JPS58145697A - エピタキシヤルシリコン製造装置 - Google Patents
エピタキシヤルシリコン製造装置Info
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- JPS58145697A JPS58145697A JP2459182A JP2459182A JPS58145697A JP S58145697 A JPS58145697 A JP S58145697A JP 2459182 A JP2459182 A JP 2459182A JP 2459182 A JP2459182 A JP 2459182A JP S58145697 A JPS58145697 A JP S58145697A
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- JP
- Japan
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- silicon
- purity
- epitaxial silicon
- epitaxial
- temperature region
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、ハロゲン化ケイ素を原料ガスとするエピタ
キシャルシリコン製造装置に関する。
キシャルシリコン製造装置に関する。
一般ニ、エピタキシャルシリコンは、シリコン基板上に
化学気相析出法によって、数μ〜数十μの厚さで形成さ
れるものであり、半導体素子、例えばXCj、LSI、
個別半導体素子などの基板材料として主に用いられてい
る。特に、高耐圧大電力容量のSOR素子や静電誘導ト
ランジスタ素子には、エピタキシャルシリコンが必要不
可欠であり、しかも、その純度は出来るだけ高いものが
望まれている。
化学気相析出法によって、数μ〜数十μの厚さで形成さ
れるものであり、半導体素子、例えばXCj、LSI、
個別半導体素子などの基板材料として主に用いられてい
る。特に、高耐圧大電力容量のSOR素子や静電誘導ト
ランジスタ素子には、エピタキシャルシリコンが必要不
可欠であり、しかも、その純度は出来るだけ高いものが
望まれている。
エピタキシャルシリコンを形成するため、通常用いられ
ている原料ガスを大別すると、水素化ケイ素とハロゲン
化ケイ素の二種類がある。
ている原料ガスを大別すると、水素化ケイ素とハロゲン
化ケイ素の二種類がある。
前者は、もっばらモノシラン(SiH4)で、常温でガ
ス状であることと、精製純化が容易なことなどの理由で
、よく用いられている。しかし、低温で気相分解が発生
し、析出したシリコンがエピタキシャル成長表面に落下
するなどして、高品質のエピタキシャルシリコンが得が
たいという欠点もある。一方、後者には、四塩化ケイ素
(Si(4)、ジクロロシラン(Si馬CJ4 )、ト
リクロロシラン(日1HOA ) 、四臭化ケイ素(5
iBr、 ) などがあり、これらの原料ガスは、分
解温度が高いため、モノシランのように気相で分解する
ことも少なく、結晶学的に良質なエピタキシャルシリコ
ンを得ることができる。しかし、原料ガスの精製が、現
在、技術的な限界に達しているため、純度の点では、モ
ノシランを原料ガスとしたエピタキシャルシリコンより
、やや劣っている。
ス状であることと、精製純化が容易なことなどの理由で
、よく用いられている。しかし、低温で気相分解が発生
し、析出したシリコンがエピタキシャル成長表面に落下
するなどして、高品質のエピタキシャルシリコンが得が
たいという欠点もある。一方、後者には、四塩化ケイ素
(Si(4)、ジクロロシラン(Si馬CJ4 )、ト
リクロロシラン(日1HOA ) 、四臭化ケイ素(5
iBr、 ) などがあり、これらの原料ガスは、分
解温度が高いため、モノシランのように気相で分解する
ことも少なく、結晶学的に良質なエピタキシャルシリコ
ンを得ることができる。しかし、原料ガスの精製が、現
在、技術的な限界に達しているため、純度の点では、モ
ノシランを原料ガスとしたエピタキシャルシリコンより
、やや劣っている。
ところで、従来のノ・ロゲン化ケイ素を原料ガスとする
エピタキシャルシリコン製造装置は、屯 殆んど、ICや小婁力容量の個別半導体素子用の低不純
物濃度エピタキシャルシリコンを製造する目的に作られ
ているので、高純度エピタキシャルシリコンの製造には
適していない。その理由としては、まず製造装置自体に
問題がある。
エピタキシャルシリコン製造装置は、屯 殆んど、ICや小婁力容量の個別半導体素子用の低不純
物濃度エピタキシャルシリコンを製造する目的に作られ
ているので、高純度エピタキシャルシリコンの製造には
適していない。その理由としては、まず製造装置自体に
問題がある。
すなわち、例えば、四塩化ケイ素を用いた場合、エピタ
キシャルシリコンの成長中、四塩化ケイ素が、シリコン
基板を保持しているサセプターの形成材料(グラファイ
トが通常用いられている。)中の不純物と反応し、不純
物を気相に飛び出させ、その不純物がエピタキシャルシ
リコン内に取り込まれて純度を低下させてしまうという
問題点がある。また、他の理由は、原料ガスの問題であ
る。すなわち、ノ・ロゲン化ケイ素は、腐蝕性の強いノ
・ロゲン元素を含むから、容器、配管、装置等の腐蝕に
よる汚染が避けられないからである。
キシャルシリコンの成長中、四塩化ケイ素が、シリコン
基板を保持しているサセプターの形成材料(グラファイ
トが通常用いられている。)中の不純物と反応し、不純
物を気相に飛び出させ、その不純物がエピタキシャルシ
リコン内に取り込まれて純度を低下させてしまうという
問題点がある。また、他の理由は、原料ガスの問題であ
る。すなわち、ノ・ロゲン化ケイ素は、腐蝕性の強いノ
・ロゲン元素を含むから、容器、配管、装置等の腐蝕に
よる汚染が避けられないからである。
したがって、従来の装置を用いる限り、エピタキシャル
シリコンの純度には限界がある。エピタキシャルシリコ
ンの純度を、その抵抗率であられした場合、抵抗率が高
い程純度は高いが、従来装置を用いた場合は、100Ω
(m〜500Ω閤が限界である。しかるに、最近のデバ
イスや静電誘導トランジスターにおいては、抵抗率が1
000Ωrm以上のものが必要とされるため、従来装置
では、この要求を満たすことは困難である。
シリコンの純度には限界がある。エピタキシャルシリコ
ンの純度を、その抵抗率であられした場合、抵抗率が高
い程純度は高いが、従来装置を用いた場合は、100Ω
(m〜500Ω閤が限界である。しかるに、最近のデバ
イスや静電誘導トランジスターにおいては、抵抗率が1
000Ωrm以上のものが必要とされるため、従来装置
では、この要求を満たすことは困難である。
本願発明は、かかる要求を満たすべくなされたもので、
エピタキシャル反応炉内に、原料ガスの流れ方向の上流
側に、低温領域より50〜100℃高い高温領域を、下
流側にエピタキシャル成長温度の低温領域を形成し、前
記高温領域には高純度シリコンを、前記低温領域にはエ
ピタキシャルシリコン基板を配置して、同一反応炉内で
、原料ガスの純化と、エピタキシャル成長を行わせ、高
純度エピタキシャルシリコンの製造を容易に行える如く
構成した、)・ロゲン′化ケイ素を原料ガスとするエピ
タキシャルシリコン製造装置を提供することを目的とす
るものである。
エピタキシャル反応炉内に、原料ガスの流れ方向の上流
側に、低温領域より50〜100℃高い高温領域を、下
流側にエピタキシャル成長温度の低温領域を形成し、前
記高温領域には高純度シリコンを、前記低温領域にはエ
ピタキシャルシリコン基板を配置して、同一反応炉内で
、原料ガスの純化と、エピタキシャル成長を行わせ、高
純度エピタキシャルシリコンの製造を容易に行える如く
構成した、)・ロゲン′化ケイ素を原料ガスとするエピ
タキシャルシリコン製造装置を提供することを目的とす
るものである。
以下、実施例に基づき本願発明の詳細な説明する。エピ
タキシャル製造装置を構造上分類すると、横型炉、デス
ク形炉、バレル形炉の3種類があるが、本願発明に係る
製造装置は、構造上このいずれにも適用できる。
タキシャル製造装置を構造上分類すると、横型炉、デス
ク形炉、バレル形炉の3種類があるが、本願発明に係る
製造装置は、構造上このいずれにも適用できる。
第1図は、本願発明を横型炉に適用した横型エピタキシ
ャルシリコン製造装置の一実施例を示すものである。第
1図において、1はエピタキシャル成長をさせるための
反応炉で、石英などの材質で形成されており、入口はノ
くルプ4を介して原料ガス供給システム2に、また、出
口は排気用ポンプ3に接続されている。′反応炉1の断
面形状は、円形又は短形のいずれでもよい。
ャルシリコン製造装置の一実施例を示すものである。第
1図において、1はエピタキシャル成長をさせるための
反応炉で、石英などの材質で形成されており、入口はノ
くルプ4を介して原料ガス供給システム2に、また、出
口は排気用ポンプ3に接続されている。′反応炉1の断
面形状は、円形又は短形のいずれでもよい。
また、二重管にすることによって、管壁を水又はガスで
冷却することができる。5.はシリコン基板を保持する
サセプターで、汚染防止のために炭化ケイ素(SiO)
をコートした長方形のグラファイト板で形成されており
、ガスの流れに対して、傾斜角θ=0〜16°の範囲で
反応炉内に設置されている。サセプター5は、反応炉1
の外周に配置した高周波加熱用の2個のワークコイル6
.6′によって、所定温度まで加熱される。この際、サ
セプター5上のガス流の風上側の前半領域z2が、風下
側の後半領域z1よりも50〜100℃高い所定温度で
加熱されるように、ワークコイル6.6′に接続される
高周波加熱発振器のパワーを、それぞれ調節する。もし
同一の発振器を用いて加熱する場合は、領域2゜と領域
2!において、上記の温度差が生ずるように、ワークコ
イル6.6′の巻き数を、予め調節しておく。7はエピ
タキシャルシリコン基板で8は原料ガス純化用高純度シ
リコンであり、第1図に示すように、それぞれ、サセプ
ター5の低温領域Z、と高温領域り上に配置される。す
なわち、原料ガス純化用高純度シリコン8を、ガスの流
れに対し、シリコン基板7より風上に、しかも、エピタ
キシャル成長温度(1200℃)よりも50〜100℃
高くなるサセプター5上の高温領域z2に配置するもの
である。
冷却することができる。5.はシリコン基板を保持する
サセプターで、汚染防止のために炭化ケイ素(SiO)
をコートした長方形のグラファイト板で形成されており
、ガスの流れに対して、傾斜角θ=0〜16°の範囲で
反応炉内に設置されている。サセプター5は、反応炉1
の外周に配置した高周波加熱用の2個のワークコイル6
.6′によって、所定温度まで加熱される。この際、サ
セプター5上のガス流の風上側の前半領域z2が、風下
側の後半領域z1よりも50〜100℃高い所定温度で
加熱されるように、ワークコイル6.6′に接続される
高周波加熱発振器のパワーを、それぞれ調節する。もし
同一の発振器を用いて加熱する場合は、領域2゜と領域
2!において、上記の温度差が生ずるように、ワークコ
イル6.6′の巻き数を、予め調節しておく。7はエピ
タキシャルシリコン基板で8は原料ガス純化用高純度シ
リコンであり、第1図に示すように、それぞれ、サセプ
ター5の低温領域Z、と高温領域り上に配置される。す
なわち、原料ガス純化用高純度シリコン8を、ガスの流
れに対し、シリコン基板7より風上に、しかも、エピタ
キシャル成長温度(1200℃)よりも50〜100℃
高くなるサセプター5上の高温領域z2に配置するもの
である。
原料ガスは、この実施例では、水素(為〕、四塩化ケイ
素(5iO−& ) %塩化水素(Hal )の混合
ガスが用いられており、原料ガス供給システム2から供
給される。四塩化ケイ素ガスは、気化器9内に収容され
ている液状の四塩化ケイ素に、水素ボンベ10から流量
計12を介して水素ガスを導入してバブリングを起させ
、水素を結合した状態で四塩化ケイ素を気化させること
により得られる。この気化状態は、流量計12を調整す
ることにより変えることができる。このようにして得ら
れた四塩化ケイ素ガスは、水素ボンベ10からパルプ及
び流量計12′を介して供給される水素ガスで希釈され
て、反応炉1に供給される。また、塩化水素は、ボンベ
11からパルプ及び流量計12’を介して、反応炉1に
供給される。
素(5iO−& ) %塩化水素(Hal )の混合
ガスが用いられており、原料ガス供給システム2から供
給される。四塩化ケイ素ガスは、気化器9内に収容され
ている液状の四塩化ケイ素に、水素ボンベ10から流量
計12を介して水素ガスを導入してバブリングを起させ
、水素を結合した状態で四塩化ケイ素を気化させること
により得られる。この気化状態は、流量計12を調整す
ることにより変えることができる。このようにして得ら
れた四塩化ケイ素ガスは、水素ボンベ10からパルプ及
び流量計12′を介して供給される水素ガスで希釈され
て、反応炉1に供給される。また、塩化水素は、ボンベ
11からパルプ及び流量計12’を介して、反応炉1に
供給される。
次に、上記の如く構成したエピタキシャルシリコン製造
装置の反応炉1内において、高純度エピタキシャルシリ
コンが得られる反応のメカニズムについて説明する。水
素ガスで希釈された四塩化ケイ素(SiOA)ガスが反
応炉1に入り、サセプター5上の高純度シリコン8を配
置した高温領域2!に達すると、ここにおいて、SiO
&+ H,−−→5iOJ!、 + 2HOffl −
−−−−−−filSi + 4HOg−−→SiO,
& + Hz −一−−−−−−−(21Si +
SiOA−一→28104 −−−−−−−−−−−−
f31の反応が生ずる。ここにおいて、反応(1)は
、四塩化ケイ素(EIiO,A )の一部分が分解し、
二塩化ケイ素(810^ )と塩化水素(Hcp3 )
とが生ずる反応で、高温ではあまり起らない反応である
。一方、反応(21、fi+は、より高温で起りゃすい
反応である。このため、高温領域z2のサセプター5上
におかれた高純度シリコン8は、四塩化ケイ素や塩化水
素と反応し、二塩化ケイ素として気相に持ち去られてし
ま5゜したがって、高温領域z2を通過した原料ガスの
組成は、未反応の四塩化ケイ素(SiOA)、二塩化ケ
イ素(810爲)、水素(Hz)、塩化水素(HOi
)となる。
装置の反応炉1内において、高純度エピタキシャルシリ
コンが得られる反応のメカニズムについて説明する。水
素ガスで希釈された四塩化ケイ素(SiOA)ガスが反
応炉1に入り、サセプター5上の高純度シリコン8を配
置した高温領域2!に達すると、ここにおいて、SiO
&+ H,−−→5iOJ!、 + 2HOffl −
−−−−−−filSi + 4HOg−−→SiO,
& + Hz −一−−−−−−−(21Si +
SiOA−一→28104 −−−−−−−−−−−−
f31の反応が生ずる。ここにおいて、反応(1)は
、四塩化ケイ素(EIiO,A )の一部分が分解し、
二塩化ケイ素(810^ )と塩化水素(Hcp3 )
とが生ずる反応で、高温ではあまり起らない反応である
。一方、反応(21、fi+は、より高温で起りゃすい
反応である。このため、高温領域z2のサセプター5上
におかれた高純度シリコン8は、四塩化ケイ素や塩化水
素と反応し、二塩化ケイ素として気相に持ち去られてし
ま5゜したがって、高温領域z2を通過した原料ガスの
組成は、未反応の四塩化ケイ素(SiOA)、二塩化ケ
イ素(810爲)、水素(Hz)、塩化水素(HOi
)となる。
これらの化学種が、低温領域z1上に到達すると、
SiO&十He −一一一−→Si +2HOJ3−
−−−−一一一一(4)2SiC!為 Si
+ Sio&−−−−−−−−−(51SiCIA+
2H4Si +4H(j−e−−−−−−−−−(6)
の化学気相析出反応が起り、低温領域2.のサセプター
5上におかれた基板シリコン7上に、エピタキシャルシ
リコンとして形成される。すなわち、高温領域為と低温
領域2.との間で、二塩化ケイ素(5iO−& )を媒
体としたシリコンの化学輸送反応が起る。したがって、
高温領域2!上の高純度シリコンとして、原料ガスの四
塩化ケイ素より高純度のものを用いると、低温領域2゜
ノサセプター5上におかれたエピタキシャルシリコン基
板上に析出したエピタキシャルシリコンは、上記(4)
及び(5)式で得られるエピタキシャルシリコンをも含
むので、四塩化ケイ素を(6)式ノ反応のみで直接分解
して得たエピタキシャルシリコンの純度よりも、不純物
の含有率は低下せしめられ、高純度になる。換言すると
、反応炉1内の一方、即ち高温領域2.では原料ガスの
純化を行い、他方、ff1lち低温領域2.では、純化
さレタガスからエピタキシャルシリコンを形成するとい
う両動作を、上記実施例の製造装置は行なっていること
になる。
−−−−一一一一(4)2SiC!為 Si
+ Sio&−−−−−−−−−(51SiCIA+
2H4Si +4H(j−e−−−−−−−−−(6)
の化学気相析出反応が起り、低温領域2.のサセプター
5上におかれた基板シリコン7上に、エピタキシャルシ
リコンとして形成される。すなわち、高温領域為と低温
領域2.との間で、二塩化ケイ素(5iO−& )を媒
体としたシリコンの化学輸送反応が起る。したがって、
高温領域2!上の高純度シリコンとして、原料ガスの四
塩化ケイ素より高純度のものを用いると、低温領域2゜
ノサセプター5上におかれたエピタキシャルシリコン基
板上に析出したエピタキシャルシリコンは、上記(4)
及び(5)式で得られるエピタキシャルシリコンをも含
むので、四塩化ケイ素を(6)式ノ反応のみで直接分解
して得たエピタキシャルシリコンの純度よりも、不純物
の含有率は低下せしめられ、高純度になる。換言すると
、反応炉1内の一方、即ち高温領域2.では原料ガスの
純化を行い、他方、ff1lち低温領域2.では、純化
さレタガスからエピタキシャルシリコンを形成するとい
う両動作を、上記実施例の製造装置は行なっていること
になる。
第2図は、本願発明をデスク形炉に適用した場合の実施
例を示すものである。反応炉13は、ベルシアー形の石
英又はステンレスで形成され、水等で冷却される如く構
成されている。この実施例では、サセプター14は、炭
化ケイ素(EliO)がコートされたグラファイト円板
で形成され、その中心部に設けた軸を、外部から駆動す
ることによって回転することができるように構成されて
いる。円板サセプター14の下面近傍には、サセプター
14を加熱する2個の高周波加熱用ワークコイル17.
17’が同心的に配置され、それぞれのワークコイル1
7.17’への高周波パワーを調整して、サセプター1
4上に2つの同心円状の領域Zs、kを、領域4の温度
が領域zjの所定温度(エピタキシャル成長温度120
0℃)より、50〜100℃高くなるように形成する。
例を示すものである。反応炉13は、ベルシアー形の石
英又はステンレスで形成され、水等で冷却される如く構
成されている。この実施例では、サセプター14は、炭
化ケイ素(EliO)がコートされたグラファイト円板
で形成され、その中心部に設けた軸を、外部から駆動す
ることによって回転することができるように構成されて
いる。円板サセプター14の下面近傍には、サセプター
14を加熱する2個の高周波加熱用ワークコイル17.
17’が同心的に配置され、それぞれのワークコイル1
7.17’への高周波パワーを調整して、サセプター1
4上に2つの同心円状の領域Zs、kを、領域4の温度
が領域zjの所定温度(エピタキシャル成長温度120
0℃)より、50〜100℃高くなるように形成する。
そして、エピタキシャルシリコン基板18と原料ガスの
純化用高純度シリコン19は、第2図に示すように、そ
れぞれ低温領域zs及び高温領域4のサセプター14上
に配置する。原料ガスは、ガス供給ライン16からバル
ブを通して、円板サセプター14の中心軸上に設けられ
たノズル20から反応炉13内に導入され、生成ガスは
ガス出口15から排気用ポンプを使って排気される。こ
の実施例における高純度エピタキシャルシリコンが得ら
れる反応メカニズムは、第1図に示した実施例のものと
全く同様である。
純化用高純度シリコン19は、第2図に示すように、そ
れぞれ低温領域zs及び高温領域4のサセプター14上
に配置する。原料ガスは、ガス供給ライン16からバル
ブを通して、円板サセプター14の中心軸上に設けられ
たノズル20から反応炉13内に導入され、生成ガスは
ガス出口15から排気用ポンプを使って排気される。こ
の実施例における高純度エピタキシャルシリコンが得ら
れる反応メカニズムは、第1図に示した実施例のものと
全く同様である。
以上実施例に基づき詳細に説明したように、本願発明に
おいては、反応炉中において、原料ガスの流れに対し、
上流側に高温領域を、下流側に低温領域を形成し、高温
領域には原料ガス純化用の高純度シリコンを、低温領域
にはエピタキシャルシリコン基板を配置して、エピタキ
シャルシリコン製造装置を構成するものであり、この製
造装置を用いることにより、第1表に示すような高純度
エビタキシャルシリコンヲ得ルことができた。
おいては、反応炉中において、原料ガスの流れに対し、
上流側に高温領域を、下流側に低温領域を形成し、高温
領域には原料ガス純化用の高純度シリコンを、低温領域
にはエピタキシャルシリコン基板を配置して、エピタキ
シャルシリコン製造装置を構成するものであり、この製
造装置を用いることにより、第1表に示すような高純度
エビタキシャルシリコンヲ得ルことができた。
注1. 原料ガスのベースガス:水素性2. 純化用
シリコンの抵抗率: 2000Ωm上記の結果から判る
ように、いずれの原料ガス(ハロゲン化ケイ素ガス)を
用いた場合でも。
シリコンの抵抗率: 2000Ωm上記の結果から判る
ように、いずれの原料ガス(ハロゲン化ケイ素ガス)を
用いた場合でも。
原料ガスを直接エピタキシャルシリコンに転換したもの
に比し、本願発明による装置を用いたものにおいては、
抵抗率をほぼ2倍に向上させることかできる。
に比し、本願発明による装置を用いたものにおいては、
抵抗率をほぼ2倍に向上させることかできる。
第1図及び第2図は、それぞれ、本願発明に係るエピタ
キシャルシリコン製造装置の実施例の断面図である。 図において、1及び13は反応炉、2は原料ガス供給シ
ステム、5及び14はサセプター、6.6′及び17.
17’は高周波加熱用ワークコイル、7及び18はエピ
タキシャルシリコン基板、8及び19は高純度シリコン
、9は四塩化ケイ素気化器、10は水素ボンベ、11は
塩化水素ボンベ、z、及びz8は低温領域、為及び4は
高温領域を示す。
キシャルシリコン製造装置の実施例の断面図である。 図において、1及び13は反応炉、2は原料ガス供給シ
ステム、5及び14はサセプター、6.6′及び17.
17’は高周波加熱用ワークコイル、7及び18はエピ
タキシャルシリコン基板、8及び19は高純度シリコン
、9は四塩化ケイ素気化器、10は水素ボンベ、11は
塩化水素ボンベ、z、及びz8は低温領域、為及び4は
高温領域を示す。
Claims (1)
- エピタキシャル反応炉に、原料ガスの流れ方向の上流側
に、低温領域より50〜100℃高い高温領域を、下流
側に、エピタキシャル成長温度の低温領域を形成し、前
記高温領域には高純度シリコンを、前記低温領域にはエ
ピタキシャルシリコン基板を配置したことを特徴とする
エピタキシャルシリコン製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2459182A JPS58145697A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | エピタキシヤルシリコン製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2459182A JPS58145697A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | エピタキシヤルシリコン製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58145697A true JPS58145697A (ja) | 1983-08-30 |
Family
ID=12142394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2459182A Pending JPS58145697A (ja) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | エピタキシヤルシリコン製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58145697A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60196933A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-05 | Nec Corp | 半導体の気相成長装置 |
JPS60245216A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Fujitsu Ltd | 熱処理炉 |
JPS60245215A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Fujitsu Ltd | 縦型炉 |
JPS6174328A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長反応管 |
JP2002289536A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sony Corp | 熱cvd装置および薄膜半導体素子の製造方法 |
-
1982
- 1982-02-19 JP JP2459182A patent/JPS58145697A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60196933A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-05 | Nec Corp | 半導体の気相成長装置 |
JPS60245216A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Fujitsu Ltd | 熱処理炉 |
JPS60245215A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Fujitsu Ltd | 縦型炉 |
JPH0554690B2 (ja) * | 1984-05-21 | 1993-08-13 | Fujitsu Ltd | |
JPS6174328A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相成長反応管 |
JP2002289536A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Sony Corp | 熱cvd装置および薄膜半導体素子の製造方法 |
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