載置台12上に載置されるガラス
マスクlの表面に投射するように一同させるばラー22
とt倫えている。この平行走査光束23は第2図に点−
矢団で示すようVCマスクlo&面においてY方図VC
砥在し、かつマスクlのパターン(不図示)彫戟鄭分よ
V着干広い一’t−Nする走査投射−24會描き、この
投射fIII24が前記スリット部材16のはば真下に
位置するように投光装置18か設定されている。
創配デイテクメ17には欠陥検出信号処境器25が接続
され、この処理器25扛ディチク4117からの電気的
信号につき波形整形、増幅等の処131行ない、欠陥位
置演算処all!26に人力するようKなっている。ま
九、前記パルスモータ14KH!方向送り量検出処理器
27か接続され、この処It器27t;jパルスモータ
14の回転数からIKwt、台12の基準位置に対する
X方向の送り量kNFfflしその結果を前記欠陥位置
演算処理器26に人力するようになってbる。さらに、
前記投光装置18のガルバーミラー20にはレーザー光
*走査角檜出処理器28が接続され、この処理器28に
ピラー〇回動角により基準位置がらの罰紀矩棄投射−2
4の長さt検出し、その帖釆を前記欠陥位tILy!算
処珈器26に人力するようになっている。欠陥位置演算
処理器26は、前記各処fl器25,27゜28からの
人力信号に基づき欠陥5の所在付置r基準位置に対する
XY座@ticて出力し我示するようになっている。
次に使用方ff、Mびに作用を説明する。
箇ず、載置台12上にガラスマスク1tifm食表面r
上向きにして、かつ台とマスクとの基準を合歓して載置
し保持せしめる。続いて、パルスモータ144(作動せ
しめて載置台121H固定テーブル11上で摺動させる
ことによりマスク1を集光体15νC対しX方向に移動
させる31W1時に、レーザー光−発生器19でレーザ
ー光[J@射するとともに、ガルバーミラー20に一往
復回勧させて光mr7F!食し、平行走査光束23t−
マスクlの表面にY方向に投射する。この場合、載置台
12μX方同のみVC移動するだけであるから、従来の
ようr<:XY両方に移動させる場合に比べて一通に移
動場ゼることか可能となり、かつ、構造も大111!に
簡牟化される。また、投射光#に光学的にX方向に走査
されるため、その走査量には憶めて早くてることができ
、従来のようKYX方向−ブルを間欠的に送る場合に比
べて大−に鍋速化することかでき、検査点r^密度化し
て検査性能を同上化する仁とかできる。このように、マ
スクlかX方向に棒曽するとともに、投射光−かX方向
に往*走食するから、投射光−のマスク109面におり
る投射光束の軌跡は、第2図に想*lilで示すように
三角波形状に描出さ1%Y方向の走査逐度r可及的[早
く丁れは、投射光点の密度は極めて高くなり、検査点が
高密度化する。
前記投射光#にガラスマスクlの表FkJに投りすると
乱反射せずに全反射する几め、投射光虜の真上にある集
光体15の集光面には入射しなり0ところか、投射光−
がマスク表面の欠陥5に投射すると乱反射するため、そ
の乱反射光がスリット部材16′gt!遇して集光体1
5に入射する。この入射光−に光ファイバケ経てディテ
クタ17で受九され、ディテクタ17は電気的信号を欠
陥検出信号処理器25に印加し処理器25に欠陥検出信
号を欠陥位置演算処理器26に人力する。演其処畦器2
6にはX方向送り童検田処理器27からX方向の送9童
が、レーサー元#H足食角検出処堆!2gからX方向の
走査量かそれぞn常時人力さnている。したかって、欠
陥検出信号とX方向の込り置匍号およびX方向の走査量
信号との菖合時点を演算することにより、マスクlの我
面上における欠陥の所在箇所1基準に対するXY座標に
て求めることができる。
ところで、ガラスマスクlの表面に形成されたパターン
においても、前記投射光−の乱反射が起こる場合が考え
られるが、例えば、欠陥位置演算処理器26にあらかじ
めパターン【記憶させておき、この1憧により集光体1
5からの欠陥検出信号のうちパターンに相当する信号を
消去するように葡償しておけは、IgTllの欠陥およ
びその所在1庖のみ1r侍ることかできる。
本実施的によれば、載置台ifX方同にのみ送り、欠陥
検査のための投射光−1rY方回に走査し、欠陥での跣
反射光iY方同に延在する集光体で捕捉するようにした
ので、載置台1r構造上一連化かつ量率1しすることか
可能であり、しかも、ll1Il迷化してもX方向の走
査に光学的に毬めて高速化することができるので、欠陥
検量のための投射光#による検査点に尚vB度化するこ
とかでき、したかつて、検量′h4tII″同上させる
ことができる。
幕3図および纂1図は本発明の他の夾抛飼r示丁もので
、前記実施例と異なる点は、集光手段として、光ファイ
バを束ねてなる集光体を用いる代りに光導材料1rはぼ
棒状に一体成形さnてなる集光器15ムに#4いた点に
ある。この集光−15ムに先端に行くに従って太くなる
ほぼ半円形柱状に形成され、細くなった基端部がディテ
クタ17に接続されるとともに、その平坦面を載置台1
2上のマスク1&1iIiK対向するように配設される
。第4図に示すように、マスク1&−面上の欠陥5での
乱反射光が平坦な集光面から集光−13A内に入射する
と、この入射光は集光体15A内で全反射【繰り返し基
端部のディテクタ17に至る。本実hガの作用効果は前
記実施例と同様である。本実J1ガによれば、集光手段
か比較的安価に入手できるという利点か祷られる。
なお、創配実JII例では、ガラスマスクの叡山の欠1
11i&に検査する場合にっl!説明したか、これに限
らず、ガえは1研摩したウェハ、−収約なガラス、レン
ズ、圧砥ロール等々あらゆる分野の′&面欠陥検査#/
c迩柑することかできる。1几、欠陥所在−所’tXY
座標で求める場合に限らず、欠陥の数量友けr求めるよ
うにしてもよい。この場合、欠陥検査用投光はY方向に
投射森會描けはよく、走査する必IiLはない。投光と
してレーザー光を用いたか、これに限らず、他の光を用
いてもよい。被検査物に!方間に送る手段は載置台tテ
ーブル上で摺動さぜるようにしてなる構造に限らず、飼
えば、コンベア勢の搬送手段を用いてもよい。被検査物
i!方方間送る場合に限らず、集光手段’ljX方同に
方間ようにしてもよい。なお、前配実hガではレーザー
元−髪用いたので、九字糸を暗箱内に収容しなくても済
むが、池の九を用いる場合と同様に箱内に収容すること
が望筐しい。
以上貌明したように、本発明によれは、表面の欠陥検量
kJ1i達化するCとができ、かつ検食梢嵐r同上させ
ることができる。
図面の簡単な貌− !1図μ従従来を示す斜視図、纂2図は本%明    
゛Q−央jlli?!lk示す斜視図、第3図および第
4図は本発朗の他の実施ガを示す斜視図および止面図で
める。
l・・・ガラスマスク、5・・・欠陥、15・・・集光
体、15ム・・・集光体、16・・・スリット部材、1
7・・・ディテクタ、18・・・投光ifr置、19・
・・レーザー光−発止(至)、20・・・ガルバーミラ
ー、21・・・スキャナミラー、22・・・ミラー、2
3川平行走査光束、24・・・投射銀、25・・・欠陥
検出信号処8!器、26・・・欠陥位置演算処l!lI
器、27・・・X方間送り量検出処理器、28・・・レ
ーザー光耐走食角檜出処唾器。
代理人 弁理士 薄 1)利0.98、“″   コ〜 第  2  図 第  3  図 第  4  図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 1F検査物の表面の外方にこの表面からの乱反射
    光i集光する集光手段r仁の表面【横断するように設け
    るとともに、この集光手段と1検食物とi前記横断方向
    と交差する方向に相対的[8動させる移動手段を設け、
    さらに、前記豪検査暢我面に光を前記横断方向と#1ぼ
    平行に投射する投光生膜を設けてなる表面の欠陥検査装
    置。 2、 11tJ記集元+段が、複数本のi7アイバを各
    元端面が壷列して細長い集光面を形成するように束ねて
    なること’re黴とする特許請求の範囲第1墳記載の欠
    陥検査装置。 3、前記集光+段か、入射元髪内部で全反射して少なく
    ともll1hI9rに集合するように形成された集光−
    からなること【%黴とする特許請求の範囲第1JJl記
    載の欠陥検査装置。
JP4080782A 1982-03-17 1982-03-17 表面の欠陥検査装置 Pending JPS58158937A (ja)

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JPS58158937A true JPS58158937A (ja) 1983-09-21

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5260681A (en) * 1975-11-12 1977-05-19 Sick Optik Elektronik Erwin Line scanner for detecting flaw of woven material
JPS54130880A (en) * 1978-04-03 1979-10-11 Hitachi Ltd Detector for chip position on semiconductor wafer
JPS571955A (en) * 1980-06-06 1982-01-07 Hitachi Electronics Eng Co Ltd Light receiving device for inspecting plate surface

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