JPS58145664A - 炭化珪素焼結体の製造法 - Google Patents

炭化珪素焼結体の製造法

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JPS58145664A
JPS58145664A JP57029271A JP2927182A JPS58145664A JP S58145664 A JPS58145664 A JP S58145664A JP 57029271 A JP57029271 A JP 57029271A JP 2927182 A JP2927182 A JP 2927182A JP S58145664 A JPS58145664 A JP S58145664A
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JP
Japan
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mold
sintered body
silicon carbide
powder
medium
Prior art date
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Pending
Application number
JP57029271A
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English (en)
Inventor
宇佐美 吉弘
康博 愛場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は炭化珪素(以下SiCと記す)焼結体の製造法
に関する。
近年SiC焼結体は耐摩耗性、耐蝕性、高温強度等に1
憂れた材料として熱交換器、自動車部品。
ライナー管等の高温構造材料やメカニカルシール等の摺
動材として使用されている。
その製造法としては、8iC粉末に焼結助剤としてアル
ミニウム、ベリリウム、ホウ素等を添加しホットプレス
で焼結する方法、焼結助剤の他に少量の炭素を添加し成
形し無加圧で焼結する方法、比較的粗いSiC粉末で成
形したのちシリコンを含浸し反応焼結する方法等が知ら
れている。これらにおいて成形方法はセラミックスなど
で通常実施されているプレス成形、射出成形、鋳込み成
形環一般的な方法で実施される。
SiC焼結体は焼結後に機械加工することは容易でない
ことから成形時に加工したのち焼結することが多い。し
かしながら最近では成形体内部が複雑な形状をしたもの
が要求されつつあり。
射出成形等である程度の形状は得られるが成形後の金型
離脱に限界がある。このような事がら本発1講は成形体
内部が復雑な形状をしたものを容易に成形し、焼結し得
る炭化珪素焼結体の製造法を提供することを目的とする
本発明は、プラスチックを中型として、炭化珪素を主成
分とした粉末−または泥漿で成形物を形成し、プラスチ
ック中型を埋め込んだまま。
またはプラスチック中型を溶出したのち焼結する炭化珪
素焼結体の製造法に関する。
本発明においてぽ、成形体内部の形状をあらかじめプラ
スチックで加工し、これを中型として成形粉または鋳込
み泥漿で覆いラバープレスまたは焼石膏型を用い成形し
たのちグラスチック中型を埋め込んだままあるいはプラ
スチック中型を溶出したのち焼結するものである。即ち
従来のプレス成形、鋳込み成形あるいは射出成形では成
形体内部を加工することに限界があることからプレス成
形の場合は内部の原型、即ち中型をグラスチックで加工
し、これをスプレードライア−処理して得られたSiC
造粒粉で覆いラバープレス、外部を機械加工したのち1
900〜2500℃の温度で焼成し、焼結体を得る。
又鋳込み成形の場合は中型をグラスチックで加工し、外
型に焼石膏型を用いて調整された泥漿を鋳込んで外型か
ら脱型後、水蒸気雰囲気中で加熱し成形体内部のグラス
チックを溶出したのち乾燥して1900〜2500℃で
焼成し焼結体を得る。これらによって得られたSiC焼
結体られる。
本発明に2けるグラスチックの中型としては。
ラバープレス全使用するプレス成形では耐圧強度100
0Kf/cm″以上を有する熱硬化性プラスチック例え
ば、フェノール樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、エポキシ樹脂等を硬化したものが好ましく又鋳込み
成形では比較的低温で軟化する熱可塑性プラスチック例
えば、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、セルロイ
ド、アセチルセルロース、ポリメタクリル酸メチル樹脂
、パラフィンまたは成形出来る高分子材料が好デしい。
SiC原料バッチの製法及び成形品の焼成粂件は公知の
ものであるが以下のようなものが好ましい。
即ち、原料粉としては平均粒径1μ以下のα型又はβ型
の主原料SiC粉末、ホウ素化合物の如き焼結助剤及び
フェノール樹脂又はカーボンブラックの如き炭素材料か
らなる。プレス成形の場合は、上記原料粉なアセトンの
如き有機溶剤を加えて湿式混合後浴剤を揮発させてから
ポリビニルアルコール水溶液を加えて湿式混合したのち
スプレードライア−にぶり造粒粉を得る。泥漿鋳込み成
形の場合は上記原料粉に解膠剤、界面活性剤、バインダ
ー及び水を加えて湿式混合し泥漿を得る。この成形粉又
は泥漿を中型と共に成形し、プレス成形品はそのまま、
鋳込み成形品は中型を除去後成形体を真空中又は不活性
ガス雰囲気中で1900〜2500℃の温度で焼成し焼
結体を得る。
以下実施例を説明する。
実施例1 平均粒径0.7μmのα−8iC粉末92重量部、平均
粒径5μInのB4C粉末1重量部、炭化率45チのレ
ゾール型フェノール樹脂7重1部及びアセトン100i
鎗部をボールミルにて2時間混合し、混合物を凍結乾燥
してアセトンを除去した。乾燥した混合物に重合度20
00のポリビニルアルコール0.5重量部を水50重量
部と共に加え、ボールミルにて30分間混合後スプレー
ドライアーによシ造粒乾燥した。造粒粉の粒度は最大で
200μm5− 平均60μInである。一方耐圧強度1150句/cm
’以上を有する注型用フェノール樹脂硬化物を機械加工
して放物線形状のノズルの中型を作成した。
これをラバープレス用ゴム型に入れ、上記造粒粉を充填
し静水圧1100 Kg/cm’で成形し、得られた成
形物の外部を所定の寸法に仕上げ加工し、一箇所をフェ
ノール樹脂の中型に至るまで開放とした。この成形体を
黒鉛抵抗式加熱炉にて真空度r 10 AI−(gで毎時500°Cの速度で2250℃
まで昇温し45分間保持したのち冷却した。得られた焼
結体の内部は上記フェノール樹脂中型の曲線形状が収縮
された形状を呈し、焼結体の密度は理論値の98.1係
であった。
実施例2 平均粒径0.4μmのα型SiC粉末98重量部、平η
粒径2μmのS、C粉末0.5重量部、カーボンブラッ
ク1.5重量部、ケイ酸ナトIJウム0.3重量部、界
面活性剤(化工アトラス社製デモールN)011重量部
TL合We 2 ’000のポリビニルアルコール0.
3 重量部及び水35重量部をボールミルで1時間混6
一 合し鋳込み用泥漿とする。一方融点43°Cの試薬パラ
フィンを溶融及び加工してスクリュー状の中型を作成し
、焼石膏製外型の底部に固定し、この外型と中型との中
間に上記泥漿を鋳込んだのち。
中型を溶出したのち乾燥し、実施例1と同一条件で焼成
した。その結果形状及び寸法とも所望の内面状態を有す
る理論密度の97.1の焼結体が得られた。
実施例3 中空のセルロイド製の外面が曲線形状を有する中型を作
成し、焼石膏製外型の中心部に配置し。
実施例2と同様の泥漿を鋳込み、脱扇後加熱してセルロ
イドを除去し、黒鉛抵抗式加熱炉中に入れアルゴンガス
豚囲気中で毎時500℃の速度で昇温し、2300℃で
40分間保持したのち冷却した。得られた焼結体は環状
の中空部を有し、密度が理論値の96.9 %であった
本発明になる製造法によれば、成形体内部まで任意形状
のものが得られる点で射出成形法よりも優れるので、よ
り複雑な形状のSiC焼結体を得るのに有効でありSi
C焼結体の使用範囲の拡大が期待出来る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 グラスチックを中型として、炭化珪素を主成分と
    した粉末または泥漿で成形物を形成し。 プラスチック中型を埋め込んだまま、l!!、たはプラ
    スチック中型を溶出したのち焼結することを特徴とする
    炭化珪素焼結体の製造法。
JP57029271A 1982-02-24 1982-02-24 炭化珪素焼結体の製造法 Pending JPS58145664A (ja)

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