JPS58148572A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS58148572A JPS58148572A JP57031588A JP3158882A JPS58148572A JP S58148572 A JPS58148572 A JP S58148572A JP 57031588 A JP57031588 A JP 57031588A JP 3158882 A JP3158882 A JP 3158882A JP S58148572 A JPS58148572 A JP S58148572A
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- Japan
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- solid
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- ccd
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ＣＯＤ、シリコンダイオードアレイ、ＭＯ＆
）ランジスタアレイ、ＣＨＤ等を用いた固体撮像装置に
関する。
）ランジスタアレイ、ＣＨＤ等を用いた固体撮像装置に
関する。
上述のような固体撮像素子は、一般にシリコン半導体基
板上に形成されている。しかしシリコンを半導体材料と
する半導体素子は、良く知られているように暗電流が常
温でも１０ｎＡ程度と比較的多い上に、１０Ｃの温度上
昇によって暗電流は約２倍に増加する。このためシリコ
ンを用いた固体撮像素子では、暗１１Ｌ流に起因するノ
イズ成分が温度に依存して増減する不都合が生ずる。換
言すれば、撮像索子に入射する光が一定′であれば、一
定レベルの撮像出力信号のＳ／Ｎか温度に依存し、従っ
て、感度が温度依存性を持つことになる。
板上に形成されている。しかしシリコンを半導体材料と
する半導体素子は、良く知られているように暗電流が常
温でも１０ｎＡ程度と比較的多い上に、１０Ｃの温度上
昇によって暗電流は約２倍に増加する。このためシリコ
ンを用いた固体撮像素子では、暗１１Ｌ流に起因するノ
イズ成分が温度に依存して増減する不都合が生ずる。換
言すれば、撮像索子に入射する光が一定′であれば、一
定レベルの撮像出力信号のＳ／Ｎか温度に依存し、従っ
て、感度が温度依存性を持つことになる。
またＯＯＤのような固体撮像装置では、暗電流が時間経
過に伴って蓄積され、解像度が劣化することが知られて
いる。例えば、Ｘ線写真装置の螢光面のような微弱な光
学情報をＣＯＤを通して電気的に読出す場合、螢光面か
らの入力光量は極度に低照度であるから、十分な画像情
報を取出すためにＯＯＤへの露光を長時間行う必要があ
る。ところが素子の暗電流はＣＯＤのポテンシャル井戸
に時間の経過に伴って蓄積され、結局、読出された画像
信号のＳ／Ｎが劣化する。
過に伴って蓄積され、解像度が劣化することが知られて
いる。例えば、Ｘ線写真装置の螢光面のような微弱な光
学情報をＣＯＤを通して電気的に読出す場合、螢光面か
らの入力光量は極度に低照度であるから、十分な画像情
報を取出すためにＯＯＤへの露光を長時間行う必要があ
る。ところが素子の暗電流はＣＯＤのポテンシャル井戸
に時間の経過に伴って蓄積され、結局、読出された画像
信号のＳ／Ｎが劣化する。
従って、ＣＯＤのような固体撮像素子の光−電荷変換効
率は、通常の温度範囲では温度にあまり依存しないこと
を考えると、ＣＯＤが形成された半導体基板の温度を低
下させることにより、撮像感度を大巾に向上させること
が可能である。！＃劇昭５６−３７７５１号公報には、
この目的に関する１つの技術的手段が開示されている。
率は、通常の温度範囲では温度にあまり依存しないこと
を考えると、ＣＯＤが形成された半導体基板の温度を低
下させることにより、撮像感度を大巾に向上させること
が可能である。！＃劇昭５６−３７７５１号公報には、
この目的に関する１つの技術的手段が開示されている。
ところがＣＯＤの温度を低下させるには、大きな電力消
費を必要とする上、露滴の問題が生ずる。
費を必要とする上、露滴の問題が生ずる。
本発明は、この問題にかんがみ、冷却効率を向上させて
消費電力の低減を図ると共に、露滴の問題を回避し得る
ようにすることを目的とする。
消費電力の低減を図ると共に、露滴の問題を回避し得る
ようにすることを目的とする。
以下本発明の実施例を図面に基いてｉｎ２明する。
菖１図は本発明を適用した固体撮像装置の光軸に沿った
縦断面図である。この撮像装置は、例えば、Ｘ線写真装
置の螢光面のような微弱な光学情報をＣＯＤカメラを通
して電気的に読出し、磁気シートレコーダ等に記録する
ようなシステムに用いるために考えられたものであるが
、勿論、一般的用途にも供し得るものである。この場合
、入力光量は極度に低照度であるから、ＣＯＤの暗電流
を最小に押えて感度を最大にする必要がある。
縦断面図である。この撮像装置は、例えば、Ｘ線写真装
置の螢光面のような微弱な光学情報をＣＯＤカメラを通
して電気的に読出し、磁気シートレコーダ等に記録する
ようなシステムに用いるために考えられたものであるが
、勿論、一般的用途にも供し得るものである。この場合
、入力光量は極度に低照度であるから、ＣＯＤの暗電流
を最小に押えて感度を最大にする必要がある。
第１図において、半導体基板（１）上にはＯＯＤ等の固
体撮像素子が形成されている。半導体基板（１）は熱導
体（例えば金属）の半導体取付基板（２）に固着され、
この半導体取付基板（２）は、断熱材で形成された円筒
または角筒形状の保持部材（３）の内壁面に断熱された
状態で保持される。半導体基板（１１の撮像面の上部に
は、ガラス等の透明板（４７が枠体（５）を介して前記
保持部材（３）の前面の開口部を密閉して蓋うように固
定されている。
体撮像素子が形成されている。半導体基板（１）は熱導
体（例えば金属）の半導体取付基板（２）に固着され、
この半導体取付基板（２）は、断熱材で形成された円筒
または角筒形状の保持部材（３）の内壁面に断熱された
状態で保持される。半導体基板（１１の撮像面の上部に
は、ガラス等の透明板（４７が枠体（５）を介して前記
保持部材（３）の前面の開口部を密閉して蓋うように固
定されている。
保持部材（３）の背面側には、その背面側開口を憂う如
くにダイアフラム保持部材（６）が取付けられ、その中
央部の開口を密閉するようにダイアフラム（７）が取付
けられている。ダイアフラム（７）はその中央部の開口
において熱伝導軸（８）を挿通・保持している。ダイア
フラム（７）と軸（８）とは気密リング（９）によって
密着固定される。なお熱伝導軸（８）は、棒状の金属音
たは熱伝導物質を封入したヒートパイプであってよい。
くにダイアフラム保持部材（６）が取付けられ、その中
央部の開口を密閉するようにダイアフラム（７）が取付
けられている。ダイアフラム（７）はその中央部の開口
において熱伝導軸（８）を挿通・保持している。ダイア
フラム（７）と軸（８）とは気密リング（９）によって
密着固定される。なお熱伝導軸（８）は、棒状の金属音
たは熱伝導物質を封入したヒートパイプであってよい。
熱伝導軸（８）は、軸受部材０１こよって摺動自在に保
持され、その半導体取付基板（２）の側のｍ−には熱伝
導の良い受熱板ａυが固定され、また他端には放熱フィ
ンａ２が固定されている。
持され、その半導体取付基板（２）の側のｍ−には熱伝
導の良い受熱板ａυが固定され、また他端には放熱フィ
ンａ２が固定されている。
なお半導体基板（１）上の撮像素子の出力は信号巌αＱ
を介して、端子ｕ７ｔに導出される。この場合、撮像素
子の出力は直接に散出されてもよいが、半導体基板（１
１上に増巾回路を形成し、この増巾回路で出力信号を増
巾してから端子ａ７）に導出してもよい。
を介して、端子ｕ７ｔに導出される。この場合、撮像素
子の出力は直接に散出されてもよいが、半導体基板（１
１上に増巾回路を形成し、この増巾回路で出力信号を増
巾してから端子ａ７）に導出してもよい。
上述の第１図の構成によれば、筒状の保持部材（３）の
内壁、前面側開口を蓋う透明板（４）、背面側開口を蒼
うダイアプラム（７）及びダイアフラム保持部材（６）
でもって、密閉された空洞ＯＪが形成される。
内壁、前面側開口を蓋う透明板（４）、背面側開口を蒼
うダイアプラム（７）及びダイアフラム保持部材（６）
でもって、密閉された空洞ＯＪが形成される。
この空洞０３の内部は、空気抜き栓α委がはめ適才れた
穴から空気を排出することによって減圧されている。こ
のため半導体取付基板＋２１には、その前面側と背面四
とを連通させる複数の孔ａ樽が形成されている。９洞（
１３内は完全に真窒である必要はなく１例えば０．１気
圧程度の減圧であってよい。
穴から空気を排出することによって減圧されている。こ
のため半導体取付基板＋２１には、その前面側と背面四
とを連通させる複数の孔ａ樽が形成されている。９洞（
１３内は完全に真窒である必要はなく１例えば０．１気
圧程度の減圧であってよい。
減圧された空洞ＯＪ内の受熱板ａＤと、外部の放熱フィ
ンａ３とを結合している熱伝導＠ ｆ８１は、ダイアフ
ラム（７）を介して取付けられているので、密閉・減圧
状態を保った１才、半導体取付基板Ｕυの背面と受熱板
Ｕυの表面とを接離自在ｊと外部から操作できるように
なっている。
ンａ３とを結合している熱伝導＠ ｆ８１は、ダイアフ
ラム（７）を介して取付けられているので、密閉・減圧
状態を保った１才、半導体取付基板Ｕυの背面と受熱板
Ｕυの表面とを接離自在ｊと外部から操作できるように
なっている。
次に８１図の固体撮像装置の動作を貌明する。
談ず熱伝導軸（８）を操作して牛導体取；付基板（２）
に受熱板ａυを接触させて、ＣＯＤが設けられた半導体
基板（１１から熱を十分に放出させる。次に半導体基板
（２）から受熱板ａ１）を離す。この状態では、半導体
基板（１）及び半導体取付基板（２）は周囲から熱的に
ほぼ完全に速断される。すなわち、構造部材を伝わる熱
伝導は、熱絶縁体である保持部材（３）を通しての無視
できる程度の極めて低いレベルであり、また空洞０．３
）内の空気が排出させているから、対流伝熱も極めて低
いレベルである。従って、ＣＯＤへの通電による自己発
熱以外の温度上昇要因は殆んど無く、長時間にわたって
半導体基板の温度を低く保つことができる。
に受熱板ａυを接触させて、ＣＯＤが設けられた半導体
基板（１１から熱を十分に放出させる。次に半導体基板
（２）から受熱板ａ１）を離す。この状態では、半導体
基板（１）及び半導体取付基板（２）は周囲から熱的に
ほぼ完全に速断される。すなわち、構造部材を伝わる熱
伝導は、熱絶縁体である保持部材（３）を通しての無視
できる程度の極めて低いレベルであり、また空洞０．３
）内の空気が排出させているから、対流伝熱も極めて低
いレベルである。従って、ＣＯＤへの通電による自己発
熱以外の温度上昇要因は殆んど無く、長時間にわたって
半導体基板の温度を低く保つことができる。
次にＣＯＤを露光し、元情報が十分に電荷に変換された
状態で、ＣＯＤに絖出しのための通電を行って、画像情
報モ絖出す。絖出しに要する時間は１７ン一ム期間（１
７３０秒）であるから、この期間のみ通電を行えば、Ｃ
ＯＤの自己発熱は最小に押えられる。
状態で、ＣＯＤに絖出しのための通電を行って、画像情
報モ絖出す。絖出しに要する時間は１７ン一ム期間（１
７３０秒）であるから、この期間のみ通電を行えば、Ｃ
ＯＤの自己発熱は最小に押えられる。
ＣＯＤカメラを何回か操作してその自己発熱によって基
板（１１の温度が上昇し、暗電流レベルが増加した場合
、再び半導体取付基板（２）に受熱板０１）を接触させ
て放熱を図る。この場合、暗電流レベルを測定してその
値または成る一定値を越えたことを表示させ、この表示
に基いて受熱板０υ、熱伝導軸（８）及び放熱フィンａ
２からなる冷却装置を操作するように構成してもよい。
板（１１の温度が上昇し、暗電流レベルが増加した場合
、再び半導体取付基板（２）に受熱板０１）を接触させ
て放熱を図る。この場合、暗電流レベルを測定してその
値または成る一定値を越えたことを表示させ、この表示
に基いて受熱板０υ、熱伝導軸（８）及び放熱フィンａ
２からなる冷却装置を操作するように構成してもよい。
第２図は本発明の別の実施例を示す同様な縦断面図であ
る。第２図では、熱伝導軸（８）と放熱フィンａ２との
間にベルチェ効果才たはトムソン効果を利用した熱電素
子（１１が介在され、この熱電素子σ罎に電流源（至）
から電流を流して半導体基板（１）及び半導体取付基板
（２）を冷却するように構成されている。
る。第２図では、熱伝導軸（８）と放熱フィンａ２との
間にベルチェ効果才たはトムソン効果を利用した熱電素
子（１１が介在され、この熱電素子σ罎に電流源（至）
から電流を流して半導体基板（１）及び半導体取付基板
（２）を冷却するように構成されている。
他の構造はｇｉ図と同じである。
ｌｌＸ２Ｅノｍｔ、４ｃヨｈｔ！、＋導体Ｔｉ、ｌＩｉ
ｍｆ−−５ 。
ｍｆ−−５ 。
Ｃ種度に保つことができ、ＣＯＤの暗′岨流を十分に小
さくして続出し＃ｊＪ像の解像度を十分に高くすること
ができる。半導体取付基板（２）と受熱板ａυとを接触
させると共に、熱電索子ａ１に通電して半導体基板（１
）を一旦冷却し、冷却装置と基板ｆ２＋とを分離すれば
、既述のように半導体基板、（１１に流入する熱は十分
に遮断され得るから、冷却状態を長時間にわたって保つ
ことができる。ｔたＣＣＤの読出し時の通電は既述のよ
うに１フレ一ム画面にっき１／３０秒であるから、こね
による自己発熱も極めて微小である。
さくして続出し＃ｊＪ像の解像度を十分に高くすること
ができる。半導体取付基板（２）と受熱板ａυとを接触
させると共に、熱電索子ａ１に通電して半導体基板（１
）を一旦冷却し、冷却装置と基板ｆ２＋とを分離すれば
、既述のように半導体基板、（１１に流入する熱は十分
に遮断され得るから、冷却状態を長時間にわたって保つ
ことができる。ｔたＣＣＤの読出し時の通電は既述のよ
うに１フレ一ム画面にっき１／３０秒であるから、こね
による自己発熱も極めて微小である。
ｔた熱電素子α９への通電は、冷却時のみで良いから、
その電力消費を十分に小さく押えることが可能である◇ 更に、半導体基板（１）の周囲の空気が排出さｆ＋でい
るから、基板温度が一５０ｃ程度であっても、基板表面
に露滴が付着することは無い。またＣＯＤの前面側の透
明板（４）は室温と同じであるから、その前面及び背面
に露滴が付着することも防ける◇既述のように半導体基
板（ＩＩの暗電流を検出して、その検肯結果に応・じて
冷却装置を操作または動作させることができるが、これ
を自動匍］＃にすることも可能である。すなわち、ＣＯ
Ｄの自己発熱によって暗電流レベルが一定の基準値を越
えたならば、これを検出してｍｉｈ装置を動作させ、受
熱板ａυが半導体取付基板（２）に接触するように冷却
装置を往動させる。これと共に、スイッチ素子を動作さ
せ、熱電素子α優に通電を行う。暗電流レベルが基準値
よりも低下したならば、上述の電磁装置及びスイッチ素
子をオフにする。
その電力消費を十分に小さく押えることが可能である◇ 更に、半導体基板（１）の周囲の空気が排出さｆ＋でい
るから、基板温度が一５０ｃ程度であっても、基板表面
に露滴が付着することは無い。またＣＯＤの前面側の透
明板（４）は室温と同じであるから、その前面及び背面
に露滴が付着することも防ける◇既述のように半導体基
板（ＩＩの暗電流を検出して、その検肯結果に応・じて
冷却装置を操作または動作させることができるが、これ
を自動匍］＃にすることも可能である。すなわち、ＣＯ
Ｄの自己発熱によって暗電流レベルが一定の基準値を越
えたならば、これを検出してｍｉｈ装置を動作させ、受
熱板ａυが半導体取付基板（２）に接触するように冷却
装置を往動させる。これと共に、スイッチ素子を動作さ
せ、熱電素子α優に通電を行う。暗電流レベルが基準値
よりも低下したならば、上述の電磁装置及びスイッチ素
子をオフにする。
第２図の変形例として、ＣＯＤが設けられた半導体基板
（１）を熱電素子■の冷却面に取付け、これらの半導体
基板（１１と熱電素子ａ９ｂを第１図または第２図のよ
うに保持部材（３１で保持した状態で減圧された空洞０
３内に配置してもよい。この場合、第１図と同様な構造
の冷却装置が熱電素子部の放電面に接離自在に設けられ
るのが望才しい。また第１図のような接離自在の冷却装
置及びダイアフラム（７）８設けずに、空洞０３内を完
全密閉とし、熱電素子■の放熱面に固着された放熱部材
を空洞の外部まで導出して放熱を図ってもよい。この場
合、放熱部材を伝わっての外部から内部への熱伝導が多
少あるが、熱１１Ｘ子を常時動作させて置くか、或いは
暗電Ｒ８検出してオン・オフすればこの問題を回避する
ことができる。また上述のように仝洞内部を減圧するこ
とによって、対流伝熱を少なくすることができるさ共に
、露結を防止できる。
（１）を熱電素子■の冷却面に取付け、これらの半導体
基板（１１と熱電素子ａ９ｂを第１図または第２図のよ
うに保持部材（３１で保持した状態で減圧された空洞０
３内に配置してもよい。この場合、第１図と同様な構造
の冷却装置が熱電素子部の放電面に接離自在に設けられ
るのが望才しい。また第１図のような接離自在の冷却装
置及びダイアフラム（７）８設けずに、空洞０３内を完
全密閉とし、熱電素子■の放熱面に固着された放熱部材
を空洞の外部まで導出して放熱を図ってもよい。この場
合、放熱部材を伝わっての外部から内部への熱伝導が多
少あるが、熱１１Ｘ子を常時動作させて置くか、或いは
暗電Ｒ８検出してオン・オフすればこの問題を回避する
ことができる。また上述のように仝洞内部を減圧するこ
とによって、対流伝熱を少なくすることができるさ共に
、露結を防止できる。
更に第２図の変形例として、受熱板Ｏυを半導体取付基
板（２）に固着して、冷却手段を接離自在とはせずに固
定してしまう構造も考えられる。この場合、熱電素子α
９の電流をオン・オフして半導体基板（１）の温度を一
定値以下に制御するように構成するのが望丈しい。
板（２）に固着して、冷却手段を接離自在とはせずに固
定してしまう構造も考えられる。この場合、熱電素子α
９の電流をオン・オフして半導体基板（１）の温度を一
定値以下に制御するように構成するのが望丈しい。
次に第６図は、更に別の実施例を示す固体撮像装置の縦
断面図である。この例では、熱電素子ａ９が外部からの
操作で半導体取付基板（２）に直接に接触され、また離
間されるような構造となっている。
断面図である。この例では、熱電素子ａ９が外部からの
操作で半導体取付基板（２）に直接に接触され、また離
間されるような構造となっている。
熱電素子■は２重１ｇ造になっていて、縦長の半円筒形
の異種金属（１９ａ）（１９ｂ）とが接合されて１つの
熱電素子が形成さ−れ、更にこれらの金ｊｐＡ（１９ａ
バ１９ｂ）の夫々に偏平な半円筒形の異種金１Ｉ４（１
９ｃ）（１９ｄ）が接合されて、金属（１９ａ）と（１
９ｃ）とで１つの熱電索子、金属（１９ｂ）と（１９ｄ
）とで更に１つの熱電索子が形成されている。金属（１
９ａ）（１９ｂ）が吸熱側であり、金属（１９ｃ）（１
９ｄ）が放熱側である。
の異種金属（１９ａ）（１９ｂ）とが接合されて１つの
熱電素子が形成さ−れ、更にこれらの金ｊｐＡ（１９ａ
バ１９ｂ）の夫々に偏平な半円筒形の異種金１Ｉ４（１
９ｃ）（１９ｄ）が接合されて、金属（１９ａ）と（１
９ｃ）とで１つの熱電索子、金属（１９ｂ）と（１９ｄ
）とで更に１つの熱電索子が形成されている。金属（１
９ａ）（１９ｂ）が吸熱側であり、金属（１９ｃ）（１
９ｄ）が放熱側である。
本発明は上述の如く、固体撮像素子とその冷却手段の少
なくとも一部とを９洞内に配置し、この空洞内を減圧し
たものである。従って本発明によれば、固体撮像素子の
周囲の空気による対流伝熱を少なくして、固体撮ｇＩＩ
素子を熱的に絶縁することが可能になり、外部温度によ
る暗電流の増大に起因するＩｌｉ像出力信号のＳ／Ｎの
劣化を軽減することができ、解像度の高い１儂を得るこ
とができる。また空洞内を減圧することにより、固体撮
像素子及び空洞内壁への霧滴付着を防止することができ
る。
なくとも一部とを９洞内に配置し、この空洞内を減圧し
たものである。従って本発明によれば、固体撮像素子の
周囲の空気による対流伝熱を少なくして、固体撮ｇＩＩ
素子を熱的に絶縁することが可能になり、外部温度によ
る暗電流の増大に起因するＩｌｉ像出力信号のＳ／Ｎの
劣化を軽減することができ、解像度の高い１儂を得るこ
とができる。また空洞内を減圧することにより、固体撮
像素子及び空洞内壁への霧滴付着を防止することができ
る。
第１図は本発明の固体撮像装置の１つの実施例を示す元
軸に沿った縦断面図、Ｈ２図及び第３図は夫々別の実施
例を示す第１図と同様な縦断面図である。 なお１１１ｎｊＣ用いられた符号において１（１ｊ・−
・−・・・・・−半導体基板（８）−・−・−・−・・
・熱伝導軸 ａυ−・・−・・・・−・・・受熱板 σ２・・・・・・・・・・・・・・・放熱フィンα３・
・・・・・・−・・・・・・・空洞旺・・・・・・・・
・・・・・・・熱電素子である。 代理人 上屋 膀 Ｉ 常包芳男 ｌ 杉浦俊貴 ＩＩＩＩ図 第２図 第３図
軸に沿った縦断面図、Ｈ２図及び第３図は夫々別の実施
例を示す第１図と同様な縦断面図である。 なお１１１ｎｊＣ用いられた符号において１（１ｊ・−
・−・・・・・−半導体基板（８）−・−・−・−・・
・熱伝導軸 ａυ−・・−・・・・−・・・受熱板 σ２・・・・・・・・・・・・・・・放熱フィンα３・
・・・・・・−・・・・・・・空洞旺・・・・・・・・
・・・・・・・熱電素子である。 代理人 上屋 膀 Ｉ 常包芳男 ｌ 杉浦俊貴 ＩＩＩＩ図 第２図 第３図
Claims (1)
- 固体撮像素子とこの固体撮像素子を冷却する手段とを有
し、上記固体撮像素子と上記冷却手段の小なくとも一部
とを夫々空洞内に設置するとともに、上記空洞内を減圧
したことを特徴とする固体撮像装置〇
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57031588A JPS58148572A (ja) | 1982-02-27 | 1982-02-27 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57031588A JPS58148572A (ja) | 1982-02-27 | 1982-02-27 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58148572A true JPS58148572A (ja) | 1983-09-03 |
| JPH0432590B2 JPH0432590B2 (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=12335343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57031588A Granted JPS58148572A (ja) | 1982-02-27 | 1982-02-27 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58148572A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61149490U (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-16 | ||
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