JPS5814810B2 - 電子ビ−ム排ガス脱硫脱硝方法および装置 - Google Patents
電子ビ−ム排ガス脱硫脱硝方法および装置Info
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- JPS5814810B2 JPS5814810B2 JP53006058A JP605878A JPS5814810B2 JP S5814810 B2 JPS5814810 B2 JP S5814810B2 JP 53006058 A JP53006058 A JP 53006058A JP 605878 A JP605878 A JP 605878A JP S5814810 B2 JPS5814810 B2 JP S5814810B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- electric field
- desulfurization
- exhaust gas
- denitrification
- Prior art date
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-
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02A—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE
- Y02A50/00—TECHNOLOGIES FOR ADAPTATION TO CLIMATE CHANGE in human health protection, e.g. against extreme weather
- Y02A50/20—Air quality improvement or preservation, e.g. vehicle emission control or emission reduction by using catalytic converters
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Electrostatic Separation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は燃焼排ガス中に含まれるＳＯ２およびＮＯを電
子ビームと電界の組合せ効果により迅速有効に除去する
所の排ガス脱硫脱硝方法および装置に関するものである
。
子ビームと電界の組合せ効果により迅速有効に除去する
所の排ガス脱硫脱硝方法および装置に関するものである
。
Ｓ０２およびＮＯを含有する排ガス中に高エネルギーの
電子ビームを金属箔を通して照射することにより、ＳＯ
２およびＮＯを固体ないし液体の微粒子に転化せしめ、
これを照吋室外の下流領域に設けた適当な後置集塵装置
（例えは電気集塵装置）により該排ガス中より除去する
所の、いわゆる電子ビーム排ガス脱硫脱硝方式はそれ自
体公知である。
電子ビームを金属箔を通して照射することにより、ＳＯ
２およびＮＯを固体ないし液体の微粒子に転化せしめ、
これを照吋室外の下流領域に設けた適当な後置集塵装置
（例えは電気集塵装置）により該排ガス中より除去する
所の、いわゆる電子ビーム排ガス脱硫脱硝方式はそれ自
体公知である。
また上記方式において電子ビーム照射室の内部に直接適
当な正負の電極を対向配置し、その間に高電圧を印加す
ることにより、ＳＯ２ないしＮＯより転化せる微粒子を
直接該電極表面上に電気的に除去堆積せしめ得ることも
、それ自体公知である。
当な正負の電極を対向配置し、その間に高電圧を印加す
ることにより、ＳＯ２ないしＮＯより転化せる微粒子を
直接該電極表面上に電気的に除去堆積せしめ得ることも
、それ自体公知である。
すなわち本願発明者はこの方法によって極めて有効に転
化微粒子を排ガスより電気的に除去することか出来、こ
れによって上記の後置集塵装置を省略できることを実験
的に見出した（例えば本願発明者の発表論文［電子ビー
ムを利用した電気集塵の実験（その１）−１昭和５１年
電気学会全国大会論文集４６４、「同（その２）」同４
６５参照）。
化微粒子を排ガスより電気的に除去することか出来、こ
れによって上記の後置集塵装置を省略できることを実験
的に見出した（例えば本願発明者の発表論文［電子ビー
ムを利用した電気集塵の実験（その１）−１昭和５１年
電気学会全国大会論文集４６４、「同（その２）」同４
６５参照）。
この場合、電子ビームのガス分子への衝突電離により電
極間に生成する正負イオンの濃度は電界の作用で大きく
変歪し、正電極近傍では負イオン濃度が増大、負電極近
傍では正イオン濃度が増大して、正電極近傍の転化微粒
子はイオン射突により負に荷電されて正電極に吸引附着
し、負電極近傍の転化微粒子は同様にして負電極に附着
除去されるのであって、その電気的微粒子除去効果は上
記電界、すなわち挿入電極の印加電圧と共にほぼ比例的
に上昇する。
極間に生成する正負イオンの濃度は電界の作用で大きく
変歪し、正電極近傍では負イオン濃度が増大、負電極近
傍では正イオン濃度が増大して、正電極近傍の転化微粒
子はイオン射突により負に荷電されて正電極に吸引附着
し、負電極近傍の転化微粒子は同様にして負電極に附着
除去されるのであって、その電気的微粒子除去効果は上
記電界、すなわち挿入電極の印加電圧と共にほぼ比例的
に上昇する。
本願発明者は更にこの様な電子ビーム照射空間への電界
の重畳が電子ビームによる放射線化学的脱硫脱硝反応自
体におよぼす作用を詳細に探究した結果、電極間に形成
される電界の値がある特定の閾値、すなわち３〔Ｋ■／
ＣｒｒＬ〕を越えると、該脱硫脱硝反応の反応速度が第
３図に示した如く、突然急激に上昇し、電界の上昇によ
って容易に電子ビームの照射のみの場合の数倍の反応速
度上昇効果を達成しうろことを見出した。
の重畳が電子ビームによる放射線化学的脱硫脱硝反応自
体におよぼす作用を詳細に探究した結果、電極間に形成
される電界の値がある特定の閾値、すなわち３〔Ｋ■／
ＣｒｒＬ〕を越えると、該脱硫脱硝反応の反応速度が第
３図に示した如く、突然急激に上昇し、電界の上昇によ
って容易に電子ビームの照射のみの場合の数倍の反応速
度上昇効果を達成しうろことを見出した。
その機構の詳細は未だ明らかではないが、一応脱硫脱硝
反応に寄与しえないエネルギーレベル迄下った電子を電
界によって加速し、そのエネルギーを再び再生するため
ではないかと予想される。
反応に寄与しえないエネルギーレベル迄下った電子を電
界によって加速し、そのエネルギーを再び再生するため
ではないかと予想される。
いずれにせよ上述の微粒子除去効果が印加電界の増加と
共にほぼ連続的な増加を見せるのに対し、本反応促進効
果は電界を上記閾値以上にした時にはじめてあらわれる
特異な作用効果であって、この時の反応速度の増分は、
電界の上記閾値からの増分の約５乗に比例するという著
るしいものである。
共にほぼ連続的な増加を見せるのに対し、本反応促進効
果は電界を上記閾値以上にした時にはじめてあらわれる
特異な作用効果であって、この時の反応速度の増分は、
電界の上記閾値からの増分の約５乗に比例するという著
るしいものである。
本発明はこの特異な作用効果を利用することにより、従
来公知の電子ビーム脱硫脱硝方式に固有の重大な欠点、
すなわち電子ビーム発生装置の設備費および運転費が著
るしく高価となるという問題を克服し、電子ビーム発生
装置の設備容量ならびに運転費を大巾に低減することを
可能ならしめた安価で経済的な新規の電子ビーム排ガス
脱硫脱硝方法および装置を提供することを目的とする。
来公知の電子ビーム脱硫脱硝方式に固有の重大な欠点、
すなわち電子ビーム発生装置の設備費および運転費が著
るしく高価となるという問題を克服し、電子ビーム発生
装置の設備容量ならびに運転費を大巾に低減することを
可能ならしめた安価で経済的な新規の電子ビーム排ガス
脱硫脱硝方法および装置を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、ＳＯ２およびＮｏを含有する排ガ
ス中に、少くとも電界による脱硫脱硝反応促進効果のあ
らわれる閾値たる３ｒＫＶ／ｃ／ｒＬ）以上の補助電界
を形成する如く高電王を印加し、該３〔Ｋ■／ｃＴＬ〕
以七の補助電界の作用下に電子ビームを金属箔を通して
照射し、該電子ビームと該補助電界の協同作用によって
該Ｓ０２，ＮＯを迅速有効に微粒子に転化の上、これを
電子ビーム照射室の内部に絶縁の上対向配置した電極群
の表面上に電気的に附着せしめ、これを電極表面より剥
離してホツパー内に落下せしめたのち微粒子排出口より
外部に排出し、脱硫脱硝後の清浄ガスをガス出口よりス
タックへ排出することを特徴とし、およびＳＯ２および
ＮＯを含有する排ガスを導入するためのガス入口と、脱
硫脱硝後の清浄ガスを排出するためのガス出口と、Ｓ０
２，ＮＯより転化された微粒子を落下送入するためのホ
ッパ一部と、該ホッパ一部より該微粒子を外部に排出す
るための微粒子排出口と、電子ビームを導入するための
金属箔を持った照射窓とを備えた所の函体より成る照射
室を有し、かつ該照射窓を通して該照射室内に電子ビー
ムを照射するための電子ビーム発生装置を有し、かつ該
照射室内に互に絶縁の上対向配置せる反応促進用電極群
を有し、かつ該電極群の間に少くとも３ＣＫＶ／ｃｒｆ
Ｌ）以上の補助電界を形成する如く高電圧を印加するた
めの高圧電源を有することを特徴とする。
ス中に、少くとも電界による脱硫脱硝反応促進効果のあ
らわれる閾値たる３ｒＫＶ／ｃ／ｒＬ）以上の補助電界
を形成する如く高電王を印加し、該３〔Ｋ■／ｃＴＬ〕
以七の補助電界の作用下に電子ビームを金属箔を通して
照射し、該電子ビームと該補助電界の協同作用によって
該Ｓ０２，ＮＯを迅速有効に微粒子に転化の上、これを
電子ビーム照射室の内部に絶縁の上対向配置した電極群
の表面上に電気的に附着せしめ、これを電極表面より剥
離してホツパー内に落下せしめたのち微粒子排出口より
外部に排出し、脱硫脱硝後の清浄ガスをガス出口よりス
タックへ排出することを特徴とし、およびＳＯ２および
ＮＯを含有する排ガスを導入するためのガス入口と、脱
硫脱硝後の清浄ガスを排出するためのガス出口と、Ｓ０
２，ＮＯより転化された微粒子を落下送入するためのホ
ッパ一部と、該ホッパ一部より該微粒子を外部に排出す
るための微粒子排出口と、電子ビームを導入するための
金属箔を持った照射窓とを備えた所の函体より成る照射
室を有し、かつ該照射窓を通して該照射室内に電子ビー
ムを照射するための電子ビーム発生装置を有し、かつ該
照射室内に互に絶縁の上対向配置せる反応促進用電極群
を有し、かつ該電極群の間に少くとも３ＣＫＶ／ｃｒｆ
Ｌ）以上の補助電界を形成する如く高電圧を印加するた
めの高圧電源を有することを特徴とする。
この場合本発明の補助電界の作用によって、上述の脱硫
脱硝反応速度が著るしく上昇する結果、それに見合った
分だけ電子ビーム発生装置の設備容量と、その運転電力
費を大きく低減することができ、まったく同一の脱硫脱
硝効率が得られるという著るしい作用効果が達成される
のである。
脱硝反応速度が著るしく上昇する結果、それに見合った
分だけ電子ビーム発生装置の設備容量と、その運転電力
費を大きく低減することができ、まったく同一の脱硫脱
硝効率が得られるという著るしい作用効果が達成される
のである。
その上転化微粒子は後置集塵装置がなくても、照射室内
でここに設置された該反応促進用電極上に効率よく捕集
されるという、粒子除去効果が副次的作用効果として達
成されることとなる。
でここに設置された該反応促進用電極上に効率よく捕集
されるという、粒子除去効果が副次的作用効果として達
成されることとなる。
以下に本発明による新規の電子ビーム排ガス脱硫脱硝方
法および装置の特徴を実施例ならびに図面によって、よ
り詳細に説明する。
法および装置の特徴を実施例ならびに図面によって、よ
り詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図はその水
平断面図で、各図における破線Ａ−Ａ，Ｂ−Ｂは当該断
面ならびに視線方向を示す。
平断面図で、各図における破線Ａ−Ａ，Ｂ−Ｂは当該断
面ならびに視線方向を示す。
第３図は電界の値と脱硫脱硝反応速度との関係を示す実
験結果であり、電界の値が３ＣＫＶ／ｃｍ）を超えると
脱硫脱硝反応速度が急激に上昇することがわかる。
験結果であり、電界の値が３ＣＫＶ／ｃｍ）を超えると
脱硫脱硝反応速度が急激に上昇することがわかる。
第１図および第２図において１は本発明装置の本体をな
す函体で、ガス人口２、ガス出口３、ホッパ一部４、微
粒子排出口５、チタン金属箔６，６′で密閉された照射
窓γ，γ′を有し、その内部空間８が照射室９を構成し
ている。
す函体で、ガス人口２、ガス出口３、ホッパ一部４、微
粒子排出口５、チタン金属箔６，６′で密閉された照射
窓γ，γ′を有し、その内部空間８が照射室９を構成し
ている。
１０．１０’は電子ビーム発生装置でそれぞれ照射窓７
，７′の金属箔６，６′を通して照射室９内にガス流と
平行に高エネルギーの電子ビーム１１，１１’を照射す
る。
，７′の金属箔６，６′を通して照射室９内にガス流と
平行に高エネルギーの電子ビーム１１，１１’を照射す
る。
１２，１２’，１２“，・・・は照射室９の内部にガス
流ならびに電子ビーム１１，１１’と平行に等間隔に配
設され、函体と共に接地された接地平板電極群で、その
両端部１２，１２“は本例では函体１の側壁を兼ねてい
る。
流ならびに電子ビーム１１，１１’と平行に等間隔に配
設され、函体と共に接地された接地平板電極群で、その
両端部１２，１２“は本例では函体１の側壁を兼ねてい
る。
１３，１３’，・・・は該接地平板電極群１２，１２’
，１２“の中間にこれらと平行に配設された高圧平板電
極群で、横腕１４，１４’，１５，１５’，１６，１６
’，１７，１７’，・・・ならびに鉛直支柱１８，１９
，２０，２１を介して碍管２２，２３，・・・に絶縁支
持されている。
，１２“の中間にこれらと平行に配設された高圧平板電
極群で、横腕１４，１４’，１５，１５’，１６，１６
’，１７，１７’，・・・ならびに鉛直支柱１８，１９
，２０，２１を介して碍管２２，２３，・・・に絶縁支
持されている。
２４は直流高圧電源でその一つの出力端子は函体１と共
に接地され、他の出力端子２５は導線２６を介して支柱
１８，２０，・・・に接続され、上記高圧平板電極群１
３，１３’，・・・に本例では負の直流高電圧を印加す
る。
に接地され、他の出力端子２５は導線２６を介して支柱
１８，２０，・・・に接続され、上記高圧平板電極群１
３，１３’，・・・に本例では負の直流高電圧を印加す
る。
かくして照射室９の内部には電子ビーム１１，１１’と
平行に正負の平行平板電極群１２，１３，１２′，１３
’，１２“，・・・が存在し、又上述の反応促進用電極
群を構成し、両電極間の電子ビームの照射を直接受ける
照射空間内に上記補助電界たる平等な直流高電界が形成
されている。
平行に正負の平行平板電極群１２，１３，１２′，１３
’，１２“，・・・が存在し、又上述の反応促進用電極
群を構成し、両電極間の電子ビームの照射を直接受ける
照射空間内に上記補助電界たる平等な直流高電界が形成
されている。
但しその電界値は少くともすでに述べた脱硫脱硝反応の
電界による促進効果のあらわれる閾値たる３〔Ｋ■／Ｃ
ｒｒＬ〕以上の値に保たれ、多くの場合火花放電発生寸
前の高い値になる如く電源２４の出力電圧が定められて
いる。
電界による促進効果のあらわれる閾値たる３〔Ｋ■／Ｃ
ｒｒＬ〕以上の値に保たれ、多くの場合火花放電発生寸
前の高い値になる如く電源２４の出力電圧が定められて
いる。
いまガス入口２より照射室９内に導入された排ガス中に
含有されるＳＯ２およびＮＯは電子ビーム１１，１１’
の照射効果と電極１２，１３，１２′，１３′，１２“
，・・・間に形成された上記補助電界の協同効果により
迅速かつ有効に固体又は液体の微粒子に転化され、直ち
に該電極表面上に電気的に除去される。
含有されるＳＯ２およびＮＯは電子ビーム１１，１１’
の照射効果と電極１２，１３，１２′，１３′，１２“
，・・・間に形成された上記補助電界の協同効果により
迅速かつ有効に固体又は液体の微粒子に転化され、直ち
に該電極表面上に電気的に除去される。
この際例えはボンベ２７からパイプ２８を介して被照射
排ガス中に適当な添加ガス、例えばＮＨ３を少量添加す
ると、脱硫・脱硝率が大巾に向上できるのみならず、転
化微粒子として安定な固体の硫硝安微粒子を生ずる。
排ガス中に適当な添加ガス、例えばＮＨ３を少量添加す
ると、脱硫・脱硝率が大巾に向上できるのみならず、転
化微粒子として安定な固体の硫硝安微粒子を生ずる。
２９，３０は支柱２０，２１を槌打することによって高
圧平板電極群１３，１３’，・・・に機械的衝撃を与え
るための槌打装置、３１は函体１の天井に取りつけられ
た振動器で該天井に上端を固定された接地平板電極群１
２，１２’，１２“，・・・に機械的衝撃を与える。
圧平板電極群１３，１３’，・・・に機械的衝撃を与え
るための槌打装置、３１は函体１の天井に取りつけられ
た振動器で該天井に上端を固定された接地平板電極群１
２，１２’，１２“，・・・に機械的衝撃を与える。
これらの機械的衝撃によって上記各電極群上に堆積した
微粒子層は剥離し、下部ホッパ−４へと落下し、微粒子
排出口５より外部に排出される。
微粒子層は剥離し、下部ホッパ−４へと落下し、微粒子
排出口５より外部に排出される。
清浄となった脱硫脱硝終了後の排ガスはガス出口よりス
タックへと排出される。
タックへと排出される。
第１図および第２図の実施例は本発明の原理的構成態様
の一つの例に過ぎず、本発明の実施に当っては、目標と
条件に応じてこれと異なる様々の実施形態を自由に採用
することができることは云うまでもない。
の一つの例に過ぎず、本発明の実施に当っては、目標と
条件に応じてこれと異なる様々の実施形態を自由に採用
することができることは云うまでもない。
また照射室９内に配設する反応促進用電極群１２，１３
，１２’，１３’，１２“，１３”，・・・は平行平板
の他、平行円筒、平行金網等任意の形状に構成してもよ
い。
，１２’，１３’，１２“，１３”，・・・は平行平板
の他、平行円筒、平行金網等任意の形状に構成してもよ
い。
更にその設置部位は電子ビーム１１，１１’の直接照射
域から遠ざかった位置または外れた位置に選んでも良く
、これによってこの領域に残存するエネルギーレベルの
下った２次電子の脱硫脱硝作用を賦活して脱硫脱硝効率
を向上することができる。
域から遠ざかった位置または外れた位置に選んでも良く
、これによってこの領域に残存するエネルギーレベルの
下った２次電子の脱硫脱硝作用を賦活して脱硫脱硝効率
を向上することができる。
また高圧直流電源２４の代わりに高圧交流電源を用い、
照射室９内の反応促進用電極群間に形成する上記補助電
界として直流電界の代わりに交流電界を使用することも
出来る。
照射室９内の反応促進用電極群間に形成する上記補助電
界として直流電界の代わりに交流電界を使用することも
出来る。
この場合には若干反応促進効果が低下するが、電源２４
のコストは大巾に低下できるという経済効果が得られる
。
のコストは大巾に低下できるという経済効果が得られる
。
また照射室９の内部において適当な手段がガスを攪拌し
てもよく、これによってガスを一様に電子ビームに照射
される様にして脱硫脱硝効果を更に向上することができ
る。
てもよく、これによってガスを一様に電子ビームに照射
される様にして脱硫脱硝効果を更に向上することができ
る。
第１図は本発明の一実施例の縦断図面、第２図はその水
平断面図、第３図は電界の値と脱硫脱硝反応速度との相
関図である。 図において、１・・・・・・函体、２・・・・・・ガス
入口、３・・・・・・ガス出口、４・・・・・・ホッパ
一部、５・・・・・・微粒子排出口、６，６′・・・・
・・金属箔、７，７′・・・・・・照射窓、９・・・・
・・照射室、１０，１０’・・・・・・電子ビーム発生
装置、１１，１１’・・・・・・電子ビーム、１２，１
２’，１２“・・・・・・接地平板電極、１３，１３’
，・・・・・・高圧平板電極、２２，２３・・・・・・
碍管、２４・・・・・・直流高圧電源、２６・・・・・
・導線、２７・・・・・・アンモニアボンベ、２８・・
・・・・パイプ。
平断面図、第３図は電界の値と脱硫脱硝反応速度との相
関図である。 図において、１・・・・・・函体、２・・・・・・ガス
入口、３・・・・・・ガス出口、４・・・・・・ホッパ
一部、５・・・・・・微粒子排出口、６，６′・・・・
・・金属箔、７，７′・・・・・・照射窓、９・・・・
・・照射室、１０，１０’・・・・・・電子ビーム発生
装置、１１，１１’・・・・・・電子ビーム、１２，１
２’，１２“・・・・・・接地平板電極、１３，１３’
，・・・・・・高圧平板電極、２２，２３・・・・・・
碍管、２４・・・・・・直流高圧電源、２６・・・・・
・導線、２７・・・・・・アンモニアボンベ、２８・・
・・・・パイプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＳＯ２およびＮＯを含有する排ガス中に、少くとも
電界による脱硫脱硝反応促進効果のあらわれる閾値たる
３ＣＫＶ／ｃｒ７Ｌ）以上の補助電界を形成する如く高
電王を印加し、該３〔ＫＶ／ｃｍ）以上の補助電界の作
用下に電子ビームを金属箔を通して照射し、該電子ビー
ムと該補助電界の協同作用によって該Ｓ０２，ＮＯを迅
速有効に微粒子に転化の上、これを電子ビーム照射室の
内部に絶縁の上対向配置した電極群の表面上に電気的に
附着せしめ、これを電極表面より剥離してホツパー内に
落下せしめたのち微粒子排出口より外部に排出し、脱硫
脱硝後の清浄ガスをガス出口よりスタックへ排出するこ
とを特徴とする電子ビーム排ガス脱硫脱蛸方法。 ２ Ｓ０２およびＮＯを含有する排ガスを導入するため
のガス入口と、脱硫脱硝後の清浄ガスを排出するための
ガス出口と、ＳＯ２ＮＯより転化された微粒子を落下送
入ずるだめのホッパ一部と、該ホツパ一部より該微粒子
を外部に排出するための微粒子排出口と、電子ビームを
導入するための金属箔を持った照射窓とを備えた所の函
体より成る照射室を有し、かつ該照射窓を通して該照射
室内に電子ビームを照財するための電子ビーム発生装置
を有し、かつ該照射室内に互に絶縁の上対向配置せる反
応促進用電極群を有し、かつ該電極群の間に少くとも３
〔Ｋ■／ｃｒｒＬ〕以上の補助電界を形成する如く高電
圧を印加するための高圧電源を有することを特徴とする
電子ビーム排ガス脱硫脱硝装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53006058A JPS5814810B2 (ja) | 1978-01-23 | 1978-01-23 | 電子ビ−ム排ガス脱硫脱硝方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53006058A JPS5814810B2 (ja) | 1978-01-23 | 1978-01-23 | 電子ビ−ム排ガス脱硫脱硝方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5499272A JPS5499272A (en) | 1979-08-04 |
| JPS5814810B2 true JPS5814810B2 (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=11627990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53006058A Expired JPS5814810B2 (ja) | 1978-01-23 | 1978-01-23 | 電子ビ−ム排ガス脱硫脱硝方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814810B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07155255A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-06-20 | Rinnai Corp | 炊飯器 |
-
1978
- 1978-01-23 JP JP53006058A patent/JPS5814810B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07155255A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-06-20 | Rinnai Corp | 炊飯器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5499272A (en) | 1979-08-04 |
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